DE2522703C3 - Josephson-Speicherzelle und Verfahren zu ihrem Betrieb - Google Patents
Josephson-Speicherzelle und Verfahren zu ihrem BetriebInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Josephson-Speicherzelle nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Das Prinzip von Schaltungen, die auf dem Josephson-Effekt beruhen, ist im Stand der Technik wohlbekannt,
wo derartige Schaltungen auch schon für Speicherzwekke vorgeschlagen wurden. So beschreibt beispielsweise
die US-Patentschrift 36 26 391 eine Speichermatrix aus einer Vielzahl von Josephson-Kontakten, in der jede
Speicherzelle aus zwei derartigen Josephson-Kontakten besteht Der Zustand jeder Speicherzelle wird durch die
Richtung des Ringstromes in der Zelle bestimmt.
In zwei technischen Veröffentlichungen wird ein supraleitender Ring untersucht, in den ein Hindernis,
wie beispielsweise ein Josephton-Kontakt eingebaut ist Das Verhalten von supraleitenden Ringen mit eingebauten schwachen Kopplungen beim Anlegen von äußeren
Magnetfeldern wurde von F. B1 ο c h in der Veröffentlichung »Simple Interpretation of the Josephson-Effect«
in Physical Review Letters, VoL 21, Nr. 17, Oktober 1968 auf Seite 241 beschrieben. Dort wird der Josephson-Effekt am Beispiel eines mit einem äußeren Magnetfeld
gekoppelten supraleitenden Rings untersucht In einem weiteren Artikel (von D. E. McC u m b e r in Journal of
Applied Physics, Vol. 39, Nr. 6, Mai 1968, Seite 2503)
werden supraleitende Grenzschichten mit schwacher Kopplung und die Wirkung von Magnetfeldern auf
diese Grenzschichten beschrieben. Auf Seite 2507 dieses Artikels beschreibt McCumber eine supraleitende
Schleife mit einem einzigen Kontakt schwacher Kopplung und weist auf die mögliche Verwendung
dieser Konfiguration als Speicherelement hin.
Im US-Patent 37 05 393 wird eine supraleitende Speichermatrix beschrieben, in der die Speicherzellen
aus supraleitenden Ringen besteht, deren jeder mindestens ein Element enthält, das einen Josephson-Tunnel-Strom aufrechterhalten kann. In dem Patent werden
Koinzidenzströme verwendet, um in den Ringen einen Magnetfluß einzufangen und um diesen eingefangenen
Fluß beim Auslesen der Speicherzellen wieder freizusetzen. Wenn diese Speicherzelle mit nur einem einzigen
Rußquant betrieben wird, ergibt sich eine hohe
Arbeitsgeschwindigkeit, und die Ansteuerströme besitzen in diesem Fall vernünftige Toleranzgrenzen. Um
einen Betrieb mit einem einzigen Flußquant zu erhalten, müssen die Kapazität, die Induktivität und die
Dämpfung jeder Speicherzelle innerhalb gewisser Grenzen liegen.
Im Jahr 1970 beschrieb P. W. A η d e r s ο η in »Physics ίο
Today«, VoI 23, Seite 29,1970 ein »Flußpendel« (»flux
shuttle«), welches ein Schieberegister mit einem einzigen Flußschlauch (Vortex) darstellt Die ersten
instrumentellen Ergebnisse an derartigen Flußpendeln
wurden kürzlich von T. A. Fulton und L. N. Dunk el berger in »Applied Physics Letters«, Vol.
22, Seite 232 (1973) berichtet In den Einrichtungen der Veröffentlichungen und des zuletzt genannten Patents
wird der Fluß entweder innerhalb kleiner supraleitender Induktivitäten in Form von Schleifen mit je einem
Josephson-Kontakt gespeichert oder aber in einzelnen rechteckigen Kontakten, weiche dann ein äußeres
Hilfs-Magneiield erfordern. Zum Auslesen wird das in
den Matrizenleitungen während der Freigabe des eingeschlossenen Fluxoids (Flußquant) induzierte Signal
abgefühlt Obwohl derartige Einrichtungen sehr hohe Packungsdichten ergeben können, liegt der Nachteil
darin, daß die für das Auslesen freigesetzte Energie nur in der Größenordnung von 10~'8 Joule liegt Da
außerdem die Herstellung der im Stand der Technik bekannten Einrichtungen aufgrund der erforderlichen
Schleifen relativ viel Platz in Anspruch nimmt stellen diese noch keinen Schlußpunkt der Entwicklung
bezüglich geringer Größe und hoher Geschwindigkeit dar, die das Ziel der meisten heutigen Technologien
darstellen. Außerdem ist in keiner der bekannten Einrichtungen die Speicherzelle gleichzeitig ihr eigener
Abfühldetektor, der die Zelle beim Speichern eines Flußquants in den Zustand mit der Bandlückenspannung
umschaltet
Die vorliegende Erfindung stellt sich angesichts des beschriebenen Standes der Technik die Aufgabe, eine
Josephson-Speicherzelle mit nur einem einzigen Josephson-Kontakt anzugeben, bei der das Umschalten
nach dem Koinzidenzstromprinzip erfolgt, und der entstehende Leseimpuls einen möglichst großen Wert
erhält Außerdem soll die Speicherzelle eine möglichst hohe Speicherdichte beim Zusammenbau von Speichermatrizen ergeben.
Diese Aufgabe wird durch die im Hauptanspruch angegebene Erfindung gelöst Ausgestaltungen und
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprachen 2 bis 11 gekennzeichnet
Die vorgeschlagene Speicherzelle besteht im wesentlichen aus einem einzelnen Josephson-Kontakt mit zwei ss
Elektroden und einer dazwischenliegenden Isolierschicht, der so aufgebaut ist, daß die Josephson-Stromdichte in den Randbereichen des Kontakts größer ist als
in dessen Zentrum. Das Profil der Stromdichte kann dadurch gesteuert werden, daß entweder die Oxyddicke eo
entsprechend gewählt wird, Supraleiter mit einem geeigneten Wert ihrer Austrittsarbeit verwendet
werden oder dadurch, daß die Gestalt des Kontakts abweichend vom normalen rechtwinkeligen Querschnitt
ausgeführt wird. Wird die Gestalt des Kontakts zur Steuerung des Profils der Josephson-Stromdichte
verwendet, so erhält der üblicherweise rechtwinkelige Kontakt in einer seiner Ausdehnungsrichtungen eine
Einbuchtung; diese Einbuchtung kann dabei spitz zulaufend, mit rechten Winkeln oder krummlinig
begrenzt gewählt werden.
Ebenfalls Gegenstand der Erfindung sind Verfahren
zum Betreiben der in den Ansprüchen 1 bis 11
gekennzeichneten Speicherzelle. Durch entsprechende Einstellung der Dämpfung der Kontakte dieser
Speicherzelle können die Verstärkungscharakteristik und die Flußschläuche so beeinflußt werden, daß eine
Koinzidenzstromadressierung einer einzelnen Speicherzelle in einer bitorientierten Speichermatrix
ermöglicht wird. Die sich insgesamt ergebende Herabsetzung der Josephson-Stromdichte führt zu einem
höheren Kontakt-Widerstand und dz mit zu einer
entsprechenden Herabsetzung der Dämpfung. Diese Widerstandserhöhung am Tunnelkontakt verändert auf
unerwartete Weise die Umschalteigenschaften aller Vortex-Moden derart, daß die Verwendung derselben
Koinzidenzströme das eindeutige Auslesen sowohl von positiven als auch negativen Flußschläuchen erlaubt,
welche eine binäre »1« bzw. eine binäre »0« darstellen, da nur beim Vorliegen einer binären »1« eine
Umschaltung in dem spannungsbehafteten Zustand erfolgt Jede Speicherzelle arbeitet während des
Abfühlvorgangs als ihr eigener Abfühldetektor und schaltet in den spannungsbehafteten Zustand um, wenn
ein Flußquant gespeichert ist
Die Vorteile der Erfindung liegen darin, daß zur permanenten Informationsspeicherung keine äußeren
Mittel wie z. B. zusätzliche Hilfsfelder oder Vorströme notwendig sind, daß in der Speicherzelle selbst keine
supraleitende Schleife vorhanden sein muß, daß die Speicherzelle mit geringer Leistung und großer
Geschwindigkeit betrieben werden kann und schließlich, daß jede Speicherzelle als ihr eigener Abfühl-Detektor verwendet werden kann.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun anhand von Zeichnungen näher beschrieben.
F i g. 1 zeigt den Querschnitt durch eine Speicherzelle zur Speicherung eines einzelnen Flußquants ohne
Verwendung eines Hilfsfeldes. Die dargestellte Zelle besitzt einen rechtwinkeligen Josephson-Kontakt mit
einem zwischen zwei Supraleitern liegenden Isolator, dessen Dicke so gewählt ist, daß in ihm längs des
Kontakts ein Josephson-Tunneleffekt auftreten kann;
F i g. 2A zeigt eine Aufsicht auf einen Josephson-Kontakt bei dem ein gewünschtes Profil der Josephson-Stromdichte J\(x) dadurch erzeugt wird, daß die
einander gegenüberliegenden Enden der supraleitenden Elemente die Form von rechtwinkelig begrenzten
Einschnitten besitzen. In der Figur ist dargestellt, wie die sich überlappenden Teile der beiden supraleitenden
Elektroden jeweils in der Mitte eine Einbuchtung aufweisen und somit ein Profil der Josephson-Stromdichte ergeben, welches in den Randzonen des Kontakts
einen höheren Wert aufweist als in der Mittelzone;
F i g. 2B gibt eine graphische Darstellung des Profils der Josephson-Stromdichte ]\(x), aufgenommen längs
des Josephson-Kontakts mit der in Fig.2A gezeigten Konfiguration;
F i g. 3A zeigt eine Aufsicht auf einen Josephson-Kontakt, bei dem das gewünschte Profil der Josephson-Stromdichte mit Hilfe von spitz zulaufenden Einbuchtungen in den supraleitenden Elektroden des Kontakts
erzielt wird;
Fig. 3B gibt die graphische Darstellung des Profils
der Josephson-Stromdichte für die Anordnung in Fig.3A;
Tig.4A zeigt einen Josephson-Kontakt mil krummlinig
begrenzten Einbuchtungen der Elektroden;
Fig.4B zeigt das Profil der Josephson-Stromdichte
für die Anordnung nach Fig. 4A;
Fig.5 gibt die graphische Darstellung einer Reihe
von Schwellwertkurven des Arbeitsstroms (Ig) in
Abhängigkeit des Steuerstroms (lc), die beide bezüglich
/ο normalisiert sind; die Kurven gelten für einen Kontakt
ähnlich dem in Fi g. 1 gezeigten mit der Ausnahme, daß es sich hier um einen Kontakt mit geringem Widerstand
(Rj) handelt, der in dem Kontakt zu einer großen
Dämpfung führt. Immer wenn die angelegten Ströme zu einem Überschreiten der durchgezogen gezeichneten
Kurvenabschnitte führen, erfolgt ein Umschalten in den spannungsbehafteten Zustand. Außerdem geht die Zeile
von einem Quantenzustand in einen anderen über, wenn die angelegten Ströme einen gestrichelt gezeichneten
Abschnitt der Kurven überschreiten;
F i g. 6 zeigt die graphische Darstellung eines Satzes von berechneten Kurven, die ähnlich den Kurven in
F i g. 2 sind mit der Ausnahme, daß hier die charakteristischen, auf /o normalisierten Kurven des Verlaufs von
Ig über /(. für eine Zelle mit großem Widerstand Rj
aufgetragen sind, welcher zu einer geringen Dämpfung der Zelle führt Bei den Kurvenzügen von F i g. 6 ist der
Hinweis wichtig, daß bei diesen die Umschalt-Schwellwerte für alle Vortex-Zustände als Folge der Zunahme
des Kontaktwiderstands eine Ausdehnung erfahren haben; in
Fig. 7 ist der charakteristische Verlauf von le in
Abhängigkeit von /cfür einen Kontakt ähnlich dem in
F i g. 4A dargestellt und zusätzlich das Einschreiben und Auslesen des Kontakts durch Anlegen von Koinzidenzströmen,
infolge der verringerten Dämpfung erstreckt sich die Verstärkungscharakteristik der Moden derart.
daß das Auslesen sowohl von binären Einsen als auch binären Nullen eindeutig durch Koinzidenzstrom-Selektion
erfolgen kann. Die durchgezogenen Linienabschnitte stellen die Umschaltschwellwertgrenze dar, während
die gestrichelten Abschnitte die Begrenzungen der Quantenzustände anzeigen;
Fig.8 zeigt eine Matrix aus Josephson-Kontakten
zum Speichern eines einzelnen Flußquants und mit einer geringen Dämpfung ähnlich dem in Fig.4A gezeigten
Fall, bei denen durch Koindizenzstrom-Selektion mit Hilfe von Wort- und Bitleitungen eingeschrieben und
ausgelesen wird.
In Fig. 1 ist der Teil eines Querschnitts eines rechteckigen Josephson-Kontakts 1 gezeichnet, mit
dem ein einzelnes Rußquant ohne Zurhilfenahme eines Vorstroms oder eines von außen angelegten Magnetfelds
gespeichert werden kann. Der Josephson-Kontakt
1 besteht aus Supraleitern 2, 3, welche durch eine dielektrische oder Isolierschicht 4 getrennt sind, deren
Dicke den Tunneleffekt erlaubt Die Supraleiter 2, 3, können aus beliebigen supraleitenden Stoffen der
Kryotechnik hergestellt werden, beispielsweise aus Blei,
Niob, Zinn oder Aluminium. Das Dielektrikum 4 kann ebenfalls aus beliebigen Dielektrika oder Isolatoren
bestehen, die üblicherweise in der Kryotechnik verwendet werden, wie z. B. Sifiziumdioxyd oder ein Oxyd des
verwendeten Metalls, solange die Dicke, wie oben erwähnt, nicht den Wert überschreitet, bei dem der
Josephson-Tunneleffekt durch die Schicht verändert wird. Eine Steuerleitung 5. die senkrecht über dem
Kontakt 1 liegt und von diesem durch eine (nicht gezeichnete) Isolatorschicht getrennt ist liefert einen
Steuerstrom /Λ der in Verbindung mit den Strömen Ig,
die an die Elemente 2, 3 angelegt werden, zum Einspeichern oder zum Auslesen von Information dient,
die in der Zelle durch die Anwesenheit oder die Abwesenheit von Flußschläuchen enthalten ist.
Die Ströme lc und lg werden also gleichzeitig an die Steuerleitung 5 und an die Supraleiter 2,3 angelegt, und zwar sowohl zum Einschreiben als auch zum Auslesen von Information in die Zelle 1. In Fig. 1 wird lg beispielsweise an das supraleitende Element 2 in einer
Die Ströme lc und lg werden also gleichzeitig an die Steuerleitung 5 und an die Supraleiter 2,3 angelegt, und zwar sowohl zum Einschreiben als auch zum Auslesen von Information in die Zelle 1. In Fig. 1 wird lg beispielsweise an das supraleitende Element 2 in einer
ίο Richtung angelegt, welche durch das Symbol 6
angezeigt wird und die ebenfalls mit der Richtung des durch den Steuerstrom in der Steuerleitung 5 erzeugten
Magnetfeldes übereinstimmt.
Flußschläuche können innerhalb des langen Josephson-Kontakts dadurch erzeugt werden, daß ein äußeres
Magnetfeld mit einer Größenordnung von An(O) angelegt wird. Diese Flußschläuche sind jedoch ohne
Magnetfeld nicht stabil. Der Grund hierfür ist daß die Lorentz-Kraft infolge des Eigenfeldes eines FluDschlauches
die Josephsonschen Ringströme nach außen abdrängt.
Um in einer Zelle ähnlich der Fig. 1 einen stabilen
Flußschlauch aufrechtzuerhalten, muß die zu dem (induktiven) Josephson-Strom gehörige Energie an den
Kanten des Kontakts größer sein als die Energie infolge der Lorentz-Kraft. Dies läßt sich erreichen, indem der
Schwellwert des Josephson-Stroms an zwei gegenüberliegenden Enden des Kontakts durch eine lokale
Erhöhung der Josephson-Stromdichte erhöht wird oder indem an gegenüberliegenden Enden des Kontakts die
Kontaktfläche größer gemacht wird als im Zentrum. Die zuletzt genannte Möglichkeit wird im folgenden
ausführlich anhand der F i g. 2A, 3A und 4A erörtert. In jedem Fall wird das Profil der Josephson-Stromdichte
so gestaltet daß es an den Rändern der Zelle 1 einen höheren Wert aufweist als im Mittelpunkt der Zelle.
Eine Möglichkeit, das gewünschte Profil der Josephson-Stromdichte zu erhalten, ist in F i g. 1 dargestellt
Dort ist die Isolationsschicht 4 an den Enden 7, 8 des Kontakts 1 dünner als in der mittleren Region 9. Die
Zelle 1 stellt also einen einzigen rechteckigen Josephson-Tunnel-Kontakt mit einer dielektrischen
oder Isolierschicht 4 zwischen den Supraleitern 2,3 dar, welcher entlang der Längendimension des Kontakts
einen Josephson-Tunnel-Strom aufrechterhält Es ist hier noch darauf hinzuweisen, daß sich unter diesen
Umständen die Zelle in Fig. 1 sehr wohl von den bekannten Interferometeranordnungen (DT-PS
12 43 292) unterscheidet welche aus einem Paar von Josephson-Kontakten bestehen. Durch die Maßnahme,
die Stromdichte, die allgemein definiert wird durch
J1(X) = J
an den Enden eines einzelnen Josephson-Kontakts zu erhöhen und dafür zu sorgen, daß an den Rändern eine
größere Stromdichte als in der Mitte der Zelle vorherrscht, können in die Zelle 1 von Fig. 1 durch eine
geeignete Kombination von Arbeitsstrom Ig und
Steuerstrom /c Flußschläuche erzeugt werden, die einem
einzelnen Flußquant entsprechen. Das zur Erzeugung
eines Flußschlauchs notwendige Magnetfeld wird durch
den Steuerleiter 5 aufgebaut Der Strom m der Zelle, der
dem Eindringen des äußeren Steuerfeldes entgegenwirkt bildet schließlich den Flußschlaucn, der durch den
gestrichelt dargestellten Pfeil 10 in Fig. I angedeutet
ist. Wird also ein Flußschlauch in der Zelle I von F i g. 1 erzeugt, bleibt dieser auch ohne ein äußeres Magnetfeld
stabil, während die Vorrichtungen im Stand der Technik, die ebenfalls nur einen einzigen (osephson-Kontakt
verwenden, einen äußeren Vorstrom oder ein Magnetfeld erforderlich machten, um die gebildeten Flußschläuche
in einem stabilen Zustand aufrechtzuerhalten.
Das obenerwähnte Profil der Josephson-Stromdichte kann auch auf andere Weise als durch Änderung der
dielektrischen Schicht 4 an den Rändern der Zelle 1 erhalten werden. So können auch die Endstücke 7,8 der
Zelle 1, welche die Randbereiche der Supraleiter 2, 3 enthalten, zur Erzielung des gewünschten Stromdichtenprofils
dienen. In diesem Fall besitzt dann die Zelle 1 von F i g. 1 eine dielektrische oder isoiatorschicht 4 mit
überall gleicher Dicke, während die Randbereiche der Supraleiter 2, 3 an den Enden 7, 8 aus einem Metall
bestehen, dessen Austrittsarbeit verschieden ist von dem Metall, das für die Bereiche der Supraleiter 2,3 in
der Zentralregion 9 verwendet wird. Genauer gesagt ist die Austrittsarbeit des Metalls in den Randbereichen der
Zelle 1 geringer als die Austrittsarbeit für die Abschnitte der Leiter 2,3, die in der Zentralregion 9 liegen. Durch
Herabsetzen der Austrittsarbeit in den Endbereichen 7 und 8 der Supraleiter 2,3 ergibt sich eine Dichtefunktion
des Josephson-Stroms, bei der in den Endbereichen 7,8 ein größerer Betrag auftritt als in der Zentralregion 9.
Wird also beispielsweise die Zentralregion 9 aus Blei hergestellt, so können die Bereiche 7, 8 aus Zinn
bestehen, welches ein Metall mit einer geringeren Austrittsarbeit ist. Diese Zelle besitzt dann das
gewünschte Profil der Josephson-Stromdichte und erfüllt somit die gestellte Anforderung, nämlich nur
einen einzigen Josephson-Kontakt zu verwenden und keinen externen Vorstrom oder ein Magnetfeld zur
Aufrechterhaltung eines gespeicherten einzigen Flußquants zu benötigen.
Ein Josephson-Kontakt mit einem Profil der Josephson-Stromdichte
derart, daß sich in den Randbereichen der Zelle ein größerer Betrag ergibt als im Mittelteil,
kann auch mit überall gleicher Dicke des Dielektrikums und mit Metallen einer einzigen Austrittsarbeit hergestellt
werden, wenn für den Kontakt selbst eine bestimmte Formgebung gewählt wird. Mit anderen
Worten, das gewünschte Stromdichtenprofil kann dadurch erzeugt werden, daß mindestens ein Teil der
Endbereiche mindestens einer der Elektroden 2, 3, die sich mit der anderen Elektrode überlappen, so gestaltet
wird, daß sich im Mittelteil der Zelle 1 ein weniger breiter Tunnelbereich ergibt als an den Rändern der
Zelle 1. Die F i g. 2A bis 4A zeigen Aufsichten auf solche Strukturen, welche die gewünschten Profile der
Josephspn-Strom-Dichten ergeben, die jeweils in den Fi g. 2B bis 4B angegeben sind.
Fig.2A zeigt eine Aufsicht auf einen einzelnen JosephsoB-Kontakt 1, bei dem ein Teil der sich
überlappenden Endbereiche jeder der Elektroden 2,3 so ausgebildet ist daß in beiden Elektroden ein rechtwinkeliger Einschnitt 11 entsteht In F i g. 2A liegt natürlich
zwischen den Elementen 2,3 überall dort, wo diese sich «0
überlappen, ein Dielektrikum oder ein Isolator 4 (dieser
ist in der Figur nicht gezeichnet). Ans F i g. 2B, in der das
Profil der Josephson-Stromdichte längs des Josephson-Kontakts -von Zelle 1 (bzw. in Ji-Richtang) aufgetragen
ist ergibt sich, daß die Zelle 1 ein Profil der «5
Josephson-Stromdichte Ji(X) besitzt dessen Wert an
den Rändern der Zelle 1 größer ist als in deren Mittelteil.
Auf ähnliche Weise besitzen die Stromdichtenprofile J\(X) der Zellen 1 in den Fig. 3A und 4A an den
Rändern der Zelle eine größere Stromdichte als in den Mittelabschnitten, wobei in Fig.3A ein spitz zulaufender
Einschnitt 12 in den Elektroden dargestellt ist, in F i g. 4A ein krummliniger Einschnitt 13. Wie im Fall der
Zelle 1 und in Fig.2A besitzen die Zellen 1 in den
Fig.3A und 4A an den Stellen der Elektrodenüberlappung
dielektrische oder Isolatorschichten. Jeder der beschriebenen Kontakte weist das gewünschte Profil
der Josephson-Stromdichte als Folge eines im Mittelteil der Elektroden angeordneten Einschnitts auf. Allgemein
kann damit von der Regel ausgegangen werden, daß die Gestalt des Josephson-Kontakts beliebig ist, solange die
gewählte Struktur im Mittelteil einen Einschnitt aufweist. Es ist dabei nicht notwendig, daß beide
supraleitenden Elektroden 2,3 diesen Einschnitt in ihren Mittelteil aufweisen, es genügt, wenn eine der
Elektroden damit versehen wird. In Fig.2A kann also
beispielsweise der rechtwinkelige Einschnitt 1 im Element 3 entfallen, ohne daß sich dadurch das
endgültige Profil der Josephson-Stromdichte ändert. Die einzige notwendige Änderung besteht darin, den
Einschnitt 11 des Elements 2 in K-Richtung zu erweitern, bis er den Endteil des Elements 3 (der jetzt
ohne Einschnitt ist) zu einem großen Teil überdeckt.
Auch in den F i g. 3A und 4A braucht nur eines der Elemente 2, 3 mit einem spitz zulaufenden bzw. einem
krummlinig begrenzten Einschnitt versehen zu werden.
In den Fig.2A bis 4A liegt über jedem der
dargestellten Josephson-Kontakte beim tatsächlichen Betrieb eine Steuerleitung 5, die beim Anlegen eines
Steuerstroms lc ein Magnetfeld erzeugt, dessen Richtung
durch den in jeder der F i g. 2A bis 4A dargestellten Pfeil angegeben ist In allen Ausführungsbeispielen
braucht das Dielektrikum oder die Isolatorschicht 4 nur diejenige minimale Dicke aufzuweisen, welche ausreicht,
um einen Josephson-Tunneleffekt über die ganze Länge des Kontakts aufrechtzuerhalten. Diese Forderung
ergibt zusammen mit den oben beschriebenen Parametern die Vorschriften, mit denen die gewünschten
Profile der Josephson-Stromdichte erzeugt werden können; die sich damit ergebenden Zellen können auch
bei Abwesenheit eines externen Magnetfeldes oder eines Vorstromes ein einzelnes Flußquant speichern.
Trägt man für die in den F i g. 1 und 2A bis 4A dargestellten Zellen die Änderung des Arbeitsstroms lg
in Abhängigkeit vom Steuerstrom lc auf, so erhält man
die Schwellwertcharakteristik, deren allgemeine Form in Fig.5 wiedergegeben ist In Fig.5 ist jeder der
Parameter Ig und /<■ normiert bezüglich /0 dargestellt
F i g. 5 bezieht sich auf eine Zelie mit einem geringeren
Kontaktwideestand Rj und damit einer großen Dämpfung; die Kurve für den Fall ohne eingefangene
Flußschläuche {Null-Vortex) liegt symmetrisch zur /y/o-Achse und besitzt die Werte 7<//o = ±1,5 für
Ig = 0. Für eine Zelle, die also keinen Flußschlauch
enthält kann durch keine Kombination eines Steuerstroms /cund eines Arbeitsstroms Ig, die innerhalb der
Nun-Vortex-Rurve liegt ein FluBschlauch gebildet
werden. Wurden diese Ströme jedoch so gewählt daß der Arbeltepunkt der Zelle außerhalb der durchgezogenen Linie der NuD-Vortex-Kurve liegt so schaltet die
Zelle von dem supraleitenden Zustand in den spannungsbehafteten Zustand in der für Josephson-Kontak-
te üblichen Weise um. Verschiebt weiterbin die
Kombination der angelegten Ströme den Arbeitspunkt der betrachteten Zelle derart, daß er den gestrichelt
809647/348
ίο
gezeichneten Teil der Null-Vortex-Kurve überschreitet,
speichert die Zelle einen Plus- oder Minus-Flußschlauch. Unter diesen Umständen kann der Josephson-Kontakt
ein einzelnes Flußquant speichern, welches eine von zwei möglichen Richtungen des Stroms im Flußschlauch
einnimmt; dies ist in Fig.5 durch die Kurven Plus-Vortex (+) und Minus-Vortex (-) angedeutet. Hat
die Zelle dabei von einem Vortex-Mode in einen anderen umgeschaltet, so besteht der Vortex-Mode, von
dem die Zelle ausgegangen ist, nicht mehr und damit ebensowenig die Schwellwertcharakteristik dieses Modes.
Führt also in F i g. 5 die Kombination der angelegten Ströme die Zelle von einem Nuli-Vortex-Mode
in einen Plus-Vortex-Mode über, indem die gestrichelt bezeichnete Linie des Null-Vortex-Mode
überschritten wird, so verschwindet der Null-Vortex-Mode, und es bleibt nur noch die Schwellwertkennlinie
des Plus-Vortex-Mode übrig. Solange die Kombination der angelegten Ströme innerhalb der Schwellwertcharakteristik
des Plus-Vortex-Mode bleibt, kann die betreffende Zelle ein einzelnes Flußquant speichern.
Wenn die Kombination der angelegten Ströme dazu führt, daß ein durchgezogen gezeichneter Kurvenabschnitt
einer der Vortex-Moden überschritten wird, so schaltet die betreffende Zelle in den spannungsbehafteten
Zustand um. Speichert die Zelle ein einzelnes Flußquant und wird dann eine Kombination von
Strömen angelegt, die bewirkt, daß die gestrichelt gezeichneten Abschnitte der Schwellwertcharakteristik
des Plus-Vortex-Mode überschritten werden, so schaltet die Zelle von einem Plus-Vortex-Mode in den
Null-Vortex-Mode zurück, und es ist in diesem Fall nicht mehr möglich, ein einzelnes Flußquant zu speichern. Aus
dem Vorstehenden ergibt sich klar, daß Kombinationen von Arbeits- und Steuerströmen an die Zelle derart
angelegt werden können, daß dieser entweder einen Null- oder einen positiven Flußschlauch speichert, die
als Darstellung einer binären Null bzw. einer binären Eins angesehen werden können.
Dieses Ziel kann üblicherweise dadurch erreicht werden, daß gleichzeitig Arbeits- und Steuerströme mit
solchen Werten angelegt werden, daß entweder ein Null-Flußschlauch oder ein positiver Flußschlauch in der
betreffenden Zelle gespeichert wird. Soll die gespeicherte
Information jedoch ausgelesen werden, so ergibt die Anwendung von Koinzidenzströmen dann einen
Ausgangsstrom in der Leitung des Arbeitsstroms, wenn ein positiver Flußschlauch gespeichert ist, während sich
im Fall eines gespeicherten Null-Flußschlauchs kein
Strom ergibt Ist beispielsweise eine binäre Eins in Form eines positiven Flußschlauchs gespeichert, so führt das
Anlegen von Koüszidenzströmen dazu, daß der
gestrichelt gezeichnete Abschnitt der positiven Vortex- Kurve fiberschritten wird, wodurch der gespeicherte
Flußschlauch freigegeben und der Arbeltspunkt der Zelle 1 In den Null-Vortex-Mode übergeführt wird. Der
freigesetzte Flußschlauch besitzt eine Energie in der Größenordnung -von 10~18 Joule und prägt der
Arbeitsleitung der Zelle 1 einen geringen Stromimpuls auf. Werden dieselben Koinzidenzströme angelegt,
wenn kein Flußschlauch gespeichert ist, so ergibt sich kein Ausgangssignal da in diesem Fall der gestrichelt
gezeichnete Abschnitt der Null-Vörtex-Kurve nicht
überschritten wird. Anzumerken ist an dieser Stelle noch, daß kein positiver Flußschlauch existieren kann,
wenn ein Null-Flußschlauch vorhanden ist und umgekehrt
In F i g. 6 sind Schwellwertkurven Ig/h in Abhängigkeit
von IJk ähnlich denen in F i g. 5 aufgezeichnet,
jedoch mit dem Unterschied, daß diese Kurven für eine Zelle aufgenommen wurden, die einen großen Widerstand
Rj und eine entsprechend geringere Dämpfung s aufweist. Die Erhöhung des Kontaktwiderstandes /?/
führt dazu, daß die durchgezogen gezeichneten Kurvenabschnitte von F i g. 5 so verlängert werden, daß
die Umschaltschwelle der Zelle in der in F i g. 6 dargestellten Weise ausgedehnt wird. Die in Fi g. 6 mit
ίο Hilfe der durchgezogenen Linien dargestellte Erweiterung
der Umschaltschwelle, verglichen mit der Umschaltschwelle der Zelle in Fig.5, ermöglicht eine
grundsätzliche Änderung in der Betriebsweise der Zelle, wenn diese als Speicherzelle zur Speicherung eines
einzelnen Flußquants ohne Vorstrom verwendet werden soll. Diese Änderung ergibt sich durch die
Erweiterung der Umschaltschwellen der Zelle, die ihrerseits durch eine Herabsetzung des Stromdichte-Profils
erzielt wird, wobei diese Herabsetzung dadurch geschieht, daß ein großer Kontaktwiderstand für eine
Zelle mit einem gewünschten Stromdichte-Profil verwendet wird. Aus F i g. 6 ist ersichtlich, daß der kritische
Punkt (d. h. der Punkt an dem eine Kombination von angelegten Arbeits- und Steuerströmen eine Zelle in
den spannungsbehafteten Zustand umschaltet), auf der Null-Vortex-Kurve bei lg/Ιο ungefähr 0,9 liegt. Als Folge
hiervon wird ein positiver Flußschiauch ohne Umschalten in den spannungsbehafteten Zustand gebildet, wenn
die Schweliwertkurve für einen Null-Vortex-Zustand (oder Null-Quantenzustand) bei Arbeitsströmen von
Ig ~0,9 /o nicht überschritten wird. Bei Arbeitsströmen,
die größer sind als 0,9 I0, schaltet die Zelle natürlich in
den spannungsbehafteten Zustand um. Aus Fig.6 ist auch ersichtlich, daß die kritischen Punkte auf den
Schwellwertkurven für die positiven und negativen Flußschläuche bei IJh ungefähr 0,4 erfolgen, so daß das
Umschalten zu dem spannungsbehafteten Zustand bei geringeren Arbeitsströmen erfolgt In bezug auf das
Speichern eines einzigen Rußquants ändert sich am Einschreiben einer derartigen Information wenig, da das
Umschalten zwischen den verschiedenen Quantenzuständen (zwischen den Zuständen mit verschiedenen
Flußschläuchen) die einzige Voraussetzung ist, um beispielsweise eine binäre Eins in einem positiven
Vortex-Zustand mit einem einzigen angefangenen Flußquant einzuspeichern. Das Auslesen einer Zelle, in
der beispielsweise eine binäre Eins in Form eines positiven Vortex-Zustandes (Zustand mit einem einzigen
Flußquant) gespeichert ist, ändert sich jedoch in diesem Fall radikal. In F i g. 5 galten die Schwellwertkurven
für eine Zelle mit einem geringen Kontaktwiderstand Rj, und das Lesen erfolgte eindeutig dadurch, daß
ein einzelnes Flußquant aus der Zelle freigesetzt wurde, wenn gleichzeitig-Ströme angelegt wurden, die zu einem
Oberschreiten der positiven Vortex-Kurve in den
gestrichelten Bereich führt; im Gegensatz hierzu folgt aus den Schwellwertkurven von Fig.ti, daß eine binäre
Eins, die in der Zelle in Form eines einzelnen Flußquants gespeichert ist nun dadurch ausgelesen werden kann,
daß die Zelle mit geringer Dampfung in den
spannungsbehafteten Zustand übergeführt.wird. Infolge
der großen Ausdehnung der Schwellwertkurven ist es nur möglich, lcpinzidierende Arbeits- und Steuerströme
anzulegen und damit eindeutig die Anwesenheit
entweder einer binären Eins oder einer binären Null
festzustellen, wobei in beiden Fallen die gleichen Werte
der Koinzidenzströme Verwendung finden. Fig.7, in
der die Umschait-Schwellwerte ebenso wie die Vortex-
Schwellwerte eingezeichnet sind, zeigt klar die Strombedingungen, unter denen eine Zelle mit geringer
Dämpfung sowohl eingeschrieben als auch ausgelesen werden kann.
Ist anfangs eine durch die Kurven von F i g. 7 dargestellte Zelle leer (d. h. enthält sie keinen Flußschlauch),
so wird kein Flußschlauch erzeugt, solange der Arbeitspunkt innerhalb der Kurve bleibt, die durch
Null-Vortex angezeigt ist. Beispielsweise kann durch eine beliebige Kombination von Arbeits- und Steuerströmen
eine binäre Null eingeschrieben werden, wenn die koinzident an die Zelle und deren Steuerleitung
angelegten Ströme einen Arbeitspunkt ergeben, der in dem schraffierten Bereich 14 liegt (dieser wird auch mit
»Schreibe 0« bezeichnet. An dieser Stelle wird auch klar, daß die mit Minus-Vortex in F i g. 7 bezeichnete Kurve
auch anstelle der mit Null-Vortex bezeichneten Kurve
sowohl zum Einschreiben als auch zum Auslesen einer Binärinformation dienen kann, wobei dieselben Ströme
wie im Fall der Null-Vortex-Kurve verwendet werden.
Die obere Grenze des anlegbaren Arbeitsstroms ist natürlich durch den kritischen Punkt 15 auf der positiven
Vortex-Kurve bestimmt, der dann eine Rolle spielt, wenn von einem binären Zustand »1«, der durch die
positive Vortex-Kurve dargestellt wird, zu einem binären Zustand »0« umgeschaltet werden soll. Solange
nur Ströme angelegt werden, welche die positive Vortex-Schwellwertkurve nur in deren gestrichelten
Bereich überschreiten, kann diese Änderung der Zustände ohne Umschalten in den spannungsbehafteten
Zustand erfolgen. Zum Einschreiben einer binären »1« können Arbeits- und Steuerströme angelegt werden,
welche zu einem Punkt in dem schraffierten Bereich 16 (mit »Schreibe 1« bezeichnet), ohne daß dadurch der
durchgezogene Abschnitt einer Schwell wertkurve überschritten werden würde. Das schraffierte Gebiet 16
besitzt ebenfalls eine obere Begrenzung für den Arbeitsstrom, deren Wert durch den kritischen Punkt
bestimmt wird, der zu beachten wäre, wenn von einem Null-Vortex-Zustand zu einem positiven Vortex-Zustand
umgeschaltet werden sollte Offensichtlich führt ein Arbeitsstrom größer als 0,9 dazu, daß der
Schwellwert der Null-Vortex-Kurve überschritten wird und daß die Zelle in den spannungsbehafteten Zustand
übergeht
Bezüglich des Auslesens müssen natürlich gleiche Koinzidenzströme angelegt werden, und es muß sich ein
eindeutiges Signal für einen der beiden Zustände der ausgelesenen Zelle einstellen. In früheren Abschnitten
wurde besprochen, daß es bei einer Zelle mit großer Dämpfung nicht möglich ist, ein derartiges eindeutiges
Signal für einen der beiden möglichen gespeicherten Zustände zu erzielen, wenn ein Umschalten in den
spannungsbehafteten Zustand erfolgt. Durch eine geeignete Wahl des Kontaktwiderstands, Rj derart, daß
sich eine Zelle nut großem Kontaktwiderstand ergibt,
wird die Umschaltschwelle einer derartigen Zelle ausgedehnt und ermöglicht es, das gewünschte eindeuti
ge Auslesesigna] Für eine gespeicherte Binärinformation
zu erhalten.
Aus Flg.7 ergibt sich, daß beim Anlegen gleicher
Werte von Arbeits- und -Steuerströmen ein eindeutiges Umschalten in den spannungsbehafteten Zustand erzielt
werden kann, sofern ein positiver Flußschlauch gespeichert ist und daß sich überhaupt kein Auslesestgnal (Umschalten in den spannungsbehafteten Zustand)
ergibt, wenn dieselben Koinzidenzströme bei Speicherung eines Null-Flußschlauches angelegt werden. In
Fig. 7 führt jede Kombination eines Arbeits- und Steuerstroms, die den Arbeitspunkt der Zelle in dem
schraffierten Bereich 18 (mit »Lesen« bezeichnet) zu
einem Umschalten der Zelle in den spannungsbehafteten Zustand, wenn ein positiver Flußschlauch gespeichert
ist. Ist kein positiver Flnßschlauch gespeichert, so existiert die Schwellwertkurve für einen positiven
Vortex nicht; werden dann genau dieselben Koinzidenzströme angelegt, so wird die Umschaltschwelle trotzdem
nicht überschritten, und es ergibt sich kein Ausgangssignal, da der Arbeitspunkt der Zelle innerhalb
der Null-Vortex-Kurve liegt (die ja als einzige vorhanden ist, wenn in der Zelle kein Flußschlauch
gespeichert ist). Wird die Anwesenheit eines positiven Flußschlauchs durch das Umschalten der Zelle in den
spannungsbehafteten Zustand festgestellt, so bleibt die Zelle in dem spannungsbehafteten Zustand, solange der
Arbeitsstrom aufrechterhalten wird, genau wie im Fall eines einzelnen Josephson-Kontakts.
Unter den geschilderten Umständen steht für das Abfühlen des Zellenzustandes ein viel größerer Betrag
an Energie zur Verfügung als bei den Leseverfahren im Stand der Technik, bei denen nur ein einzelnes Fluxoid
freigesetzt wird. Wenn alle Ströme von der Zelle abgeschaltet werden, geht die ursprüngliche Information
verloren und die Zelle kann sich in einem beliebigen der drei Quantenzustände befinden. Simulationen und
experimentelle Ergebnisse haben gezeigt, daß die Begrenzungen der Schwellwertkurven Für das Umschalten
in F i g. 7 von der Dämpfung der Zelle abhängen, die ihrerseits durch den Niederspannungs-Ein-Teilchen-Tunnelwiderstand
Rj eines Kontakts bestimmt ist. Wie schon erwähnt, entsprechen die Kurven von F i g. 7
einer Zelle mit einer geringen Dämpfung, wobei zur Ermöglichung des eindeutigen Auslesens der Kontaktwiderstand
Ay den Wert ^rrr besitzen sollte (L ist die
Induktivität der Zelle und C die Kapazität der Grenzschicht). Aus dieser Beziehung folgt, daß die
Bedingung für das obengenannte Ausleseverfahren auch dadurch erfüllt werden kann, daß entweder L oder
C geändert wird. Für im wesentlichen festgehaltene Werte von L und C erhöht eine kleine Verminderung
der Dicke des Dielektrikums zwischen den supraleitenden Elektroden den Widerstand des Kontakts Rj. Bei
fester Dicke des Dielektrikums zwischen den Supraleitern kann L verändert werden, indem die Tiefe der in
den Fig.2A—4A dargestellten Einschnitte verändert
wird. Je größer die Tiefe dieser Einschnitte, desto größer ist die Einschnürung und desto größer der Wert
von L Eine weitere Möglichkeit zur Beeinflussung der Induktivität besteht in einer Veränderung der supraleitenden
Eindringtiefe λ, beispielsweise durch Übergang zu anderen Materialien. Je größer die Eindringtiefe,
desto größer ist auch der Induktivitätsbeitrag L in der oben angegebenen Beziehung. Die Kapazität C kann
dadurch geändert werden, daß Metalle verwendet werden, deren Oxyde eine größere Dielektrizitätskonstante ε besitzen. Solange die oben gegebene Ungleichung erfüllt ist, weisen die Schwellwertkurven für das
Umschalten die Erweiterung auf, und es spielt keine Rolle, welcher der beteiligten Parameter geändert wird.
In einem experimentellen Aufbau wurden Zellen mit einer Form der Tunnel-Grenzschicht ähnlich wie in
Fig.3A hergestellt Ein Josephson-Tunnelkontakt wurde zwischen zwei Supraleitern aus einer Bleilegierung
hergestellt Der Kontakt besitzt am Ende des unteren Supraleiters einen krummlinig begrenzten Einschnitt;
cine Isolierschicht aus Siliziumoxid mit ungefähr 4000 Ä
Dicke und einem entsprechenden krummlinig begrenzten Einschnitt begrenzt die Zelle auf der anderen Seite
des Kontakts. Die fertiggestellte Zelle hat die Gestall
eines Schmetterlings oder einer Hantel. Die Induktivität L, deren Wert im wesentlichen durch den in der Mitte
liegenden eingeschnürten Bereich bestimmt wird, beträgt schätzungsweise 0,5 pH. In der Versuchszelle
wt-rden keine orthogonalen Bitleitungen, sondern zwei
longitudinale Steuerleitungen verwendet. Als Steuerstrom wurden diese Steuerleitungen mit gleichstarken,
aber entgegengesetzt fließenden Strömen beaufschlagt In der Versuchszelle erzeugten die an der Oberseite des
obenliegenden Supraleiters induzierten Abschirmströme einen geringen durch die Einschnürung fließenden
Strom. Die mit einem Energiebetrag von ungefähr 3 · 10-'8 Joule gespeicherte Information wies eine
bemerkenswerte Stabilität auf trotz der in einem Laboratorium vorherrschenden nicht abgeschirmten
Versuchsbedingungen. Quasistatisches Einschreiben und Abfühlen mit Zykluszeiten von 5 Minuten wurden
demonstriert. Die Umschaltzeit der vorliegenden Zelle wird auf 50 ps geschätzt. Zum Einschreiben dienten
dreieckige Impulse mit einer Grundbreite von ungefähr einer Nanosekunde; ein Abfühlzyklus mit ähnlichen
Impulsen wurde ebenfalls durchgeführt.
In Fi g. 8 ist die Aufsicht auf einen Teil einer Matrix
mit Josephson-Zellen gezeigt, die ähnlich den eben beschriebenen und identisch mit den in Fig.3A
gezeigten sind. Fig.8 zeigt eine Matrix aus vier Josephson-Zellen 20, die jeweils paarweise über die
Wortleitungen 21 in Reihe geschaltet sind. Bitleitungen 22 liegen orthogonal zu den Wortleitungen 21 und sind
ähnlich den Steuerleitungen 5 aus F i g. 1. Die verschiedenen Elemente liegen auf einer Grundplatte 23 aus
Niobium oder einem anderen supraleitenden Metall, wovon sie durch eine Silicium-Oxydschicht oder ein
anderes Dielektrikum isoliert sind. Stromquellen, die in F i g. 8 durch Leitungen Ig und lc angedeutet sind und
Verbindungen zu den Wortleitungen 21 und Bitleitungen 22 aufweisen, liefern die koinzidenten Arbeits- und
Steuerströme, die zum Einschreiben und zum Auslesen von Information in der gezeigten Matrix dienen. Da
jede der Zellen 20 Vortex-Moden und Umschaltcharakteristiken ähnlich den in Fig.7 gezeigten besitzt,
können die Zellen 20 durch Anlegen der passend gewählten Koinzidenzströme zum Einschreiben einer
binären Eins oder einer binaren Null und zum Auslesen der gespeicherten Information betrieben werden. Der
dargestellte Teil der Matrize umfaßt nur vier Elemente, doch ergibt sich aus der Beschreibung, daß die hier
5 offenbarten Speicherzellen mit einem einzigen Flußquant ganz besonders zur Herstellung von Speichermatrizen hoher Dichte geeignet sind, bei denen eine große
Anzahl der Zellen 20 Verwendung findet.
Die bisherige Beschreibung der Erfindung bezog sich
ίο nur auf einzelne Josephson-Kontakte; es ist jedoch
ersichtlich, daß auch die auf dem Josephson-Gebiet wohlbekannten InterferometerzeUen (DT-PS
12 43 292), die aus ähnlichen Zellen wie die in Fig. 1
gezeigten bestehen (mit der Ausnahme, daß in den
mittleren Bereich 9 kein Tunneleffekt auftritt), für die Zwecke der vorliegenden Erfindung verwendet werden
können, und zwar insoweit, wie eine Erhöhung des Kontaktwiderstands beider Josephson-Kontakte des
Interferometers ebenfalls zu einer Erweiterung der
Schwellwertcharakteristik für das Umschalten dieser
Zelle führt, und zwar in ähnlicher Weise wie anhand von Fig.6 beschrieben. Ein Interferometer kann also in
einem Arbeitsbereich gebraucht werden, in dem ein einzelnes Flußquant gespeichert ist und in dem ein
eindeutiges Auslesen mit Hilfe von Koinzidenzströmen in gleicher Weise möglich ist wie anhand von Fig.7
beschrieben. Das Profil der Josephson-Stromdichte besitzt damit Ähnlichkeit mit denjenigen der Zellen in
F i g. 1 und den F i g. 2A bis 4A mit der Ausnahme, daß
der Betrag in den Mittelbereich zwischen dem Paar von
Josephson-Kontakten gleich 0 ist. An seinen Grenzen kann das Profil herabgesetzt werden, um damit den
Kontaktwiderstand zu erhöhen und die Dämpfung zu vermindern; dies kann dadurch erfolgen, daß die Dicke
des Dielektrikums in gleicher Weise erhöht wird wie anhand von F i g. 1 beschrieben. In keinem Fall darf die
Dicke des Dielektrikums so groß werden, daß der Josephson-Tunneleffekt durch das Dielektrikum unterbunden wird. Weiterhin sollte auch der Kontaktwider-
stand Rj der Bedingung ^l/3-g genügen; L und C
können auch hier variiert werden, um den Wert des Kontaktwiderstands einzustellen. Die Interferometerzelle kann schließlich in ähnlicher Weise wie anhand von
Fig.7 beschrieben, ausgelesen und eingeschrieben werden.
Claims (13)
1. Speicherzelle mit einem Jpsepbson-Kontakt, bestehend aus zwei durch ein Dielektrikum getrennten supraleitenden Elektroden und einem darüber
angeordneten Steuerleiter, wobei die Binärzustände der Zelle durch die Anwesenheit bzw. das Fehlen
von vorzugsweise einem Flußschlauch (Vortex) im Kontakt dargestellt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Form einer oder beider
Elektroden und/oder das Dickenprofil des Dielektrikums und/oder Elektrodenmaterialien mit verschiedenen Austrittsarbeiten zur Festlegung des fiber der
Breite des Josephson-Kontakts aufgetragenen Profils der Josephson-Stromdichte (Jx (X), Fig.2) dient
bzw. dienen, und zwar so, daß aft Rändern des Josephson-Kontakts eine größere Josephson-,
Stromdichte als im mittleren Bereich vorhanden ist
2. Speicherzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenform, das Material der Elektroden, das Material des Dielektrikums'
sowie dessen Dicke jeweils so gewählt sind, daß die
Gleichung
erfüllt ist, worin Rj den
Widerstand, L die Induktivität und C die Kapazität
eines Josephson-Kontakts bedeutet
3. Speicherzelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand Rj der Zelle
sowie ihre Kapazität (C) durch geeignete Wahl der Dicke des Dielektrikums bestimmt wird.
4. Speicherzelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität (C) durch
Verwendung eines Dielektrikums mit höherer Dielektrizitätskonstante erhöht und/oder die Induktivität (L) durch die Elektrodenform und/oder durch
die Verwendung von Elektrodenmaterial mit geringerer Eindringtiefe des Stromes vermindert wird.
5. Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Dielektrikums zwischen den supraleitenden Elektroden (2,
3) an deren Rändern (7,8) vermindert ist
6. Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Randbereiche (7,8) der supraleitenden Elektroden aus einem Metall mit
einer geringeren Austrittsarbeit bestehen als der mittlere Bereich (9).
7. Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder zwei
Elektroden in ihrem Überlappungsbercich einen Einschnitt in der Mitte der Elektrode aufweisen.
8. Speicherzelle nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Einschnitt (11) rechtwinkelig begrenzt ist
9. Speicherzelle nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Einschnitt (12) spitzwinkelig ausgeführt ist
10. Speicherzelle nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Einschnitt (13) krummlinig
begrenzt ist
11. Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet daß zwei Josephson-Kontakte nebeneinander angeordnet sind und daß
die Josephson-Stromdichte zwischen diesen beiden Kontakten Null ist.
12. Verfahren zum Betreiben einer Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis U1 dadurch
gekennzeichnet, daß zum Einschreiben und Auslesen
einer Information Arbeits- (Jg) und Steuerströme (lc)
von der Größe an die Speicherzelle gleichzeitig angelegt werden, daß beim Einschreiben der
Information der Arbeitspunkt in den gewünschten Vortex-Mode gelangt und daß beim nachfolgenden
Auslesen der gespeicherten Information der Arbeitspunkt so verschoben wird, daß ein Umschalten
in den spannungsbehafteten Zustand erfolgt, worauf ein Ausgangssignal am Ausgang der Zelle erzeugt
wird.
13. Verfahren zum Betrieb einer Speicherzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet daß durch gleichzeitiges Anlegen der Arbeits- (Ig) und Steuerströme (Ic) an die
Speicherzelle in Abhängigkeit von der einzuschreibenden Information der Arbeitspunkt in der
Schwellwertkurve des. NuU-Vortex-Zustands bzw. des Plus-Vortex-Modes verschoben wird und daß
beim nachfolgenden Auslesen der Arbeitspunkt unabhängig vom Zustand der Speicherzelle in einen
■Bereich oberhalb der Schwellwertkurve des Plus-Vortex-Modes verschoben wird, worauf die
Speicherzelle in Abhängigkeit von der gespeicherten Information umgeschaltet wird oder nicht
worauf am Ausgang ein Eins- oder Null-Signal erzeugt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (3)
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DE2522703A1 DE2522703A1 (de) | 1975-12-18 |
DE2522703B2 DE2522703B2 (de) | 1978-03-23 |
DE2522703C3 true DE2522703C3 (de) | 1978-11-23 |
Family
ID=23895718
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2522703A Expired DE2522703C3 (de) | 1974-06-07 | 1975-05-22 | Josephson-Speicherzelle und Verfahren zu ihrem Betrieb |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3936809A (de) |
JP (1) | JPS5438019B2 (de) |
BE (1) | BE829419A (de) |
CA (1) | CA1035043A (de) |
DE (1) | DE2522703C3 (de) |
FR (1) | FR2274114A1 (de) |
GB (1) | GB1505524A (de) |
IT (1) | IT1037485B (de) |
NL (1) | NL7506785A (de) |
SE (1) | SE416085B (de) |
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- 1975-05-19 GB GB21129/75A patent/GB1505524A/en not_active Expired
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- 1975-05-23 BE BE156647A patent/BE829419A/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-05-26 SE SE7505942A patent/SE416085B/xx unknown
- 1975-06-06 NL NL7506785A patent/NL7506785A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE416085B (sv) | 1980-11-24 |
SE7505942L (sv) | 1975-12-08 |
FR2274114B1 (de) | 1977-07-08 |
IT1037485B (it) | 1979-11-10 |
CA1035043A (en) | 1978-07-18 |
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DE2522703A1 (de) | 1975-12-18 |
DE2522703B2 (de) | 1978-03-23 |
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JPS51848A (de) | 1976-01-07 |
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JPS5438019B2 (de) | 1979-11-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |