DE19638669A1 - Herstellungsverfahren von Kunststoffgehäusen für auf Trägerrahmen befestigten Chips - Google Patents
Herstellungsverfahren von Kunststoffgehäusen für auf Trägerrahmen befestigten ChipsInfo
- Publication number
- DE19638669A1 DE19638669A1 DE19638669A DE19638669A DE19638669A1 DE 19638669 A1 DE19638669 A1 DE 19638669A1 DE 19638669 A DE19638669 A DE 19638669A DE 19638669 A DE19638669 A DE 19638669A DE 19638669 A1 DE19638669 A1 DE 19638669A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chips
- plastic housing
- carrier frame
- chip
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
- H01L2224/8392—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Umhüllen von Chips
mit einem Kunststoffgehäuse, wobei die Chips mittels einer
Befestigungsschicht auf einem Trägerrahmen befestigt sind und
über Kontaktdrähte mit Außenanschlüssen verbunden sind.
Zum Umhüllen von Bauelementen bzw. Chips mit einem Kunst
stoffgehäuse wird beispielsweise das Transfer-Molding Verfah
ren angewendet. Dabei wird die erhitzte Kunststoffmasse di
rekt auf den Chips bzw. den Trägerrahmen aufgebracht. Nach
dem Erkalten des Kunststoffs kommt es häufig zum Ablösen des
Kunststoffs von den Oberflächen der Trägerrahmen und der
Chips. An den dabei entstehenden Spalten zwischen Kunststoff
und Chip bzw. Trägerrahmen kann es zu thermischen bzw. korro
sionsbedingten Problemen kommen. Teilweise entstehen Risse im
Kunststoffgehäuse. Hier kann Feuchtigkeit eindringen. Durch
die Feuchtigkeit können die Bond-Kontakte und Kontaktpads
korrodieren, was zur Beeinträchtigung des Kontaktwiderstandes
führt. Außerdem kann es beim Ablösen des Kunststoffes von der
Oberfläche zu mechanischen Spannungen kommen. Das kann im Ex
tremfall bis hin zum Ablösen der Bond-Kontakte von den Kon
takt-Pads bzw. zum Zertrennen der dünnen Metalldrähten füh
ren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Umhüllen von auf einem Trägerrahmen befestigten Chips mit ei
nem Kunststoffgehäuse anzugeben, bei dem diese Nachteile
nicht auftreten.
Die Aufgabe wird durch ein Herstellungsverfahren gemäß Pa
tentanspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen
des Erfindungsgedankens sind Gegenstand der Unteransprüche.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand des in der einzigen
Figur der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher
erläutert.
Die Figur zeigt einen Chip 3, der mittels einer Befestigungs
schicht 6, beispielsweise einem Zinnlot oder leitfähigen Kle
ber, auf einen Trägerrahmen 1 aufgebracht ist. Das Befestigen
der Chips über ein Lot oder Kleber auf dem Trägerrahmen wird
als Die-Bonding bezeichnet. Zusätzlich ist der Chip an seiner
Oberseite über Kontaktdrähte 4 mit Außenanschlüssen 7, bei
spielsweise über eine Metallspinne, verbunden. Zur Kontaktie
rung der Chipoberseite mit den Außenanschlüssen über Kontakt
drähte wird üblicherweise das Nailhead-Bonding Verfahren bzw.
das Wedge-Bonding Verfahren bzw. eine Mischung von beiden an
gewendet. Alternativ ist auch denkbar, die Außenanschlüsse
direkt auf den Chips zu kontaktieren. Eine derartige Technik
wird allgemein als Lead-On-Chip-(LOC-)Montage bezeichnet.
Nach dem Bonden und noch vor dem Aufbringen des Kunststoffge
misches wird eine haftunterstützende Schicht 5 auf die Chip
oberfläche und auf die Oberfläche des Trägerrahmen aufge
bracht. Als haftunterstützende Schicht wird hier ein Polyimid
verwendet, welches mit einem Lösungsmittel in einem Verhält
nis 1 : 9 verdünnt ist. Polyimid ist eine organische Verbin
dung, die bei Raumtemperatur zähflüssig ist und überlicher
weise als isolierende Passivierungsschicht oder zum Planari
sieren verwendet wird. Es gibt auch photosensitive Polyimide,
die sich ähnlich wie Photolacke strukturieren lassen. Das Po
lyimid wird in einer Dicke von etwa 0,5 µm bis etwa 50 µm auf
den Oberflächen aufgetragen und dann ausgehärtet. Anschlie
ßend wird das Kunststoffgemisch für das Gehäuse auf den Trä
gerrahmen und den Chips aufgebracht und ausgehärtet.
Die haftunterstützende Schicht erhöht die Haftungsfestigkeit
des Kunststoffgemisches auf der Chipoberfläche und auf dem
Trägerrahmen. Das Ablösen des Kunststoffs nach dem Erkalten
von der Oberfläche des Chips und des Trägerrahmens wird somit
verhindert. Korrosion von Anschlußdrähten, Bond-Kontakten und
Kontaktpads findet nicht statt, da keine Feuchtigkeit ein
dringen kann. Dadurch wird die Zuverlässigkeit und die Ro
bustheit der Kunststoffgehäuse gegenüber Feuchtigkeit, ther
mischen und korrosiv bedingten Außeneinflüssen verbessert,
was zu einer längeren Lebensdauer des Gehäuses führt. Zudem
wird eine mechanische Beanspruchung des Zinnlots zwischen
Chip und Trägerrahmen bei einer thermischen Belastung eben
falls verringert. Die Ausbeute von mit diesem Verfahren her
gestellten Chips mit Kunststoffgehäusen ist deutlich größer.
Somit lassen sich-diese Bauteile preisgünstiger fertigen.
Die Verwendung eines Polyimids als haftunterstützende Schicht
ist auch für ähnliche Anwendungen möglich. Beispielsweise
kann das Herstellungsverfahren auch zur Verbesserung der Haf
tungsfestigkeit von Epoxidharz-Gehäusen verwendet werden.
Statt eines Polyimids als haftunterstützendes Mittel ist auch
die Verwendung einer Aminosilanverbindung möglich. Die Ver
wendung eines Polyimids oder einer Aminosilanverbindung ist
für Glas, Quarz, Nitrit, Aluminium sowie verschiedenen Metal
len als Material von Trägerrahmen oder Chip möglich.
Bezugszeichenliste
1 Trägerrahmen
2 Kunststoffgehäuse
3 Chip
4 Drahtkontakte zwischen Chipoberseite und Außenanschlüssen
5 haftunterstützende Schicht/Mittel; Polyimid, Aminosilanverbindung
6 Befestigungsschicht; Zinnlot, leitfähiger Kleber
7 Außenanschlüsse
2 Kunststoffgehäuse
3 Chip
4 Drahtkontakte zwischen Chipoberseite und Außenanschlüssen
5 haftunterstützende Schicht/Mittel; Polyimid, Aminosilanverbindung
6 Befestigungsschicht; Zinnlot, leitfähiger Kleber
7 Außenanschlüsse
Claims (4)
1. Verfahren zum Umhüllen von Chips (3) mit einem Kunststoff
gehäuse (2), wobei die Chips mittels einer Befestigungs
schicht (6) auf einem Trägerrahmen (1) befestigt sind und
über Kontaktdrähte (4) mit Außenanschlüssen (7) verbunden
sind, wobei zwischen Trägerrahmen (1) bzw. Chip (3) und
Kunststoffgehäuse (2) eine haftunterstützende Schicht (5)
aufgebracht ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die haftunterstützende Schicht (5) aus einem Polyimid be
steht.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die haftunterstützende Schicht (5) aus einer Aminosilan-Ver
bindung besteht.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß dem haftunterstützenden Mittel (5) ein Lösungsmittel bei
gemischt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19638669A DE19638669A1 (de) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | Herstellungsverfahren von Kunststoffgehäusen für auf Trägerrahmen befestigten Chips |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19638669A DE19638669A1 (de) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | Herstellungsverfahren von Kunststoffgehäusen für auf Trägerrahmen befestigten Chips |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19638669A1 true DE19638669A1 (de) | 1998-04-02 |
Family
ID=7806402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19638669A Ceased DE19638669A1 (de) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | Herstellungsverfahren von Kunststoffgehäusen für auf Trägerrahmen befestigten Chips |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19638669A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112013007390B4 (de) | 2013-08-29 | 2020-06-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul, Halbleitervorrichtung und Fahrzeug |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3788895A (en) * | 1970-04-21 | 1974-01-29 | Licentia Gmbh | Method for producing a stable surface protection for semiconductor components |
DE2347049A1 (de) * | 1973-08-16 | 1975-02-27 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum einkapseln von miniaturisierten schaltungen, insbesondere hybridschaltungen, und danach hergestellte eingekapselte miniaturisierte schaltungen |
DE2748523A1 (de) * | 1977-10-28 | 1979-05-03 | Siemens Ag | Epoxid-niederdruckpressmasse |
DE3137480A1 (de) * | 1980-09-22 | 1982-04-15 | Hitachi, Ltd., Tokyo | In harz eingekapselte elektronische vorrichtung |
DE4040822A1 (de) * | 1990-12-20 | 1992-07-02 | Bosch Gmbh Robert | Duennschichtueberzug ueber chips |
DE4424549A1 (de) * | 1993-07-12 | 1995-01-19 | Korea Electronics Telecomm | Verfahren zum Gehäusen eines Leistungshalbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Gehäuse |
-
1996
- 1996-09-20 DE DE19638669A patent/DE19638669A1/de not_active Ceased
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3788895A (en) * | 1970-04-21 | 1974-01-29 | Licentia Gmbh | Method for producing a stable surface protection for semiconductor components |
DE2347049A1 (de) * | 1973-08-16 | 1975-02-27 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum einkapseln von miniaturisierten schaltungen, insbesondere hybridschaltungen, und danach hergestellte eingekapselte miniaturisierte schaltungen |
DE2748523A1 (de) * | 1977-10-28 | 1979-05-03 | Siemens Ag | Epoxid-niederdruckpressmasse |
DE3137480A1 (de) * | 1980-09-22 | 1982-04-15 | Hitachi, Ltd., Tokyo | In harz eingekapselte elektronische vorrichtung |
DE4040822A1 (de) * | 1990-12-20 | 1992-07-02 | Bosch Gmbh Robert | Duennschichtueberzug ueber chips |
DE4424549A1 (de) * | 1993-07-12 | 1995-01-19 | Korea Electronics Telecomm | Verfahren zum Gehäusen eines Leistungshalbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Gehäuse |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112013007390B4 (de) | 2013-08-29 | 2020-06-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul, Halbleitervorrichtung und Fahrzeug |
US11239123B2 (en) | 2013-08-29 | 2022-02-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6017776A (en) | Method of attaching a leadframe to singulated semiconductor dice | |
KR100322825B1 (ko) | 반도체장치 | |
KR100236448B1 (ko) | 반도체장치의 전극구조체와 그 형성방법 및 반도체장치의 실장체 및 반도체 장치 | |
DE69824522T2 (de) | Leitende Paste mit hoher Wärmeleitfähigkeit und diese enthaltende elektronische Teile | |
DE102013106932B4 (de) | Leadframe-Gehäuse und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE10048377A1 (de) | Halbleiter-Leistungsmodul mit elektrisch isolierender Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung | |
US6387731B1 (en) | Method and apparatus for reducing BGA warpage caused by encapsulation | |
CN1306300A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
DE4424549C2 (de) | Verfahren zum Gehäusen eines Leistungshalbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Gehäuse | |
US20020050320A1 (en) | Method of bonding a conductive adhesive and an electrode, and a bonded electrode obtained thereby | |
US5972735A (en) | Method of preparing an electronic package by co-curing adhesive and encapsulant | |
DE10297642B4 (de) | Verfahren zum Steuern der Höhe der Chiphalterandnaht, um Chipscherungsbelastungen zu reduzieren | |
DE102013108148A1 (de) | Elektrische Vorrichtungspackung mit einem Laminat und Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtungspackung mit einem Laminat | |
DE19801488B4 (de) | Verfahren zum Zusammenbau eines Halbleiterbausteins | |
US6084311A (en) | Method and apparatus for reducing resin bleed during the formation of a semiconductor device | |
DE19638669A1 (de) | Herstellungsverfahren von Kunststoffgehäusen für auf Trägerrahmen befestigten Chips | |
US5113241A (en) | Semiconductor device mounted upon an insulating adhesive with silicon dioxide and nickel chromium steel filling particles | |
JPH0445985B2 (de) | ||
WO1998013863A1 (de) | Verfahren zur flipchip-kontaktierung eines halbleiterchips mit geringer anschlusszahl | |
JPS5817646A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2974840B2 (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
DE4041224A1 (de) | Chip-modul aus wenigstens zwei halbleiterchips | |
JPH0590957U (ja) | フリップチップのコーティング構造 | |
KR100213435B1 (ko) | 반도체 칩의 마스터 전극 패드 및 이를 이용한 탭 패키지 | |
DE10325029A1 (de) | Substratbasiertes Chip-Package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |