DE19639247B4 - Halbleiteranordnung mit einem Verdrahtungssubstrat - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem Verdrahtungssubstrat Download PDF

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Abstract

Halbleiteranordnung mit einem Verdrahtungssubstrat, das Kontaktpunkte (58) für eine Vielzahl von Schaltkreisen und eine Verdrahtung aufweist, die eine Kontaktstelle (40) eines ersten Schaltkreises mit einer Kontaktstelle (40) eines zweiten Schaltkreises elektrisch miteinander verbindet, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Schaltkreisen niedriger Funktionalität (12) Untermatrizen (31) bilden, die Untermatrizen (31) Matrizen (30) bilden, die Untermatrizen (31) auf dem Verdrahtungssubstrat über die Verdrahtung in dreidimensionaler Architektur zu einem Schaltkreis höherer Architektur kombiniert sind, wobei die Kontaktstellen (40) über die Untermatrizen (31) in einem gleichförmigen Muster angeordnet sind, und die Schaltkreise niedriger Funktionalität (12) programmierbare Logikzellen umfassen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Mit zunehmender Kompliziertheit integrierter Schaltungskomponenten wird die Verdrahtungs- und Verpackungstechnik immer wichtiger für die Auslegung solcher Komponenten, weil die Verdrahtungs- und Verpackungstechnik einen erheblichen Einfluß auf die Funktionalität und die Brauchbarkeit einer solchen Komponente haben kann.
  • Verdrahtungstechniken werden verwendet, um mehrere Einheiten kleinerer Funktionalität elektrisch in kompliziertere Komponenten zu verbinden und um einzelne und mehrere Gruppen kleinerer Einheiten mit dem Gehäuse oder der Verpackung oder dem Baustein zu verbinden, worin sie enthalten sind. Verdrahtungsverfahren sind wichtig, weil sie die Geschwindigkeit, mit der die Komponenten arbeiten, den Oberflächenbedarf für die Komponente und die Verläßlichkeit der Komponente über längere Zeitperioden beeinflussen. Verpackungsverfahren sind auch wichtig, weil sie die Geschwindigkeit, die Kosten und die Verläßlichkeit der Komponente beeinflussen und die Komponente mit Leistungs- und Eingangssignalen versorgen. Infolge des Wunsches, die Fähigkeiten der Komponenten zu vergrößern, während ein hoher Grad von Verläßlichkeit und minimale Kosten aufrechterhalten werden sollen, ist die Verdrahtungs- und Verpackungstechnik, angewandt bei der Herstellung einer bestimmten Komponente, ein wichtiger Gesichtspunkt bei deren Auslegung.
  • Ein übliches Verfahren der Herstellung komplizierter Komponenten aus mehreren einzelnen Komponenten ist die Verwendung einer Mehrchipmodul-Verpackungs- oder -Bausteintechnik, abgekürzt MCM. Die MCM-Technik kombiniert zwei oder mehr einzelne integrierte Schaltkreise (ICs) in Chipform in einem einzigen Baustein, der in der Lage ist, kompliziertere Funktionen als ein einzelner IC-Chip auszuführen. Die einzelnen Chips werden auf einem gemeinsamen Substrat montiert und mit dem Substrat (und miteinander) dank dem Verdrahtungsnetz auf oder innerhalb des Substrats und mit Bausteinkontakten mittels einer von verschiedenen Verfahren verbunden, beispielsweise Drahtbonden oder Löthöckertechnik. Das Drahtbonden benötigt Anschlußbondkissen oder Kontakte auf einem IC-Chip zu einem Leiterrahmen oder zu Kissen oder Kontakten auf anderen Chips mittels feiner Drähte. Verbindungen zwischen Kontakten auf unterschiedlichen IC-Chips können auch ausgeführt werden, indem man Verbindungsdrähte zwischen ihnen lötet oder indem man metallische Verdrahtungsleitungen anwendet.
  • Während die Verwendung feiner Drähte oder metallischer Verdrahtungsleitungen für das Verbinden von IC-Chips in jedem gewünschten Ausmaß theoretisch möglich ist, ist die Anzahl der erforderlichen Verbindungen oftmals nicht praktisch wegen der Beschränkungen hinsichtlich des Platzbedarfs für das Verlegen von Verdrahtungsdrähten oder -leitungen, wegen der Notwendigkeit, die Anzahl von Verbindungen zu begrenzen, um Kurzschlüsse zu vermeiden, und wegen der kapazitiven und induktiven Kopplung zwischen den Drähten oder Leitungen, welche das Verhalten der Schaltung verschlechtern können. Wegen dieser Überlegungen hat man Anstrengungen unternommen, die Verdrahtungsschemata zu optimieren und andere Verfahren für das Verdrahten mehrerer IC-Chips in eine größere und höhere Funktionalität aufweisende komplexe Komponente zu entwickeln.
  • Einzelne Chips können auch auf einem gemeinsamen Substrat unter Verwendung von Löthöckern oder Flipchiptechnik montiert werden.
  • Bei diesen Verfahren werden Löthöcker auf dem Chip plaziert und der Chip wird gewendet, wobei man die Löthöcker in Kontakt mit leitenden Kissen auf dem Substrat bringt. Das Lot wird dann zum Rückfließen gebracht und etabliert einen guten elektrischen Kontakt. Die einzelnen Chips sind wiederum miteinander verdrahtet unter Verwendung eines Verdrahtungsnetzes, das in oder auf dem Substrat eingebettet ist. Dabei wird der Ausdruck "Substrat" natürlich nicht in dem Sinne verwendet, daß das Basissubstrat eines Halbleiters gemeint wäre, sondern im Sinne von "Träger". Ein Beispiel einer MCM-Technik, die für Anwendungsfälle geeignet ist, bei denen eine große Anzahl von Verdrahtungsleitungen zwischen einzelnen Chips erforderlich ist und ein solches Verdrahtungsnetz verwendet, ist die Flächenmatrixtechnik. Bei diesem Packverfahren werden Verbindungen vom Inneren eines Chips zu einem anderen über Verbindungsleitungen hergestellt, eingebettet auf oder innerhalb eines mehrlagigen MCM-Substrats. Die Verdrahtungslagen des Substrats sind über Matrizen von leitenden Kissen zugänglich, die so konstruiert sind, daß sie den Positionen der Metallhöcker auf Chips entsprechen, wobei die Flipchipmethode angewandt wird. Die metallischen Höcker werden mit den Matrixkissen verlötet, um die Chips miteinander elektrisch zu verbinden.
  • Die Notwendigkeit für zusätzliche Verdrahtungskapazität über jene hinaus, die man durch Drahtbonden oder metallische Verdrahtungsleitungen erzielen kann, ist besonders kritisch, wenn Matrizen von Logikzellen oder Chips, bestehend aus mehreren Logikzellmatrizen, in größere und kompliziertere Komponenten zu verdrahten sind. Da Logikzellmatrizen typischerweise eine große Anzahl von Verbindungen benötigen, damit die kleineren Matrizen in eine Logikkomponente höherer Funktionalität kombiniert werden können, wird schnell eine Schranke gegen weitere Expansion erreicht, wenn die Endmatrize noch größer werden soll. Dies ist so wegen der Notwendigkeit, inhärente Probleme mit Drahtbonden oder metallischen Verdrahtungsleitungen, wie oben erwähnt wurde, zu vermeiden. Das Ergebnis ist, daß die Matrix darauf beschränkt wird, entweder klein zu sein, jedoch begrenzt in ihren Fähigkeiten, oder kompliziert, jedoch größer und teurer, als für einen gegebenen Anwendungsfall gewünscht werden kann.
  • Ein Verfahren zur Bildung einer LSI-Schaltung durch Stapeln von zwei oder mehr Schichten von Chips aufeinander und deren Verbindung über Drahtbonden ist in der japanischen Patentanmeldungsveröftentlichung Nr. 1-28856 entsprechend der Anmeldung Nr. 62-182307 beschrieben. Hier wird zwar ein Mittel zum Kombinieren von zwei oder mehr IC-Chips offenbart, um eine größere Schaltung zu bilden, doch macht die Anwendung von Drahtbonden, um die Chips miteinander zu verbinden, den Baustein anfällig hinsichtlich der räumlichen Verfügbarkeit, Kurzschlußbildung und kapazitiver und induktiver Kopplungsprobleme, die oben erwähnt wurden. Demgemäß ist die Verdrahtungsmöglichkeit einer solchen Komponente erheblich begrenzt.
  • Während die oben beschriebene zweidimensionale ausdehnbare Architektur und andere MCM-Verpackungsverfahren die Herstellung von mehr kosteneffizienten Komponenten hoher Fähigkeit ermöglichen, existiert nach wie vor ein Problem bezüglich des Verdrahtungsnetzwerkes, das darin verwendet wird. Dieses Problem betrifft die Laufzeitverzögerungen, die durch das Leiten von Signalen zu der Peripherie eines Chips eingeführt wird, bevor Verbindungen zu anderen Elementen hergestellt werden. Ein solchen Führen kann erheblich die Betriebsgeschwindigkeit einer Komponente herabsetzen, da möglicherweise ein Signal sich längs exzessiv langer Wege oder durch zusätzliche Schaltungselemente ausbreiten muß, bevor es an seiner beabsichtigten Bestimmung angekommen ist.
  • Aus der EP 0 509 825 A2 ist eine Halbleiteranordnung bekannt, bei der ein Verdrahtungssubstrat vorgesehen ist, mit dessen einer Seite eine Vielzahl von Halbleiterchips über Lötkontaktstellen mechanisch und elektrisch verbunden ist, während die Halbleiterchips, da sie eine sehr große Vielzahl von Lötkontaktstellen besitzen und kaum Wärme auf das Verdrahtungssubstrat übertragen, auf der dem Verdrahtungssubstrat abgekehrten Seite mit einer Wärmesenke verbunden sind.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halbleiteranordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu schaffen, die es ermöglicht, bei Gattermatrizen die Gatterausnutzung zu steigern und die Betriebsgeschwindigkeit zu erhöhen.
  • Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ergibt sich durch Anwendung der kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 1.
  • Die Unteransprüche definieren bevorzugte Weiterbildungen dieses Konzepts. Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung lassen sich der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen entnehmen, wobei auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen wird.
  • 1A bis 1C illustrieren einige Merkmale einer Logikzellenmatrix oder eines Chips, der aus solchen Matrizen besteht, geeignet zur Verwendung gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 2 zeigt ein mögliches Layout der Kontaktkissen, um zu ermöglichen, daß die Logikzellenmatrix der 1A bis 1C in eine komplexere Komponente verdrahtet werden können.
  • 3 zeigt ein zweites mögliches Layout von Kontaktkissen, um zu ermöglichen, daß die Logikzellenmatrizen der 1A bis 1C in komplexere Komponenten verdrahtet werden können.
  • 4 zeigt, wie die Logikzellenmatrizen der 1A bis 1C mit einem Substrat verdrahtet werden können, um die Verbindungen zwischen mehreren kleineren Logikzelluntermatrizen herzustellen.
  • 5 zeigt ein mögliches Verdrahtungsnetz für eine Matrize, gebildet aus mehreren kleineren programmierbaren Gattermatrizen oder Chips, die auf einem MCM-Substrat plaziert sind, wobei die Substratverdrahtungsleitungen einen äquivalenten Punkt auf jeder der kleineren Matrizen oder Chips verbindet.
  • 6 zeigt das dreidimensionale Analogon des zweidimensionalen Verdrahtungsnetzes gemäß 5.
  • Die 1A bis 1C illustrieren einige Merkmale einer Logikzellenmatrix oder eines Chips, der aus solchen Matrizen besteht, und die geeignet sind, um gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet zu werden. Das in 1A bis 1C dargestellte Beispiel hat eine "ausdehnbare" Architektur, was bedeutet, daß die Architektur skalierbar ist, so daß mehrere kleinere Funktionseinheiten kombiniert werden können, um eine Komponente mit höheren Fähigkeiten zu erhalten, jedoch verbesserter Funktionalität und ähnlicher Architektur wie die Komponenteneinheiten, aus denen sie aufgebaut ist. In der vorliegenden Anmeldung bedeutet das Konzept der Ausdehnbarkeit, daß die Chiparchitektur derart ist, daß einzelne Chips oder Logikzellenmatrizen in komplexere Komponenten kombiniert werden können, indem man eine Stelle auf einem Chip oder einer Matrize mit der äquivalenten oder entsprechenden Stelle auf einem anderen Chip oder einer anderen Matrize verbindet. Dies ergibt ein dreidimensional wirkendes oder quasi-dreidimensionales Verdrahtungsnetz und definiert eine Form der dreidimensionalen Ausdehnbarkeit. Ein Vorteil dieser Ausdehnbarkeit besteht darin, daß die mittlere Verbindungsleitungslänge zwischen jeweils zwei Elementen unterschiedlicher Chips mini miert wird, wodurch eine Optimierung der Gesamtarbeitsgeschwindigkeit der Endkomponente angestrebt wird.
  • Das Beispiel einer ausdehnbaren Architektur, das in 1A bis 1C gezeigt ist, ist eine konfigurierbare Logikmatrize (CLA), insbesondere ein konfigurierbarer Logikmatrizenchip, hergestellt von der Anmelderin unter der Bezeichnung CLAy. Es handelt sich um einen Satz von feldprogrammierbaren Gattermatrizen (FPGA), von denen einige auch für die Verwendung gemäß der vorliegenden Erfindung geeignet sind. Ein anderer Typ von Komponente mit einer ausdehnbaren Architektur, geeignet für die Anwendung gemäß der vorliegenden Erfindung, wäre eine maskenprogrammierbare Gattermatrix. Zusätzlich können Kombinationen einiger Arten von Chips in dem Ausmaß ausdehnbar sein, wie es für die vorliegende Anmeldung benötigt wird, beispielsweise FPGA und statische Randomspeicherchipkombinationen.
  • Wie in 1A gezeigt, besteht die Architektur eines konfigurierbaren Logikmatrixchips der CLAy-Serie aus einer zweidimensionalen Matrix 30, gebildet durch Stapeln kleinerer Untermatrizen 31 von verdrahteten programmierbaren Logikzellen 12. In 1A ist die Matrix 30 eine 7 × 7 Matrix von kleineren Untermatrizen 31, und jede kleinere Untermatrize 31 ist eine 8 × 8 Matrix von Logikzellen 12. Eingangs-/Ausgangstreiber 33 befinden sich an den Rändern der Matrix 30 zur Aussendung von Signalen in die Matrix oder aus der Matrix 30 heraus. Die einzelne Logikfunktion und die aktiven Eingänge und Ausgänge jeder Logikzelle 12 werden durch Parameterspeicherbits und Logikgatter innerhalb der Zelle bestimmt, anstatt durch das physische Ausbilden der Matrix während ihrer Herstellung. Demgemäß sind die einzelnen Zellfunktionen und die Verbindungen zwischen Zellen feldprogrammierbar, was eine breite Vielzahl von möglichen Funktionen schafft. Je größer die Anzahl von Zellen in der Matrix, desto größer ist die Funktionalität der CLAy-Komponente.
  • Eine CLAy-Schaltung kann als eine Matrix programmierbarer Logikzellen angesehen werden, der ein flexibles Busnetzwerk überlagert ist. 1B ist eine vergrößerte Ansicht einer der 8 × 8 Untermatrizen 31 aus Logikzellen 12, enthalten in der Matrix 30. Obwohl die Logikzel len 12 für das Führen von Signalen verwendet werden können, kann dies zu unakzeptabel langen Verzögerungen führen, wenn dies über größere Distanzen erfolgt. Um dieses Problem anzugehen, werden die Verbindungen zwischen benachbarten Zellen 12 um zwei Arten von programmierbaren Bussen erweitert: Lokalbus und Expressbus. Demgemäß erfolgen die Verbindungen zwischen einzelnen Zellen 12 in den Matrizen 30 bzw. Untermatrizen 31 mittels Bussen oder durch direkte Verbindungen zwischen benachbarten Zellen.
  • Wie in 1B gezeigt, stellen Lokalbusse 32 Verbindungen zwischen der Matrix von Zellen und dem Busnetzwerk her. Jeder Lokalbus 32 ist mit jeder Zelle 12 in seiner Zeile oder Spalte verbunden, so daß jede Zelle in der Matrix Lese-/Schreibzugriff auf das lokale Bussystem hat.
  • Expressbusse 36 liefern die Übertragung von Signalen mit höherer Geschwindigkeit und sind nicht mit jeder Zelle verbunden. Die Expressbusse 36 sind so ausgelegt, daß sie die Signaltransfers innerhalb der Matrizen 30 und Untermatrizen 31 beschleunigen, und sie sind der schnellste Weg, um geradlinig Distanzen zu überwinden, die mehrere Zellen übersteigen.
  • Es gibt zwei Busse jedes oben beschriebenen Typs für jede Zeile und jede Spalte von Logikzellen 12 in den Matrizen 30 und Untermatrizen 31. Als "Übertrager" 38 bezeichnete Verbindungseinheiten haben Abstände von jeweils acht Zellen 12 und unterteilen jeden Bus in Segmente, die die acht Zellen überspannen. Die Übertrager 38 sind in Zeilen und Spalten ausgefluchtet, wodurch die Matrix 30 in die kleineren Untermatrizen 31 unterteilt werden, die jeweils 8 × 8 Blöcke von Zellen 12 enthalten und als "Superblöcke" bezeichnet werden. Die Übertrager 38 dienen als programmierbare Schalter und können programmiert werden, um verschiedene Verbindungsfunktionen zwischen ähnlichen oder unterschiedlichen Bustypen herzustellen. Typischerweise kann ein Übertrager 38 aus einer oder mehreren Schalteinheiten zusammengefügt sein, wobei jede Schalteinheit aus einem programmierbaren Signalübertragungsgatter und einem Puffer besteht. Ein programmierbarer RAM-Speicher der Komponente, der während des Konfigurationsmodus entweder gesetzt oder rückgesetzt wird, bringt die bidirektionalen Signalübertragungsgatter in einen offenen oder geschlossenen Zustand.
  • Wie in 1C gezeigt, empfängt jede Logikzelle 12 Eingänge von ihren vier benachbarten Zellen und überträgt Ausgänge zu diesen. Demgemäß empfängt jede Logikzelle 12 in einer Untermatrix 31, außer jenen an der Peripherie der Matrix 30, acht Eingänge von ihren nördlichen (N), östlichen (E), südlichen (S) und westlichen (W) Nachbarn und übergibt an diese acht Ausgänge. Diese sechzehn Eingänge und Ausgänge werden in zwei Typen unterteilt, "A" und "B", mit einem A-Eingang, einem A-Ausgang, einem B-Eingang und einem B-Ausgang für jede benachbarte Zelle 12. Zwischen zwei verschiedenen Zellen 12 ist ein A-Ausgang immer mit einem A-Eingang und ein B-Ausgang immer mit einem B-Eingang verbunden.
  • In der oben beschriebenen CLAy-Architektur sind Verbindungen zwischen benachbarten Zellen 12 durch direkte Verbindungen oder durch Busse vorgesehen, wobei beide Typen von Verbindungen typischerweise mittels metallischer Verdrahtungsleitungen implementiert werden. Verbindungen zwischen benachbarten Superblöcken, das heißt Untermatrizen 31, werden durch das Busnetzwerk und durch Verbindungen zwischen benachbarten Zellen an der Peripherie benachbarter Superblöcke gebildet. Eine Matrix aus verdrahteten Untermatrizen 31 bildet einen CLAy-Chip oder die Matrix 30. Mehrere Matrizen 30 werden in größere, komplexere Matrizen verbunden mittels Verbindungsleitungen an der Peripherie jeder Matrix. Infolge der Begrenzungen bezüglich des verfügbaren Oberflächenplatzes für das Auslegen von Verbindungsleitungen und Überlegungen bezüglich Übersprechen und Kopplung ist die Anzahl von Verbindungsleitungen, die für die Verdrahtung einer Matrix 30 mit einer anderen solchen Matrix verfügbar sind, auf etwa 108 begrenzt. Die Folge ist eine Begrenzung des erreichbaren Grades der Gatterausnutzung und der Komplexität der Endkomponente, die für eine gegebene Größe der aktiven Komponentenoberfläche konstruiert werden kann.
  • Das Maß der Gatterausnutzung ist ein wichtiges Charakteristikum einer Gattermatrix, weil die weit überwiegende Zahl solcher Komponenten "Zufallslogiksysteme" sind, bei denen eine Logikzelle an beide benachbarte sowie entferntere Zellen angeschlossen ist. Dies ist im Kontrast zu "systolischen Matrizensystemen", bei denen Verbindungen nur zwischen benachbarten Zellen vorliegen. Für ein typisches Zufallslogiksystem ermöglicht die CLAy-Architektur eine Gatterausnutzung von 15 bis 20 % der verfügbaren Zellen auf einem Chip. Dies ist das Ergebnis einer begrenzten Menge von Verdrahtungsresourcen auf einem Chip. Es ist schwierig, einen größeren Prozentsatz der verfügbaren Zellen auszunutzen, da dann, wenn die begrenzte Anzahl von dicht an Verdrahtungsbussen liegenden verbraucht ist, um entfernte Zellen anzuschließen, müssen andere Busse verwendet werden, um zusätzliche Verbindungen zu ermöglichen. Dies bedeutet, daß die Logikzellen nahe jenen Bussen unverfügbar für die Verwendung als aktive Logikzellen werden. Zusätzlich können Zellen als Verbindungsdrähte eingesetzt werden, wodurch sie unverfügbar für die Verwendung als aktive Logikzellen gemacht werden. Die Zufügung von mehr Logikzellen auf einem Chip würde dazu führen, daß die Chipgröße erheblich zunimmt, und dies kann für einige Anwendungen nicht kosteneffizient sein. Zusätzlich wird selbst dann, wenn die Gesamtzahl von Zellen erhöht wird, die Intra-Chipverbindungsbeschränkung nach wie vor existieren. Wie erwähnt, hat die CLAy-Matrix 30 ein Maximum von 108 möglichen Eingangs-/Ausgangsverbindungskontakten an ihrer Peripherie und mit der gegenwärtigen Architektur ist jede Untermatrix 31 mit ihren vier benachbarten Untermatrizen in der Matrix 30 mittels sechzehn Lokalbus- und sechzehn Expressbusverbindungen pro Seite verbunden für eine Gesamtzahl von 128 Busverbindungen interner Untermatrizen mit vier Nachbarn. Untermatrizen an der Peripherie der Matrix 30 haben entweder 64 oder 96 Busverbindungen, abhängig davon, ob es zwei oder drei benachbarte Untermatrizen gibt.
  • Um diese inhärente Begrenzung der Anzahl von Verbindungspfaden zu überwinden, können die Untermatrizen aus Logikzellen 31, wie in 2 dargestellt, angepaßt werden, die ein mögliches Layout von Kontaktpunkten 40 zeigt, welche es ermöglichen, die Logikzellenmatrizen der 1A bis 1C auf einem Substrat zu montieren, das dazu dient, die Matrizen miteinander zu verdrahten, wodurch komplexere Komponenten erzeugt werden.
  • In 2 ist jede Untermatrix 31 mit zahlreichen, von Lothöckern gebildeten Kontaktpunkten 40, versehen, wobei die Kontaktpunkte als P1 bis P8 in der Zeichnung identifiziert sind. Obwohl nicht erforderlich, ist es bevorzugt, die Kontaktpunkte 40 über den aktiven Schaltungen der Untermatrix 31 anzuordnen, wobei eine isolierende Schicht (nicht dargestellt) zwischen den Kontaktpunkten und der Matrix vorgesehen ist. Die Kontaktpunkte 40 werden elektrisch durch die isolierende Schicht mit Punkten auf den Untermatrizen 31 verbunden. Dies ermöglicht, die Kontaktpunkte mit den Untermatrizen 31 zu verdrahten, ohne die Oberflächengröße der Untermatrizen zu erhöhen und damit die Oberfläche des Chips, aus dem die Matrix 30 aus mehreren Untermatrizen 31 ausgebildet ist. Die Kontaktpunkte 40 werden dann elektrisch mit ähnlichen Kontaktkissen auf einem Mehrlagensubstrat verbunden, das Verdrahtungsleitungen enthält und ermöglicht, daß Untermatrizen 31 mit anderen ähnlichen Untermatrizen in einer gewünschten Weise verbunden werden. Eine Option besteht darin, die Kontaktpunkte 40 und das Verdrahtungsnetzwerk des Substrats elektrisch mit den Expressbusübertragern an einem Rand einer Untermatrize mit entsprechenden Übertragern am Rand einer anderen Untermatrize zu verbinden. Dies ist in 2 gezeigt, wo die Kontaktpunkte 40 über den Übertragern plaziert sind, mit denen sie verbunden sind, in diesem Falle mit jedem vierten oberen und seitlichen Übertrager einer Untermatrize 31. Wenn jede Untermatrize die Kontaktpunkte oben und seitlich verteilt hat (die rechte Seite in dem Beispiel), wird die Gesamtmatrix 30 ein gleichförmig verteiltes Muster von Kontaktpunkten aufweisen, überlagert allen Untermatrizen in der Matrix. Dies ist wünschenswert, weil für ein auf Zufallslogik basierendes System eine solche Verteilung von Kontaktpunkten die kürzeste mittlere Verbindungsweglänge zwischen jeweils zwei Elementen ergeben wird.
  • 3 zeigt ein zweites mögliches Layout von Kontaktpunkten, die es ermöglichen, die Logikzellenuntermatrizen 31 der 1A bis 1C auf einem Substrat zu montieren und in komplexere Komponenten zu verdrahten. Wie in 3 gezeigt, sind insgesamt sechzehn Kontaktpunkte 40 elektrisch mit Punkten auf der Untermatrix 31 verbunden, um mehrere Untermatrizen 31 in eine Logikkomponente höherer Kapazität zu verdrahten. In dem in 3 gezeigten Beispiel sind die Kontaktpunkte 40 wiederum mit den Übertragern 38 verbunden, die Teil der Schaltung der Matrix 31 sind. Wie in Verbindung mit dem Kontaktpunkt-Layout der 2 erwähnt, ist es bevorzugt, daß die Kontaktpunkte 40 auf einer isolierenden Schicht über der Untermatrix 31 plaziert werden und elektrisch durch die isolierende Schicht hindurch mit den gewünschten Anschlußpunkten der Matrix 31 verbunden sind, um die für aktive Schaltungen verfügbare Oberflächengröße zu maximieren. In der Ausführungsform der 3 sind die Kontaktpunkte 40 mit jedem zweiten oberen und seitlichen Übertrager 38 einer Untermatrize 31 verbunden.
  • 4 zeigt in größeren Einzelheiten ein Verfahren der Verbindun der Logikzellenuntermatrizen 31 der 1A bis 1C mit einem Substrat, um Verdrahtungen zwischen mehreren kleineren Logikzellmatrizen zu erhalten. Wie in 4 angegeben, besteht ein Übertrager 38 aus einer oder mehreren Schalteinheiten 50, wobei jede Schalteinheit 50 aus einem programmierbaren Übertragungsgatter 52 und einem Puffer 54 zusammengesetzt ist. Die Schalteinheiten 50 ermöglichen, Signale unter unterschiedlichen Express- oder Lokalbussen zu führen, die an einen Übertrager 38 angeschlossen sind. Um die logischen Untermatrizen 31 mit dem Substrat zu verbinden, werden die Übertrager 38 der Untermatrix 31 ergänzt durch einen zusätzlichen Satz von Schalteinheiten 51, was es ermöglicht, Signale zwischen dem Substrat, Kontaktkissen 58 und dem Übertrager 38 zu führen, wobei die Verbindung zwischen den zusätzlichen Schalteinheiten 51 und dem Übertrager 38 mittels der vorbeschriebenen Kontaktpunkte 40 vorgenommen wird. Zusätzliche Schalteinheiten 51 werden typischerweise auf den Untermatrizen 31 oder auf der Isolierschicht plaziert, welche die Kontaktpunkte von der Matrix isoliert.
  • Mit der Hinzufügung von Kontaktpunkten 40, wie in 3 gezeigt, und einer Matrize 30, bestehend aus einer 7 × 7 Matrize aus Untermatrizen 31, würde ein Paar von Matrizen 30, montiert auf einem Substrat, eine Gesamtzahl von 784 (= 16 × 49) möglichen Verbindungen zusätzlich zu den gegenwärtig verfügbaren 108 gewinnen. Dies würde es ermöglichen, mehr Zellen für die aktiven Logikfunktionen zu verwenden, da weniger für die Funktion als Verdrahtungsdrähte benötigt würden, wodurch das Maß der Gatterausnutzung erhöht wird. Da zusätzlich weniger der existierenden Busse für die Verbindungen benötigt werden, werden die Zellen nicht durch die Notwendigkeit gesperrt, ihre Nähe für Verbindungsbusse zu benutzen. Es ist wichtig festzuhalten, daß diese zusätzliche Anschließbarkeit mit geringem, wenn überhaupt, Vergrößern der Abmessungen des Chips erzielt wird. Die einzige Vergrößerung wäre jene, die für das Plazieren der zusätzlichen Schalteinheiten 51 gemäß 4 benötigt würde.
  • Das in oder auf dem Substrat eingebettete Verdrahtungsnetzwerk legt fest, wie die einzelnen Untermatrizen 31 miteinander verdrahtet werden und wie die resultierende Schaltungsanordnung hinsichtlich Funktionalität und Kapazität arbeiten wird. 5 zeigt ein mögliches Verdrahtungsnetz für eine Gesamtschaltung 60, ausgebildet aus mehreren kleineren programmierbaren Gattermatrizen 30, die auf einem MCM-Substrat plaziert sind, wo die Substratverdrahtungsleitungen einander entsprechende Punkte auf jeder der Untermatrizen oder Chips verbindet. Das Ergebnis ist ein dreidimensionales Verdrahtungsnetz, das in einer zweidimensionalen Architektur implementiert ist. Ein solches Verdrahtungsnetz kann für eine Schaltung geeignet sein, die eine Bitaufschnittarchitektur hat, wo derselbe Satz von Operationen an jedem Bit eines Mehrbitdatenwortes ausgeführt wird. Das dreidimensionale Verdrahtungsschema, das hier beschrieben wurde, sollte eine kürzere mittlere Laufzeitverzögerung längs eines Verbindungspfades haben im Vergleich mit existierenden zweidimensionalen Verdrahtungsschemata, bei denen die Verbindungen zwischen benachbarten Chips nur mittels der Anschlußstellen an der Peripherie der betreffenden Chips ausführbar ist.
  • 6 zeigt das dreidimensionale Analogon des zweidimensionalen Verdrahtungsnetzes gemäß 5. Wie in 6 gezeigt, ist das Ergebnis des Verdrahtungsschemas nach 5 ein zweidimensionales Äquivalent des Ergebnisses der Übereinanderstapelung mehrerer Matrizen 30 und Verbindung einander entsprechender Punkte auf jeder diese Matrizen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung gibt es zwei primäre Vorteile, die daraus resultieren, daß zusätzliche Kontaktpunkte an den Logik zellenuntermatrizen 31 vorgesehen werden und mehrere Matrizen 30, bestehend aus solchen Untermatrizen, auf einem Substrat montiert werden, das den einzelnen Chips ermöglicht, in einer gewünschten Weise miteinander verdrahtet zu werden. Als erstes kann ein höheres Ausmaß der Gatterausnutzung realisiert werden und zweitens können Signale längs der Untermatrizen 31 und Matrizen 30 über kürzere Verdrahtungsleitungen geführt werden, wodurch die mittlere Laufzeitverzögerung zwischen verbundenen Punkten verringert wird und die Arbeitsgeschwindigkeit der Schaltungsanordnung erhöht wird.
  • Die Gatterausnutzung wird gesteigert, weil Verbindungen zu inneren Matrizenpunkten oder sogar zu einzelnen Logikzellen hergestellt werden können, anstatt nur zu peripheren Regionen auf einem Chip. Das bedeutet, daß die Anzahl und die Varietät der möglichen Verbindungen gesteigert wird, womit die Architekturkomplexität der fertiggestellten Schaltungsanordnung vergrößert wird. Ausbreitungsverzögerungen werden abgesenkt, weil anstatt ein Signal bis zum Rand eines Chips oder durch mehrere Zellen 12 und/oder mehrere Übertrager 38 laufen zu lassen, bevor eine Verbindung zu einem anderen Chip oder einer anderen Matrix hergestellt werden kann, wie dies bisher typischerweise der Fall ist, die vorliegende Erfindung eine gleichförmigere Verteilung von Verbindungspunkten über die Fläche der Komponentenmatrizen und der Chips vorsieht. Diese Anordnung wirkt dahin, die mittlere Verbindungslänge zwischen Elementen, die sich auf zwei unterschiedlichen Chips befinden, zu minimieren.
  • Zusätzlich zu dem dreidimensionalen Verdrahtungsschema, das oben beschrieben wurde, bei welchem Punkte auf unterschiedlichen Chips miteinander verbunden sind, können Fachleute abschätzen, daß das Substratverdrahtungsnetzwerk auch ausgelegt werden kann, um Punkte auf demselben Chip elektrisch miteinander zu verbinden. Dies kann besonders nützlich in dem Fall von Komponenten wie feldprogrammierbaren Gattermatrizen sein, die für die Ermöglichung der Rekonfiguration durch den Benutzer ausgelegt sind, um einem spezifischen Anwendungsfall genüge zu tun, weil das Verdrahtungsschema innerhalb des Chips und zwischen Chips nicht zu dem Zeitpunkt bekannt ist, wenn der Chip hergestellt wird. Für bestimmte Anwendungen kann es wünschenswert sein, die Verbindungskapazität innerhalb des Chips so zu vergrößern, daß die existierende Verdrahtungskapazität primär für die Verbindungen zwischen einzelnen Chips eingesetzt werden kann. Diese Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist besonders geeignet für Anwendungen wie das Führen von Taktsignalen zu mehreren Punkten auf demselben Chip, wo dasselbe Signal zu einer großen Zahl von Punkten verteilt werden muß, mit dem Erfordernis minimaler Verzögerung zwischen jedem der Punkte.
  • Diese Ausführungsform der vorliegenden Erfindung würde wiederum das Hinzufügen von Lothöckern oder Kontaktpunkten auf den Untermatrizen 31 involvieren und nachfolgendes Montieren der Matrize 30, bestehend aus solchen Untermatrizen auf einem Substrat. In dieser Ausführungsform jedoch würde das Substrat ein Verdrahtungsnetzwerk enthalten, das Punkte auf derselben Matrize 30 miteinander verbindet. Verbindungen zwischen unterschiedlichen Matrizen 30 würden dann durch Zelle-zu-Zelle-Verbindungen, Busleitungen oder andere Teile des Substratverdrahtungsnetzes implementiert. Die zusätzliche Verdrahtungskapazität dieser Ausführungsform ergänzt erneut jene, die in dem Chip, wie er ursprünglich hergestellt wurde, verfügbar ist, wodurch das Ausmaß der Gatterausnutzung erhöht wird und die Ausbreitungsverzögerung zwischen Punkten auf demselben Chip und auf unterschiedlichen Chips reduziert wird.

Claims (8)

  1. Halbleiteranordnung mit einem Verdrahtungssubstrat, das Kontaktpunkte (58) für eine Vielzahl von Schaltkreisen und eine Verdrahtung aufweist, die eine Kontaktstelle (40) eines ersten Schaltkreises mit einer Kontaktstelle (40) eines zweiten Schaltkreises elektrisch miteinander verbindet, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Schaltkreisen niedriger Funktionalität (12) Untermatrizen (31) bilden, die Untermatrizen (31) Matrizen (30) bilden, die Untermatrizen (31) auf dem Verdrahtungssubstrat über die Verdrahtung in dreidimensionaler Architektur zu einem Schaltkreis höherer Architektur kombiniert sind, wobei die Kontaktstellen (40) über die Untermatrizen (31) in einem gleichförmigen Muster angeordnet sind, und die Schaltkreise niedriger Funktionalität (12) programmierbare Logikzellen umfassen.
  2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Matrizen (30) Gattermatrizen sind.
  3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gattermatrizen feldprogrammierbar sind.
  4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Matrizen (30) eine Mehrzahl von Eingangs-/Ausgangsbondanschlüssen für ihren Anschluß an externe Stifte eines Gehäuses aufweisen.
  5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktpunkte (40) auf einer Isolierschicht über der betreffenden Matrix (30) angeordnet sind und durch diese Schicht hindurch mit Schaltungsknoten (38) verbunden sind.
  6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2 oder einem auf ihn rückbezogenen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Gattermatrizen durch Abstandsstreifen voneinander getrennte Untermatrizen (31) umfassen und daß Kontaktpunkte (40) über den Abstandsstreifen angeordnet sind.
  7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2 oder einem auf ihn rückbezogenen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Gattermatrizen durch Abstandsstreifen voneinander getrennte Untermatrizen (31) umfassen und daß Kontaktpunkte (40) über die Fläche der Untermatrizen (31) angeordnet sind.
  8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Mehrchipmodul-Baustein ausgebildet ist.
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