DE1964951C3 - Speicher tür binäre Informationen - Google Patents

Description

20. Speicher nach Anspruch 9 oder 19, dadurch gekennzeichnet, daß zur Sperrung einer Fortpflanzung von gebildeten magnetischen Bereichen die zusätzlichen Leiter (41, 42; 43, 44) Ströme empfangen, welche in dem Kanal (10) an der Stelle der zusätzlichen Leiter magnetische Bereiche zu bilden suchen, die invers zu den magnetischen Bereichen sind, die durch die Kernbildungsleiter (18) in dem Kanal erzeugt werden.

Die Erfindung bezieht sich auf einen Speicher für binäre Informationen, bei welchem die Eigenschaft der Fortpflanzung magnetischer Bereiche durch gesteuerte Wandverschiebung in Kanälen in dünnen magnetischen Schichten mit einachsiger Anisotropie ausgenutzt wird. Bei einem aus der FR-PS 14 55 257 bekannten Speicher dieser Art sind die Kanäle zickzackförmig etwa nach Art von Schachbrettfeldern ausgebildet, so daß sich die magnetischen Bereiche auf einem Zickzackweg von Feld zu Feld bewegen. Die in zwei Reihen nebeneinander angeordneten Schachbreltfelder jedes Kanals sind durch magnetische Brücken miteinander verbunden. Die Achse leichter Magnetisierung verläuft dabei quer zu der allgemeinen Ausbreitungsrichtung. Die Steuerung der Wandverschiebungen erfolgt durch Magnetfelder, die durch phasenverschobene Wechselströme erzeugt werden, die durch Spulen fließen, die um die schachbrettartigen Kanäle gewickelt sind. Für jeden Kanai werden vier Spulen benötigt, die mit gegenseitigen Phasenverschiebungen von 90° innerhalb jeder Reihe und mit einer zusätzlichen Phasenverschiebung von 180° von einer Reihe zur anderen erregt werden. Dies ergibt einen komplizierten Aufbau und eine aufwendige Steuerschaltung.

Aus der US-PS 3137 845 ist andererseits ein Informationsspeicher in Form eines' Schieberegisters bekannt, das aus schraubenförmig aufgewickelten Kanälen für die Fortpflanzung magnetischer Bereiche gebildet ist; zwischen die magnetischen Bereiche ist ein Netz von Steuerleitern eingefügt, die senkrecht zu der Richtung der Kanäle verlaufen, damit die magnetischen Bereiche durch eine mehrphasige Steuerung verschoben werden können. Hierbei handelt es sich aber nicht um die Ausnutzung der Eigenschaften von dünnen Schichten aus anisotropischem magnetischem Material; vielmehr sind die Kanäle durch Drähte gebildet, und die »Verschiebung« der magnetischen Bereiche erfolgt durch aufeinanderfolgende Ummagnetisierung aneinanderstoßender Abschnitte der Drähte. Auch in diesem Fall ist eine aufwendige Steuerung mit impulsförmigen Vierphasenströmen erforderlich.

Aufgabe der Erfindung ist demgegenüber die Schaffung eines Speichers der eingangs angegebenen An, bei dem die Verschiebung magnetischer Bereiche in Kanälen aus dünnen magnetischen Schichten mit einachsiger Anisotropie mit einfachem Aufbau und ίο geringem Schaltungsaufwand möglich ist.

Nach der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch wenigstens ein Register, das durch wenigstens eine auf die Oberfläche eines im wesentlichen zylindrischen langgestreckten Trägers aufgebrachte magnetische Schicht gebildet ist, in der wenigstens ein schraubenförmiger Kanal definiert ist, dessen Anisotropieachse im wesentlichen senkrecht zu der Achse der Schraubenlinie gerichtet ist, und durch einen Generator für die Erzeugung eines gleichförmigen rotierenden Magnetfeldes mit konstanter Amplitude, dessen Drehachse im wesentlichen parallel zu der Achse der Schraubenlinie liegt und das so beschaffen ist, daß der schraubenförmige Kanal für eine kontinuierliche Längsverschiebung der Wände seiner magnetischen Bereiche vollkommen in dem rotierenden Magnetfeld liegt.

Bei dem nach der Erfindung ausgebildeten Speicher werden die magnetischen Bereiche in den Kanälen durch das angelegte rotierende Magnetfeld gleichförmig vorgeschoben, solange das Magnetfeld besteht. Dabei ist es nicht erforderlich, daß die Drehachse des Drehfeldes mit der Achs; der Schraubenlinie zusammenfällt; es genügt, daß der schraubenförmige Kanal derart vollständig in dem rotierenden Magnetfeld liegt, daß die Amplitude des Drehfeldes über die ganze Länge des Kanals und auch über die Dicke der Schraubenlinie als im wesentlichen gleichförmig angesehen werden kann. Dies bedeutet kein Problem, da die Erzeugung eines rotierenden Magnetfeldes mit gleichförmiger Intensität in einem gegebenen Raum auf einfache Weise möglich ist, beispielsweise mit Hilfe von zwei um 90° phasenverschobenen Wechselströmen, die durch gekreuzte Spulen fließen.

Eine solche Struktur eignet sich direkt für die Bildung von Mehrkanal-Speichern, da nur eine entsprechend größere Anzahl von schraubenförmigen Kanälen in dem gleichen rotierenden Magnetfeld angeordnet zu werden braucht. Die für die Verschiebung der magnetischen Bereiche erforderliche Steuerschaltung ist dann besonders einfach und wirtschaftlich.

Die Richtung der Verschiebung der magnetischen Bereiche in einem im Drehfeld liegenden Kanal hängt nur von der Wicklungsrichtung der Schraubenlinie ab. Es ist daher möglich, schraubenförmige Kanäle mit entgegengesetztem Wicklungssinn parallel nebeneinander oder koaxial ineinander anzuordnen, so daß sich die magnetischen Bereiche in den beiden Kanälen in entgegengesetzten Richtungen bewegen. Wenn zwei solche Kanäle am einen Ende magnetisch miteinander verL'inden werden, durchläuft die Information zunächst 5₍₎ den einen Kanal in der einen Richtung und dann den anderen Kanal in der entgegengesetzten Richtung; wenn die beiden Kanäle an beiden Enden magnetisch miteinander verbunden werden, entsteht eine in sich geschlossene Schleife, in der die Information beliebig ft_S lange umlaufen kann.

Bei dem erfindungsgemäßen Speicher ist keine Synchronisierung der Bildung und Auslesung der magnetischen Bereiche notwendig, da die Verschiebung

kontinuierlich erfolgt.

Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Speichers besteht darin, daß zum Stillsetzen der Information in einem Register ohne Unterbrechung des rotierenden Magnetfelds ein durch Wechselstrom erregbarer Leiter im wesentlichen parallel zu der Achse der Schraubenlinie des das Register bildenden Kanals in dessen unmittelbarer Nähe angeordnet ist.

Auf diese Weise erfolgt die Stillsetzung der Information in einem Register ohne irgendwelche Einflußnahme auf das für die Verschiebung erzeugte magnetische Drehfeld. Diese Lösung ist besonders deshalb vorteilhaft, weil sie es beim Vorhandensein mehrerer im gleichen Drehfeld liegender Register ermöglicht, die Register für das Stillsetzen der Information einzeln anzusteuern, ohne daß das auf sämtliche Register einwirkende Drehfeld verändert werden muß.

Für die Eingabe der zu speichernden Informationen und das Auslesen der gespeicherten Informationen ist der Speicher vorzugsweise so ausgebildet, daß an einem Ende jedes Registers ein Kernbildungsleiter für die Bildung von magnetischen Bereichen mit parallel zu dem Kanal liegender Oberfläche vorgesehen ist, daß am anderen Ende jedes Registers ein Leseleiter für die Abnahme der magnetischen Bereiche mit parallel zu dem Kanal liegender Oberfläche vorgesehen ist und daß die dem Kernbildungsleiter bzw. dem Leseleiter gegenüberliegenden Endwindung des Kanals gegenüber den Windungen für die normale Fortpflanzung der magnetischen Bereiche im Kanal zur Vergrößerung der magnetischen Kopplungen zwischen diesen Endwindungen und den Leitern verbreitert sind.

Eine besonders vorteilhafte Organisation des Speichers läßt sich gemäß der Weiterbildung der Erfindung dadurch erreichen, daß in der Fortpflanzungsrichtung hinter dem Kernbildungsleiter und/oder vor dem Leseleiter wenigstens ein Paar von zusätzlichen Leitern gegenüber den Windungen angeordnet ist, die den mit dem Kernbildungsleiter bzw. mit dem Leseleiter gekoppelten Leitern benachbart sind, und daß die zusätzlichen Leiter selektiv derart erregbar sind, daß sie je nach der Polarität der ihnen zugeführten Gleichströme die Fortpflanzung der in dem Kanal erzeugten magnetischen Bereiche in den ihnen gegenüberliegenden Windungen zulassen bzw. verhindern.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt. Darin zeigt

F i g. 1 die Wirkung der Anwendung eines magnetischen Drehfeldes auf ein Speicherelement in Form einer dünnen zylindrischen Schicht,

F i g. 2 einen Teil des schraubenförmigen Fortpflanzungskanals für Magnetisierungsbereiche unter der Wirkung eines magnetischen Drehfeldes,

Fig. 3 Querschnitte von verschiedenen Ausführangsformen eines Speicherelements in Form einer dünnen Magnetschicht, welche einen schraubenförmigen Fortpfianzungskanai bildet, wobei diese Ausführungsformen in der erfindungsgemäßen Weise auswertbar sind,

Fig.4 bis 7 Seitenansichten von verschiedenen \usführungsbeispielen eines erfindungsgemäßen Speichers, welche nachfolgend »Elementarspeicher« gelannt werden,

Fig.8 Ausführungsbeispiele von Einzelheiten sol- :her Elementarspeicher,

Fig.9 eine mögliche Gruppierung von Elementarpeichern, wodurch dieselben einem einzigen magneti-

sehen Drehfeld zugeordnet werden,

Fig. 10 und 11 zwei mögliche Auswahlarten zum Schreiben und Lesen in einer Gruppierung von Elementarspeichern, welche zur Vereinfachung auf vier Elemente vermindert ist,

Fig. 12 eine andere Ausführungsform der in den Fig.4 bis 7 gezeigten Elementarspeicher mit einer anderen Auswahlart zum Schreiben und Lesen und

Fig. 13 eine Speicherauswahlanordnung, in welcher die in Fig. 12 gezeigten Anordnungen verwendet werden.

In Fig.l ist ein Ring aus einer dünnen Magnetschicht mil. einaxialer Anisotropie dargestellt, wobei die Anisotropieachse mit K bezeichnet ist. Durch hier nicht näher zu erläuternde Einrichtungen erhält man den Zustand, daß zwischen den Punkten A und B eine Umkehrung des Magnetisierungszustandes bezüglich des Bereiches M herrscht, was besagt, daß bei in Umfangsrichtung verlaufender Anisotropieachse die Magnetisierungsrichtung in der Zone AB derjenigen in der Zone M entgegengerichtet ist. Wenn nun dieser Ring in ein magnetisches Drehfeld H eingebettet wird, so pflanzen sich die Wände des Magnetisierungsbereiches mit umgekehrter Magnetisierung fort, indem sie J₅ durch dieses Feld in der in den Ansichten a) bis e) in Fig.l gezeigten Weise mitgenommen werden.

Wenn man daher die dünne Magnetschicht mit einaxialer Anisotropie längs einer Schraubenlinie auf einem Zylinder (F i g. 2) anordnet, wobei die Vorzugsachse der Magnetisierung oder leichte Magnetisierungsachse K im wesentlichen senkrecht zur Achse der Schraubenlinie verbleibt, wie sie es bezüglich der Achse des Rings in Fig.l war, erzeugt die Anwendung eines sich um diese Achse drehenden Feldes eine ähnliche Wirkung, indem die Bereichswände jeder Stelle mit »umgekehrter« Magnetisierung mitgenommen werden. Der Speicherpunkt, in welchem durch diese Umkehr der Magnetisierungsrichtung eine Binärziffer 1 eingeschne ben worden ist. verschiebt sich längs des schraubenför migen magnetischen Kanals in einer Richtung, welche durch die Steigungsrichtung dieser Schraubenlinie und durch diejenige der Leichten Magnetisierungsrichtung bezüglich der Drehrichtung des Drehfeldes bestimmt wird. Es ist jedoch festzustellen, daß die Umkehrung des Magnetisierungszustandes des Bereiches nicht vollständig ist und tatsächlich, wie durch den Pfeil I angegeben, nicht 180° erreicht Dies ist jedoch ohne Bedeutung, und in der Praxis werden die Windungen des schraubenförmigen Kanals mit einer Neigung von etwa 90° gegen die Zylinderachse ausgebildet, wobei die Zeichnung nur der klaren Darstellung dient

Unter dünnen Schichten werden Magnetschichten verstanden, deren Dicke zwischen einigen hundert und einigen tausend Angström liegt. Es sind verschiedene Verfahren zur Herstellung von Schichten dieser Art bekannt, die hier nicht im einzelnen erläutert werden müssen. Die Anisotropieachse kann in an sich bekannter Weise durch Anlegen eines magnetischen Orientierungsfeldes festgelegt werden, und zwar entweder während des Aufbringens, insbesondere wenn die Schicht durch Aufdampfen der Bestandteile hergestellt wird, oder nach dem Aufbringen unter Ausglühen, wenn die Schicht auf elektrochemischem oder insbesondere elektrolytischem Wege hergestellt wird. In allen Fällen ergibt sich eine dünne anisotrope Schicht mit gleichförmiger Magnetisierung, welche in einer Richtung ausgerichtet ist die beispielsweise als die Binärziffer 0 entsprechend angesehen werden kann. An ieder Stelle

kann durch Umkehrung dieser Magnetisierungsrichtung, beispielsweise durch Kernbildung, eine Binärziffer 1 an die Stelle der Binärziffer O gesetzt werden. Um die erforderlichen schraubenförmigen Kanäle zu, erzielen, kann man jedoch verschiedene Anordnungen verwenden. Beispielsweise kann der Kanal aus einer einfachen Spirale aus magnetischem Material, beispielsweise Eisen-Nickel-Kobalt, bestehen, welche direkt durch eine geeignete Maske auf die Oberfläche des Trägers aufgebracht ist. Bei einer anderen Ausführungsform kann der Kanal beispielsweise in der folgenden Weise hergestellt werden: Die Oberfläche des Zylinders wird mit einer dünnen Aluminiumschicht überzogen, und diese Schicht wird beispielsweise gemäß der Form des gewünschten Kanals graviert. Sodann wird eine gleichmäßige Schicht aus einer ferromagnetischen Legierung, beispielsweise aus Eisen-Nickel-Kobalt oder einer anderen Legierung, über dem Aluminium und der durch Photogravüre hergestellten Rille aufgebracht. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel wird die Oberfläehe des Zylinders gleichförmig mit einer dünnen Schicht aus weichferromagnetischem Material, beispielsweise Eisen-Nickel-Kobalt, überzogen, eine dünne, unmagnetischc Spirale auf der Oberfläche dieser dünnen Schicht (beispielsweise durch einen mit Photogravüre behandelten Photoresist) ausgebildet und sodann wird eine Schient aus härterem magnetischen Material, beispielsweise aus Nickel-Kobalt, über dieser gesamten Anordnung ausgebildet. In jedem Fall ist der »Fortpflanzungskanal« auf diese Weise in dem Element geeignet festgelegt.

Die Oberfläche des Trägers soll eine sehr geringe Rauhheit und vorzugsweise sogar einen nahezu optisch polierten Zustand aufweisen. Infolgedessen kann dieser Träger entweder ein Glasstäbchen 11 gemäß der Ansicht a) in F i g. 3 oder ein Metallstäbchen 12 gemäß der Ansicht b) sein, welcher vorzugsweise einem elektrolytischen Poliervorgang unterworfen wurde. Für den Betrieb wird es bevorzugt, daß wenigstens die Seele des Trägers elektrisch leitend ist, was in den Ansichten c) und d) der F i g. 3 dargestellt ist. In der Ansicht C^ ist ein massiver Leiter 14 von einem Dielektrikum 13 umhüllt, auf dessen Oberfläche der schraubenförmige magnetische Kanal 10 ausgebildet ist In der Ansicht d) ist der Leiter eine Metallisierung 15 der inneren Oberfläche eines dielektrischen Rohrs 13. Der Durchmesser des Trägers kann beispielsweise in der Größenordnung von Millimetern liegen, wobei der schraubenförmige Kanal in der Größenordnung von 200 Mikrometer und die Breite des Kanals in der Größenordnung von 75 Mikrometer liegt. Die Fortpflanzungsgeschwindigkeit der magnetischen Bereichswände der Speicherstellen hängt offensichtlich von der Drehgeschwindigkeit des magnetischen Drehfeldes ab und kann beispielsweise auf einen Wert in der Größenordnung von 2 - 10⁵cm/sec gebracht werden. Die Trennung zwischen Speicherstellen liegt offensichtlich in der Größenordnung einer Ganghöhe des schraubenförmigen Kanals.

Es kann festgestellt werden, daß der Querschnitt des Trägers und daher des Speicherelement» nicht kreisförmig sein muß. Es genügt, daß die Intensität des magnetischen Drehfeldes gleichförmig ist.

Fig.4 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines Elementarspeichers, welcher aus einem zylindrischen Träger besteht, welcher den schraubenförmigen Magnetischen Kanal 10 zwischen zwei Endabschnitten 16 und 17 trägt, die vorzugsweise eine größere Breite besitzen als der Kanal und beispielsweise die Enden des Trägers praktisch vollständig umfassen. In unmittelbarer Nähe des Teils 16 ist ein quer verlaufender Leiter 18 dargestellt. In unmittelbarer Nähe des Teils 17 ist ein s quer verlaufender Leiter 19 dargestellt. Der Leiter 18 i:st beispielsweise der Kernbildungsleiter, d. h., daß jedesmal bei Erregung desselben durch einen Informations-Strom, welcher die Binärziffer 1 darstellt, die Orientierung der Magnetisierung im Abschnitt 16 umgekehrt

ίο und dadurch diese Ziffer an dieser Stelle eingeschrieben wird. Das Drehfeld H läßt diesen umgekehrten Magnetisierungsbereich mit seiner Antriebsgeschwindigkeit bis zum anderen Ende des magnetischen Kanals zur Stelle 17 fortschreiten, an der der Leiter 19 diesen Informationsbestandteil »liest«. Dieses Speicherelement verhält sich daher ohne weiteres als zeitweiliger Umlaufspeicher, welcher jedem an seinem Eingang eingeschriebenen Informationsbestandteil eine Verzögerung erteilt, die gleich der Anzahl von Dreh-»Zyklen« des Antriebsfeldes und daher gleich der Gesamtanziihl von Windungen des schraubenförmigen Kanals 10 einschließlich der Bereiche 16 und 17 ist. Für die obenerwähnten Abmessungen kann die Dauer eines Zyklus leicht in der Größenordnung von 2 Mikrosekunden liegen.

Um die Information zu erhalten und so dias verzögernde Registerelement in einen semipermanenten, nämlich löschbaren und wiederbeschreibbaren Elemeniarspeicher umzuwandeln, werden zwei Maßnahmen vorgesehen, die getrennt oder gleichzeitig anwendbar sind: Verhinderung der Wirkung des Drehfeldes (eine Abschaltung desselben wäre wenig praktisch); Schleifenschaltung des Umlaufspeicherregisters.

Um die Antriebswirkung des Drehfeldes zu verhindern, ist es erforderlich, an den Elementarspeicher ein magnetisches Wechselfeld anzulegen, welches entweder durch das Fließen eines Wechselstroms im Leiter 14 (oder 15) erzeugt werden kann, wenn ein solcher

₄„ vorhanden ist, oder welches durch das Fließen eines Wechselstroms in einem besonderen Leiter erzeugt werden kann, wie er bei 20 in der in F i g. 5 gezeigten Ausführungsform in unmittelbarer Nähe des Elementarspeichers dargestellt ist. Dieser Wechselstrom wird natürlich während der Schreibdauer einer Folge von Informationselementen unterdrückt, d.h. bei jedem Schreiben einer solchen Folge während der Zeit, die erforderlich ist, damit das erste Informationselement das andere Ende des Kanals des Elementarspeichers erreicht Er wird ebenfalls während jedes Lesevorgamgs

unterdrückt da dieser dynamisch durch den Durchgang der vom Drehfeld angetriebenen Informationselemente unter dem Leseleiter erfolgt

Zur Ausbildung eines in sich zu einer Schleife

₅<-, geschalteten magnetischen Umlaufregisters müssen entweder zwei einfache Elemente gekoppelt werden wie in F i g. 6 gezeigt oder es muß ein Speicherelement mit zwei überlagerten schraubenförmigen Kanälen und umgekehrtem Windungssinn gebildet werden, wobei die

5q Ganghöhe in beiden Kanälen gleichbleibt Bei gleichei Richtung des Drehfeldes gewährleistet die Umkehrung des Windungssinnes zwischen den beiden Kanälen die Fortpflanzung der Informationselemente in einei geschlossenen Schleife und daher die Erhaltung des ii den Speicher Geschriebenen.

Beim Ausführungsbeispiel der Fig.6 sind zwe Speicherelemente, das erste mit seinem schraubenför migen Kanal 10 und das zweite mit seinem schrauben

förmigen Kanal 01, an ihren Enden durch magnetische Brücken 21 und 22 gekoppelt, wobei sich diese Elemente parallel zueinander und in engem Abstand voneinander erstrecken. Jede der Brücken berührt die Enden der Kanäle, die sie miteinander verbindet, so daß ein im Kanal 10 unter der Brücke 21 vorhandener Magnetisierungsbereich bei einer Periode des Drehfeldes auf das entsprechende Ende des anderen Kanals 01 übertragen wird, in dem er sich bis zum entgegengesetzten Ende fortpflanzt und wieder durch die Brücke 22 auf den Kanal 10 übertragen wird usw. jede Brücke kann beispielsweise aus einer Magnetschicht mit einaxialer, entlang der Längserstreckung gerichteter Anisotropie· bestehen, welche auf einen flachen Träger, beispielsweise aus dielektrischem Material, in Form einer dünnen Kunststoffschicht, aufgebracht ist. Es sind mehrere mögliche Lagen für die Kernbildungs- und Leseleitet angegeben. Tatsächlich kann man, je nach Erfordernis, mehr als einen Kernbildungs- oder Leseleiter einem Speicherelement zuordnen. Das eigentliche Register erstreckt sich von der Stelle Re auf dem schraubenförmigen Kanal 10 zur Stelle Rs auf dem schraubenform! gen Kanal 01.

Statt zwei Speicherelemente durch magnetische Brücken miteinander zu verbinden, kann man dieselben durch äußere Lese- und Schreibkreise verbinden, welche den Leseleiter des einen Speicherelements mit dem Kernbildungsleiter des anderen Speicherelements verbinden und umgekehrt.

F i g. 7 zeigt einen Elementarspeicher mit doppeltem Kanal, wobei der »rückführende« Kanal 01 mit einer zwischengelegten isolierenden Schicht 23 dem »vor wärtsführenden« Kanal 10 überlagert ist, wobei die Magnetschichten jedoch an den Stellen Re und Rs in direkter Berührung stehen. Die Wirkungsweise ist ohne weiteres verständlich.

In den Fig.4 bis 7 sind die Leiter 18 und 19 flach dargestellt; aber diese Darstellung stellt keine Be schränkung dar. Beispielsweise ist in der Ansicht a^der F i g. 8 gezeigt, daß ein solcher Leiter, wenn gewünscht, als ebene Spirale ausgebildet sein kann, welche beispielsweise auf beide Flächen einer dünnen dielektrischen Folie aufgedruckt ist. In der Ansicht b) ist der Leiter durch eine Metallisierung 38 auf einem Teil des Materials des magnetischen Kanals und durch einen daran angelöteten Draht 39 gebildet. In der Ansicht c) ist der Leiter 18 ein sehr feiner, isolierter Draht, welcher um das Ende des Stäbchens gewickelt ist. Man kann auch flache, längs-der Achse des Stäbchens ausgerichtete Schleifen verwenden u. dgl.

Der in den Fig.4 bis 7 dargestellte Leiter 14 ist im wesentlichen deshalb vorteilhaft, weil er die Anwendung eines (wenn erforderlich, dem Sperrwechselstrom überlagerten) Gleichstroms gestattet, um die anisotrope Magnetschicht in gewisser Weise zu »polarisieren« und dadurch den Normalzustand der Magnetisierung des Materials in bezug auf den »umgekehrten« Zustand für die Darstellung der Ziffer 1 zu begünstigen. Um darüber hinaus einen Speicherinhalt völlig zu löschen, genügt es, die Stärke dieser Gleichstromkomponente ausreichend zu erhöhen, um das magnetische Material zu sättigen, woraus sich die vollständige Rückkehr in den der Binärziffer 0 entsprechenden Magnetisierungszustand ergibt. Man kann, natürlich weniger vorteilhaft, zu diesen Zwecken einen äußeren Leiter verwenden.

Auch bei einem zur Schleife geschalteten Speicherregister ist die Anwendung eines Wechselfeldes zur Sperrung oder Verhinderung der Wirkung des Drehfel-

des und zum »Einfrieren« der Information in demselbei in bestimmten praktischen Anwendungsfällen möglich. Die oben beschriebenen Elementarspeicher werdet vor allem zur Herstellung von Speicherblocks verwen det, welche infolgedessen eine besonders kompakt« Bauweise besitzen. Dazu genügt es, die Speicherelemen .te, wie beispielsweise in Fig. 9 gezeigt, paralle zueinander anzuordnen und diesen Block 24 in eir Drehfeld einzubetten, welches beispielsweise von zwe ίο aufeinander senkrechten Spulen erzeugt wird, die au einem magnetischen Rahmen 25 angeordnet sind unc jeweils durch die beiden Phasen Φ\ und Φ2 einei zweiphasigen Stromquelle gespeist werden. Mit der oben angegebenen Abmessungen der Elementarspei eher und unter Berücksichtigung eines Zwischenraum; in der Größenordnung von Millimetern zwischen der Elementarspeichern im Block 24 beträgt die Volumenspeicherdichte etwa 5000 Informationselemente je Kubikzentimeter Für eine Gesamtkapazität von 10« Informationselementen liegt das Volumen in der Größenordnung eines Liters, das Drehfeld von beispielsweise 500 Hz beträgt nur 8 Oe, und die Speiseleistung beträgt nur etwa 160 Watt. Diese Leistung kann, wenn erforderlich, noch verringert werden, indem man die Spulen an einen Resonanzkreis in der Größenordnung von 6 Watt anschließt und einen Gütefaktor (?in der Größenordnung von 10 für diesen Kreis zuläßt.

In den Gruppierungen oder Blocks von Elementarspeichern müssen Auswahlvorgänge sowohl beim

Schreiben als auch beim Lesen der Informationselemente vorgenommen werden. Fig. 10 zeigt eine Ausluhrungsform einer Auswahlschaltung zum Schreiben und _Zum Lesen für Speicher, bei welchen die Information mit Hilfe von Wechselströmen stabilisiert

wird. Der Wechselstrom wird parallel auf die Elementarspeicher des Blocks 24 durch bedingte Übertragungsschaltungen 32 mit Sperreingängen 33 verteilt. Der lnformaiionseingang 26 ist mit allen Eingängen der blementarspeicher verbunden, und der Eingang des

Leseverstärkers 34 ist mit einer gemeinsamen Ausgangsleistung 29 der Elementarspeicher verbunden. Die gelesenen Informationen werden bei 35 am Ausgang dieses Leseverstärkers abgenommen, und durch eine bedingte Ubertragungsstufe 36 mit einem Genehmigungseingang 37 wird der Ausgang des Leseverstärkers -*» zum Informationseingang 26 zurückgeschleift. Diese Anordnung arbeitet in der folgenden Weise:

wenn die Ubertragungsstufen 32 auf Durchgang geschaltet sind, wird der Wechselstrom an alle

so hlementarspeicher angelegt, in weichen dann alle

vorher eingeschriebenen Informationen festgehalten

κ ^et!i ^{Leitung Ä liest} Einerlei Information.

7αΓ « " ^Ein8^äng^{e mit} den Leitern, wie dem Leiter

''™. ^hlementarspeicher verbunden sind. Zum Lesen

wird die Auswahl durch Sperrung einer der Stufen 32 und sodann Unterdrückung des auf den entsprechenden tiementarspeicher einwirkenden Wechselfeldes durchgeiunrt. Der Informationsinhalt dieses Speichers pflanzt sicn längs des magnetischen Kanals fort, und der vom

Leiter 19 gebildete Lese-»Kopf« wird aktiviert, wobei fih i"^e-^ltunS ^{M di}«e Signale auf den Verstärker 34 übertragt D_iese Signale treten bei 35 aus und wenn der speicher nicht zur Schleife geschaltet ist und der

« Io -™.^onsJ^nha|t wieder eingeschrieben werden soll, «,„« . t£?P ^{auf Du}rchgang geschaltete Übertragungsstufe 36 dieselben auf den Schreib-,>Kopf« zurück, weicner vom Kernbildungsleiter 18 des ausgelesenen tiementarspeichers gebildet wird. Kein anderer EIe-

mentarspcicher kann die Signale registrieren, wenn man bedenkt, daß das Einschreiben durch Kernbildung durch das Zusammenfallen des Signals im Leiter 18 mit dem Durchgang des Drehwechselfeldes am Abschnitt 16 erfolgt, da an den anderen Elementarspeichereingängcn die Wirkung des Drehfeldes durch das dort aufrechterhaltene Wechselfeld verhindert oder gesperrt wird. Für das Schreiben erfolgt der gleiche Vorgang, jedoch ist die Stufe 36 gesperrt, und der Eingang 26 empfängt die in den ausgewählten Elementarspeicher einzuschreibenden Informationssignalc.

Bei in einer Schleife geschalteten Elementarspeichern ist der Wiedereinschreibkreis weggelassen. Die Löschung wird dann lediglich durch die Wirkung des Gleichstroms gewährleistet, wie bereits oben allgemein für die Arbeitsweise des Leiters 14 erläutert.

Bei einer anderen Ausführungsform kann die Auswahl vollständig außerhalb des Speicherblocks erfolgen, wie in Fig. 11 gezeigt. In diesem Fall ist, wie übrigens bei jedem Informationsspeicher, jeder Elementarspeicher (Register) mit einer Eingangsübertragungsstufe 27 und einer Ausgangsübertragungsstufe 30 versehen. Die anderen Anordnungen sind ebenfalls üblich: Die Informationseingänge der Stufen 27 sind mit einer gemeinsamen Signalaufgabeleitung 26 verbunden, während einzelne Steuereingänge 28 an die entsprechenden Eingänge der Stufen 27 angeschlossen sind. Die Übertragungsstufen 30 können durch die Steuereingänge 31 einzeln entsperrt werden, und ihre Ausgänge sind mit einer gemeinsamen Informationsentnahmeleitung 29 verbunden. Die Arbeitsweise is' ohne weiteres verständlich.

Die in den Fi₄;. 10 und 11 dargestellten Anordnungen sind auf das serienweise Schreiben und Lesen anwendbar, wobei jeder Elementarspeicher ein Informations-»Wort« empfängt, dessen Anzahl von Elementen gleich der Windungsanzahl seines schraubenförmigen Kanals ist. Ihre Umsetzungen in paralleles Schreiben und Lesen sind beim gegenwärtigen Stand der Technik offensichtlich. Ein Informationswort enthält dabei eine Anzahl von Elementen, welche gleich der Anzahl von Elementarspeichern in dem Block ist.

Ein gewisser Auswahlgrad kann jedoch am Ort des Elementarspeichers selbst mit einer anderen, in F i g. 12 dargestellten Ausführungsform erzielt werden. In dieser Figur sind lediglich die Enden eines Elementarspeichers dargestellt, wobei sich das eigentliche, feststehende oder umlaufende, einfache oder zur Schleife geschaltete Speicherregister zwischen den Stellen Re und Rs befindet. Der Teil 16 umfaßt dabei mehrere Schraubenwindungen, bei dem betrachteten Ausführungsbeispiel drei, wobei diese Windungen vorzugsweise, jedoch nicht notwendigerweise, eine größere Breite besitzen als der Registerkanal. Drei Leiter sind mit diesen drei Windungen gekoppelt, wobei der erste Leiter 18 (a) der Kernbildungsleiter zum Schreiben in den Speicher ist und die beiden anderen Leiter 41 (b) und 42 (c) die Genehirigungs- oder Sperrleiter für das Fortschreiten jedes möglicherweise durch den Leiter 18 eingeschriebenen Informationselements zum eigentlichen Register 6ο darstellen. Diese beiden letzteren Leiter sind einfach, d. h. tatsächlich quer verlaufend dargestellt, was für ein wirkungsvolles Arbeiten derselben bedingt, daß die Neigung der entsprechenden Windungen groß ist, beispielsweise zwischen 20 und 40° liegt, was der Fall ^₅ sein kann, da diese Windungen eine größere Neigung gegen die Zylinderachse aufweisen können als die Windungen des Registers. Bei einer anderen Ausführungsform können sie als quer verlaufende Eingangsund Ausgangsschleifen ausgebildet sein, welche durch einen zur Zylinderachse parallelen Teil miteinander verbunden sind, wobei die Neigung der zusätzlichen Windungen ebenso gering sein kann, wie diejenige der Registerwindungen. Die Anordnung kann in folgender Weise arbeiten:

Es wird eine Periode to betrachtet, in welcher der Leiter 18 aktiv auf den Magnetisierungszustand der zugehörigen Windung des Kanals einwirkt. Normalerweise ist dieses Informationselement unter der Wirkung des Drehfeldes eine Periode später im Zeitpunkt η an der unter dem Leiter 41 liegenden Stelle des Eingangskanals angeordnet. Wenn dieser letztere nicht aktiviert ist, erfolgt nichts, und der diesem Informationselement entsprechende Magnetisierungsbereich wandert weiter und kommt im Zeitpunkt ft unter dem Leiter 42 an. Wenn dieser letztere von keinem Strom durchflossen ist, wandert der Magnetisierungsbereich noch weiter und tritt in das Register ein. Wenn dagegen einer der Leiter 41 und 42 von einem Strom mit einer zum Kernbildungsstrom entgegengesetzten Polarität in dem Zeitpunkt durchflossen wird, in dem der umgekehrte Magnetisierungsbereich unter demselben liegt, löscht die Wirkung dieses Stroms das Informationselement, indem der Magnetisierungszustand aui seinen dem Wert der Binärziffer 0 entsprechenden Zustand zurückgebracht wird. Das Eintreten eines Informationselements in ein Register kann daher durch Aktivierung des Leiters 41 und/oder des Leiters 42 gesperrt werden. Dies ermöglicht daher das Aufgeben eines Informationselements auf alle Eingänge der Elementarspeicher und die Durchführung eines Auswahlvorgangs nach dieser Aufgabe. Es können auch mehr als zwei Eingangssteuerleiter für das Elementarspeicherregister gewählt werden.

Das andere Ende 17 des Elementarspeichers ist ähnlich ausgebildet und weist ebenfalls drei zusätzliche Windungen des schraubenförmigen Kanals nach dem Ausgang Re des Registers auf, wobei zwei Leiter 44 (d) und 45 (e) vor dem Leseleiter 19 (f) angeordnet sind. Wenn ein Informationselement das Register bei Re verläßt, kann es die letzte Windung unter dem Leiter 19 nur erreichen, wenn die beiden Leiter 44 und 45 in den unmittelbar vorangehenden Perioden des antreibenden Drehfeldes nicht mit einem Löschungsstrom gespeist werden. Es können natürlich auch mehr als zwei Steuerleiter an diesem Ende des Elementarspeichers vorgesehen werden.

Fig. 13 zeigt ein Anwendungsbeispiel der in Fig. 12 dargestellten Anordnung in einem erfindungsgemäßen Speicher. Dieser Speicher besteht aus vier mal π Elementarspeichern, mit anderen Worten, ein Block, wie der Block 24 in F i g. 9, weist An Elementarspeicher auf, welche für die Auswahlvorgänge zu 4 Untergruppen I bis IV zusammengefaßt sind. Jeder Kernbildungsleiter a\ bis an ist vier Elementarspeichereingängen zugeordnet, und zwar einem in jeder der vier Untergruppen, und in gleicher Weise ist jeder Leseleiter Λ bis fr vier Elementarspeicherausgängen zugeordnet, welche gegenüber dem Kernbildungsleiter mit dem gleichen Index zusammengefaßt sind

Vier bistabile Kippschaltungen sind dargestellt, und zwarßund C für die Schreibauswahl sowie D und £für die Leseauswahl. Falls jedes Schreiben bei der Verwendung des Speichers ein Lesen hervorruft, läßt man die Kippschaltungen B und D einerseits und die Kippschaltungen C und £ andererseits zusammenfallen.

Da jedoch, wenigstens iür die zu einer Schleife geschaheten Register, mehrere Lesungen ohne Löschung vorteilhaft sein können, bleiben die vier Kippschaltungen in den meisten praktischen Fällen getrennt.

Jfide Kippschaltung weist zwei stets komplementäre Ausgänge auf: Wenn sich ein Ausgang auf einer »hohen Spannung« befindet, liegt der andere an Erde, und wenn daher ein Ausgang Strom abgibt, gibt der andere keinen ab (oder er gibt nur einen für die Kernbildung vernachlässigbaren Strom ab). Zur Bequemlichkeit sind die Ausgänge der Kippschaltungen in dem Schaltbild mit + und — bezeichnet. Der Ausgang + der Kippschaltung B ist an einen Leiter b+ angeschlossen, welcher der Leiter 41 aller Elementarspeicher der Untergruppen I und II ist. Der Ausgang - der Kippschaltung B ist an einen Leiter b- angeschlossen, welcher der Leiter 41 aller Elementarspeicher der Untergruppen III und IV ist. Der Ausgang + der Kippschaltung C ist an einen Leiter c+ angeschlossen, welcher der Leiter 42 aller Elementarspeicher der Untergruppen I und Mi ist, während der Ausgang - der Kippschaltung Can einen Leiter c- angeschlossen ist, welcher der Leiter 42 aller Elementarspeicher der Untergruppen 11 und IV ist. Es kann leicht nachgewiesen werden, daß bei Aufgabe einer oder mehrerer Folgen von Informationselementen zum Schreiben auf einen oder mehrere Kernbiidungsleiter a\ ...an das Schreiben nur in einer der Untergruppen stattfinden kann, da in einer einzigen Untergruppe, welche in diesem Zeitpunkt durch die Stellungen der Kippschaltungen B und C bestimmt wird, die beiden Leiter 41 und 42 ohne Löschungsströme sind. In den drei anderen Untergruppen führt wenigstens einer dieser Leiter einen Löschungsstrom, und daher werden die eingeleiteten Informationselemente gelöscht, bevor sie den Eingang der Speicherregister erreichen.

In gleicher Weise ist der Ausgang + der Kippschaltung D mit einem Leiter c/+ verbunden, welcher der Leiter 44 aller Elementarspeicher der Untergruppen I und II ist, und ihr Ausgang — ist mit dem Leiter d— verbunden, welcher der Leiter 44 aller Elementarspeieher der Untergruppen III und IV ist. Der Ausgang + der Kippschaltung Eist mit dem Leiter e+ verbunden welcher der Leiter 43 aller Elementarspeicher der Untergruppen I und IH ist, während der Ausgang — mit dem Leiter e— verbunden ist, welcher der Leiter 43 aller ίο Elementarspeicher der Untergruppen II und IV ist. Hier kann ebenfalls leicht nachgewiesen werden, daß je nach den Stellungen der Kippschaltungen D und Edas Lesen in einem bestimmten Zeitpunkt nur in einer einzigen Untergruppe von Elementarspeichern stattfinden kann. Gleichzeitiges Schreiben und Lesen findet statt, wenn sich die Kippschaltungen B und D einerseits und die Kippschaltungen C und £ andererseits in den gleichen Stellungen befinden.

Eine solche Speicherorganisation kann ebensogut zum Eingeben von ρ Worten mit η Ziffern in eine Untergruppe von tZlementarspeichern durch gleichzeitiges Aufgeben der Signale der aufeinanderfolgenden Ziffern dieser Worte auf die Eingänge a\ ...an wie zum Eingeben von η Worten mit ρ Ziffern (wobei ρ die Kapazität jedes Elementarspeicherregisters ist) nacheinander und in einem einzigen Schreibvorgang angewendet werden, wobei das Lesen in gleicher Weise ausgeführt wird. Diese beiden Anwendungsarten sind nur Beispiele für die Arbeitsweise und Steuerung solcher Speicher.

Mit einem zusätzlichen Steuerlciter an jedem

Eingang und an jedem Ausgang und einer zusätzlichen Kippschaltung für jeden dieser Leiter kann der Speicher in acht Untergruppen für das Schreiben und Lesen unterteilt werden usw.

Wenn erforderlich, können mehrere ineinander verschachtelte schraubenförmige Kanäle auf dem Träger ausgebildet werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (19)

Patentansprüche:

1. Speicher für binäre Informationen, bei welchem die Eigenschaft der Fortpflanzung magnetischer Bereiche durch gesteuerte Wandverschiebung in Kanälen in dünnen magnetischen Schichten mit einachsiger Anisotropie ausgenutzt wird, gekennzeichnet durch wenigstens ein Register, das durch wenigstens eine auf die Oberfläche eines im wesentlichen zylindrischen langgestreckten Trägers (Ii, 12, 13) aufgebrachte magnetische Schicht gebildet ist, in der wenigstens ein schraubenförmiger Kanal (10) definiert ist, dessen Anisotropieachse im wesentlichen senkrecht zu der Achse der Schraubenlinie gerichtet ist, und durch einen Generator (25, Fig.9) für die Erzeugung eines gleichförmigen rotierenden Magnetfeldes mit konstanter Amplitude, dessen Drehachse im wesentlichen parallel zu der Achse der Schraubenlinie liegt und das so beschaffen ist, daß der schraubenförmige Kanal (10) für eine kontinuierliche Längsverschiebung der Wände seiner magnetischen Bereiche vollkommen in dem rotierenden Magnetfeld liegt.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Stillsetzen der Information in einem Register ohne Unterbrechung des rotierenden Magnetfelds ein durch Wechselstrom erregbarer Leiter (14,15,20) im wesentlichen parallel zu der Achse der Schraubenlinie des das Register bildenden Kanals (10) in dessen unmittelbarer Nähe angeordnet ist.

3. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (14, 15) die Seele des zylindrischen Trägers (13) des Kanals (10) bildet.

4. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (20) außerhalb des Registers (10,13) in dessen unmittelbarer Nähe liegt.

5. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Begünstigung der Stabilität der magnetischen Bereiche mit dem einen bzw. dem anderen der beiden möglichen, zueinander inversen Zustände entlang dem Kanal (10) in jedem Register des Speichers ein durch Gleichstrom erregbarer Leiter (14, 15, 20) im wesentlichen parallel zu der Achse der Schraubenlinie des das Register bildenden Kanals (10) in dessen unmittelbarer Nähe angeordnet ist.

6. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (14, 15) eine Seele des zylindrischen Trägers (13) des Kanals (10) bildet.

7. Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (20) außerhalb des Registers (10,13) in dessen unmittelbarer Nähe liegt.

8. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß an einem Ende jedes Registers (10, 13) ein Kernbildungsleiter (18) für die Bildung von magnetischen Bereichen mit parallel zu dem Kanal (10) liegender Oberfläche vorgesehen ist, daß am anderen Ende jedes Registers ein Leseleiter ₍₎₀ (19) für die Abnahme der magnetischen Bereiche mit parallel zu dem Kanal (10) liegender Oberfläche vorgesehen ist und daß die dam Kernbildungsleiter (18) bzw. dem Leseleiter (19) gegenüberliegenden Endwindungen (16, 17) des Kanals (10) gegenüber ₆, den Windungen für die normale Fortpflanzung der magnetischen Bereiche im Kanal zur Vergrößerung der magnetischen Kopplungen zwischen diesen Endwindungen (16, 17) und den Leitern (18, 19) verbreitert sind

9. Speicher nach Anspruch 8. dadurch gekennzeichnet, daß in der Fortpflanzungsrichtung hinter dem Kernbildungsleiter (18) und/oder vor dem Leseleiter (19) wenigstens ein Paar von zusätzlichen Leitern (41, 42; 43, 44) gegenüber den Windungen (16, 17; Fig. 12) angeordnet ist, die den mit dem Kernbildungsleiter (18) bzw. mit dem Leseleiter (19) gekoppelten Windungen benachbart sind, und daß die zusätzlichen Leiter (41,42; 43,44) selektiv derart erregbar sind, daß sie je nach der Polarität der ihnen zugeführten Gleichströme die Fortpflanzung der in dem Kanal (10) erzeugten magnetischen Bereiche in den ihnen gegenüberliegenden Windungen zulassen bzw. verhindern.

10. Speicher nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die den zusätzlichen Leitern (41,42; 43, 44) gegenüberliegenden Windungen (16, 17; Fig. 12)des Kanals(10)gegenüber den Windungen für die normale Fortpflanzung der magnetischen Bereiche im Kanal verbreitert sind.

11. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens einige der Register ein Paar von schraubenförmigen Kanälen (10, 01) mit entgegengesetztem Wicklungssinn aufweisen, die übereinander angeordnet und über ihre ganze Länge mit Ausnahme ihrer Endwindungen an wenigstens einem ihrer Enden voneinander isoliert sind (F i g. 7).

12. Speicher nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Endwindungen (Re, Rs) der beiden Kanäle (10, 01) mit entgegengesetztem Wicklungssinn an deren beiden Enden in Kontakt stehen und daß wenigstens einer der beiden Kanäle (10, 01) außerhalb dieses Kontaktbereichs um wenigstens eine mit einem Kernbildungsleiter (18) bzw. einem Leseleiter (19)gekoppelte verbreiterte Windung (16, 17) verlängert ist.

13. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Paar von nebeneinanderliegenden Registern mit Kanälen (10, 01) von entgegengesetztem Wicklungssinn versehen ist und daß eine magnetische Brücke (21, 22) diese Kanäle an wenigstens einem ihrer Enden koppelt(Fig.6).

14. Speicher nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die nebeneinanderliegenden Register an ihren beiden Enden (Rc, Rs) miteinander gekoppelt sind und daß wenigstens eines von ihnen außerhalb der so gebildeten Fortpflanzungsschleife um wenigstens eine mit einem Kernbildungsleiter (18) bzw. einem Leseleiter (19) gekoppelte verbreiterte Windung (16,17) verlängert ist.

15. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter (14,15,20) an den Ausgang einer Torschaltung (32) angeschlossen ist, deren Signaleingang einen Wechselstrom empfängt und die einen Steuereingang aufweist, der durch einen Decodierer für Registeradressen im Speicher ansteuerbar ist ( Fig. 10).

16. Speicher nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kernbildungsleiter (18) mehrerer Register (24) über getrennt steuerbare Torschaltungen (27) an eine gemeinsame Eingabeleitung (26) angeschlossen sind und daß die Leseleiter (19) über getrennt steuerbare Torschaltungen (30) mit einer gemeinsamen Ausgabeleitung (29) verbunden sind.

17. Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kernbüdunesleiter (18) wenigstens einem Teil (I bis IV) der Register des Speichers gemeinsam ist.

18. Speicher nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß ein Leseleiter (15) allen Registern gemeinsam ist, die einem gemeinsamen Kernbil dungsleiter(18) zugeordnet sind.

19. Speicher nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Register in Gruppen (I bis iV) organisiert sind, welche die gleichen Kernbildungsleiter (18) und Leseleiter (19) haben und daß die zusätzlichen Leiter (41, 42; 43, 44) selektiv mit Ausgängen von Aktivierungsorganen (B, C, D, E) verbunden sind, die derart adressierbar sind, daß sie je nach ihren Zuständen in jeder Gruppe die Fortpflanzung der gebildeten magnetischen Bereiche in allen Registern der Gruppe mit Ausnahme von einem sperren.