DE19642929A1 - Kontaktierung wenigstens eines Bauelementes auf einer mehrlagigen Leiterplatte - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine mehrlagige Leiterplatte mit flä­ chigen Versorgungslagen und/oder Signallagen mit wenigstens einem mit Anschlußflächen versehenen elektrischen Bauelement, dessen Anschlußflächen mit Anschlußpads der Leiterplatte elektrisch leitend verbunden sind.

Elektrische Schaltungen sind je nach ihrer Komplexität in der Regel aus vielen verschiedenen aktiven und passiven Bauele­ menten aufgebaut. Mit einer Erhöhung der Komplexität der Schaltungen geht dabei meist auch eine Erhöhung der Störungs­ anfälligkeit der Schaltungen durch innere und äußere Störein­ flüsse einher, welche die Funktion der Schaltungen mehr oder weniger stark beeinträchtigen können. Äußere elektromagneti­ sche Störeinflüsse auf die Schaltungen lassen sich beispiels­ weise durch geeignete Abschirmung der Schaltungen beseitigen. Doch auch schaltende Bauelemente der Schaltungen, beispiels­ weise integrierte Schaltkreise, erzeugen bei jedem Schaltvor­ gang Störungen, welche sich über Versorgungsleitungen der in­ tegrierten Schaltkreise zu anderen Schaltungsteilen fort­ pflanzen und zu Funktionsstörungen in den Schaltungen führen können.

Zur Unterbindung der Ausbreitung derartiger Störungen, bei­ spielsweise von Störspannungen über Versorgungsleitungen, werden daher Kondensatoren eingesetzt, welche auch als Ent­ störkondensatoren bezeichnet und in der Regel zwischen Ver­ sorgungsspannungsanschlüsse und Masse geschaltet werden. Die Entstörkondensatoren erfüllen dabei zum einen die Funktion eines Energiespeichers für Umschaltvorgänge schaltender Bau­ elemente, um Spannungseinbrüche zu verhindern, und zum ande­ ren bilden sie einen niederimpedanten Pfad zwischen Versor­ gungsspannung und Massesystem zur Ableitung von Störspannun­ gen.

Im Zuge einer zunehmenden Integrationsdichte elektrischer Bauelemente auf Leiterplatten und immer kleiner werdenden Bauelementen, kommen heutzutage fast ausschließlich Kondensa­ toren in SMD-Technik (Surface-Mounted-Device) als Entstörkon­ densatoren auf Leiterplatten zum Einsatz, welche gegenüber bedrahteten Kondensatoren vor allem den Vorteil aufweisen, daß sie niederinduktiver sind. Das reale Bauelement Kondensa­ tor weist nämlich neben der elektrischen Kapazität auch einen parasitären Serienwiderstand und eine parasitäre induktive Komponente auf, welche dafür verantwortlich sind, daß ein realer Kondensator nur bis zu einer bestimmten Frequenz, wel­ che in der Regel der Serienresonanzfrequenz des parasitären Serienresonanzkreises entspricht, ein kapazitives Verhalten zeigt. Oberhalb dieser Frequenz zeigt das Bauelement dann ein im wesentlichen induktives Verhalten und leistet somit keinen Beitrag mehr zur Entstörung der Versorgungsspannung. Die in­ terne parasitäre Induktivität eines SMD-Kondensators ist im übrigen weitgehend unabhängig von seiner Baugröße und Kapazi­ tät.

Für die Wirksamkeit von Entstörkondensatoren in elektrischen Schaltungen sind jedoch nicht nur deren eigene parasitäre In­ duktivitäten relevant, sondern auch parasitäre Zuleitungsin­ duktivitäten der Leiterbahnen zu den Entstörkondensatoren. Um die letzteren möglichst gering zu halten und auch eine hohe Wirksamkeit von Entstörkondensatoren im Hochfrequenzbereich sicherzustellen, sind Entstörkondensatoren auf mehrlagigen Leiterplatten in der Regel über Durchkontaktierungen durch die Leiterplatten unmittelbar mit flächigen Versorgungslagen verbunden. Die Anschlußgeometrie der Entstörkondensatoren auf einer Leiterplatte, d. h. die Anschlußbahnen zu den Durchkon­ taktierungen, die Durchkontaktierungen selbst, welche die elektrische Verbindung zu den flächigen Versorgungslagen dar­ stellen, sowie die Anschlußpads der Durchkontaktierungen, welche elektrisch mit an Entstörkondensatoren vorhandenen An­ schlußflächen kontaktiert werden, bestimmen dabei die Ent­ störwirkung des Entstörkondensators ganz entscheidend mit.

Die Fig. 1 und 2 zeigen am Beispiel eines quaderförmigen Entstörkondensators 1 in typischer SMD-Bauform exemplarisch bisher verwendete Anschlußgeometrien für Entstörkondensato­ ren. Fig. 1 zeigt in vier verschiedenen Ansichten a bis d eine stirnförmige Anschlußgeometrie für den Entstörkondensator 1, wobei aus Darstellungsgründen nur in der Fig. 1(b) der Ab­ schnitt einer mehrlagigen Leiterplatte 2 mit zwei flächigen Versorgungslagen VL₁ und VL₂ und zwei Signallagen SL₁ und SL₂ gezeigt ist. Zwei gleichartige flächige Anschlußpads 7 und 8, welche jeweils mit gleichartigen Verbindungsleitern 5 und 6 mit zylinderförmigen Durchkontaktierungen 3 und 4 versehen sind, sind dabei mit an den Stirnflächen des Kondensators 1 vorhandenen Anschlußflächen 9 und 10 in Form einer Lötverbin­ dung elektrisch kontaktiert. Aus Gründen der Übersichtlich­ keit sind nur in der Fig. 1(b) die Lötstellen LS gezeigt, die die Anschlußflächen 9 und 10 des Entstörkondensators 1 elektrisch mit den Anschlußpads 7 und 8 verbinden. Die mit den flächigen Versorgungslagen VL₁ und VL₂ verbundenen Durch­ kontaktierungen 3 und 4 sind im übrigen unterschiedlich lang ausgeführt und enden jeweils in einer entsprechenden Versor­ gungslage der Leiterplatte 2 (partielle Durchkontaktierung), wobei die zwei Versorgungslagen VL₁, VL₂ und die Signallagen SL₁, SL₂ jeweils voneinander elektrisch isoliert sind. Kreuzen Durchkontaktierungen Versorgungs- oder Signallagen, mit denen sie nicht kontaktiert werden sollen, so verbleibt an der Kreuzungsstelle eine entsprechende Aussparung in der jeweili­ gen Versorgungs- oder Signallage, welche den elektrischen Kontakt verhindert. Fig. 2 zeigt demgegenüber eine H-förmige Anschlußgeometrie des Entstörkondensators 1, wobei aus Dar­ stellungsgründen ebenfalls nur in der Fig. 2(b) der Ab­ schnitt einer Leiterplatte 2 mit zwei flächigen Versorgungs­ lagen VL₁ und VL₂und zwei Signallagen SL₁ und SL₂ gezeigt ist. Der H-förmige Anschluß umfaßt vier gleichartige zylinderför­ mige Durchkontaktierungen 11 bis 14 mit jeweils einem Verbin­ dungsleiter 15 bis 18 zu zwei ebenfalls gleichartigen flächi­ gen Anschlußpads 19 und 20. Die Durchkontaktierungen 11 und 12 sind mit ihren Verbindungsleitern 15 und 16 seitlich an dem flächigen Anschlußpad 19 und die Durchkontaktierungen 13 und 14 mit ihren Verbindungsleitern 17 und 18 seitlich an dem flächigen Anschlußpad 20 elektrisch leitend befestigt. Die Anschlußpads 19 und 20 sind ihrerseits wieder durch eine Löt­ verbindung mit den Anschlußflächen 9 und 10 des Entstörkon­ densators 1 flächig elektrisch verbunden. Wie in Fig. 1(b) sind auch nur in Fig. 2(b) die Lötstellen LS gezeigt, die die Anschlußflächen 9 und 10 des Entstörkondensators 1 elek­ trisch mit den Anschlußpads 19 und 20 verbinden. Die Durch­ kontaktierungen 11 und 12 bzw. 13 und 14 bilden dabei jeweils einen Stromhin- bzw. Stromrückleiter zu den flächigen Versor­ gungslagen VL₁ und VL₂. Die Durchkontaktierungen 11 und 12 bzw. 13 und 14 sind im vorliegenden Fall gleich lang ausge­ führt und durchstoßen die Leiterplatte 2 gänzlich (komplette Durchkontaktierung), wobei eine gewünschte Kontaktierung ei­ ner Durchkontaktierung mit einer entsprechenden Versorgungs­ lage der Leiterplatte 2 in der jeweiligen Versorgungslage der Leiterplatte 2 erfolgt, andernfalls verbleibt an einer Kreu­ zungsstelle zwischen einer Versorgungs- oder Signallage und einer Durchkontaktierung eine Aussparung in der jeweiligen Versorgungs- oder Signallage, um einen unerwünschten elektri­ schen Kontakt zwischen der Durchkontaktierung und der Versor­ gungs- oder Signallage zu verhindern.

Der Vorteil der in Fig. 2 gezeigten H-förmigen Anschlußgeome­ trie des Entstörkondensators 1 gegenüber der in Fig. 1 gezeig­ ten stirnförmigen Anschlußgeometrie des Entstörkondensators 1 liegt dabei in der wesentlich geringeren parasitären Gesamt­ induktivität. Im Falle der in den Fig. 1 und 2 gezeigten An­ schlußgeometrien berechnet sich die parasitäre Gesamtindukti­ vität der stirnförmigen Anschlußgeometrie zu ca. 4,26 nH und die parasitäre Gesamtinduktivität der H-förmigen Anschlußgeo­ metrie zu nur ca. 1,74 nH. Durch die Verwendung einer H-för­ migen Anschlußgeometrie läßt sich also eine deutliche Verbes­ serung des Hochfrequenzverhaltens der Entstöranordnung erzie­ len, da durch die geringere parasitäre Gesamtinduktivität von Anschluß und Entstörkondensator die Frequenz, bei der die ge­ samte Entstöranordnung kein rein kapazitives Verhalten mehr zeigt, zu höheren Frequenzen verschoben ist.

Wie den Fig. 1 und 2 entnommen werden kann, haben die konven­ tionellen stirnförmigen und H-förmigen Anschlußgeometrien von Entstörkondensatoren im Hinblick auf die beträchtliche Anzahl von Entstörkondensatoren, die heutzutage zur Funktionssicher­ heit einer komplexen Schaltung erforderlich sind, wie auch andere konventionelle Anschlußgeometrien von elektrischen Bauelementen im allgemeinen einen erheblichen Platzbedarf, wodurch anders verwertbarer Leiterplattenplatz, beispiels­ weise durch andere Bauelemente, beansprucht wird. Darunter leidet die Integrationsdichte auf Leiterplatten. Dies führt nicht nur zu einer Verteuerung bei der Fertigung von Leiter­ platten durch Verwendung zusätzlicher oder größerer Leiter­ platten, sondern auch zu einer erhöhten Störanfälligkeit auf­ grund der zusätzlich zwischen verschiedenen Leiterplatten vorhandenen Schnittstellen. Zudem stellen die vier Durchkon­ taktierungen im Falle der H-förmigen Anschlußgeometrie im Hinblick aufeine möglichst geringe parasitäre Gesamtinduk­ tivität eines Anschlusses eines Entstörkondensators einen ebenfalls nicht unerheblichen Kostenfaktor bei der Fertigung aufgrund des erhöhten Fertigungsaufwandes dar (doppelte An­ zahl von Bohrungen).

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen An­ schluß für ein Bauelement auf einer Leiterplatte derart aus­ zuführen, daß er kostengünstig ist und der Platzbedarf für den Anschluß auf der Leiterplatte vermindert ist.

Nach der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch eine mehr­ lagige Leiterplatte mit flächigen Versorgungslagen und/oder Signallagen mit wenigstens einem mit Anschlußflächen versehe­ nen elektrischen Bauelement, dessen Anschlußflächen mit An­ schlußpads der Leiterplatte elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Anschlußpads mit elektrische Leiter bildenden Durchkontaktierungen zu den flächigen Versorgungslagen bzw. den Signallagen versehen sind, und wobei die Durchkontaktie­ rungen innerhalb der Anschlußpads plaziert sind. Eine derar­ tige Ausführungsform eines Anschlusses für ein Bauelement auf einer Leiterplatte besitzt den Vorteil, daß der Flächenbedarf für den Anschluß durch die innerhalb der Anschlußpads pla­ zierten Durchkontaktierungen minimiert ist und praktisch nur dem Flächenbedarf der Anschlußpads entspricht. Darüber hinaus kann die erfindungsgemäße Anschlußgeometrie eines Bauelements mit der derzeit angewandten Fertigungstechnologie verarbeitet werden. Investitionskosten in neue Fertigungstechnologien sind daher nicht erforderlich.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfin­ dung ist das Bauelement ein mit den flächigen Versorgungsla­ gen der Leiterplatte elektrisch leitend verbundener Kondensa­ tor zur Entstörung einer Versorgungsspannung. Ein derartiger Anschluß eines Kondensators auf einer Leiterplatte besitzt zusätzlich zu dem Vorteil des minimalen Flächenbedarfs des Anschlusses den Vorteil, daß die parasitären Induktivitäten, insbesondere die Anschlußinduktivitäten, durch die innerhalb der Anschlußpads plazierten, Stromhin- und Stromrückleiter bildenden Durchkontaktierungen und durch die stromkompensie­ rende Wirkung der relativ nahe beieinander liegenden Strom­ hin- und Stromrückleiter reduziert sind. Es steht also einer­ seits mehr Platz auf der Leiterplatte für andere Bauelemente und damit für eine höhere Integrationsdichte auf der Leiter­ platte zur Verfügung und andererseits wird der Einsatzbereich bzw. die Wirksamkeit der Anordnung zur Entstörung der Versor­ gungsspannung in Richtung zu höheren Frequenzen hin vergrö­ ßert. Dies ist insbesondere dann von Bedeutung, wenn Schalt­ kreise mit schneller Logik und somit einer hohen Schaltfre­ quenz eingesetzt werden, so daß in diesem Fall Spannungsein­ brüche der Versorgungsspannung infolge von Schaltvorgängen deutlich reduziert werden. Im übrigen besteht auch durch den erweiterten Einsatzbereich der den Kondensator enthaltenden Entstöranordnung in Richtung zu höheren Schaltfrequenzen hin bzw. die erweiterte Abblockwirkung der den Kondensator ent­ haltenden Entstöranordnung hochfrequente Störspannungen be­ treffend die Möglichkeit, Kondensatoren einzusparen und damit die Bauelementkosten für Entstörmaßnahmen zu senken. Dies kann in der Massenproduktion von Baugruppen selbst bei einem verhältnismäßig geringem Bauelementpreis durchaus von Bedeu­ tung sein.

Eine weitere besonders bevorzugte Ausführungsform der Erfin­ dung sieht vor, daß der Kondensator ein SMD-Kondensator ist, welcher gegenüber einem vergleichbaren bedrahteten Kondensa­ tor eine geringere parasitäre Induktivität und eine geringere Baugröße aufweist.

Gemäß einer Variante der Erfindung ist pro Anschlußpad eine Durchkontaktierung vorgesehen. Diese erfindungsgemäße An­ schlußgeometrie erfordert einen minimalen Platzbedarf des An­ schlusses und einen geringen Fertigungsaufwand. Im Falle ei­ nes derartigen Anschlusses eines Bauelementes, z. B. eines Kondensators an Versorgungslagen einer Leiterplatte, werden zusätzlich die parasitären Induktivitäten selbst gegenüber der H-förmigen Anschlußgeometrie des Standes der Technik re­ duziert.

Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß pro Anschlußpad zwei Durchkontaktierungen vorhanden sind. Die vier Durchkontaktierungen erhöhen zwar den Fertigungsaufwand für die Durchkontaktierung eines Bauelementes, reduzieren je­ doch im Falle des Anschlusses eines Bauelementes z. B. eines Kondensators zwischen Versorgungsspannungs- und Masseanschluß nochmals die parasitären Induktivitäten, so daß der Wirkungs­ bereich einer den Kondensator enthaltenden Entstöranordnung nochmals vergrößert ist. In der Praxis gilt es daher, je nach Anwendungsfall den erforderlichen Fertigungsaufwand für die Durchkontaktierung und den gewünschten Einsatzbereich des Kondensators zu analysieren und danach die entsprechende An­ schlußgeometrie auszuwählen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den beigefügten Zeichnungen dargestellt. Es zeigen:

Fig. 1 vier Ansichten eines konventionellen stirnförmigen Anschlusses eines SMD-Kondensators,

Fig. 2 vier Ansichten eines konventionellen H-förmigen An­ schlusses eines SMD-Kondensators,

Fig. 3 vier Ansichten eines erfindungsgemäßen Anschlusses eines SMD-Kondensators mit zwei Durchkontaktierungen, und

Fig. 4 vier Ansichten eines erfindungsgemäßen Anschlusses eines SMD-Kondensators mit vier Durchkontaktierungen.

Fig. 3 zeigt einen erfindungsgemäßen Anschluß eines elektri­ schen Bauelementes auf einer mehrlagigen Leiterplatte 2 mit zwei flächigen Versorgungslagen VL₁ und VL₂ und zwei Signalla­ gen SL₁ und SL₂ am Beispiel eines quaderförmigen keramischen SMD-Entstörkondensators 1 mit zwei Durchkontaktierungen in vier verschiedenen Ansichten des Anschlusses a bis d, wobei die mehrlagige Leiterplatte 2 aus Darstellungsgründen nur in der Fig. 3(b) gezeigt ist. Ein derartiger Entstörkondensator 1 dient dabei, wie bereits erwähnt, in elektrischen Schaltun­ gen zum einen als Energiespeicher für Umschaltvorgänge schal­ tender Bauelemente, um Spannungseinbrüche zu verhindern, und zum anderen als niederimpedanter Pfad zwischen Versorgungs­ spannung und Masseanschluß zur Ableitung von sich über Ver­ sorgungsleitungen ausbreitenden Störspannungen. Je nach Kom­ plexität einer Schaltung ist dabei eine mehr oder weniger große Anzahl von Entstörkondensatoren auf einer Leiterplatte erforderlich.

Der Entstörkondensator 1 verfügt stirnseitig über je eine An­ schlußfläche 9 und 10, welche in den Fig. 3(b) und (d) gut zu erkennen ist. Über diese Anschlußflächen 9 und 10 wird der Entstörkondensator 1 auf der Leiterplatte 2 elektrisch kon­ taktiert, d. h. zwischen einen Versorgungsspannungsanschluß und einen Masseanschluß geschaltet. Der elektrische Anschluß des Entstörkondensators 1 an eine Versorgungsspannung und an Masse auf der mehrlagigen Leiterplatte 2 erfolgt dabei über mit zylinderförmigen Durchkontaktierungen 23 und 24 versehene rechteckförmige Anschlußpads 21 und 22, wobei die Anschluß­ pads 21 und 22 flächig mit den Anschlußflächen 9 und 10 des Entstörkondensators 1 verbunden sind. Bei der Verbindungsart zwischen den Anschlußflächen 9 und 10 und den Anschlußpads 21 und 22 handelt es sich zumeist um eine Lötverbindung, welche durch Schwall- oder Reflowlöten hergestellt wird, wobei aus Gründen der Übersichtlichkeit nur in Fig. 3(b) die Lötstel­ len LS gezeigt sind. Die Durchkontaktierungen 23 und 24 sind im übrigen unterschiedlich lang und enden jeweils in einer entsprechenden Versorgungslage VL₁, VL₂ der Leiterplatte 2, welche die für den Schaltkreis bzw. die schaltenden Bauele­ mente des Schaltkreises erforderliche Versorgungsspannung und den Masseanschluß zur Verfügung stellen. Diese Form der Durchkontaktierung wird, wie bereits im Zusammenhang mit Fig. 1 erwähnt, als partielle Durchkontaktierung bezeichnet.

Um die parasitären Induktivitäten des Entstörkondensators 1 sowie den Platzbedarf des Anschlusses des Entstörkondensators 1 auf der Leiterplatte 2 möglichst gering zu halten, ist der Anschluß erfindungsgemäß derart ausgeführt, daß, wie in Fig. 3 dargestellt, die Durchkontaktierungen 23 und 24, welche im Betrieb einer den Entstörkondensator 1 enthaltenden Schaltung die Stromhin- und Stromrückleiter des Entstörkondensators 1 zu den flächigen Versorgungslagen VL₁, VL₂ bilden, innerhalb der Anschlußpads 21 und 22 des Entstörkondensators 1 plaziert sind, wobei sich im vorliegenden Fall die Durchkontaktierun­ gen 23 und 24 unterhalb der Anschlußflächen 9 und 10 des Ent­ störkondensators 1 befinden. Auf diese Weise liegen unter Mi­ nimierung des Leitungsweges zwischen den Anschlußflächen 9 und 10 des Entstörkondensators 1 und den über Anschlußpads 21 und 22 verfügenden Durchkontaktierungen 23 und 24 des An­ schlusses die Stromhin- und Stromrückleiter im Vergleich zum Stand der Technik relativ nahe beieinander, wodurch sich eine stromkompensierende Wirkung ergibt, welche die parasitären Induktivitäten zusätzlich reduziert. Die Durchkontaktierungen 23 und 24 müssen dabei aber nicht notwendigerweise unterhalb der Anschlußflächen 9 und 10 liegen. Die Lage der Durchkon­ taktierungen 23 und 24 kann vielmehr innerhalb der Anschluß­ pads 21 und 22 variieren. Dabei ist es jedoch von Vorteil, wenn Stromhin- und Stromrückleiter möglichst nahe beieinander liegen, um den die parasitären Induktivitäten reduzierenden stromkompensierenden Effekt auszunutzen. Für den erfindungs­ gemäßen Anschluß des Entstörkondensators 1 mit zwei Durchkon­ taktierungen 23 und 24 erhält man dadurch nach Berechnungen gegenüber der in Fig. 1 dargestellten konventionellen stirn­ förmigen Anschlußgeometrie eine Reduzierung der parasitären Induktivität auf ca. 1,60 nH, welche noch unterhalb der in Fig. 2 dargestellten konventionellen H-förmigen Anschlußgeome­ trie von ca. 1,74 nH liegt. Der Platzbedarf eines derartigen Anschlusses ist dabei minimal und entspricht im wesentlichen dem Platzbedarf der Anschlußpads 21 und 22 (vgl. Fig. 3(a)).

Da nur zwei Durchkontaktierungen 23 und 24 für den Anschluß des Entstörkondensators 1 notwendig sind, ist der Fertigungs­ aufwand des Anschlusses entsprechend gering und damit kosten­ günstig.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 4 dargestellt, welches sich von dem in Fig. 3 dargestellten Aus­ führungsbeispiel dadurch unterscheidet, daß nunmehr vier zy­ linderförmige Durchkontaktierungen 25 bis 28 anstelle von zwei zylinderförmigen Durchkontaktierungen 23 und 24 vorhan­ den sind. Wie in Fig. 3(b) ist auch nur in der Fig. 4(b) die mehrlagige Leiterplatte 2 mit zwei Versorgungslagen VL₁ und VL₂ und zwei Signallagen SL₁ und SL₂ dargestellt. Die Durch­ kontaktierungen 25 und 26 sind an einem rechteckigen An­ schlußpad 29 und die Durchkontaktierungen 27 und 28 an einem rechteckigen Anschlußpad 30 befestigt. Die Anschlußpads 29 und 30 sind mit den Anschlußflächen 9 und 10 des Entstörkon­ densators 1 wiederum mit einer flächigen Lötverbindung zusam­ mengefügt, wobei die Lötstellen LS aus gründen der Übersicht­ lichkeit nur in Fig. 4(b) gezeigt sind. Wie im zuvor be­ schriebenen Fall sind die Durchkontaktierungen 25 bis 28 der­ art innerhalb der Anschlußpads 29 und 30 angebracht, daß der Leitungsweg zwischen den Durchkontaktierungen 25 bis 28 und den Anschlußflächen 9 und 10 minimiert ist, d. h. die Durch­ kontaktierungen 25 und 26 sowie die Durchkontaktierungen 27 und 28, welche je ein Stromhin- bzw. Stromrückleiterpaar zu den flächigen Versorgungslagen VL₁, VL₂ bilden, befinden sich im vorliegenden Fall unterhalb der Anschlußflächen 9 und 10 und liegen im Vergleich zum Stand der Technik relativ nahe beieinander, so daß eine stromkompensierende die parasitären Induktivitäten reduzierende Wirkung auftritt. Der Abstand der Durchkontaktierungen 25 und 26 bzw. 27 und 28 voneinander ist dabei innerhalb der Anschlußpads 29 und 30 frei wählbar, d. h. die beiden Durchkontaktierungen können abweichend von der in Fig. 4 gezeigten Ausführung innerhalb der Anschlußpads auch näher beieinander oder weiter auseinander liegen. Die Form der in Fig. 4 dargestellten Durchkontaktierung durch die Lei­ terplatte 2 entspricht im übrigen der in Fig. 2 dargestellten sogenannten kompletten Durchkontaktierung.

Mit dieser Ausführungsform des Anschlusses für den Entstör­ kondensator 1 läßt sich nochmals eine reduzierte parasitäre Gesamtinduktivität erreichen, welche nach Berechnungen ca. 1,39 nH beträgt. Zwar muß in diesem Fall bei der Fertigung eines derartigen Anschlusses des Entstörkondensators 1 in Kauf genommen werden, daß jeweils vier Durchkontaktierungen gefertigt werden müssen, dafür ist jedoch der Einsatzbereich der den Entstörkondensator 1 enthaltenden Entstöranordnung zur Unterbindung von Störspannungen nochmals erweitert. Wie ein Vergleich der Fig. 3(a) und 4(a) zeigt, ist der Platz­ bedarf im Falle der Ausführung des Anschlusses des Entstör­ kondensators 1 mit vier Durchkontaktierungen gegenüber der Ausführungsform des Anschlusses des Entstörkondensators 1 mit zwei Durchkontaktierungen nicht erhöht, da sich die vier Durchkontaktierungen wie auch die zwei Durchkontaktierungen jeweils innerhalb der Anschlußpads des Entstörkondensators 1 befinden.

Im übrigen kann im Falle der Ausführungsform des Anschlusses des Entstörkondensators 1 mit vier Durchkontaktierungen auch jede der vier Durchkontaktierungen über je ein Anschlußpad verfügen. In diesem Fall wird jedes Anschlußpad einer Durch­ kontaktierung einzeln mit der Anschlußfläche des Entstörkon­ densators 1 zur elektrischen Kontaktierung flächig verbunden. Dabei ist jedoch wiederum darauf zu achten, daß die Durchkon­ taktierungen innerhalb der Anschlußpads des Entstörkondensa­ tors 1 plaziert sind.

Des weiteren sind auch Anschlüsse des Entstörkondensators 1 denkbar, bei denen mehr als vier Durchkontaktierungen Verwen­ dung finden, welche auch eine von der zylinderförmigen Aus­ führung der Durchkontaktierungen abweichende Geometrie auf­ weisen können.

Die Anschlußpads und die Anschlußflächen des Entstörkondensa­ tors 1 müssen im übrigen nicht notwendigerweise rechteckför­ mig sein, sondern können auch anders beispielsweise rund aus­ gebildet sein.

Darüber hinaus können auch andere elektrische Bauelemente als Kondensatoren, welche auch über mehrere Signal- und Versor­ gungsanschlüsse verfügen können, beispielsweise ICs (Integrated Circuits), in der vorstehend beschriebenen Weise auf mehrlagigen Leiterplatten angeschlossen werden. Dabei wird jede Anschlußfläche des Bauelementes über ein entspre­ chendes Anschlußpad und eine entsprechende Durchkontaktierung elektrisch mit einer entsprechenden Versorgungslage oder ei­ ner Signalleitung einer Signallage der mehrlagigen Leiter­ platte verbunden. Auch in diesem Fall ergibt sich durch die Plazierung der Durchkontaktierungen innerhalb der Anschluß­ pads auf vorteilhafte Weise ein minimierter Platzbedarf für den Anschluß der Bauelemente auf der Leiterplatte und bei An­ schluß eines Bauelement es an Versorgungslagen eine Reduzie­ rung der parasitärer Zuleitungsinduktivitäten durch die Mini­ mierung des Leitungsweges und den stromkompensierenden Effekt der nahe beieinander liegenden Stromhin- und Stromrückleiter.

Claims (5)

1. Mehrlagige Leiterplatte mit flächigen Versorgungslagen (VL₁, VL₂) und/oder Signallagen (SL₁, SL₂) mit wenigstens einem mit Anschlußflächen (9, 10) versehenen elektrischen Bauele­ ment, dessen Anschlußflächen (9, 10) mit Anschlußpads (21, 22, 29, 30) der Leiterplatte (2) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Anschlußpads (21, 22, 29, 30) mit elektrische Leiter bildenden Durchkontaktierungen (23 bis 28) zu den flä­ chigen Versorgungslagen (VL₁, VL₂) bzw. den Signallagen (SL₁, SL₂) versehen sind, und wobei die Durchkontaktierungen (23 bis 28) innerhalb der Anschlußpads (21, 22, 29, 30) plaziert sind.

2. Leiterplatte nach Anspruch 1, bei der das Bauelement ein Kondensator (1) ist, welcher mit den flächigen Versorgungsla­ gen (VL₁, VL₂) der Leiterplatte (2) elektrisch leitend verbun­ den ist.

3. Leiterplatte nach Anspruch 2, bei der der Kondensator (1) ein SMD-Kondensator (Surface-Mounted-Device) ist.

4. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der pro Anschlußpad (21, 22) eine Durchkontaktierung (23, 24) vorge­ sehen ist.

5. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der pro Anschlußpad (29, 30) zwei oder mehr Durchkontaktierungen (25 bis 28) vorgesehen sind.