DE2810610C3 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2810610C3 DE2810610C3 DE2810610A DE2810610A DE2810610C3 DE 2810610 C3 DE2810610 C3 DE 2810610C3 DE 2810610 A DE2810610 A DE 2810610A DE 2810610 A DE2810610 A DE 2810610A DE 2810610 C3 DE2810610 C3 DE 2810610C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- contact
- current
- sensing
- write
- branch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/44—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using super-conductive elements, e.g. cryotron
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/38—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of superconductive devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/831—Static information storage system or device
- Y10S505/832—Josephson junction type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
der Schleife die optimale Beziehung
k 1 +2p
k 1 +2p
erfüllt, wobei β — y- ein auf den Versorgungsstrom Is
der Zelle normierter zusätzlicher Steuerstrom Γ für den Abfühlkontakt ist und P=jrr[ ■
4. Josephson-Speicherzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei nicht verschwindendem
Arbeitsstrom (/m/n) des Schreib-Josephson-Kontakts
der Asymmetriefaktor der Zelle so gewählt ist, daß sich ein Abfühl-Diskriminierungsfaktor
2 < F< 3 ergibt (F i g. 4).
5. Josephson-Speicherzelle nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche
Steuerstrom (/*) für das Abfühlelement (7) durch eine separate Steuerleitung (21) zugeführt wird.
6. Speichermatrix unter Verwendung von Speicherzellen nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schreib-Josephson-Kontakte mit mindestens einer
zusätzlichen diagonalen Steuerleitung (26) und zugehörigen Stromquellen (25) versehen sind.
Die Erfindung betrifft eine Josephson-Speicherzelle nach dem Oberbegriff in Anspruch I.
Es sind zahlreiche supraleitende Speicherzellen bekannt, in denen Information in Form von dauernd
aufrechterhaltenen Ringströmen gespeichert ist; die beiden binären Zustände werden dabei oft durch
Ströme dargestellt, die im Uhrzeigersinn bzw. im Gegenuhrzeigersinn fließen. In einer besonderen
Ausgestaltung weisen die Speicherzellen einen einzelnen Josephson-Kontakt in der supraleitenden Schleife
auf (sog. Schreib-Kon takt, der zum Einschreiben der
Information dient), und außerdem einen sog. Abfühl-Josephson-Kontakt in elektromagnetischer Kopplung mit
der Speicherschleife zur Feststellung des gespeicherten Binärzustandes. Das Auslesen derartiger Speicherzellen
kann auf nicht-zerstörende Weise erfolgen (sog.
NDRO-Leseverfahren); die gespeicherte Information bleibt also so lange erhalten, wie die Schaltung
supraleitend gehallen wird. In einer Ausgestaltung dieser Speicherzellen können anstelle einzelner Kontakte
auch sog. Multikontakte oder Interferometeran-Ordnungen verwendet werden.
Die beiden Zweige derartiger Speicherschleifen werden im Stand der Technik so ausgelegt, daß beide
dieselbe Induktivität besitzen; auf diese Weise läßt sich jedoch nicht der optimale Bereich für das nicht
zerstörende Auslesen erzielen.
Die im Stand der Technik bekanntgewordenen Zellen werden im folgenden beschrieben. In den Artikeln IBM
Technical Disclosure Bulletin, VoI. 15, Nr. 2, Juli 1972, Seiten 449 bis 451 und Vol. 15, Nr. 2, Februar 1973,
Seiten 2904 bis 2905 werden Speicherzellen mit gleichen Induktivitäten der Speicherschleifenabschnitte beschrieben.
Im Artikel IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 16, Nr. 1, Juni 1973, Seite 214 wird eine Zelle beschrieben,
deren Induktivitäten verschieden sind, doch ist darin keine technische Lehre enthalten, wie diese Eigenschaft
zur Verbesserung des Auslesens herangezogen werden kann. Außerdem werden die Binärzustände in dieser
Zelle nicht durch gegenläufige Ströme, sondern durch die Anwesenheit bzw. Abwesenheit eines Stromes
dargestellt. Der Abfühlkontakt ist mit dem Zweig der Schleife gekoppelt, in dem der Schreibkontakt liegt.
Im Artikel IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 17, Nr. 3, August 1974, Seiten 890 bis 891 werden ebenfalls
keine gegenläufigen Ströme zur Binärdarstellung verwendet, die angegebenen Induktivitäten sind im
wesentlichen gleich.
Im Artikel IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 18,
Nr. 11, April 1976, Seiten 3852 bis 3853 wird eine Zelle
mit einem einzelnen Schreibkontakt und einem Abfühlkontakt angegeben, der mit dem Zweig gekoppelt
ist, der nicht den Schreibkontakt enthält. Die Induktivitäten der beiden Zweige der Zelle sind gleich,
zur Binärdarstellung werden gegenläufige Ströme verwendet. Für eine derartige Zelle ist der nutzbare
Arbeitsbereich für das Einschreiben unabhängig vom Verhältnis der Induktivitäten der beiden Zweige. Es
wird darauf hingewiesen, daß für eine ideale Zelle der Schreibbereich verbessert werden kann, wenn der Wert
einer Funktion K verringert wird, die von den Induktivitäten der Zweige abhängt. In bezug auf den
Lesebereich wird festgestellt, daß dort kompliziertere Abhängigkeiten vorliegen. Schließlich wird in dem
Artikel darauf hingewiesen, daß zur Verbesserung der
b\ Arbeitsbereiche eine Asymmetrie der Zelle {K ungleich
V2) herbeigeführt werden kann. Wie dies im einzelnen
geschehen soll, wird nicht angegeben, ebensowenig, in welchem Zweig die größere der beiden Induktivitäten
eingebaut werden soll, um ein verbessertes Leseverhalten
zu erzielen.
In dem Artikel Proceedings IEEE, Aprii 1967, Seiten 592 bis 593 wird eine Speicherzelle mit dreifachem
Koinzidenzimpuls beschrieben. Für die Af-, y- und z-Treibleitungen wird ein getrennter Decodierer verwendet
Dadurch soll eine beträchtliche Verbesserung des Schreibbereichs ermöglicht werden.
Im Stand der Technik sind also Speicherzellen mit
einem einzelnen Schreibkontakt und eine Speichermatrix mit einem diagonalen Leitungstreiber (zusätzlich zu
den x- und y-Treibern) bekannt. Dabei scheint besonderer Wert auf die Verbesserung des Schreib-Arbeitsbereiches
gelegt worden zu sein. Die im Stand der Technik erreichten Diskriminierungsfaktoren F für das
Lesen liegen bei einem Wert von 2.
Die vorliegende Erfindung stellt sich dementsprechend die Aufgabe, den nutzbaren Lesebereich für
Josephson-Speicherzellen der angegebenen Art zu
optimieren, ohne die Schreibeigenschaften zu verschlechtem.
Diese Aufgabe wird durch die im Hauptanspruch gekennzeichnete Erfindung gelöst. Ausgestaltungen der
Erfindung werden in den Unteransprüchen gekennzeichnet
Die Erfindung schlägt vor, die supraleitende Schleife einer Speicherzelle so auszugestalten, daß die beiden
Zweige verschiedene Induktivitäten besitzen. In einer Schleife mit einem einzigen Schreibkontakt besitzt der
den Kontakt enthaltende Zweig eine größere Induktivität als der andere; ein optimaler Wert für das Verhältnis
der Induktivitäten ist 2. Dies gilt für den Fall, daß der Arbeitsstrom Imm des Schreibkontakts 0 ist. Optimale
Werte des Induktivitätsverhältnisses für andere Ströme Imm werden angegeben. In den zugrundegelegten
Speicherzellen werden die beiden Binärwerte durch entgegengesetzt umlaufende Ringströme dargestellt;
die Adressierung der Zellen erfolgt durch ein Koinzidenzstromprinzip. Die Zellen können dabei entweder
nur eine Steuerleitung oder zwei Steuerleitungen aufweisen. Eine Speichermatrix aus Zellen mit zwei
Steuerleitungen verwendet eine Dreifach-Koinzidenz von Strömen mit Hilfe einer zusätzlichen diagonal
verlaufenden Steuerleitung. Diese Matrix weist dann sowohl einen verbesserten Schreib- als auch einen
verbesserten Lese-Arbeitsbereich auf.
Die Verbesserang des Abfühl-Arbeitsbereichs liegt
über dem aller bekannten Josephson-Speicherzellen; verwendet man zur Charakterisierung dieser Eigenschaften
einen sog. Abfühl-Diskriminierungsfaktor F, so liegt der erzielbare Wert bei F== 3, wenn jeweils das für
die vorliegenden Arbeitsbedingungen der Zelle optimale Induktivitätsverhältnis gewählt wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird anhand von Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigt
F i g. 1 in schematischer Darstellung einen Teil einer Speichermatrix mit Speicherzellen, die nur einen
einzigen Schreibkontakt besitzen, sowie die Ströme, die ausgewählten (adressierten) und nicht ausgewählten
Zellen zugeführt werden,
F i g. 2A ein Diagramm der Funktionen Vi, V2, Vj und
Z, von denen der allgemeine Abfühl-Diskriminierungsfaktor abhängt. Diese Kurven sind als Funktion einer
dimensionslosen Größe λ aufgetragen, wobei als Parameter das Verhältnis da dient,
F i g. 2B ein Diagramm des maximalen Abfühl-Diskriminierungsfaktors
Fmax als Funktion von c/o. In der
Figur ist auch der Wert (oder die Werfe) von α (ä opL)
angegeben, der den maximalen Wert von Fergibt,
Fig.3 eine Darstellung des maximalen Abfühl-Arbeitsstroms
Jm bei Spannung Null als Funktion des gesamten Steuerstroms für den Abfühlkontakt bezogen
auf den Arbeitsstrom der Zelle Iy. Die resultierenden Steuerströme für einen Abfühlkontakt werden im
Endeffekt durch Faktoren β und jt bestimmt, wobei β der
durch die in F i g. 1 gestrichelt dargestellte Steuerleitung
ίο fließende Strom /* dividiert durch den an die
Speicherzelle angelegten Strom Iy ist und k=LJ
(L5+ L„); Lj(Lh) ist die Selbstinduktivität für den
Abfühl-(Schreib-)Zweig,
Fig.4 die graphische Darstellung des Diskriminierungsfaktors
Füber der Funktion kAß +1). Die Kurven Fx=S1ZS0 und F2 = S\IU\ als Funktionen von kA,ß+\)
sind ebenfalls dargestellt S\ ist der größtmögliche Steuerpegel für den Abfühlkontakt, wenn eine ausgewählte
Zelle eine binäre Eins enthält, So der maximale Pegel, wenn die ausgewählte Zelle eine binäre Null
enthält U\ ist der größtmögliche Steuerpegel für einen
Abfühlkontakt wenn eine nicht selektierte Zelle eine binäre Eins speichert Als dick ausgezogene Linie ist
auch der tatsächliche Diskriminierungsfaktor F = min (Fi, F2) angegeben,
F i g. 5 die schematische Darstellung eines Teils einer Speichermatrix, deren Zellen jeweils einen einzelnen
Schreibkontakt und einen einzelnen Abfühlkontakt enthalten. Es sind zwei Steuerleitungen für den
Schreibkontakt vorgesehen, eine, die in diagonaler Richtung verläuft und eine andere, die horizontal liegt.
Die Binärzustände sind als Paar von entgegengesetzt fließenden Ringströmen dargestellt, die gleiche Stärke
aufweisen und proportional zu einem Versorgungsstrom /,,sind,
Fig.6 eine typische Umschalt-Schwellwertkurve für
den Arbeitskontakt, wobei die statischen Arbeitspunkte für einen typischen Schreibzyklus als ausgefüllte Kreise
angegeben sind. Die kurzen horizontalen Segmente auf der vertikalen Achse entsprechen den beiden möglichen
Rings.trömen vor dem Schreibvorgang in einem Standardzyklus. Der nicht ausgefüllte Kreis gibt den
Arbeitspunkt einer ausgewählten Zelle während deren erstem Schreibzyklus an,
F i g. 7 die Abhängigkeit des normierten Ringstromes von den an eine Speicherzelle angelegten, normierten,
individuellen Steuerströmen.
Fig. 1 zeigt einen Teil einer Matrix 1 von Speicherzellen 2, in denen gleich große, mit entgegengesetztem
Umlaufsinn fließende Ringströme ± k Iy in
einer supraleitenden Schleife 3 die Binärzustände »1« und »0« darstellen. Die supraleitende Schleife 3 weist
ein Paar von Zweigen 4, 5 auf, von denen jeder einen bestimmten Induktivitätswert besitzt. Ein Schreibkontakt
6 in Form einer umschaltbaren Einrichtung, in der ein Josephson-Strom fließt, liegt in Zweig 4 jeder der
Speicherzellen 2. Ein Abkühlkontakt 7, ebenfalls in Form einer umschaltbaren Einrichtung, in der ein
Josephson-Strom fließt, ist mit Zweig 5 jeder der supraleitenden Schleifen 3 elektromagnetisch gekoppelt.
Die Speicherzellen 2 benötigen ein Paar koinzidierender Ströme, sowohl für den Schreib- als auch für den
Abfuhlvorgang. Eine bipolare Stromquelle 8, die in Fig. 1 mit /^Stromquelle bezeichnet ist, liefert einen
Strom Iy an Spalten von Speicherzellen 2, die innerhalb einer Spalte in Reihe geschaltet sind. Der Strom Iy aus
der Stromquelle 8 verteilt sich in den Zweigen 4,5 in die Ströme k Iy bzw. (1 -k)ly (linke Zelle 2 in Fig I). Eine
Steuerleitung 9, die mit jedem der Schreibkontakte 6 elektromagnetisch gekoppelt ist, gibt alle Schreibkontakte
6 einer gegebenen Reihe frei, indem ein Strom Ix
aus einer Quelle 10 (/,-Stromquelle in Fig. 1) geliefert
wird. Eine Abfühlleitung 11 verbindet die Abfühlkontakte 7 einer Reihe von Speicherzellen 2; jedem der
Kontakte 7 wird ein Abfühlstrom Is aus der Quelle 12,
/i-Stromquelle, zugeführt. Die Abfühlleitung 11 ist mit
einem Detektor oder Abfühlverstärker 13 verbunden, mit dem der Binärzustand einer ausgewählten (adressierten)
Zelle 2 festgestellt werden kann.
Wenn Information beispielsweise in die Speicherzelle eingeschrieben werden soll, die in F i g. 1 links
angeordnet ist (ausgewählte Zelle 2), werden Stromimpulse Iy und I, aus den Quellen 8 bzw. 10 in Koinzidenz
angelegt. Strom /, in Steuerleitung 9 schaltet den Arbeitskontakt 6 in bekannter Weise aus dem
supraleitenden Zustand (ohne Spannung) in einen spannungsbehafteten Zustand um und verlagert dabei
den gesamten Strom aus Zweig 4 der Schleife 3 in Zweig 5. Wenn die Stromimpulse aus den Quellen 8, 10
abklingen, entsteht in ebenfalls bekannter Weise in der supraleitenden Schleife 3 ein Ringstrom + k Iy in der
ausgewählten Zelle, der durch die gestrichelte Linie 14 angedeutet ist. Der durch die gestrichelte Linie 14 in der
ausgewählten Zelle dargestellte Ringstrom gibt einen der beiden möglichen Binärzustände an. Ein Strom in
Gegenuhrzeigerrichtung kann in der ausgewählten Zelle zur Darstellung des anderen der beiden möglichen
Binärzustände angeregt werden, indem ein Stromimpuls Iy aus Quelle 8 mit einer Polarität angelegt wird, die
entgegengesetzt zum obigen Beispiel ist. In die in F i g. 1 links angeordnete Zelle 2 kann somit durch koinzidente
Stromauswahl eingeschrieben werden und dabei eine binäre »1« oder »0« durch Ringströme in der
supraleitenden Schleife 3 in Uhrzeigerriohtung bzw. in
Gegenuhrzeigerrichtung dargestellt werden. Solange die Speichermatrix 1 bei Temperaturen des flüssigen
Heliums gehalten wird, bleibt ein einmal angeregter Ringstrom ohne Zufuhr von Energie so lange bestehen,
bis er erneut geändert wird.
Zum Abfühlen (auch als Lesen bezeichnet) des Zustandes der in F i g. 1 links angeordneten Speicherzelle
2 (der ausgewählten Zelle) wird ein Strom /s aus der Stromquelle 12 über die Abfühüeitung 11 an alle
Abfühlkontakte 7 in einer bestimmten Reihe angelegt.
Dieser Strom reicht nicht aus, um den Abfühlkontakt 7 alleine umzuschalten; fließt in einer der Speicherzellen 2
ein Ringstrom mit gleicher Richtung wie Strom I5,
genügen auch diese beiden Ströme nicht, um den Abfühlkontakt 7 umzuschalten. In diesem Fall ist also
keine der Zellen ausgewählt worden und keiner der Abfühlkontakte 7 kann in seinen spannungsbehafteten
Zustand umschalten. Das Lesen bzw. Abfühlen der ausgewählten Zelle erfolgt, indem ein Stromimpuls aus
der Quelle 8 mit immer gleicher Polarität und mit solcher Stärke abgegeben wird, daß der Abfühlkontakt
7 der ausgewählten Zelle 2 in den Spannungszustand umschaltet. Das Umschalten des Kontakts 7 verursacht
einen Abfall des Stromes, der wiederum vom Detektor
!5 bzw. Abfühlverstärker 13 festgestellt wird. Auf diese
Weise kann die in der ausgewählten Speicherzelle 2 gespeicherte Information ausgelesen werden, ohne daß
sie zerstört wird. Solche Speicherzellen werden als NDRO (nichtzerstörendes Auslesen, Nondestructive
Read-Out)-Zellen bezeichnet.
Ohne nähere Charakterisierung der verwendeten Parameter entspricht die bisherige Beschreibung dem
konventionellen Verfahren, Josephson-Speicher nichtzerstörend auszulesen. Mit Hilfe der vorliegenden
Erfindung kann jedoch der Arbeitsbereich für das Abfühlen im Vergleich zu konventionellen Matritzen
mit nichtzerstörendem Auslesen in beträchtlicher Weise verbessert werden. Beim üblichen nichtzerstörenden
Auslesen bestimmen drei fundamentale Aspekte den Arbeitsbereich. Diese sind:
1. Herstellungstoleranzen innerhalb der Matrix, die zu entsprechenden Variationen der Schweilwertkurven
für das Umschalten der Abfühlkontakte führen,
2. das Verhältnis der Ringströme in der Zelle zu I00,
wobei Ico der Wert des Steuerstroms im Abfühlkontakt
ist, der einem Flußquantum im Abfühlkontakt entspricht, und
3. das Verhältnis der Steuerpegel, die von einem ausgewählten Kontakt bzw. einem nicht ausgewählten
Kontakt gelesen werden. Der letztgenannte Aspekt bestimmt im wesentlichen das Maß, in dem ein
gewünschter Abfühlkontakt von allen anderen unausgewählten oder ungewünschten Abfühlkontakten einer
bitorganisierten Speichermatrix unterschieden wird,
d. h. die Diskrimination. Wird dieses Verhältnis als Abfühl-Diskriminierungsfakior definiert,
Steuerpegel des ausgewählten Kontakts maximaler Steuerpegel eines nichtausgewählten Kontakts
so führt ein Maximalwert von F zur größtmöglichen Ausdehnung der Abfühibereiche in Speichermatrizen
mit nichtzerstörendem Auslesen; dieser Wert kann erreicht werden, wenn zusätzlich zu den in Verbindung
mit Fig. 1 beschriebenen Faktoren die Induktivitäten der Zweige 4, 5 der Speicherzelle im allgemeinen
asymmetrisch gestaltet werden. So kann beispielsweise die Induktivität des Zweigs 4 größer als die des Zweigs 5
gemacht werden. Um dann den maximalen Wert von F= 3 zu erreichen, muß die Induktivität im Zweig 4
doppelt so groß wie die im Zweig 5 sein, wenn in F ϊ g. 1 Imia des Schreibkontakts 6 Null ist
Zusammengefaßt müssen also zur Erzielung eines maximalen Werts von Fin der Ausführungsform von
F i g. 1 folgende Maßnahmen ergriffen werden:
A) Abfühlkontakt 7 muß unter Zweig 5 der supraleitenden Schleife gelegt werden. In Zweig 5, der den
zugeordneten Abfühlkoniakt 7 steuert, darf sich kein Schreibkontakt befinden.
B) Zur Darstellung der Binärzustände »1« und »0« müssen Ringströme gleicher Stärke, aber entgegengesetzter
Umlauf richtung verwendet werden.
C) Die Induktivitäten des Schreibzweigs 4 und des Abfühlzweigs 5 der supraleitenden Schleife 3
müssen asymmetrisch sein, so daß
k=[l + 2(Imin/IyJ} Φ 3,
wobei Imia der minimale Strom des Arbeitskontakts
6 im spannungsbehafteten Zustand und Iy der Versorgungsstrom der Schleife 3 ist Der dimensionslose
Parameter Jt drückt die Asymmetrie der Induktivitäten aus und ist definiert als k = LJ
(Ls + Ln), wobei Lw und L1 die Induktivitäten des
Schreibzweigs 4 bzw. des Abfühlzweigs 5 der supraleitenden Schleife 3 in F i g. 1 sind.
und
Unter den obengenannten Bedingungen besitzt der Abfühl-Diskriminierungsfaktor F einen Maximalwert als
von 3. Dieser Abfühl-Diskriminierungsfaktor F ist nur eine Funktion der Asymmetrie der Induktivitäten in den
Zweigen der Schleife 3 und von /„,,·„; diese Abhängigkeit
ist im Stand der Technik nicht bekannt, so daß die dort erreichten besten Diskriminierungsfaktoren F= 2
betrugen, entsprechend dem Spezialfall, daß die Induktivitäten beider Zweige gleich sind. Unabhängig
vom Wert von lm\Jly (d. h. in dem Fall, daß /m,„ Φ 0) ι ο
kann durch Verwendung verschiedener Werte der induktiven Asymmetrie k der Maximalwert F= 3
erreicht werden. Diese Tatsache ergibt sich im einzelnen aus der folgenden Beschreibung.
In einer Matrix von Speicherzellen 2, ähnlich denen in
Fig. 1, verlaufen die Abfühlleitungen 11 innerhalb der
Reihen so, daß alle Abfühlkontakte 7 der Reihe denselben Versorgungsstrom /s erhalten.
Die Ringströme in den Zellen sind proportional zum Versorgungsstrom der Zelle Iy, der in Versorgungsleitungen
fließt, die jede Abfühlleitung 11 nur einmal kreuzen. Die durch gestrichelte Linien 14 in Fig. 1
angedeuteten Ringströme werden für den »1 «-Zustand mit Ci = a Iy und für den »(!«-Zustand mit Q1 = oca I,
bezeichnet.
Während des Abfühlens wird an den Abfühlkontakt 7 der ausgewählten Zelle zusätzlich zum Ringstrom der
Zelle (gestrichelte Linien 14 in Fig. 1) ein Strom cly
angelegt. Da der ausgewählte Abfühlkontakt 7 umgeschaltet werden soll, wenn in der ausgewählten Zelle
eine »1« vorhanden ist, müssen die Parameter c und a additiv sein, Λ. h., beide haben dasselbe Vorzeichen.
Unter diesen Umständen hat der Abfühl·Diskriminierungsfaktor Fseinen Maximalwert F=Z dann, und nur
dann, wenn die Ringströme der beiden Binärzustände gleichen Betrag, aber verschiedene Umlaufrichtungen
besitzen. Daraus wird klar, daß der Wert α in Q, = oca ly
gleich α = -1 sein muß. Außerdem ist der für das Optimum notwendige Wert c/a = 2.
Der Beweis dieser Beziehungen kann auf graphische Weise erfolgen. Werden alle möglichen Steuerpegel des
Abfühlkontakts (normiert auf den Versorgungsstrom I}
der Zelle) notiert, so erfährt der ausgewählte Abfühlkontakt 7 im Fall seines »1«-Zustands einen Steuerpegel
Si = a + c ist in der ausgewählten Zelle eine »0«
gespeichert, ist der Steuerpegel .Sb = <xa + c. In F i g. 1
liegen an der rechts gezeichneten Zelle 2 (der nichtausgewählten Zelle) nur die Ringströme an, die zur
Unterscheidung von G und C2 mit V\ und Uo bezeichnet
werden, wobei U\ = a, wenn eine »1« gespeichert ist, und IJn = fxa bei einer pcsne'cherten »Q<<. Der
Abfühl-Diskriminierungsfaktor Fist dann definiert als
Wenn die Glieder der Gleichung (2) definiert werden
Y2 = ι, γ, =
Z=I+-,
F =
max. [| S0 U 141,
(1)
Werden in Gleichung (1) die Werte für Si, So, U\ und
i/o eingesetzt und (ohne Einschränkung der Allgemelngültigkeit)
angenommen, daß a und c positiv sind, so ergibt sich nach Division durch den Wert a
55
60
F =
1 +^
α
α
max. Π» + -^-, 1, |α|
(2)
65 so kann der Maximalwert F = Z/max{ Ki, Y2, K3] durch
Auftragen dieser Terme als Funktion von α (Fig. 2A)
erhalten werden.
In Fig.2A sind die Funktionen Ki, K2, Yj und Zals
Funktion von α aufgetragen, wobei c/a als Parameter
dient.
Nur die Größen Ki und Zhängen vom Parameter c/a
ab. In der Darstellung von Fig.2A entsprechen die dickgestrichelten Linien 15 und 17 Ki bzw. Zfürden Fall
c/a = 1/2, die gestrichelten Linien 16 und 18 gelten für den Fall c/a = 2. Im allgemeinen verschiebt sich die
Funktion Ki nach links und Z nach oben, wenn c/a
zunimmt. Die Funktion K3 ist in Fig.2A durch die
ausgezogene Linie 19 dargestellt, die Funktion Kj durch
die ausgezogene Linie 20. Aus F i g. 2A ergibt sich ohne weiteres der maximale Wert von Ki, Kb und K3 als
Funktion von « bei einem gegebenen Wert von c/a, so
daß derjenige Wert oder Wertbereich von « bestimmt werden kann, für den dieses Maximum seinen kleinsten
Wert annimmt — eine derartige Wahl von α ergibt das maximale F für diese besondere Wahl von c/a.
Beispielsweise ist für c/a = 1/2, Z = 1,5 der Wert max. CKi, K2. K3) = K2 = 1 für -1
<a< + 0,5und F= 1,5-für jede andere Wahl von α ist in diesem Fall max. (Yu
K2. K3) > 1( = K2) und F<
1,5. Wenn der Wert von c/a zunimmt und Ki dadurch nach links verschoben wird,
bleibt der kleinste Wert von max. (Yu K2, K3) gleich
1 = K2 bei c/a>2; an diesem Punkt schneidet Ki die
Kurve K3 bei einem Wert > 1 (der entsprechende Wert von öl in diesen Fällen ist
< — 1). Auf diese Weise sieht man ohne weiteres, daß F einen Maximalwert von 3
erreicht,wenn c/a = 2und« = — 1.
In F i g. 2B ist der maximale Abfühl-Diskriminierungsfaktor Fmsx als Funktion von c/a aufgetragen; diese
Abhängigkeit ergibt sich aus Fig.2A. Ebenfalls in F i g. 2B ist der Wert (oder die Werte) von α (λ opt.)
aufgetragen, die den maximalen Wert von Fergeben. Es ist zu beachten, daß für c/a<2 kein eindeutiger
Optimalwert von α existiert; dieser Fall entspricht dem schraffierten Bereich in F i g. 2B.
Aus dem Vorhergehenden ist somit klar, daß zur maximalen bzw. besten Abfühl-Diskriminierung gleichzeitig
die Werte α = — 1 und c/a = 2 erforderlich sind.
Der Ringstrom a wird durch die Lage des Schreibkontakts und die relativen Induktivitäten in den beiden
Zweigen der Speicherschleife bestimmt, der Wert c durch den während eines Lesevorgangs (Abfühlen)
gelieferten Strom.
Die Matrix 1 in F i g. 1 kann auch unter allgemeineren
Gesichtspunkten betrachtet werden, wenn nämlich ein besonderer Steuerstrom 7* an den Abfühlkontakt 7 der
ausgewählten Zelle 2 über eine Steuerleitung 21 angelegt wird, die in F i g. 1 durch eine gestrichelte Linie
mit dem Strom /* dargestellt ist Jede der Speicherzellen 2 besitzt nur einen Schreibkontakt 6 und einen
Abfühlkontakt 7, die in bzw. benachbart den Zweigen 4, 5 der supraleitenden Schleife 3 liegen. Wie früher ist mit
k ein Parameter für die Induktivitätssymmetrie bezeich-
net (k=U(Ls + U)), wobei HLW) die Selbstinduktivität
des Abfühl- bzw. Schreibzweiges sind. Wenn ein bipolarer Strom Ix aus einer Quelle 8 angelegt wird, sind
die möglichen Ringströme ±k Iy Der von Steuerleitung
21 gelieferte und auf den Versorgungsstrom /,,der Zelle
normierte Steuerstrom kann definiert werden als I*/ly = ß. Während des Abfühlvorgangs wird der
Versorgungsstrom der Zelle Iy angelegt und verteilt sich
in zwei im allgemeinen ungleiche Zweige 4 und 5 in Ströme der Stärke k lybzw. (1 — k) Iy.
Wird angenommen, daß im Arbeitskontakt 6 der ausgewählten Zelle 2 /m;„ = 0 gilt, so ergeben sich die
möglichen Steuerpegel des Abfühlkontakts zu:
S1 = C1
IZ1-0 = ±kl,
(3)
= (ft+l-2k)Iy (4)
(5) ist. Für diesen Wert von kl(ß + 1) ergibt sich durch Einsetzen in die Beziehung F = S\/ U\ der Wert
In diesen Beziehungen bezeichnen St und 5b die
Steuerpegel des Abfühlkontakts, wenn die ausgewählte Zelle 2 eine »1« bzw. eine »0« speichert Q, Co sind die
Ringströme in der ausgewählten Zelle 2 mit den Werten Jt Iy, bzw. -kly.1* wurde weiter oben definiert als β Ix.
Ux, Uo sind die beiden möglichen in Uhrzeigerrichtung bzw. entgegengesetzt fließenden Ringströme der
nichtausgewählten Zelle 2 F i g. 1.
In F i g. 3 ist die Abhängigkeit des Schwellwertstroms In, des Abfühlkontakts als Funktion des gesamten auf
den Arbeitsstrom Ix der Zelle normierten Steuerstrom
des Arbeitskontakts dargestellt. Is ist der an den Arbeitskontakt 7 über die Abfühlleitung U von der
Stromquelle 12 angelegte Strom. Der Arbeitsstrom Is
liegt innerhalb der Schwellwertcharakteristik 22. so daß er bei Abwesenheit jedes Steuerstroms nicht in der
Lage ist, den Abfühlkontakt 7 in den spannungsbehafteten Zustand umzuschalten. Die relative Lage der
Steuerpegel. die sich aus den Gleichungen 3 bis 5 ergeben, sind in F i g. 3 auf der Abszisse mit den
Steuerströmen angegeben. Für den Fall β + 1 < 3k würde der Punkt 5b links von U\ liegen. Die
tatsächlichen relativen Lagen hängen von den unabhängigen Parametern k und β ab. Bei festgehaltenem β
wandert im allgemeinen mit zunehmendem k der Punkt So nach links, während U\ sich nach rechts bewegt
In Fig.4 ist der Abfühl-Diskriminierungsfaktor FaIs
Funktion des Parameters k/{ß + 1) dargestellt Außerdem
sind die Kurven Fi = Si/5b und F2 = Sx/Ux als
Funktionen von k/(ß + 1) wiedergegeben. Si ist der
mögliche Steuerpegel des Abfühlkontakts, wenn eine ausgewählte Zelle eine binäre Eins enthält, Sb ist der
mögliche Steuerpegel des Abfühlkontakts, wenn eine ausgewählte Zelle eine binäre Null speichert U\ ist der
mögliche Steuerpegel des Abfühlkontakts, wenn eine nichtausgewählte Zelle eine binäre Eins enthält Als dick
ausgezogene Linie ist außerdem der tatsächliche Diskriminierungsfaktor F= min. (Fi, F2) dargestellt
Der maximale Wert von F ist 3, entsprechend dem theoretischen Maximum, wenn Fi = F2, d.h., wenn
Ux = 5b (in F i g. 3). Aus F i g. 4 ergibt sich somit daß der
maximale oder optimale Wert von k/(ß + 1) gleich 1/3 Dieser Wert von Fist unabhängig von ß, d. h, es bringt
keinen Vorteil, wenn eine zusätzliche Abfühl-Steuerleitung, wie beispielsweise Steuerleitung 21 in Fig. 1,
verwendet wird. Der Wert von β kann somit Null gesetzt werden und zusätzliche Steuerleitungen, wie
beispielsweise Leitung 21 in Fig. 1, brauchen für den
Abfühlkontakt 7 nicht vorgesehen zu werden. Unter diesen Umständen ist der Optimalwert /: = k„p, = 1/3;
wird dieser Wert auf den Asymmetriefaktor
Ar = LJ(L5 + /.»·)
bezogen, so entspricht dieses /.„ = 2 L5 für /„,,„ = 0.
Im allgemeinen Fall ist jedoch Im,„ =£ 0. Die obige
Untersuchung kann leicht auf diesen Fall mit endlichem Imm erweitert werden und ergibt dann als Optimalwert
vonAr/ijS + 1)
1 + 2p
3
3
wobei
P =
1
GfT Γ)"
GfT Γ)"
ist.
Dieser Wert für kl(ß + 1) ergibt wiederum Fmax = 3
unabhängig von p.
Bei nichtverschwindendem Imm kann also ein Wert
von k gefunden werden, der immer einen Maximalwert von 3 ergibt, wenn nur das Induktivitätsverhältnis bzw
die Induktivitätsasymmetrie geeignet gewählt wird.
Wenn andere Werte von Jt verwendet werden, die zu Abfühl-Diskriminierungsfaktoren F kleiner als den
Maximalwert von 3 führen, braucht nur ein entsprechender Wert von Jt in F i g. 4 ausgewählt und daraus das
Verhältnis der Induktivitäten im Schreibzweig und im Abfühizweig der supraleitenden Schleife bestimmt
werden. Der dick ausgezogene Teil in F i g. 4 entspricht wie gesagt dem Fall /„„„ = 0. Werte von k größer als
0,25 und kleiner als 0,5 ergeben somit Abfühl-Diskriminierungsfaktorren Firn Bereich 2
< F< 3.
Für Fälle mit /~m Φ 0 (ρ Φ 0) ergibt sich eine
Kurvenschar ähnlich dem dick ausgezogenen Teil in F i g. 4, die beispielsweise als Paar gestrichelter Kurven
23 und 24 dargestellt sind. Da der erreichbare Maximalwert von Fimmer 3 ist, liegt dieses Maximum
so bei verschiedenen Werten von Ic, entsprechend der
obigen Gleichung (6). In ähnlicher Weise hängen diejenigen Werte von k, die Fgrößer als 2 ergeben, auch
von ρ ab. Im allgemeinen ist 2 <F<3 für (1 + 3 p)/ 4<{k/ß + 1)<(1 + p)/Z
Wie schon gesagt, müssen bei dieser Untersuchung die Voraussetzungen zur Erzielung des maximalen
Abfühl-Diskriminierungsfaktors F= 3 eingehalten werden. Es müssen also gleich große Ringströme mit
verschiedenen Umlaufrichtungen verwendet werden; der Schreibkontakt und der Abfühlkontakt müssen in
verschiedenen Zweigen der supraleitenden Speicherschleife liegen und die Induktivitäten der Zweige
müssen im allgemeinen asymmetrisch sein. In Fällen, in denen U des Schreibkontakts gleich Null ist muß die
Induktivität des Zweiges mit dem Schreibkontakt den doppelten Wert des mit dem Abfühlkontakt gekoppelten
Zweiges aufweisen. In allen anderen Fällen, in denen Imin des Schreibkontakts nicht gleich Null ist kann der
ti
Wert von k mit der obigen Gleichung (6) bestimmt werden und daraus wiederum die induktivitätswerte, die
den Abfühl-Diskriminierungsfaktor F = 3 ergeben.
Ringströme mit ungleichen Stromstärken, wie sie beispielsweise durch Mehrfach-Schreibkontakte in
asymmetrischen Zellen entstehen, können aufgrund dieser Überlegungen also nicht zur maximal möglichen
Abfühl-Diskriminierung führen. Ein Spezialfall dieser allgemeinen Gattung ist eine Speicherzelle, in der eine
»1« durch das Vorhandensein eines Stroms und eine »0« durch die Abwesenheit eines Stroms dargestellt wird.
Hier ist der maximal mögliche Wert von F nur 2. Der erforderliche Wert von c/a = 2 kann auch dann nicht
erreicht werden, wenn ein einzelner Schreibkontakt in denselben Zweig eingebaut wird, der mit dem
Abfühlkontakt gekoppelt ist; in diesem Fall ist c/a = 1 und aus Gleichung (2) oder F i g. 2B ergibt sich damit der
maximal mögliche Wert Fzu nur 2.
Zur Erzielung des bestmöglichen Arbeitsbereichs müssen die Zellen im allgemeinen so miteinander
verbunden werden, daß die Schreibkontakte der nichtausgewählten Zellen nicht mehr als eine Einheit
des Steuer- oder Arbeitsstroms erhalten, während der Schreibkontakt der ausgewählten Zelle sowohl den
Arbeitsstrom als auch alle verwendeten Steuerströme empfängt. Wird, wie üblicherweise, eine Koinzidenzauswahl
mit vertikalen und horizontalen Auswahlströmen verwendet, so empfängt ein Arbeitskontakt einer
ausgewählten Zelle sowohl die vertikalen als auch die horizontalen Auswahlströme. Alle Schreibkontakte der
nichtausgewählten Zellen empfangen nur einen vertikalen oder einen horizontalen Strom oder aber überhaupt
keinen. Die Hinzufügung neuer vertikaler oder horizontaler Ströme ändert das Bild nicht wesentlich, da nur ein
weiterer Strom zu den schon vorhandenen hinzugefügt wird. Aus Fig.5 wird deutlich, daß ein zusätzlicher
Steuerstrom verwendet werden kann, der die am Schreibkontakt einer ausgewählten Zelle verfügbaren
Steuerströme verstärkt, andererseits aber nur einen Steuerstrom an die Arbeitskontakte solcher nichtausgewählter
Zeilen liefert, die ohne diese zusätzliche Leitung überhaupt keinen Steuerstrom empfangen. Das
Verhältnis der Steuerströme in einer ausgewählten Zelle zu denen in einer nichtausgewählten Zelle beträgt
also bei Verwendung diagonaler Steuerleitungen 3/1. Mit nur zwei Steuerleitungen ist das effektive Verhältnis
2 :1, bei einer zusätzlichen horizontalen oder vertikalen Steuerleitung dagegen 3/2. Im allgemeinen Fall sind in
einer JV χ ΛΖ-Matrix im Prinzip bis zu N — 1 eindeutige
Sätze diagonaler Steuerleitungen für Arbeitskontakte möglich. In einer Matrix mit einem Satz horizontaler
Steuerungen und π unabhängigen Sätzen diagonaler Steuerungen empfängt eine ausgewählte Zelle m + 1
Stromeinheiten, eine nichtausgewählte Zeile dagegen maximal eine Stromeinheit. Je größer also die Anzahl
der diagonalen Steuerlinien, desto größer die Diskriminierung zwischen den Schreibkontakten in ausgewählten
und nichtausgewählten Zellen. Die Erhöhung der Diskriminierung auf diese Art führt aber zu einer
verminderten Bitdichte (da mehr Platz für die Schreibeinrichtungen notwendig ist) und zu einer
erhöhten Verdrahtungskomplexität. Es muß deshalb ein Kompromiß zwischen der Anzahl der Steuerleitungen
für die Schreibkontakte und dem Arbeitsbereich für den Schreibvorgang gefunden werden. Dieser Kompromiß
wird in der Anordnung von Fig.5 deutlich, die
schematisch eine Matrix von Speicherzellen zeigt, in denen jede einen einzelnen Schreibkontakt mit zwei
zugehörigen Steuerleitungen zeigt, von denen eine diagonal und die andere horizontal verläuft; außerdem
enthält die Speicherzelle einen Abfühlkontakt. Die Speicherzelle in Fig.5 entspricht somit in jeder
Hinsicht der Anordnung in Fig. 1 mit Ausnahme der zusätzlichen diagonalen Steuerleitung, die über jede der
Speicherzellen verläuft. Gleiche Bezugszeichen sind für gleiche Elemente in den Fig. 1 und 5 verwendet. Der
Schreibkontakt 6 ist somit im Zweig 4 angeordnet; der
ίο Abfühlkontakt 7 liegt im Zweig5; die Induktivitäten sind
asymmetrisch und die Ringströme 14 haben gleiche Stärke und fließen in entgegengesetzte Richtungen. Der
Lesezyklus der Matrix in Fig. 5 ist identisch zum Lesezyklus, wie er an Hand von Fig. 1 beschrieben
!5 wurde. Zum Einschreiben in eine ausgewählte Zelle, z. B.
die in F i g. 5 mit 5 bezeichnete, werden gleichzeitig die Stromquellen 8 und 10 für die Spalte und Reihe der
ausgewählten Zelle 5 und die Stromquelle 25 ID
aktiviert. Stromquelle 25 ist mit Steuerleitung 26 verbunden, die über den Arbeitskontakt 6 der
ausgewählten Zelle 5 verläuft. Die Summe der Steuerströme In Ιχ schaltet zusammen mit dem
Zellenstrom Iy den Schreibkonlakt 6 der ausgewählten
Zelle 5 in den spannungsbehafteten Zustand um und induziert dadurch in der supraleitenden Schleife 3 einen
Ringstrom entweder im Uhrzeigersinn oder im Gegenuhrzeigersinn; je nachdem, welche Polarität der
Zellenstrom Iy hat; die gestrichelte Linie 14 in der ausgewählten Zelle Szeigt diesen Ringstrom an.
Während der Schreiboperation liegen an der ausgewählten Zelle Sin Fi g. 5 die Ströme Iy, Ix und Io
gleichzeitig an, während nichtausgewählten Zellen A. B und C nur einen der Ströme Ιχ, Id und Iy empfangen.
Eine typische Schwellwertkurve 27 für das Umschalten der Arbeitskontakte ist in F i g. 6 dargestellt, wo /weder
gesamte Strom durch den Zweig mit dem Schreibkontakt in der Zelle S ist. Die am nächsten liegenden,
möglichen statischen Arbeitspunkte für einen typischen Schreibzyklus sind durch ausgefüllte Kreise dargestellt.
Die kurzen horizontalen Abschnitte auf der Ordinate zeigen die beiden möglichen Ringstromznstände an, die
in einem Standardzyklus vor dem Einschreiben existieren. Der leere Kreis entspricht dem Arbeitspunkt einer
nichtausgewählten Zelle während deren allerersten Schreibzyklus. Die erforderlichen Beträge der Ströme
Ix. Ip und Iy für den ersten Schreibzyklus und alle
anderen folgenden Schreibzyklen unterscheiden sich nicht, so daß auch kein besonderer Anfangszyklus
erforderlich ist Dieses Ergebnis rührt daher, daß beispielsweise Zelle A in F i g. 5 nur ungefähr die Hälfte
des Steuerstromes empfängt der an die ausgewählte Zelle Sangelegt wird.
Die Verwendung zweier Steuerleitungen für den Arbeitskontakt anstelle einer einzigen ermöglicht es,
den einzelnen Steuerstrom nur halb so groß zu machen, wie für den Fall einer einzelnen Steuerleitung für den
Schreibkontakt. Aus Fig.6 ist ersichtlich, daß die gleichzeitige Anwesenheit von Ιχ, Id und Iy die
ausgewählte Zelle 5 umschaltet, wie es durch den ausgefüllten Kreis S außerhalb der Schwellwertkurve 27
dargestellt ist. Die Schreibkontakte 6 der Speicherzellen A B in F i g. 5 empfangen die Ströme Ιχ bzw. Id- Diese
Ströme ergeben zusammen mit den in den Zellen vorhandenen Ringströmen einen Arbeitspunkt, der in
Fig.6 durch einen ausgefüllten Kreis mit der Bezeichnung
A, B angegeben ist Der Arbeitspunkt für A und B
liegt innerhalb der Schwellwertkurve 27, so daß die Schreibkontakte 6 der nichtausgewählten Zellen A und
B im supraleitenden Zustand ^ohne Spannungsabfall)
bleiben. Der Schreibkoniakt 6 der nichtausgewählten Zelle Cemplängt einen Teil des Versorgungsstroms k ly
zu seinem Ringstrom und bleibt somit ebenfalls in seinem nicht umgeschalteten Zustand, da der Arbeitspunkt C innerhalb der Sch well wertkurve 27 liegt.
Je weiter die Arbeitspunkte von der Schwellwertkurve 27 in Fig.6 entfernt liegen, desto größer ist die
zulässige Variation der Schwellwertkurven innerhalb der Matrix 1 von F i g. 5. Für den Fall Ιχ = Id kann diese
Aussage direkt in eine Darstellung des statischen Arbeitsbereiches in der Ιχ— />~Ebene ähnlich der in
Fig.7 umgesetzt werden. Fig.7 ist eine Darstellung
der normierten Ringströme als Funktion der normierten, individuellen Steuerströme, die an eine Speicherzelle
angelegt werden. Der Ausdruck »natürlicher Arbeitsbereich« bedeutet die Gesamtheit aller möglichen Iy,
/.^Koordinaten, die in einer Matrix ohne Herstellungstoleranzen erlaubt sind. Zur Vereinfachung der Darstellung
ist in Fig. 7 die Schwellwertkurve für den Schreibkontakt als Gerade dargestellt und angenommen,
daß die Ströme Ix, ID und /y ungefähr gleich sind,
Weiterhin wird eine Mindest-Amplitude von 0,2 Imo
angenommen, wobei Imo der kritische Strom des
Schreibkontakts 6 im Nullfeld ist. Die ausgezogenen Linien a, b, c und d begrenzen den Arbeitsbereich der
Matrix in F i g. 5. Würde die zweite Steuerleitung 26 in Fig.5 mit ihrem Strom /D vertikal statt diagonal
verlaufen, würde Linie c durch die gestrichelte Linie e ersetzt werden. (In F i g. 6 wird der Punkt C nach rechts
verschoben). Der maximale Arbeitsbereich für den zuletzt genannten Fall beträgt ungefähr ±11%
(schraffierter Bereich A in Fig. 7), während der Arbeitsbereich für denselben Steuerstrom im Fall
diagonaler Leitungen ungefähr ±22% beträgt (der schraffierte Bereich ßin F i g. 7), also doppelt so groß ist.
In beiden Fällen kann der Steuerstrompegel auf Kosten des Arbeitsbereichs reduziert werden. Beispielsweise
verringert sich der Arbeitsbereich für den Fall diagonaler Leitungen auf ±11% (schraffierter Bereich
Cin Fig. 7), wenn der normierte Steuerstrom von 0,45
auf 034 verringert wird, d. h. um ungefähr 24%.
Durch diagonal verlaufende Steuerleitungen können somit Josephson-Speichermatrizen hergestellt werden,
die mit reduzierten Steuerstrompegeln betrieben werden können und die kein besonderes Einschreibverfahren
für den ersten Schreibzyklus (Erst-Einschreib-Mode) erfordern, wie es sonst bei Verwendung
mehrfacher Steuerleitungen der Fall ist; außerdem haben diese Matrizen bei einfachen Speicherzellen
einen maximalen Arbeitsbereich für Schreibvorgänge.
Zusammen mit der früher besprochenen Einstellung maximaler Abfühl-Diskriminierungsfaktoren F können
so Speichermatrizen gebaut werden, die im Vergleich zum Stand der Technik verbesserte Schreib- und
Abfühl-Arbeitsbereiche aufweisen.
Die zum Betrieb der Speichermatrizen in F i g. 1 und 5 notwendigen Decodierer zum Einschalten der entsprechenden
Stromquellen bei der Auswahl eines Kontakts sind im Stand der Technik bekannt und brauchen hier
nicht näher beschrieben zu werden.
Die zum Aufbau der Matrizen notwendigen Josephson-Kontakte und die supraleitenden (beispielsweise
aus Niob oder Bleilegierungen bestehenden) Verbindungsleitungen und Steuereinrichtungen sind ebenfalls
im Stand der Technik bekannt und brauchen nicht näher beschrieben zu werden. Typische Josephson-Kontakte
mit ihren Verbindungen sind beispielsweise in der US-Patentschrift 37 58 795 beschrieben, ein typisches
Herstellverfahren für Josephson-Kontakte in der US-PS 38 49 276. Die hier beschriebenen Speicherma-
trizen können in einer ähnlichen Weise hergestellt werden, wie es in der US-PS 36 26 391 beschrieben ist.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Josephson-Speicherzelle mit einer supraleitenden Schleife, einem darin eingebauten Schreib-Josephson-Kontakt
und einem mit der Schleife gekoppelten Abfühl-Josephson-Kontakt, in der die
Binärzustände durch Ringströme verschiedener Umlaufrichtung dargestellt werden, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ringströme verschiedener Umlaufrichtung gleichen Be'rag haben,
daß ein erster Zweig (4) der supraleitenden Schleife einen einzigen Schreib-Josephson-Kontakt (6) enthält,
daß ein zweiter Zweig (5) mit einem Abfühl-Josephson-Kontakt (7) gekoppelt ist und daß
das Verhältnis der größeren Induktivität (£.«.) des
ei sten Zweigs und der kleineren Induktivität (Ls) des
zweiten Zweigs so gewählt ist, daß sich abhängig vom Arbeitsstrom (Imi„) des Schreib-Kontakts (6) im
spannungsbehafteten Zustand ein optimaler Wert des Abfühl-Diskriminierungsfaktors F(Gleichung 2)
ergibt.
2. Josephson-Speicherzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei verschwindendem
Arbeitsstrom (/m,„) des Schreib-Josephscn-Kontakts
die Induktivität des ersten Zweigs doppelt so groß ist wie die Induktivität des zweiten Zweigs und der
Abfühl-Diskriminierungsfaktor einen Maximalwert von 3 erreicht
3. Josephson-Speicherzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei nicht verschwindendem
Arbeitsstrom (/m,>,) des Schreib-Josephson-Kontakts
der Asymetriefaktor
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/782,573 US4130893A (en) | 1977-03-29 | 1977-03-29 | Josephson memory cells having improved NDRO sensing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2810610A1 DE2810610A1 (de) | 1978-10-05 |
DE2810610B2 DE2810610B2 (de) | 1979-05-31 |
DE2810610C3 true DE2810610C3 (de) | 1980-02-14 |
Family
ID=25126471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782810610 Granted DE2810610A1 (de) | 1977-03-29 | 1978-03-11 | Josephson-speicherzelle |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4130893A (de) |
JP (1) | JPS53120341A (de) |
CA (1) | CA1101546A (de) |
DE (1) | DE2810610A1 (de) |
FR (1) | FR2386102A1 (de) |
GB (1) | GB1600300A (de) |
IT (1) | IT1158672B (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4151605A (en) * | 1977-11-22 | 1979-04-24 | International Business Machines Corporation | Superconducting memory array configurations which avoid spurious half-select condition in unselected cells of the array |
US4360898A (en) * | 1980-06-30 | 1982-11-23 | International Business Machines Corporation | Programmable logic array system incorporating Josephson devices |
JPS58146092A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-31 | Nec Corp | ジョセフソン記憶回路 |
JPS58146093A (ja) * | 1982-02-23 | 1983-08-31 | Nec Corp | ジョセフソン記憶回路の駆動方法 |
US4601015A (en) * | 1982-02-23 | 1986-07-15 | Nippon Electric Co., Ltd. | Josephson memory circuit |
US4509146A (en) * | 1982-12-02 | 1985-04-02 | Sperry Corporation | High density Josephson junction memory circuit |
US5247475A (en) * | 1988-03-25 | 1993-09-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Superconducting memory circuit and method of storing information in the same by generating and terminating a persistent current |
JPH03276493A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Agency Of Ind Science & Technol | ジョセフソン・メモリ回路 |
US5024993A (en) * | 1990-05-02 | 1991-06-18 | Microelectronics & Computer Technology Corporation | Superconducting-semiconducting circuits, devices and systems |
US5253199A (en) * | 1991-06-17 | 1993-10-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | JJ-MOS read access circuit for MOS memory |
US6078517A (en) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Trw Inc. | Superconducting memory cell with directly-coupled readout |
US6836141B2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-12-28 | Northrop Grumman Corporation | Superconductor ballistic RAM |
US7615385B2 (en) | 2006-09-20 | 2009-11-10 | Hypres, Inc | Double-masking technique for increasing fabrication yield in superconducting electronics |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3402400A (en) * | 1965-11-22 | 1968-09-17 | Rca Corp | Nondestructive readout of cryoelectric memories |
US3491345A (en) * | 1966-10-05 | 1970-01-20 | Rca Corp | Cryoelectric memories employing loop cells |
GB1137958A (en) * | 1966-10-12 | 1968-12-27 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to superconductive devices and to circuits including such devices |
CH539919A (de) * | 1972-09-29 | 1973-07-31 | Ibm | Supraleitende Speicherzelle |
US3987309A (en) * | 1974-12-23 | 1976-10-19 | International Business Machines Corporation | Superconductive sensing circuit for providing improved signal-to-noise |
-
1977
- 1977-03-29 US US05/782,573 patent/US4130893A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-01-30 JP JP841378A patent/JPS53120341A/ja active Granted
- 1978-02-15 FR FR7804981A patent/FR2386102A1/fr active Granted
- 1978-02-28 CA CA297,895A patent/CA1101546A/en not_active Expired
- 1978-03-09 GB GB9366/78A patent/GB1600300A/en not_active Expired
- 1978-03-11 DE DE19782810610 patent/DE2810610A1/de active Granted
- 1978-03-21 IT IT21404/78A patent/IT1158672B/it active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1600300A (en) | 1981-10-14 |
US4130893A (en) | 1978-12-19 |
IT1158672B (it) | 1987-02-25 |
CA1101546A (en) | 1981-05-19 |
JPS5652399B2 (de) | 1981-12-11 |
JPS53120341A (en) | 1978-10-20 |
FR2386102A1 (fr) | 1978-10-27 |
DE2810610A1 (de) | 1978-10-05 |
DE2810610B2 (de) | 1979-05-31 |
IT7821404A0 (it) | 1978-03-21 |
FR2386102B1 (de) | 1983-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2556275C2 (de) | Programmierbare logische Schaltung hoher Dichte | |
DE69629264T2 (de) | Ferromagnetisches GMR Material | |
DE2810610C3 (de) | ||
EP1141960B1 (de) | Schreib-/lesearchitektur für mram | |
DE112005002818T5 (de) | Diodenarrayarchitektur zum Adressieren von Widerstandspeicherarrays im Nanomaßstab | |
DE1934278C3 (de) | Speicheranordnung mit zugehörigen Decodierschaltungen | |
EP1174882A1 (de) | MRAM-Anordnung | |
EP1360692B1 (de) | Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher | |
DE2834236C3 (de) | Supraleitender Speicher | |
DE19823826A1 (de) | MRAM-Speicher sowie Verfahren zum Lesen/Schreiben digitaler Information in einen derartigen Speicher | |
DE2909222A1 (de) | Josephson-schaltung zur polaritaetsumschaltung | |
DE2509866A1 (de) | Register mit magnetbereichsfortpflanzung in duennen magnetischen schichten | |
DE1524900A1 (de) | Bistabile Schaltungsanordnung mit zwei Transistoren | |
DE2456708A1 (de) | Assoziativspeicheranordnung | |
DE1186509B (de) | Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern | |
DE1303462B (de) | ||
DE1295656B (de) | Assoziativer Speicher | |
DE2223245C3 (de) | Informationsspeicher | |
DE1474394A1 (de) | Magnetische Datenspeicheranordnung | |
DE1574656C3 (de) | Speicheranordnung mit einer Anzahl von Matrixfeldern | |
DE1499853A1 (de) | Cryoelektrischer Speicher | |
EP1182666A1 (de) | Integrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt | |
DE2434997A1 (de) | Josephson-kontakt-speicher | |
DE2343441A1 (de) | Supraleitende speicherzelle und verfahren zu deren betrieb | |
DE2636233A1 (de) | Supraleitende speichereinrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |