DE19631530C2 - Ionenselektiver Sensor - Google Patents
Ionenselektiver SensorInfo
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- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/28—Electrolytic cell components
- G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
- G01N27/333—Ion-selective electrodes or membranes
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen ionenselektiven
Sensor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Derarti
ge Sensoren werden im Bereich der Chemie und der Ana
lytik verwendet, um ein bestimmtes Ion in Gegenwart
anderer Ionen selektiv anzuzeigen und beispielsweise
deren Konzentration oder Aktivität zu messen.
Ionenselektive Elektroden besitzen nach dem Stand der
Technik eine ionenselektive Membran. Im Gleichge
wicht, d. h. ohne Nettostromfluß durch die Membran,
stellt sich durch Ionenaustausch an dieser Membran
eine Potentialdifferenz ein, die von der Aktivität
des Analytions abhängig ist. Diese Potentialdifferenz
wird bei potentiometrischen Sensoren zur
Konzentrationsbestimmung genutzt. Legt man an die
Membran ein Transferpotential an, so wandern Ionen
(im Idealfall nur die Analytionen) durch die Membran.
Es fließt ein Strom, der unter bestimmten Bedingungen
proportional zur Konzentration des Analytions ist.
Dieser Strom wird bei voltammetrischen Techniken zur
Konzentrationsbestimmung genutzt. Herkömmliche
Sensoren arbeiten mit einer Flüssigableitung, d. h.
der Sensor ist zwischen der ionenselektiven Membran
und der Elektrode mit einer Elektrolytlösung gefüllt,
über welche der Kontakt zwischen der ionenselektiven
Membran und den ableitenden Elektroden hergestellt
wird. Nachteilig an diesen Sensoren ist, daß sie
relativ groß und aufwendig aufgebaut sind, daß die
Herstellung viele einzelne Arbeitsschritte erfordert.
Sie eignen sich daher nicht für Einmalsensoren.
Bei Sensoren mit geeigneter Festableitung kann die
Membran mit einem automatischen Dosiersystem direkt
auf eine planare Fläche aufgegeben werden, wodurch
die Reproduzierbarkeit der Herstellung verbessert
wird. Hier ergibt sich jedoch das Problem, daß der
Rückkontakt zwischen der Membran und der Elektrode
ein konstantes Potential besitzen und ausreichend
strombelastbar sein muß. Potentiometrische
festableitende Sensoren wurden beispielsweise
hergestellt, indem Poly(vinylferrocen) als
Redoxpolymer direkt auf einen metallischen Draht
aufgetragen wurde (Hauser et al. (1995) Analytica
Chimica Acta, Band 302, Seite 241 bis 248). Die
genannten Anforderungen werden jedoch durch
festableitende Sensoren nur mangelhaft erfüllt.
Voltammetrische Meßzellen auf Basis des Ionentrans
fers an der Grenzfläche zwischen zwei gegenseitig
nicht mischbaren Elektrolytlösungen arbeiten bisher
mit zwei flüssigen Phasen (wäßrig/organisch) bzw. bei
Verwendung einer polymergelstabilisierten organischen
Phase ebenfalls mit einer Flüssigableitung. Man er
hält hier als Größen, die das elektrische Verhalten
der Elektrode charakterisieren, zwei Grenzflächen
widerstände, zwei Lösungswiderstände und einen
Membranwiderstand.
Bedingung für ideale Eigenschaften voltammetrischer
ionenselektiver Sensoren ist nun, daß der Widerstand
der Grenzfläche zwischen zu analysierender
Analytlösung und der Membran im Vergleich zu den
anderen Widerständen, insbesondere dem rückseitigen
Grenzflächenwiderstand und dem Membranwiderstand,
möglichst hoch ist. Werden diese Bedingungen
eingehalten, dominiert bei der amperometrischen
Messung der Grenzflächenwiderstand zwischen
Analytlösung und Membran und nicht die rückseitigen
Widerstände den zu messenden Strom. Bei der
potentiometrischen Messung werden die Fehlspannungen
an den rückseitigen Widerständen aufgrund
der unvermeidlichen Fehlströme durch die Elektrode
vernachlässigbar klein.
Die DE 44 42 253 A1 offenbart einen elektrochemischen
Enzymbiosensor, dessen Edelmetallelektroden eine
oberflächenporenreiche Mikrostruktur mit
katalytischen Eigenschaften aufweisen. Durch diese
Mikrostruktur wird die Oberfläche der Elektrode
vergrößert und die Überspannung herabgesetzt.
Die EP 0 702 228 A2 offenbart einen planaren Sensor
zum Erfassen eines chemischen Parameters mit einem
planaren Träger und einem Transducer, der eine
biologische Komponente aufweist, sowie einer
Deckmembran. Der Transducer und die biologische
Komponente bilden einen Sensorspot, um den herum die
Deckmembran mit dem Träger verschweißt ist.
Die WO 95/28634 A1 offenbart eine elektrochemische
Zelle mit einer porösen Membran, deren beider
Oberflächen von einer Arbeitselektrode bzw. einer
Referenz- oder Gegenelektrode bedeckt sind. Eine der
Elektroden weist einen für Flüssigkeiten
durchgängigen Bereich auf, der sich über die
Oberfläche der Membran erstreckt.
Die DE 41 37 261 C2 offenbart ein miniaturisiertes
Sensorelement mit einem Membranträger, der Kavitäten
aufweist, in denen Membranen ausgebildet sind. Der
Träger ist als Kapillarkörper ausgebildet, dessen
Kapillaren die Membranflüssigkeit zur
Auspolymerisation oder Ausscheidung der Membran
aufnimmt. Die Sensorsignale werden von der Membran
bzw. dem Membranträger über eine elektrische
Ableitung als mit einem die Seitenflächen des
Membranträgers kontaktierten leitenden Streifen oder
Silberdraht abgeleitet.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen
ionenselektiven Sensor zur Verfügung zu stellen, bei
dem die vorstehenden Kriterien erfüllt und Messungen
mit geringeren Fehlern ermöglicht werden.
Diese Aufgabe wird durch den ionenselektiven Sensor
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 in Verbindung
mit den kennzeichnenden Merkmalen gelöst.
Die Erfindung beruht auf dem Gedanken, die Kontakt
fläche zwischen der ionenselektiven Membran und der
leitenden Oberfläche der Elektrode größer als die
Kontaktfläche zwischen der ionenselektiven Membran
und der Analytlösung zu gestalten.
Dies wird erreicht, indem die Oberflächen von
Elektrode und ionenselektiver Membran an der
Kontaktfläche ineinandergreifen oder indem diese
Kontaktfläche mit Hilfe einer Abdeckung verglichen zu
der Grenzfläche zwischen der Membran und der
Elektrolytlösung vergrößert wird. Dabei ist es für
die Funktion des erfindungsgemäßen Sensors
unerläßlich, daß die Kontaktfläche überall von einer
Membranschicht ausreichender Dicke bedeckt ist, d. h.
daß nicht die gesamte Membran von der Elektrode
durchdrungen wird, sondern auf der der Meßlösung
zugewandten Seite der Membran eine geschlossene reine
Membranschicht zwischen Meßlösung und
Elektrodenoberfläche aufweist, damit es zu keinem
Kurzschluß zwischen der Elektrode und der Lösung
kommt. Dies führt auch zu einer größeren Lebensdauer
des erfindungsgemäßen Sensors.
Mit den erfindungsgemäßen Merkmalen ist die Kon
taktfläche zwischen der Membranrückseite und der
Elektrode größer als die Grenzfläche Membran/Analyt
lösung. Folglich ist der Rückseitwiderstand des Sen
sors klein im Vergleich zu dem Widerstand der Grenz
fläche zwischen Membran und Elektrolyt, so daß das
Meßsignal nahezu ausschließlich von den Vorgängen an
der Grenzfläche zwischen Analytlösung und Mem
branphase bestimmt wird. Gleichzeitig wird eine hohe
Stabilität der Grenzfläche erreicht. Auch die Lebens
dauer des erfindungsgemäßen Sensors wird durch die
ausreichende Membranbedeckung der Elektrode verlän
gert.
Durch die kleine Bauweise des erfindungsgemäßen Sen
sors lassen sich damit auch kleinste und dennoch zu
verlässige Sensoren in Form von Meßstreifen, bei
spielsweise für Einmalmessungen, herstellen.
Der erfindungsgemäße Sensor eignet sich u. a. für die
Voltammetrie und für die Potentiometrie. Neben bei
spielsweise der Cyclovoltammetrie kann der erfin
dungsgemäße Sensor auch für kombinierte elektrochemi
sche Untersuchungsmethoden angewandt werden.
Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen
ionenselektiven Sensors werden in den abhängigen An
sprüchen gegeben.
Ist die Kontaktfläche der Membran zur Elektrolytlö
sung glatt, so wird die Grenzfläche zwischen Membran
und Analytlösung auf die geringstmögliche, durch die
Abmessungen der Membran vorgegebene Größe verringert.
Im Vergleich zur vergrößerten Kontaktfläche zwischen
Membran und Elektrode verbessert sich das Verhältnis
zwischen den entsprechenden Widerständen dieser Kon
taktflächen zusätzlich.
Durch eine Membranschicht zwischen den verzahnenden
Oberflächenstrukturen und der Grenzfläche zwischen
Membran und Meß- bzw. Analytlösung, deren Dicke
größer als 1 µm ist, werden Kurzschlüsse zwischen der
Elektrode und der Elektrolytlösung sicher verhindert.
Als besonders vorteilhaft erwiesen sich Schichtdicken
von größer 5 µm.
Dabei ist zu beachten, daß durch eine geringe Mem
branschichtdicke zwischen Elektrolyt und Elektrode
der Membranwiderstand erniedrigt wird und so die
elektrischen Eigenschaften des erfindungsgemäßen Sen
sors weiter verbessert werden.
Die variable Positionierbarkeit der Elektrode und/
oder der als Inertmatrix mit leitender Beschichtung
ausgeführten Trägerschicht innerhalb der ionenselek
tiven Membran ermöglicht die Plazierung der Kontakt
fläche zwischen Elektrode bzw. Trägerschicht und io
nenselektiver Membran in sehr großer Nähe zur Grenz
fläche zwischen Elektrolytlösung und Membran und da
mit eine Verringerung des wirksamen Membranwiderstan
des, d. h. eine Verbesserung der elektrischen Eigen
schaften des Sensors.
Eine hohe spezifische Oberfläche der Membran kann auf
einfache Weise realisiert werden, indem die Membran,
die Elektrode oder mindestens eine weitere Träger
schicht, die als Teil der Elektrode betrachtet werden
kann, eine makroskopische ineinandergreifende Ober
fläche, insbesondere eine poröse Struktur besitzen,
wobei die Membran mit der Elektrode bzw. mit der Trä
gerschicht über die Elektronen oder Ionen leitende
Porenoberfläche in Verbindung steht.
Zur Erzeugung der in die Membranrückseite
eingreifenden Oberfläche der Elektrode eignen sich
metallische Materialien, beispielsweise poröses
Silber oder platiniertes Platin. Bei Verwendung einer
porösen Trägerschicht kann diese auch mit einem
nichtporösen ionen- oder elektronenleitenden Überzug
versehen werden.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Sensors
ist die pro Sensor benötigte geringe Menge kostenin
tensiver Membrankomponenten und die Möglichkeit der
Beschichtung der Elektrode und/oder der Trägerschicht
mit einer Zwischenschicht aus Materialien, die zur
Bildung bzw. Verbesserung der Rückkontaktierung bei
tragen. Der Auftrag der Membran erfolgt besonders
einfach durch Vergießen von gelöstem Membranmaterial
oder von auspolymerisierenden Membranmaterialien.
Diese Herstellungsweise eignet sich wegen der guten
Eindringfähigkeit von Flüssigkeiten in poröse Struk
turen besonders bei Verwendung von porösen Elektroden
mit oder ohne Trägerschichten. In diesem Falle erhält
die Kontaktfläche der Membran eine korrespondierende
poröse Struktur.
Durch die Verwendung eines Spacers definierter Dicke
kann insbesondere die Dicke der Membran, soweit sie
über den verzahnten Bereich der Elektrode hinaus
steht, auf einfache Weise vorbestimmt werden. In
Verbindung mit einer Gießtechnik zur Herstellung der
ionenselektiven Membran eignet sich der erfindungs
gemäße Sensor insbesondere zur Serienfertigung von
Sensoren mit weitgehend konstanten Charakteristika.
Die ionenselektive Membran kann eine Stützmatrix aus
Glas, Festkörper oder Polymeren aufweisen, die orga
nische Lösungsmittel, Leitsalze, Redoxpaare, Carrier
oder Ionenaustauscher aufnimmt.
Besonders einfach wird der Aufbau des erfindungsgemä
ßen Sensors, wenn die Stützmatrix zugleich die Funk
tion eines organischen Lösungsmittels für ein Leit
satz übernimmt. In diesem Falle ist die Verwendung
einer zusätzlichen Lösungsmittels innerhalb der Mem
bran nicht notwendig.
Wird der Sensor auf einem geeigneten Träger aufge
bracht, so lassen sich mehrere Elektroden innerhalb
derselben ionenselektiven Membran oder auch getrennt
voneinander auf dem Trägermaterial anordnen. Hier
durch können beispielsweise in einen Teststreifen zum
Sensor auch eine Referenzelektrode untergebracht wer
den.
Durch Vorpolarisation der Grenzfläche zwischen Ana
lytlösung und Membranphase bei einem geeigneten Wert
wird einem voltammetrischen Scan eine Sammeltechnik
vorgeschaltet und folglich auf einfache Weise eine
Stripping-Methode realisiert. Im Vergleich zum her
kömmlicherweise verwendeten Quecksilberelektrolyten
wird hier eine wesentlich weniger umweltbelastende
Methode etabliert.
Vorteilhafte Ausführungsbeispiele des erfindungsgemä
ßen ionenselektiven Sensors werden im folgenden be
schrieben. Es zeigen:
Fig. 1A einen erfindungsgemäßen, ionenselektiven
Sensor in der Aufsicht;
Fig. 1B einen erfindungsgemäßen, ionenselektiven
Sensor im Querschnitt;
Fig. 2A einen weiteren erfindungsgemäßen,
ionenselektiven Sensor in der Aufsicht;
Fig. 2B einen weiteren erfindungsgemäßen,
ionenselektiven Sensor im Querschnitt; und
Fig. 3 den Kopf eines erfindungsgemäßen,
ionenselektiven Sensors im Querschnitt.
Fig. 1A und 1B stellen einen erfindungsgemäßen, io
nenselektiven Sensor in Aufsicht dar. Auf einem
Streifen 11 aus Keramik als Substrat ist eine Leiter
bahn 2 aus Platin aufgebracht. Diese Leiterbahn 2 ist
teilweise durch ein Polymer 3 bedeckt und besitzt auf
einer ihrer Seiten einen offenliegenden Kontaktbe
reich 13 zum elektrischen Anschluß des Sensors an
weitere Geräte.
Am anderen Ende der Leiterbahn 2 aus Platin ist das
Platin porös platiniert. In dieses poröse Platin ist
eine Membran 1 aus PVC eingegossen, wobei die Membran
das poröse Platin nach außen hin abschließend umgibt.
Durch diese Anordnung ergibt sich eine im Vergleich
lief, zu der offenliegenden Oberfläche der Membran 1
sehr große Kontaktfläche zwischen dem porösen Platin
und der Membran. Insgesamt ergibt sich damit ein
Sensor, der einen kleinen Rückseitwiderstand
aufweist.
Fig. 2A und 2B zeigen einen weiteren erfindungsgemä
ßen ionenselektiven Sensor in der Aufsicht sowie im
Querschnitt. Der Sensor besteht aus einem länglichen
Streifen Heißklebefolie 3, auf dem in Längsrichtung
eine Leiterbahn 2 aus Silber angeordnet ist. Diese
Leiterbahn 2 ist an einem Ende des Streifens 3 zu
einem Silberring 9 aufgeweitet. Konzentrisch inner
halb dieses Silberringes befindet sich ein Spacer 7
mit einer vorbestimmten Dicke. Der Streifen 3 und der
Spacer 7 besitzen eine kreisförmige, konzentrisch an
geordnete Öffnung. Auf dem Spacer 7 ist konzentrisch
eine kreisförmige Scheibe 4 aus Blaubandfilterpapier
angeordnet, deren Durchmesser größer als der Durch
messer des Silberringes 9 ist. Das Filterpapier 4 ist
auf der dem Spacer 7 und dem Silberring 9 zugewandten
Seite mit einer in dieser Figur nicht dargestellten
Silberschicht 8 bedampft, die bis in die Poren des
Filterpapieres 4 eindringt. Die Silberschicht 8 ist
mit Silber-tetrakis-(4-chlorphenyl)-borat
beschichtet. In die Öffnung des Spacers 7 ist eine
ionenselektive Membran 1 mit einer PVC-Stützmatrix
eingelassen, die sich bis in die Poren des
Filterpapieres 4 und auch in Bereiche des Filter
papieres erstreckt, die von dem Spacer 7 überdeckt
sind. Dies bedeutet, daß ein Elektrodenkontakt hoher
spezifischer Oberfläche zumindest teilweise in der
Membran 1 angeordnet ist. Die Membran 1 bedeckt das
Filterpapier 4 innerhalb der Öffnung vollständig. Die
ionenselektive Membran enthält Tetradodecyl-ammonium-
tetrakis-(4-chlorphenyl)-borat als Leitsalz.
Die von der Membran 1 abgewandte Seite des Filterpa
pieres 4 ist von einer zweiten Heißklebefolie 11 be
deckt, die über den Silberring 9 hinausragt und mit
der Heißklebefolie 3 verschweißt ist.
Der in den Fig. 2A und 2B gezeigte Sensor stellt
einen vollverkapselten ionenselektiven Sensor in Form
eines flachen Meßstreifens dar. Durch die poröse
Struktur des Filterpapiers 4 wird aufgrund der hohen
spezifischen Oberfläche des Filterpapiers 4 eine sehr
große Grenzfläche zwischen der Membran und dem kon
taktierenden Silber erreicht bei dennoch sehr kleinen
Außenabmessungen der Elektrode. Das große Verhältnis
zwischen der Kontaktfläche zwischen Membran und Elek
trode und der Grenzfläche zwischen Analytlösung und
Membran gewährleistet, daß die Signale dieses Sensors
im wesentlichen von den Vorgängen an der Grenzfläche
zwischen Analytlösung und Membranphase bestimmt wer
den. Durch eine geeignete Dimensionierung des Spacers
kann das Volumen und die Dicke der Membran beliebig
festgelegt werden und der Abstand zwischen der
Grenzfläche Membran/Analytlösung und der
Rückkontaktierung beliebig, insbesondere sehr klein,
gewählt werden. Dies führt zu einer weiteren
Verbesserung der Langzeitstabilität und der
Signalqualität des erfindungsgemäßen Sensors.
Der Elektronentransfer zwischen Membran 1 und Silber
elektrode 9 wird durch das System Silber/Silber
tetrakis-(4-chlorphenyl)-borat ermöglicht. Die Be
schichtung der Silberschicht 8 mit Silber-tetrakis(4-
chlorphenyl)-borat erfolgt dabei entweder durch
elektrolytische Beschichtung der Silberfläche aus
einer Lösung, bevor die Membran auf die Elektrode
aufgebracht wird oder durch Elektrolyse aus der Mem
bran, die aufgrund ihres Gehaltes an Tetradodecyl
ammonium-tetrakis-(4-chlorphenyl)-borat das entspre
chende Anion enthält.
Die ionenselektive Membran wird in das Filterpapier 4
und in die Öffnung 10 eingebracht, indem ein Lösung
in organischen Lösungsmitteln von PVC und weiteren
die Selektivität beeinflussenden Substanzen, wie bei
spielsweise Ionophore oder dergleichen, in die Öff
nung 10 eingegossen wird. Der Spacer 7 verhindert
dabei nicht, daß diese Lösung zwischen den Spacer 7
und das Filterpapier 4 und so auch in das Filterpa
pier in Bereichen eindringt, die von dem Spacer 7
bedeckt sind.
Fig. 3 zeigt den Kopf eines erfindungsgemäßen ionen
selektiven Sensors. Dieser Sensor ist prinzipiell
gleich wie der in Fig. 2A und 2B gezeigte Sensor
aufgebaut. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen dabei
gleiche Elemente.
Der Sensor zeigt wiederum eine Schichtung aus zweiter
Heißklebefolie 11, Filterpapier 4, aufgedampfter Sil
berschicht 8 auf der Oberfläche und in den Poren des
Filterpapiers 4, Silberring 9, Spacer 7 und erster
Heißklebefolie 3. Durch das Erhitzen der Heißklebefo
lien 3 und 11 beim Verschweißen der beiden Folien ist
die Folienschicht 3 im Bereich des Spacers etwas dün
ner, so daß sich zwischen dem Spacer 7 und dem Fil
terpapier 4 ein Zwischenraum 12 ergibt.
In die Öffnung 10 des Spacers 7 sowie der ersten
Heißklebefolie 3 wurde eine PVC-Membran durch Eingie
ßen gelösten PVC's und Verdampfen des Lösungsmittels
eingebracht. Dabei breitet sich die PVC-Lösung auch
unterhalb des Spacers 7 in dem Zwischenraum 12 und
bis in die poröse Struktur des Filterpapiers 4 aus,
so daß sich eine große Kontaktfläche der Membran 1
mit der aufgedampften Silberschicht 8 ergibt.
Als Mediator für die Elektronenleitung wurde dasselbe
System Silber/Silber-tetrakis-(4-chlorphenyl)-borat
gewählt.
Claims (33)
1. Ionenselektiver Sensor zur Bestimmung der Kon
zentration und/oder Aktivität eines oder mehre
rer Ionen in einer Meßlösung mit einer Elektrode
(8, 9) und einer ionenselektiven Membran (1) mit
einer der Meßlösung zugewandten Oberfläche, wo
bei die ionenselektive Membran (1) und die ein
ionen- oder elektronenleitendes Material aufwei
sende Oberfläche der Elektrode (8, 9), eine
Kontaktfläche bildend miteinander in Verbindung
stehen,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Elektrode (8, 9) und ein Teil der ionenselektiven Membran (1) entlang der Kontaktfläche zu ihrer Vergrößerung ineinandergreifende Oberflächenstrukturen auf weisen und
daß sich zwischen diesen Oberflächenstrukturen und der der Meßlösung zugewandten Oberfläche der ionenselektiven Membran (1) eine einen anderen Teil der ionenselektiven Membran bildende geschlossene Membranschicht vorbestimmter Dicke befindet.
daß die Elektrode (8, 9) und ein Teil der ionenselektiven Membran (1) entlang der Kontaktfläche zu ihrer Vergrößerung ineinandergreifende Oberflächenstrukturen auf weisen und
daß sich zwischen diesen Oberflächenstrukturen und der der Meßlösung zugewandten Oberfläche der ionenselektiven Membran (1) eine einen anderen Teil der ionenselektiven Membran bildende geschlossene Membranschicht vorbestimmter Dicke befindet.
2. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die ionenselektive Membran
und die ein ionen- oder elektronenleitendes
Material aufweisende Oberfläche der Elektrode
über weitere zwischen der Oberfläche der
Elektrode und der ionenselektiven Membran
angeordnete Zwischenschichten eine Kontaktfläche
bildend miteinander in Verbindung stehen.
3. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die der Meßlösung
zugewandte Oberfläche der ionenselektiven
Membran (1) teilweise durch eine elektrisch und
chemisch inerte Schicht (7) vorbestimmter Dicke
bedeckt ist.
4. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke der ionenselekti
ven Membran (1) in Abhängigkeit von der Dicke
der inerten Schicht (7) gewählt ist.
5. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die geschlossene
Membranschicht zwischen den ineinandergreifenden
Oberflächenstrukturen und der der Meßlösung
zugewandte Oberfläche der ionenselektiven
Membran (1) eine Dicke von mindestens 1 µm
aufweist.
6. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die geschlossene
Membranschicht zwischen den ineinandergreifenden
Oberflächenstrukturen und der der Meßlösung
zugewandten Oberfläche der ionenselektiven
Membran (1) eine Dicke von mindestens 5 µm
aufweist.
7. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die ionenselektive Membran (1) auf der
der Meßlösung zugewandten Seite eine glatte
Oberfläche aufweist.
8. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Elektrode (8, 9) aus einem
elektrischen Kontaktelement sowie mindestens
einer Trägerschicht (4) besteht, wobei die Trä
gerschicht (4) eine zumindest teilweise
elektronen- oder ionenleitende Oberfläche
aufweist, die die Kontaktfläche zwischen der
Elektrode (8, 9) und der ionenselektiven Membran
(1) bildet und die mit dem elektrischen
Kontaktelement elektrisch leitend verbunden ist.
9. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß
die mindestens eine Trägerschicht (4) aus
vliesartigem Material oder mikro- bzw. makropo
rösem Silizium oder Fritten besteht, auf dessen
Oberfläche zumindest teilweise ein elektronen-
oder ionenleitendes Material aufgebracht ist.
10. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Elektrode (8, 9) und/oder die
mindestens eine Trägerschicht (4) zumindest
teilweise in die ionenselektive Membran (1) ein
gebettet ist.
11. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Elektrode (8, 9) und/oder die
mindestens eine Trägerschicht (4) entlang der
Kontaktfläche zumindest teilweise aus einen po
rösen Material bestehen.
12. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Elektrode (8, 9) und/oder die
mindestens eine Trägerschicht (4) zumindest
teilweise aus einem porösen Metall, bei
spielsweise aus platiniertem Platin oder poröses
Silber, besteht oder von diesem bedeckt ist.
13. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das elektronenleitende Material
Graphit oder Metalle, wie Platin, Silber, Gold,
Edelstahl, oder Silizium enthält.
14. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das elektronenleitende Mate
rial als Paste oder durch Aufdampfen aufgebracht
ist.
15. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das elektronenleitende Material
aus einem Metall besteht, daß auf dem Metall ein
Salz dieses Metalles abgeschieden ist und daß
die Membran (1) und/oder eine Zwischenschicht
zwischen der Membran (1) und dem
elektronenleitenden Material das Anion dieses
Salzes enthält.
16. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 15, dadurch
gekennzeichnet, daß das Metall Silber und das
zugeordnete Salz Silbertetraphenylborat, Silber
tetrakis-(4-chlorphenyl)-borat, Silberchlorid
oder ein anderes Silbersalz ist.
17. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß das ionenleitende Material zumindest
teilweise aus ionenleitenden Polymeren besteht.
18. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die ionenselektive Membran (1) aus ei
ner Glasmembran oder einer Festkörpermembran,
beispielsweise aus LaF3, besteht.
19. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß
die ionenselektive Membran (1) aus organischem
Material besteht.
20. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die ionenselektive Membran (1)
eine Stützmatrix aus Polymeren, beispielsweise
Polyvinylchlorid, Acrylate oder Silikone, auf
weist.
21. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die ionenselektive Membran (1) ein
organisches Lösungsmittel enthält.
22. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 21, dadurch
gekennzeichnet, daß das organische Lösungsmittel
2-Nitrophenyloctylether, 2-
Nitrophenylphenylether, 2-Nitrophenylpentylether
oder Nitrobenzol ist.
23. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die ionenselektive Membran (1)
und/oder das organische Lösungsmittel ein Leit
salz, beispielsweise Tetradodecylammonium-tetra
kis-(4-chlorphenyl)-borat, enthält.
24. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die ionenselektive Membran (1)
und/oder eine Zwischenschicht zwischen der Mem
bran (1) und dem elektronenleitenden Material
ein Redoxpaar, beispielsweise
Ferrocen/Ferricenium oder seine Derivate,
enthält.
25. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 23, dadurch
gekennzeichnet, daß das Redoxpaar an eine
Polymerstützmatrix der ionenselektiven Membran
(1) oder der Zwischenschicht als Redoxpolymer
gebunden ist.
26. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die ionenselektive Membran (1)
einen Carrier, beispielsweise Valinomycin oder
Nonactin, und/oder einen Ionenaustauscher ent
hält.
27. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die ionenselektive Membran (1) auf die
Kontaktfläche der Elektrode (8, 9) gegossen ist.
28. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die der Meßlösung zugewandte Ober
fläche der ionenselektiven Membran (1) von einer
hydrophilen Gelschicht, einer hydrophilen Mem
bran oder einer elektrolythaltigen Schicht defi
nierter Stärke bedeckt ist.
29. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß der ionenselektive Sensor in Heiß
klebefolie so verkapselt ist, daß lediglich die
der Meßlösung zugewandte Oberfläche der Ionense
lektiven Membran (1) offen liegt.
30. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß in der ionenselektiven Membran (1) min
destens eine weitere Elektrode angeordnet ist.
31. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß er auf einem geeigneten Träger, bei
spielsweise einem Polymer, einer Keramik oder
einer Siliziumschicht, angeordnet ist.
32. Ionenselektiver Sensor nach Anspruch 31, dadurch
gekennzeichnet, daß auf dem Träger neben der
ionenselektiven Membran (1) mindestens eine wei
tere Elektrode angeordnet ist.
33. Ionenselektiver Sensor nach mindestens einem der
vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, daß die der Meßlösung zugewandte Oberfläche
der Membran mit einer vorbestimmten Spannung
unmittelbar vor der Messung vorpolarisiert ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996131530 DE19631530C2 (de) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | Ionenselektiver Sensor |
PCT/DE1997/001583 WO1998003860A1 (de) | 1996-07-23 | 1997-07-23 | Ionenselektiver sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996131530 DE19631530C2 (de) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | Ionenselektiver Sensor |
Publications (2)
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
DE4137261C2 (de) * | 1991-11-13 | 1995-06-29 | Meinhard Prof Dr Knoll | Miniaturisiertes Sensorelement zur Bestimmung von Stoffkonzentrationen in Flüssigkeiten und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO1995028634A1 (en) * | 1994-04-14 | 1995-10-26 | Memtec America Corporation | Electrochemical cells |
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---|---|---|---|---|
DE4137261C2 (de) * | 1991-11-13 | 1995-06-29 | Meinhard Prof Dr Knoll | Miniaturisiertes Sensorelement zur Bestimmung von Stoffkonzentrationen in Flüssigkeiten und Verfahren zu seiner Herstellung |
WO1995028634A1 (en) * | 1994-04-14 | 1995-10-26 | Memtec America Corporation | Electrochemical cells |
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DE4442253A1 (de) * | 1994-11-28 | 1996-05-30 | Bayer Corp N D Ges D Staates I | Elektrochemischer Enzymbiosensor |
Non-Patent Citations (1)
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HAUSER, Peter C. et al: A potassium-ion selective electrode with valinomycin based poly (vinyl chloride) membrane and a poly (vinyl ferrocene) solid contact. In: Analytica Chimica Acta 302 (1995) 241-248 * |
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