DE1964951B2 - Speicher für binäre Informationen - Google Patents
Speicher für binäre InformationenInfo
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Description
30
Die Erfindung bezieht sich auf einen Speicher für. binäre Informationen, bei welchem die Eigenschaft der
Fortpflanzung magnetischer Bereiche durch gesteuerte Wandverschiebung in Kanälen in dünnen magnetischen
Schichten mit einachsiger Anisotropie ausgenutzt wird.
Bei einem aus der FR-PS 14 55 257 bekannten Speicher dieser Art sind die Kanäle zickzackförmig
etwa nach Art von Schachbrettfeldern ausgebildet, so daß sich die magnetischen Bereiche auf einem
Zickzackweg von Feld zu Feld bewegen. Die in zwei Reihen nebeneinander angeordneten Schachbrettfelder
\edes Kanals sind durch magnetische Brücken miteinander verbunden. Die Achse leichter Magnetisierung
verläuft dabei quer zu der allgemeinen Ausbreitung*- richtung. Die Steuerung der Wandverschiebungen
erfolgt durch Magnetfelder, die durch phasenverschobene Wechselströme erzeugt werden, die durch Spulen
fließen, die um die schachbrettartigen Kanäle gewickelt sind. Für jeden Kanal werden vier Spulen benötigt, die
mit gegenseitigen Phasenverschiebungen von 90° innerhalb jeder Reihe und mit einer zusätzlichen
Phasenverschiebung von 180° von einer Reihe zur anderen erregt werden. Dies ergibt einen komplizierten
Aufbau und eine aufwendige Steuerschaltung.
Aus der US-PS 31 37 845 ist andererseits ein Informationsspeicher in Form eines Schieberegisters
bekannt, das aus schraubenförmig aufgewickelten Kanälen für die Fortpflanzung magnetischer Bereiche
gebildet ist; zwischen die magnetischen Bereiche ist ein Netz von Steuerleitern eingefügt, die senkrecht zu der
Richtung der Kanäle verlaufen, damit die magnetischen Bereiche durch eine mehrphasige Steuerung verschoben
werden können. Hierbei handelt es sich aber nicht um die Ausnutzung der Eigenschaften von dünnen f,5
Schichten aus anisotropischem magnetischem Material; vielmehr sind die Kanäle durch Drähte gebildet, und die
»Verschiebung« der magnetischen Bereiche erfolgt durch aufeinanderfolgende Ummagnctisierung aneinanderstoßender
Abschnitte der Drähte. Auch in diesem Fall ist eine aufwendige Steuerung mit impulsförmigcn
Vierphasenströmen erforderlich.
Aufgabe der Erfindung ist demgegenüber die Schaffung eines Speichers der eingangs angegebenen
Art, bei dem die Verschiebung magnetischer Bereiche in Kanälen aus dünnen magnetischen Schichten mit
einachsiger Anisotropie mit einfachem Aufbau und geringem Schaltungsaufwand möglich ist
Nach der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch wenigstens ein Register, das durch wenigstens eine auf
die Oberfläche eines im wesentlichen zylindrischen langgestreckten Trägers aufgebrachte magnetische
Schicht gebildet ist, in der wenigstens ein schraubenförmiger Kanal definiert ist. dessen Anisotropieachse im
wesentlichen senkrecht zu der Achse der Schraubenlinie gerichtet ist. und durch einen Generator für die
Erzeugung eines gleichförmigen rotierenden Magnetfeldes mit konstanter Amplitude, dessen Drehachse im
wesentlichen parallel zu der Achse der Schraubenlinie liegt und das so beschaffen ist, daß der schraubenförmige
Kanal für eine kontinuierliche Längsverschiebung der Wände seiner magnetischen Bereiche vollkommen
in dem rotierenden Magnetfeld liegt.
Bei dem nach der Erfindung ausgebildeten Speicher werden die magnetischen Bereiche in den Kanälen
durch das angelegte rotierende Magnetfeld gleichförmig vorgeschoben, solange das Magnetfeld besteht.
Dabei ist es nicht erforderlich, daß die Drehachse des Drehfeldes mit der Achse der Schraubenlinie zusammenfallt;
es genügt, daß der schraubenförmige Kanal derart vollständig in dem rotierenden Magnetfeld liegt,
daß die Amplitude des Drehfeldes über die ganze Länge
des Kanals und auch über die Dicke der Schraubenlinie als im wesentlichen gleichförmig angesehen werden
kann. Dies bedeutet kein Problem, da die Erzeugung eines rotierenden Magnetfeldes mit gleichförmiger
Intensität in einem gegebenen Raum auf einfache Weise möglich ist, beispielsweise mit Hilfe von zwei um 90°
phasenverschobenen Wechselströmen, die durch gekreuzte Spulen fließen.
Eine solche Struktur eignet sich direkt für die Bildung von Mehrkanal-Speichern, da nur eine entsprechend
größere Anzahl von schraubenförmigen Kanälen in dem gleichen rotierenden Magnetfeld angeordnet zu werden
braucht. Die für die Verschiebung der magnetischen Bereiche erforderliche Steuerschaltung ist dann besonders
einfach und wirtschaftlich.
Die Richtung der Verschiebung der magnetischen Bereiche in einem im Drehfeld liegenden Kanal hängt
nur von der Wicklungsrichtung der Schraubenlinie ab. Es ist daher möglich, schraubenförmige Kanäle mit
entgegengesetztem Wicklungssinn parallel nebeneinander oder koaxial ineinander anzuordnen, so daß sich die
magnetischen Bereiche in den beiden Kanälen in entgegengesetzten Richtungen bewegen. Wenn zwei
solche Kanäle am einen Ende magnetisch miteinander verbunden werden, durchläuft die Information zunächst
Jon einen Kanal in der einen Richtung und dann den anderen Kanal in der entgegengesetzten Richtung;
wenn die beiden Kanäle an beiden Enden magnetisch miteinander verbunden werden, entsteht eine in sich
geschlossene Schleife, in der die Information beliebig lange umlaufen kann.
Bei dem erfindungsgemäßen Speicher ist keine Synchronisierung der Bildung und Auslesung der
magnetischen Bereiche notwendig, da die Verschiebung
kontinuierlich erfolgt.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
Speichers besteht darin, dall zum Stillsetzen der Information in einem Register ohne Unterbro hung des
rotierenden Magnetfelds ein durch Wechselstrom erregbarer Leiter im wesentlichen parallel /u der Achse
der Schraubenlinie des das Register bildenden Kanals in dessen unmittelbarer Nähe angeordnet ist.
Auf diese Weise erfolgt die Stillsetzung der information in einem Register ohne irgendwelche
Einflußnahme auf das für die Verschiebung erzeugte magnetische Drehfeld. Diese Lösung ist besonders
deshalb vorteilhaft, weil sie es beim Vorhandensein mehrerer im gleichen Drehfcld liegender Register
ermöglicht, die Register für das Stillsetzen der Information einzeln anzusteuern, ohne daß das auf
sämtliche Register einwirkende Drehfeld verändert werden muß.
Für die Eingabe der zu speichernden Informationen und das Auslesen der gespeicherten Informationen ist
der Speicher vorzugsweise so ausgebildet, daß an einem F.nde jedes Registers ein Kcrnbildungslciter für die
Bildung von magnetischen Bereichen mit parallel zu dem Kanal liegender Oberfläche vorgesehen ist, daß am
anderen Ende jedes Registers ein Leselciter für die Abnahme der magnetischen Bereiche mit parallel zu
dem Kanal liegender Oberfläche vorgesehen ist und daß die dem Kernbildungsleiter bzw. dem Leseleiter
gegenüberliegenden Fndwindungdes Kanals gegenüber den Windungen für die normale Fortpflanzung der
magnetischen Bereiche im Kanal zur Vergrößerung der magnetischen Kopplungen zwischen diesen Endwindungen
und den Leitern verbreitert sind.
Line besonders vorteilhafte Organisation des Spei
chers läßt sich gemäß der Weiterbildung der Erfindung dadurch erreichen, daß in der Fortpflanzungsrichtung
hinter dem Kernbildungslcitcr und/oder vor dem Leselciter wenigstens ein Paar von zusätzlichen Leitern
gegenüber den Windungen angeordnet ist, die den mit dem Kernbildungsleiter bzw. mit dem Leseleiter
gekoppelten Leitern benachbart sind, und daß die zusätzlichen Leiter selektiv derart erregbar sind, daß sie
je nach der Polarität der ihnen zugeführten Gleichströme die Fortpflanzung der in dem Kanal erzeugten
magnetischen Bereiche in den ihnen gegenüberliegenden Windungen zulassen bzw. verhindern.
Ausführungsbeispicle der Erfindung sind in der
Zeichnung dargestellt. Darin zeigt
F ι g. 1 die Wirkung der Anwendung eines magnetischen
Drehfeldes auf ein Speicherelement in Form einer dünnen zylindrischen Schicht.
F i g. 2 einen Teil des schraubenförmigen Fortpflanzungskanals fur Magnetistenmgsbereiche unter der
Wirkung eines magnetischen Drehfeldes,
F i g. 3 Querschnitte von verschiedenen Ausführungsformen eines Speicherelements in Form einer
dünnen Magnetschicht welche einen schraubenförmigen FortpflanzBngskana! badet, wobei diese Ausföbrangsformen in der erfindongsgemäßen Weise
auswertbar sind.
Fig.4 bis 7 Seitenansichten von verschiedenen
Aosfohrnngsbetspielen eines erfindngemäßen Speichers, weiche nachfolgend »Eleeientarspeicher« genannt werden.
Fig.8 Ansführtmgsbcispiele von Einzelheiten solcher Liementarspeicher.
fig.Q eine mögliche Ciruppierung von Searentac-. wodurch dieselben einem einzigen magneti
schen Drehfcld zugeordnet werden,
I" ig. IO und Il zwei mögliche Auswtthlartcn zum
Schreiben und Lesen in einer Gruppierung von Elenu'nlarspeichcrn. welche zur Vereinfachung auf vier
Elemente vermindert ist,
Fig. 12 eine andere Ausführungsform der in den
Fig.4 bis 7 gezeigten lilcmcntarspcichcr mit einet
anderen Auswahlari /um Schreiben und Lesen und
Fig. Ii eine Speicherauswahlanordnung. in welcher
Fig. Ii eine Speicherauswahlanordnung. in welcher
ίο du· in I if. 12 gezeigten Anordnungen verwendet
werden.
In Fij.·. 1 ist ein Ring aus einer dünnen Magnetschicht
mit cinaxialcr Anisotropie dargestellt, wobei die
Anisotropicachsc mit K bezeichnet ist. Durch hier nicht näher zu erläuternde Einrichtungen erhält man den
Zustand, daß zwischen den Punkten A und B eine
Umkehrung des Magnetisierungszustandes bezüglich des Bereiches M herrscht, was besagt, daß bei in
Umfangsrichtung verlaufender Anisotropicachse die Magnetisicrungsrichiung in der Zone AS derjenigen ir
der Zone M entgegengerichtet ist. Wenn nun dieser Ring in ein magnetisches Drehfcld // eingebettet wird
so pflanzen sich die Wände des Magnctisicrungsbcrciches
mit umgekehrter Magnetisierung fort, indem sie durch dieses Feld in der in den Ansichten a) bis c) ir
Fig. 1 gezeigten Weise mitgenommen werden.
Wenn man daher die dünne Magnetschicht mil einaxialcr Anisotropie längs einer Schraubenlinie aul
einem Zylinder ( F i g. 2) anordnet, wobei die Vorzugsachse der Magnetisierung oder leichte Magnclisierungs
achse K im wesentlichen senkrecht zur Achse dci
Schraubenlinie verbleibt, wie sie es bezüglich der Achse
des Rings in Fig. I war. erzeugt die Anwendung eine«
sich um diese Achse drehenden Feldes eine ähnliche Wirkung, indem die Bereichswändc jeder Stelle mil
»umgekehrter« Magnetisierung mitgenommen werden Der Speicherpunkt, in welchem durch diese Umkehr der
Magnetisierungsrichtung eine Binärziffer 1 eingcschric
ben worden ist. verschiebt sich längs des schraubenför
migen magnetischen Kanals in einer Richtung, welche
durch die Steigungsrichtung dieser Schraubenlinie und durch diejenige der Leichten Magnetisierungsrichtung
bezüglich der Drehrichtung des Drehfeldes bestimmi wird. Es ist jedoch festzustellen, daß die Umkehrung des
Magnetisierungszustandes des Bereiches nicht vollstän dig ist und tatsächlich, wie durch den Pfeil 1 angegeben
nicht 180" erreicht. Dies ist jedoch ohne Bedeutung, und
in der Praxis werden die Windungen des schraubenför migen Kanals mit einer Neigung von etwa 90° gegen die
Zylinderachse ausgebildet, wobei die Zeichnung nur dei
klaren Darstellung dient.
Unter dünnen Schichten werden Magnetschichter
verstanden, deren Dicke zwischen einigen hundert unc einigen tausend Angstrom liegt Es sind verschieden«
S5 Verfahren zur Herstellung von Schichten dieser Ar
bekannt die hier nicht im einzelnen erläutert werder massen. Die Anisotropieachse kann in zn sieh bekanntet
Weise durch Anlegen eines magnetischen Orientie nmgsfekJes festgelegt werden, and zwar cntwedei
6ο während des Anfbringens, insbesondere wenn dw
Schicht durch Aufdampfen der Bestandteile hergestellt wird, oder nach dem Aufbringen unter Ausglühen, wenr
die Schicht anf dektrochearochem oder insbesondere
elektroh/tischem Wege hergesteBl wird hn allen FäHer
G5 ergftt sich eine dünne anisotrope Schiebt mh gleichförmiger Magnetisierung, weiche in einer Richtung
ausgerichtet ist die beispielsweise als dre Bmärziffer C
entsprechend angesehen werden kann. An jeder Stell«
kann durch Umkehrung dieser Magnetisierungsriehtung,
beispielsweise durch Kernbildung, eine Binärziffer I iin die Stelle der Binärziffer O gesetzt werden. Um die
erforderlichen schraubenförmigen Kanäle zu erzielen, kann man jedoch verschiedene Anordnungen verwenden.
Beispielsweise kann der Kanal aus einer einfachen Spirale aus magnetischem Material, beispielsweise
Kiscn-Niekel-Kobali. bestehen, welche direkt durch eine
geeignete Maske auf die Oberfläche des Trägers aufgebracht ist. Bei einer anderen Ausführungsform
kann der Kanal beispielsweise in der folgenden Weise hergestellt werden: Die Oberfläche des Zylinders wird
mit einer dünnen Aluniiniumschicht überzogen, und
diese Schicht wird beispielsweise gemäß der Form des gewünschten Kanals graviert. Sodann wird eine
gleichmäßige Schicht aus einer ferromagnetischen Legierung, beispielsweise aus Risen-Nickel-Kobalt oder
einer anderen Legierung. Ober dem Aluminium und der durch Photogravüre hergestellten Rille aufgebracht. Bei
einem weiteren Ausführungsbeispiel wird die Oberfläche des Zylinders gleichförmig mit einer dünnen Schicht
aus weichfcrromagnciischcm Material, beispielsweise Ijsen-Nickcl-Kobali, überzogen, eine dünne, unmagnetischc
Spirale auf der Oberfläche dieser dünnen Schicht (beispielsweise durch einen mit Photogravure behandelten
Photoresist) ausgebildet und sodann wird eine Schicht aus härterem magnetischen Material, beispielsweise
aus Nickel-Kobalt, über dieser gesamten Anordnung ausgebildet. In jedem Fall ist der »Fortpflanzungskanal«
auf diese Weise in dem Element geeignet festgelegt.
Die Oberfläche des Trägers soll eine sehr geringe Rauhheit und vorzugsweise sogar einen nahezu optisch
polierten Zustand aufweisen. Infolgedessen kann dieser Träger entweder ein Glasstäbchen 11 gemäß der
Ansicht a) in F i g. 3 oder ein Mctallstäbchen 12 gemäß
der Ansicht b) sein, welcher vorzugsweise einem elektrolytischen Poliervorgang unterworfen wurde. Für
den Betrieb wird es bevorzugt, daß wenigstens die Seele des Trägers elektrisch leitend ist. was in den Ansichten
c) und d) der F i g. 3 dargestellt ist. In der Ansicht c) ist
ein massiver Leiter 14 von einem Dielektrikum 13 umhüllt, auf dessen Oberfläche der schraubenförmige
magnetische Kanal 10 ausgebildet ist. In der Ansicht d) ist der Leiter eine Metallisierung 15 der inneren
Oberfläche eines dielektrischen Rohrs 13. Der Durchmesser des Trägers kann beispielsweise in der
Größenordnung von Millimetern liegen, wobei der schraubenförmige Kanal in der Größenordnung von 200
Mikrometer und die Breite des Kanals in der Größenordnung von 75 Mikrometer liegt. Die Fortpflanzungsgeschwindigkeit der magnetischen Bereichswände der SpeichersteHen hängt offensichtlich von der
Drehgeschwindigkeit des magnetischen Drehfeldes ab nnd kann beispielsweise auf einen Wert in der
Größenordnung von 2 105 cm/see gebracht werden.
Die Trennung zwischen Speichersteflen liegt offensichtlich in der Größenordnung einer Ganghöhe des
schraubenförmigen Kanals.
Es kann festgestellt werden, daß der Querschnitt des
Trägers and daher des Speicherelements nicht kreisför
mig scm nmB. Es genügt daß die Intensität des
magnetischen Drehfeldes gleichförmig ist
Fig.4 zeigt ein erstes Ausffihrongsbeispiel eines
Elementarspeichers, welcher aas einem zylindrischen
Träger besteht welcher den scbraubenförmigen Magnetischen Kanal TO zwischen zwei Endabschnitten 16
and 17 trägt die vorzugsweise eine größere Breite besitzen als der Kanal und beispielsweise die linden des
Trägers praktisch vollständig umfassen. In unmittelbarer Nähe des Teils 16 ist ein quer verlaufender Leiter 18
dargestellt. In unmittelbarer Nähe des Teils 17 ist ein
quer verlaufender Leiter 19 dargestellt. Der Leiter 18 ist beispielsweise der Kernbildungslcitcr, d. h.. daß jedesmal
bei Erregung desselben durch einen Informationsstrom.
welcher die Binärz.iffcr 1 darstellt, die Orientierung der Magnetisierung im Abschnitt 16 umgekehrt
und dadurch diese Ziffer an dieser Stelle eingeschrieben wird. Das Drchfeld H läßt diesen umgekehrten
Magnetisierungsbereich mit seiner Antriebsgeschwindigkeit bis zum anderen Ende des magnetischen Kanals
zur Stelle 17 fortschreiten, an der der Leiter 19 diesen Informationsbestandteil »liest«. Dieses Speieherelement
verhält sich daher ohne weiteres als zeitweiliger Umlaufspeicher, welcher jedem an seinem Eingang
eingeschriebenen Informalionsbestandteil eine Verzögerung
erteilt, die gleich der Anzahl von Dreh-»Zyklen« des Antriebsfcldcs und daher gleich der Gesamtanzahl
von Windungen des schraubenförmigen Kanals 10 einschließlich der Bereiche 16 und 17 ist. Für die
obenerwähnten Abmessungen kann die Dauer eines Zyklus leicht in der Größenordnung von 2 Mikrosekunden
liegen.
Um die Information zu erhalten und so das verzögernde Regislerelement in einen semipermanenten,
nämlich löschbaren und wiederbeschreibbaren Elcmentarspeicher umzuwandeln, werden zwei Maßnahmen
vorgesehen, die getrennt oder gleichzeitig anwendbar sind: Verhinderung der Wirkung des
Drehfeldes (eine Abschaltung desselben wäre wenig praktisch); Schleifenschaltung des Umlaufspeicherregisters.
Um die Antriebswirkung des Drehfeldes zu verhindern,
ist es erforderlich, an den Elementarspeicher ein magnetisches Wechselfeld anzulegen, welches entweder
durch das Fließen eines Wechselstroms im Leiter 14 (oder 15) erzeugt werden kann, wenn ein solcher
vorhanden ist. oder welches durch das Fließen eines Wechselstroms in einem besonderen Leiter erzeugt
werden kann, wie er bei 20 in der in F i g. 5 gezeigten Ausführungsform in unmittelbarer Nähe des Elementarspeichers
dargestellt ist. Dieser Wechselstrom wird
4S natürlich während der Schreibdauer einer Folge von
Informationselementen unterdrückt, d. h. bei jedem Schreiben einer solchen Folge während der Zeit die
erforderlich ist, damit das erste Informationselement das andere Ende des Kanals des Elementarspeichers
erreicht. Er wird ebenfalls während jedes Lesevorgangs unterdrückt, da dieser dynamisch durch den Durchgang
der vom Drehfeld angetriebenen Informationselemente unter dem Leseleiter erfolgt
geschalteten magnetischen Umlaufregisters müssen
entweder zwei einfache Elemente gekoppelt werden wie in F i g. 6 gezeigt oder es muß ein Speicherelemem
mit zwei überlagerten schraubenförmigen Kanälen und umgekehrtem Windungssinn gebildet werden, wobei die
to Ganghöhe in beiden Kanälen gleichbleibt Bei gleich«
Richtung des Drehfeldes gewährleistet die Umkehrung des Windungssinnes zwischen den beiden Kanälen die
Fortpflanzung der Informationselemente in emei
geschlossenen Schleife und daher die Erhaltung des ir
den Speicher Geschriebenen.
Beim Ausfühningsbeisptel der Fig.6 sind zwa
Speicherelemente, das erste mit seinem schnubenför
trugen Kanal 10 und das zweite mit seinem schrauben
509531/18
förmigen Kanal 01, an ihren Enden durch magnetische Brücken 21 und 22 gekoppelt, wobei sich diese Elemente
parallel zueinander und in engem Absland voneinander erstrecken. Jede der Brücken berührt die Enden der
Kanäle, die sie miteinander verbindet, so daß ein im Kanal 10 unter der Brücke 21 vorhandener Magnetisierungsbereich
bei einer Periode des Drehfeldes auf das entsprechende Ende des anderen Kanals 01 übertragen
wird, in dem er sich bis zum entgegengesetzten Ende fortpflanzt und wieder durch die Brücke 22 auf den
Kanal 10 übertragen wird usw. Jede Brücke kann beispielsweise aus einer Magnetschicht mit einaxialer,
entlang der Längserstreckung gerichteter Anisotropie bestehen, welche auf einen flachen Träger, beispielsweise
aus dielektrischem Material, in Form einer dünnen Kunststoffschicht, aufgebracht ist. Es sind mehrere
mögliche Lagen für die Kernbildungs- und Leseleiter angegeben. Tatsächlich kann man, je nach Erfordernis,
mehr als einen Kernbildungs- oder Leseleiter einem Speicherelement zuordnen. Das eigentliche Register
erstreckt sich von der Stelle Re auf dem schraubenförmigen Kanal 10 zur Stelle Rs auf dem schraubenförmigen
Kanal 01
Statt zwei Speicherelemente durch magnetische Brücken miteinander zu verbinden, kann man dieselben
durch äußere Lese- und Schreibkreise verbinden, welche den Leseleiter des einen Speicherelements mit
dem Kernbildungsleiter des anderen Speicherelements verbinden und umgekehrt.
F i g. 7 zeigt einen Elementarspeicher mit doppeltem
Kanal, wobei der »rückführende« Kanal 01 mit einer zwischengelegten isolierenden Schicht 23 dem »vorwärtsführenden«
Kanal 10 überlagert ist. wobei die Magnetschichten jedoch an den Stellen Re und Rs in
direkter Berührung stehen. Die Wirkungsweise ist ohne weiteres verständlich.
In den Fig.4 bis 7 sind die Leiter 18 und 19 flach
dargestellt; aber diese Darstellung stellt keine Beschränkung dar. Beispielsweise ist in der Ansicht a)der
F i g. 8 gezeigt, daß ein solcher Leiter, wenn gewünscht,
als ebene Spirale ausgebildet sein kann, welche beispielsweise auf beide Fliehen einer dünnen dielektrischen
Folie aufgedruckt ist. In der Ansicht b) ist der Leiter durch eine Metallisierung 38 auf einem Teil des
Materials des magnetischen Kanals und durch einen daran angelöteten Draht 39 gebildet. In der Ansicht c)
ist der Leiter 18 ein sehr feiner, isolierter Draht, weicher um das Ende des Stäbchens gewickelt ist. Man kann
auch flache, längs der Achse des Stäbchens ausgerichtete Schleifen verwenden u. dgl.
Der in den ¥ ig. 4 bis 7 dargestellte Leiter 14 ist im wesentlichen deshalb vorteilhaft, weil er die Anwendung
eines (wenn erforderlich, dem Sperrwechseistrom überlagerten) Gleichstroms gestattet, um die anisotrope
Magnetschicht in gewisser Weise zu »polarisieren« und dadurch den Normalzustand der Magnetisierung des
Materials in bezug auf den »umgekehrten« Zustand für die Darstellung der Ziffer 1 zu begünstigen. Um darüber
hinaus einen Speicherinhalt völlig zu löschen, genügt es. die Stärke dieser Gleichstromkomponente ausreichend
zu erhöhen, um das magnetische Material zu sättigen, woraus sich die vollständige Rückkehr in den der
Binärziffer 0 entsprechenden Magnetisierungszustand ergibt. Man kann, natürlich weniger vorteilhaft, zu
diesen Zwecken einen äußeren Leiter verwenden.
Auch bei einem zur Schleife geschalteten Speicherre gister rst die Anwendung eines Wechselfeldes zur
Sperrung oder Verhinderung der Wirkung des Drehfel-
des und /um »Einfrieren« der Information in demselbei
in bestimmten praktischen Anwendungsfällcn möglich. Die oben beschriebenen Elementarspcichcr wcrdei
vor allem /ur Herstellung von Speicherblocks verwen det, welche infolgedessen eine besonders kompakt'
Bauweise besitzen. Dazu genügt es. die Speicherelemen te, wie beispielsweise in Fig.9 gezeigt, parallc
zueinander anzuordnen und diesen Block 24 in eil Drehfeld einzubetten, welches beispielsweise von zwe
ίο aufeinander senkrechten Spulen erzeugt wird, die au
einem magnetischen Rahmen 25 angeordnet sind um jeweils durch die beiden Phasen Φ\ und Φ2 eine
/weiphasigen Stromquelle gespeist werden. Mit dei oben angegebenen Abmessungen der Elementarspei
eher und unter Berücksichtigung eines Zwischenraum in der Größenordnung von Millimetern zwischen dei
Elementarspeichern im Block 24 beiragt die Volumen Speicherdichte etwa 5000 Informaiionselemente ji
Kubikzentimeter. Für eine Gesamtkapazität von 10 Informationselementen liegt das Volumen in de
Größenordnung eines Liters, das Drehfeld von bei spielsweise 500 Hz beträgt nur 8 Oe. und die Speiselei
stung beträgt nur etwa 160 Watt. Diese Leistung kann wenn erforderlich, noch verringert werden, indem mai
die Spulen an einen Resonanzkreis in der Größenord nung von 6 Watt anschließt und einen Gütefaktor Q ir
der Größenordnung von 10 für diesen Kreis zuläßt.
In den Gruppierungen oder Blocks von Elementar speichern müssen Auswahlvorgänge sowohl beirr
Schreiben als auch beim Lesen der Informationselemen te vorgenommen werden. Fig. 10 zeigt eine Aus
führungsform einer Auswahlschaltung zum Schreiber und zum Lesen für Speicher, bei welchen die
Information mit Hilfe von Wechselströmen stabilisier!
wird. Der Wechselstrom wird parallel auf die Elemen
tarspeicher des Blocks 24 durch bedingte Übertragungsschaltungen 32 mit Sperreingängen 33 verteilt. Der
Intormationseingang 26 ist mit allen Eingängen dei
Llementarspeicher verbunden, und der Eingang des
Leseverstärker* 34 ist mit einer gemeinsamen Ausgangsleistung
29 der Elementarspeicher verbunden. Die gelesenen Informationen werden bei 35 am Ausgang
dieses Leseverstärkers abgenommen, und durch eine bedingte Ubertragungsstufe 36 mit einem Genehm.-gungseingang
37 wird der Ausgang des Leseverstärkers 34 zum Informationseingang 26 zurückgeschleift. Diese
Anordnung arbeitet in der folgenden Weise:
Wenn die Übertragungsstufen 32 auf Durchgang geschaltet s.nd. wird der Wechselstrom an alle
Elementarspe.cher angelegt, in welchen dann alle vorher eingeschriebenen Informationen festgehalten
werden Die Leitung 29 liest keinerlei Information, wöbe, deren Eingänge mit den Leitern, wie dem Leiter
19. der Elementarspeicher verbunden sind. Zum Lesen wird die Auswahl durch Sperrung eroer der Stufen 32
und sodann Unterdrückung des auf den entsprechenden tlementarspeicher einwirkenden Wechselfeldes durch
gefuhrt. Der Informationsinhalt dieses Speichers pflanzt
sich längs des magnetischen Kanals fort, und der vom
ta Leiter 19 gebildete Lese-»Kopf« wind aktiviert wobei
die Leitung 29 diese Signale auf den Verstärker 34 übertragt Diese Signale treten bei 35 aus und wenn der
Speicher nicht zur Schleife geschaltet ist und der lntormationsinhait wieder eingeschrieben werden soll.
so gibt die dann auf Durchgang geschaltete Ubertragungsstufe
36 dieselben auf den Schreib-»Kopf« zurück, welcher vom Kembildungsleiter 18 des ausgelesenen
Elementarspeichers gebildet wird. Kein anderer EIe-
ΓΓ
mentarspeicher kann die Signale registrieren, wenn man
bedenkt, daß das Einschreiben durch Kernbildung durch das Zusammenfallen des Signals im Leiter 18 mit dem
Durchgang des Drehwechselfeldes am Abschnitt 16 erfolgt, da an den anderen Elementarspcichereingängen
die Wirkung des Drehfeldes durch das dort aufrechterhaltene Wechselfeld verhindert oder gesperrt wird. Für
das Schreiben erfolgt der gleiche Vorgang, jedoch ist die Stufe 36 gesperrt, und der Eingang 26 empfängt die in
den ausgewählten Elementarspeicher einzuschreibenden Informationssignale.
Bei in einer Schleife geschalteten Elementarspeichern ist der Wiedereinschreibkreis weggelassen. Die Löschung
wird dann lediglich durch die Wirkung des Gleichstroms gewährleistet, wie bereits oben allgemein
für die Arbeitsweise des Leiters 14 erläutert.
Bei einer anderen Ausführungsform kann die Auswahl vollständig außerhalb des Speicherblocks
erfolgen, wie in F i g. 11 gezeigt. In diesem Fall ist, wie
übrigens bei jedem Informationsspeicher, jeder Elementarspeicher (Register) mit einer Eingangsübertragungsstufe
27 und einer Ausgangsübertragungsstufe 30 versehen. Die anderen Anordnungen sind ebenfalls
üblich: Die Informationseingänge der Stufen 27 sind mit einer gemeinsamen Signalaufgabeleitung 26 verbunden,
während einzelne Steuereingänge 28 an die entsprechenden Eingänge der Stufen 27 angeschlossen sind. Die
Übertragungsstufen 30 können durch die Steuereingänge 31 einzeln entsperrt werden, und ihre Ausgänge sind
mit einer gemeinsamen Informationsentnahmeleitung 29 verbunden. Die Arbeitsweise ist ohne weiteres
verständlich.
Die in den Fig. 10 und 11 dargestellten Anordnungen
sind auf das serienweise Schreiben und Lesen anwendbar, wobei jeder Elementarspeicher ein Informations-»Wort«
empfängt, dessen Anzahl von Elementen gleich der Windungsanzahl seines schraubenförmigen
Kanals ist. Ihre Umsetzungen in paralleles Schreiben und Lesen sind beim gegenwärtigen Stand
der Technik offensichtlich. Ein Informationswort enthält dabei eine Anzahl von Elementen, welche gleich der
Anzahl von Elementarspeichern in dem Block ist.
Ein gewisser Auswahlgrad kann jedoch am Ort des Elementarspeichers selbst mit einer anderen, in F i g. 12
dargestellten Ausführungsform erzielt werden. In dieser Figur sind lediglich die Enden eines Elementarspeichers
dargestellt, wobei sich das eigentliche, feststehende oder umlaufende, einfache oder zur Schleife geschaltete
Speicherregister zwischen den Stellen Re und Rs befindet. Der Teil 16 umfaßt dabei mehrere Schraubenwindungen,
bei dem betrachteten Ausführungsbeispiel drei, wobei diese Windungen vorzugsweise, jedoch nicht
notwendigerweise, eine größere Breite besitzen als der Registerkanal. Drei Leiter sind mit diesen drei
Windungen gekoppelt, wobei der erste Leiter 18 (a)dev
Kernbildungsleiter zum Schreiben in den Speicher ist und die beiden anderen Leiter 41 (b) und 42 (c) die
Genehmigungs- oder Sperrleiter für das Fortschreiten jedes möglicherweise durch den Leiter 18 eingeschriebenen
Informationselements zum eigentlichen Register &>
darstellen. Diese beiden letzteren Leiter sind einfach, d. h. tatsächlich quer verlaufend dargestellt, was für ein
wirkungsvolles Arbeiten derselben bedingt, daß die Neigung der entsprechenden Windungen groß ist.
beispielsweise zwischen 20 und 40" liegt, was der Fall
sein kann, da diese Windungen eine größere Neigung gegen die Zylinderachse aufweisen können als die
Windungen des Registers. Bei einer anderen Ausführungsform können sie als quer verlaufende Eingangs
und Ausgangsschleifen ausgebildet sein, welche durci
einen zur Zylinderachse parallelen Teil miteinandci verbunden sind, wobei die Neigung der zusätzlicher
Windungen ebenso gering sein kann, wie diejenige dei Registerwindungen. Die Anordnung kann in folgendei
Weise arbeiten:
Es wird eine Periode Jo betrachtet, in welcher dei Leiter 18 aktiv auf den Magnetisierungszustand dei
zugehörigen Windung des Kanals einwirkt. Normalerweise ist dieses Informationsclement unter der Wirkung
des Drehfeldes eine Periode später im Zeitpunkt fi ar der unter dem Leiter 41 liegenden Stelle de«
Eingangskanals angeordnet. Wenn dieser letztere nicht aktiviert ist. erfolgt nichts, und der diesem Informationselement
entsprechende Magnetisierungsbereich wandert weiter und kommt im Zeitpunkt ti unter dem Leitet
42 an. Wenn dieser letztere von keinem Strom durchflossen ist, wandert der Magnetisierungsbereich
noch weiter und tritt in das Register ein. Wenn dagegen einer der Leiter 41 und 42 von einem Strom mit einer
zum Kernbildungsstrom entgegengesetzten Polarität in dem Zeitpunkt durchflossen wird, in dem der umgekehrte
Magnetisierungsbereich unter demselben liegt, löscht die Wirkung dieses Stroms das Informationselement,
indem der Magnetisierungszustand auf seinen dem Wert der Binärziffer 0 entsprechenden Zustand zurückgebracht
wird. Das Eintreten eines Informationselements in ein Register kann daher durch Aktivierung des
Leiters 41 und/oder des Leiters 42 gesperrt werden. Dies ermöglicht daher das Aufgeben eines Informationselements
auf alle Eingänge der Elementarspeicher und die Durchführung eines Auswahlvorgangs nach
dieser Aufgabe. Es können auch mehr als zwei Eingangssteuerleiter für das Elementarspeicherregister
gewählt werden.
Das andere Ende 17 des Elementarspeichers ist ähnlich ausgebildet und weist ebenfalls drei zusätzliche
Windungen des schraubenförmigen Kanals nach dem Ausgang Re des Registers auf. wobei zwei Leiter 44 (dl
und 45 (e) vor dem Leseleiter 19 (f) angeordnet sind. Wenn ein Informationselement das Register bei Re
verläßt, kann es die letzte Windung unter dem Leiter 19 nur erreichen, wenn die beiden Leiter 44 und 45 in den
unmittelbar vorangehenden Perioden des antreibenden Drehfeldes nicht mit einem Löschungsstrom gespeist
werden. Es können natürlich auch mehr als zwei Steuerleiter an diesem Ende des Elementarspeichers
vorgesehen werden.
Fig. 13 zeigt ein Anwendungsbeispiel der in Fig. 12 dargestellten Anordnung in einem erfindungsgemäßen
Speicher. Dieser Speicher besteht aus vier mal η Elementarspeichern, mit anderen Worten, ein Block,
wie der Block 24 in F i g. 9, weist An Elementarspeicher
auf. welche für die Auswahlvorgänge zu 4 Untergruppen I bis IV zusammengefaßt sind. Jeder Kernbildungsleiter
a\ bis an ist vier Elementarspeichereingängen
zugeordnet, und zwar einem in jeder der vier Untergruppen, und m gleicher Weise ist jeder Leseleiter
Λ bis fr vier Elememarspeicheransgängen zugeordnet,
welche gegenüber dem Kernbildtmgsleiter mit dem gleichen Index zusammengefaßt sind.
Vier bistabile Kippschaltungen sind dargestellt, und
zwarß und C'ffir die Schreibaaswahl sowie Dund E für
die LcseauswahL Fails jedes Schreiben bei der Verwendung des Speichers ein Lesen hervorruft, läßt
man die Kippschaltungen B and D einerseits und die Kippschaltungen Cund E andererseits zusammenfallen.
Pa jedoch, wenigstens für die /.u einer Schleife
geschalteten Register, mehrere Lesungen ohne Löschung vorteilhaft sein können, bleiben die vier
Kippschaltungen in den meisten praktischen fällen getrennt
Jede Kippschaltung weist /wei stets komplementäre
Ausgänge auf: Wenn sich ein Ausgang auf einer »hohen Spannung« befindet, liegt der andere an Erde, und wenn
daher ein Ausgang Strom abgibt, gibt der andere keinen ab (oder er gibt nur einen für die Kernbildung
vernachlässigbaren Strom ab). Zur Bequemlichkeit sind die Ausgänge der Kippschaltungen in dem Schaltbild
mit + und — bezeichnet Der Ausgang + der Kippschaltung B ist an einen Leiter b+ angeschlossen,
welcher der Leiter 41 aller Elementarspeicher der Untergruppen I und Il ist Der Ausgang — der
Kippschaltung Bist an einen Leiter b— angeschlossen,
welcher der Leiter 41 aller Elementarspeichcr der Untergruppen Hl und IV ist. Der Ausgang + der
Kippschaltung C ist an einen Leiter c+ angeschlossen, welcher der Leiter 42 aller Elementarspeicher der
Untergruppen I und Il j ist. während der Ausgang — der Kippschaltung Can einen Leiter c— angeschlossen ist.
welcher der Leiter 42 aller Elementarspeicher der Untergruppen Il und IV ist. Es kann leicht nachgewiesen
werden, daß bei Aufgabe einer oder mehrerer Folgen von Informationselementen zum Schreiben auf einen
oder mehrere Kernbildungslciter <?i ...an das Schreiben nur in einer der Untergruppen stattfinden kann, da in
einer einzigen Untergruppe, welche in diesem Zeitpunkt durch die Stellungen der Kippschaltungen B und C
bestimmt wird, die beiden Leiter 41 und 42 ohne
Löschungsströme sind. In den drei anderen Untergruppen führt wenigstens einer dieser Leiter einen
Löschungsstrom, und daher werden die eingeleiteten Informationselemcntc gelöscht, bevor sie den Eingang
der Speicherregister erreichen.
In gleicher Weise ist der Ausgang + der Kippschal-
lung D mil einem Leiter t/4 verbunden, welcher der
Leiter 44 aller Llemenurspcicher der Untergruppen I und il ist. und ihr Ausging - ist mit dem Leiter e/~
verbunden. welcher der Leiter 44 aller Elcmcntarspeieher
der Untergruppen Hl und IV ist. Der Ausgang + der Kippschaltung /-.ist mil dem Leiter ca verbunden,
welcher der Leiter 4J aller Elcmcntarspeichcr der
Untergruppen I und III ist während der Ausgang - mil
dem Leiter c— verbunden ist. welcher der Leiter 43 aller
ίο Elementarspeichcr der Untergruppen Il und IV ist. Hier
kann ebenfalls leicht nachgewiesen werden, daü je nach
den Stellungen der Kippschaltungen D und /fdas Lesen
in einem bestimmten Zeitpunkt nur in einer einzigen Untergruppe von Elemcntarspeichern stattfinden kann.
Gleichzeitiges Schreiben und Lesen findet statt, wenn
sich die Kippschaltungen B und D einerseits und die Kippschallungen C und F andererseits in den gleichen
Stellungen befinden.
Eine solche Speicherorganisation kann ebensogut zum Eingeben von ρ Worten mit π Ziffern in eine
Untergruppe von ["lementarspeichern durch gleichzeitiges
Aufgeben der Signale der aufeinanderfolgenden Ziffern dieser Worte auf die Eingänge a\ ... an wie zum
Eingeben von η Worten mit ρ Ziffern (wobei ρ die
Kapazität jedes Elemcntarspeichcrregistcrs isi) nacheinander
und in einem einzigen Schreibvorgang angewendet werden, wobei das Lesen in gleicher Weise
ausgeführt wird. Diese beiden Anwendungsarten sind nur Beispiele für die Arbeitsweise und Steuerung
solcher Speicher.
Mit einem zusätzlichen Stcucrleilcr an jedem Eingang und an jedem Ausgang und einer zusätzlichen
Kippschaltung für jeden dieser Leiter kann der Speicher in acht Untergruppen für das Schreiben und Lesen
unterteilt werden usw.
Wenn erforderlich, können mehrere ineinander verschachtelte schraubenförmige Kanäle aul dem
Träger ausgebildet werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (20)
1. Speicher für binare Informationen, bei welchem
die Eigenschaft der Fortpflanzung magnetischer Bereiche durch gesteuerte Wandverschiebung in
Kanälen in dünnen magnetischen Schichten mit einachsiger Anisotropie ausgenutzt wird, g e ■
kennzeichnet durch wenigstens ein Register, das durch wenigstens eine auf die Oberfläche eines
im wesentlichen zylindrischen langgestreckten Trägers (11, 12, 13) aufgebrachte magnetische Schicht
gebildet ist, in der wenigstens ein schraubenförmiger Kanal (10) definiert ist, dessen Anisotropieachse im
wesentlichen senkrecht zu der Achse der Schraubenlinie gerichtet ist, und durch einen Generator (25,
Fig.9) für die Erzeugung eines gleichförmigen rotierenden Magnetfeldes mit konstanter Amplitude,
dessen Drehachse im wesentlichen parallel /u der Achse der Schraubenlinie liegt und das so beschaffen
ist, daß der schraubenförmige Kanal (10) für eine kontinuierliche Längsverschiebung der Wände seiner
magnetischen Bereiche vollkommen in dem rotierenden Magnetfeld liegt.
2. Speicher nach Anspruch L_dadurch gekennzeichnet,
daß zum Stillsetzen der Information in einem Register ohne Unterbrechung des rotierenden
Magnetfelds ein durch Wechselstrom erregbarer Leiter (14,15,20) im wesentlichen parallel zu der
Achse der Schraubenlinie des das Register bildenden Kanals (iO) in dessen unmittelbarer Nähe angeordnet
ist.
3. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Leiter (14, 15) die Seele des zylindrischen Trägers (13) des Kanals (10) bildet.
4. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Leiter (20) außerhalb des Registers (10,13) in dessen unmittelbarer Nähe liogt.
5. Speicher nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Begünstigung der
Stabilität der magnetischen Bereiche mit dem einen bzw. dem anderen der beiden möglichen, zueinander
inversen Zustände entlang dem Kanal (10) in jedem Register des Speichers ein durch Gleichstrom
erregbarer Leiter (14, 15, 20) im wesentlichen parallel zu der Achse der Schraubenlinie des das
Register bildenden Kanals (10) in dessen unmittelbarer Nähe angeordnet ist.
6. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (14, 15) eine Seele des
zylindrischen Trägers (13) des Kanals (10) bildet.
7. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß der Leiter (20) außerhalb des Registers (10,13) in dessen unmittelbarer Nähe liegt.
8. Speicher nach einem der Ansprüche I bis 7. dadurch gekennzeichnet, daß an einem Ende jedes
Registers (10, 13) ein Kernbildungsleiter (18) für die Bildung von magnetischen Bereichen mit parallel zu
dem Kanal (10) liegender Oberfläche vorgesehen ist, daß am anderen Ende jedes Registers ein Leseleiter
(19) für die Abnahme der magnetischen Bereiche mit parallel zu dem Kanal (10) liegender Oberfläche
vorgesehen ist und daß die dam Kernbildungsleiter (18) bzw. dem Lcseleiter (19) gegenüberliegenden
Endwindungen (16, 17) des Kanals (10) gegenüber den Windungen für die normale Fortpflanzung der
magnetischen Bereiche im Kanal zur Vergrößerung der magnetischen Kopplungen zwischen diesen
l-ndwindungen (16. 17) und den Leitern (!8, 19)
verbreitert sind.
9. Speicher nach Anspruch 8. dadurch gekennzeichnet,
daß in der Fortpflan/ungsrichtung hinter dem Kernbildungsleiter (18) und/oder vor dem
Leseleiter (19) wenigstens ein Paar von zusätzlichen Leitern (41, 42; 43, 44) gegenüber den Windungen
(16, 17; Fig. 12) angeordnet ist. die den mit dem Kernbildungsleiter (18) bzw. mit dem Leseleiter (19)
gekoppelten Windungen benachbart sind, und daß die zusätzlichen Lciter(41,42;43,44) selektiv derart
erregbar sind, daß sie je nach der Polarität der ihnen
zugeführten Gleichströme die Fortpflanzung der in dem Kanal (10) erzeugten magnetischen Bereiche in
den ihnen gegenüberliegenden Windungen zulassen bzw. verhindern.
10. Speicher nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die den zusätzlichen Leitern (41,42; 43, 44) gegenüberliegenden Windungen (16, »7;
Fig. 12) des Kanals (10) gegenüber den Windungen für die normale Fortpflanzung der magnetischen
Bereiche im Kanal verbreitert sind.
11. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 10.
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einige der Register ein Paar von schraubenförmigen Kanälen
(10, 01) mit entgegengesetztem Wicklungssinn aufweisen, die übereinander angeordnet und über
ihre ganze Länge mit Ausnahme ihrer Endwindungen an wenigstens einem ihrer Enden voneinander
isoliert sind( Fig. 7).
12. Speicher nach Anspruch 11. dadurch gekennzeichnet,
daß die End windungen (Re. Rs) der beiden Kanäle (10, 01) mit entgegengesetztem Wicklungssinn an deren beiden Enden in Kontakt stehen und
daß wenigstens einer der beiden Kanäle (10, 01) außerhalb dieses Kontaktbereichs um wenigstens
eine mit einem Kernbildungsleiter (18) bzw. einem Leseleiter (19) gekoppelte verbreiterte Windung (16,
17) verlängert ist.
1 J. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Paar von nebeneinanderliegenden Registern mit Kanälen
(10, 01) von entgegengesetztem Wicklungssinn versehen ist und daß eine magnetische Brücke (21,
22) diese Kanäle an wenigstens einem ihrer Enden koppelt( Fig.6).
14. Speicher nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß die nebeneinanderliegenden Register an ihren beiden Enden (Re, Rs) miteinander
gekoppelt sind und daß wenigstens eines von ihnen außerhalb der so gebildeten Fortpflanzungsschleife
um wenigstens eine mit einem Kernbildungsleiter (18) bzw. einem Leseleiter (19) gekoppelte verbreiterte
Windung (16,17) verlängert ist.
15. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (14, 15, 20) an den Ausgang
einer Torschaltung (32) angeschlossen ist, deren Signaleingang einen Wechselstrom empfängt und
die einen Steuereingang aufweist, der durch einen Decodierer für Registeradressen im Speicher ansteuerbar
ist( Fig. 10).
16. Speicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kernbildungsleiter (18) mehrerer Register (24) über getrennt steuerbare Torschaltungen
(27) an eine gemeinsame Eingabeleitung (26) angeschlossen sind und daß die Lcseleiter (19) über
getrennt steuerbare Torschaltungen (30) mit einer gemeinsamen Ausgabeleitung(29) verbunden sind.
17. Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daü ein Kernbildungsieiter
(!8) wenigstens einem Teil (I bis IV) der Register des Speichers gemeinsam ist.
18. Speicher nach Anspruch w. dadurch gekennzeichnet,
daß ein Lcseleiter (15) allen Registern gemeinsam ist. die einem gemeinsamen Kernbildungsleiter
(18) zugeordnet sind.
19. Speicher nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Register in Gruppen (I bis IV) organisiert sind, welche die gleichen Kernbildungsleiter
(18) und Leseleiier (19) haben und daß die zusätzlichen Leiter (41, 42; 43, 44) selektiv mit
Ausgängen von Aktivierungsorganen (B, C, D, £) verbunden sind, die derart adressierbar sind, daß sie
je nach ihren Zuständen in jeder Gruppe die Fortpflanzung der gebildeten magnetischen Bereiche
in allen Registern der Gruppe .flit Ausnahme von einem sperren.
20. Speicher nach Anspruch 9 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß zur Sperrung einer Foripflan
zung von gebildeten magnetischen Bereichen die zusätzlichen Leiter (41, 42; 43, 44) Ströme
empfangen, welche in dem Kanal (10) an der Stelle der zusätzlichen Leiter magnetische Bereiche zu
bilden suchen, die invers zu den magnetischen Bereichen sind, die durch die Kernbildungsleiter (18)
in dem Kanal erzeugt werden.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR181590 | 1968-12-30 | ||
FR181590 | 1968-12-30 | ||
FR181589 | 1968-12-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1964951A1 DE1964951A1 (de) | 1970-07-16 |
DE1964951B2 true DE1964951B2 (de) | 1975-07-31 |
DE1964951C3 DE1964951C3 (de) | 1976-03-04 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1964951A1 (de) | 1970-07-16 |
GB1271540A (en) | 1972-04-19 |
FR1599514A (de) | 1970-07-15 |
DE1964952B2 (de) | 1977-11-17 |
GB1279718A (en) | 1972-06-28 |
DE1964952C3 (de) | 1978-07-20 |
DE1964952A1 (de) | 1970-07-09 |
US3611328A (en) | 1971-10-05 |
FR1599513A (de) | 1970-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EGA | New person/name/address of the applicant | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: PRINZ, E., DIPL.-ING. LEISER, G., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |