DE19606635A1

DE19606635A1 - Heteroübergangs-Feldeffekttransistor

Info

Publication number: DE19606635A1
Application number: DE19606635A
Authority: DE
Inventors: Tatsuo Nakayama
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-02-22
Filing date: 1996-02-22
Publication date: 1996-09-26
Also published as: US5856685A

Description

Die Erfindung betrifft einen Heteroübergangs-Feldef fekttransistor mit einem InP-Substrat.

Ein bekannter Heteroübergangs-Feldeffekttransistor mit ei nem InP-Substrat, dessen Struktur beispielsweise in der ja panischen unveröffentlichten Patentoffenlegungsschrift Nr. 63-278277, ausgegeben am 15. November 1988, beschrieben ist, verwendet ein InAlAs/InGaAs-Übergitter als Puffer schicht, um die Erzeugung eines zweidimensionalen Elektro nengases an der Schnittstelle zwischen der Pufferschicht und einer Aktivschicht zu vermeiden, das auftritt, wenn nur eine an das InP-Substratgitter angepaßte InAlAs-Schicht als Pufferschicht verwendet wird, und zur Verhinderung der Er zeugung eines zweidimensionalen Elektronengases in einer InGaAs-Schicht in einem Übergitter, das auftritt, wenn ein InAlAs/InAlGaAs-Übergitter, das an das InP-Substratgitter angepaßt ist, als Pufferschicht verwendet wird.

Fig. 1A zeigt die Schnittstruktur eines Feldeffekttransi stors, der in dieser Veröffentlichung beschrieben ist, und Fig. 1B zeigt ein Energiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes des Feldeffekttransistors angibt.

Bezugnehmend auf Fig. 1A bezeichnet die Bezugsziffer 611 ein InP-Substrat, 612 bezeichnet ein InAlAs/InAlGaAs-Über gitter, 613 ist eine aktive InGaAs-Schicht, 614 eine n-In- AlAs-Elektronenversorgungsschicht, 615 eine n-InGaAs-Kon taktschicht, 616 eine Sourceelektrode, 617 eine Gateelek trode und 618 eine Drainelektrode.

Verglichen mit einer Struktur, bei der nur eine InAlAs- Schicht als Pufferschicht verwendet wird, die an das InP- Substratgitter angepaßt ist, wird in der in Fig. 1A darge stellten Struktur ein Störstoff, der als ein schwerer Dona tor dient, in der Heteroschnittstelle des InAlAs/InAlGaAs- Übergitters 612, das an das InP-Substratgitter 611 git terangepaßt ist, gefangen. Auf diese Weise wird die Erzeu gung eines zweidimensionalen Elektronengases an der Schnittstelle zwischen der aktiven InGaAs-Schicht 613 und dem InAlAs/InAlGaAs-Übergitter 612, das als Pufferschicht dient, unterdrückt.

Verglichen mit einer Struktur mit einem InAlAs/InGaAs-Über gitter, das an das InP-Substratgitter gitterangepaßt ist, als Pufferschicht, hat die InAlGaAs-Schicht eine größere Bandlücke als die InGaAs-Schicht. Auf diese Weise wird die Erzeugung eines zweidimensionalen Elektronengases in der InAlGaAs-Schicht in dem Übergitter vermindert.

Wenn jedoch bei dieser bekannten Struktur das GaAs-Zusam mensetzungsverhältnis (Molenbruch) der InAlGaAs-Schicht kleiner ist als 0,87, wobei die Differenz der Zusammenset zung zwischen der AlInAs-Scbicht und der InAlGaAs-Schicht gering ist, ist jedoch der Effekt der Unterdrückung der Fortpflanzung von Versetzungen, die im InP-Substrat vorhan den sind, zur aktiven Schicht, der Diffusion eines Stör stoffs, beispielsweise Fe, der zur Erhöhung des Widerstan des des InP-Substrats dotiert ist und der gleichen, gering. Auf diese Weise wird die Kristallinität der aktiven Schicht verschlechtert, was zu einem niedrigen Gegenwirkleitwert (transconductance) des Transistors führt.

Die AlInAs-Schicht ist vom N-Typ mit etwa 1 × 10¹⁵/cm³. Wenn bei der bekannten Struktur das GaAs-Zusammensetzungs verhältnis der InAlGaAs-Schicht höher ist als 0,87, wird die Bandlücke der InAlGaAs-Schicht kleiner als die des InP- Substrats. Wenn die Filmdicke der AlInAs/InAlGaAs-Übergit terpufferschicht auf einen Wert eingestellt wird, der aus reichend ist, die Fortpflanzung von Versetzungen, die im InP-Substrat vorhanden sind, zur Aktivschicht zu verhin dern, die Diffusion von Störstoffen, beispielsweise Fe, die zur Erhöhung des Widerstandes des InP-Substrats dotiert sind, und dergleichen zu verhindern, werden Elektronen in der AlinAs/InAlGaAs-Übergitterpufferschicht erzeugt. Da durch wird ein Elektronenleitungsweg zusätzlich zu der ak tiven Schicht gebildet, was zu einer Verschlechterung der Pinch-Off-Charakteristika des Transistors führt.

Die Erfindung wurde im Hinblick auf die Vermeidung der oben genannten Probleme der bekannten Technik getätigt und ihr liegt die Aufgabe zugrunde, einen Heteroübergangs-Feldef fekttransistor zu schaffen, der gute pinch-off-Charakteri stika aufweist, wobei die Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat vorhanden sind, zur aktiven Schicht unterdrückt wird, ein nachteiliger Einfluß eines Stör stoffs, z. B. Fe, der zur Erhöhung des Widerstandes des InP- Substrats dotiert wurde, eliminiert ist, und bei dem kein Elektronenleitungspfad in der Pufferschicht gebildet wird, während eine hoher Gegenwirkleitwert (transconductance) aufrechterhalten wird.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung ein Heteroübergangs-Feldeffekttransistor mit einem InP-Substrat geschaffen mit einer Pufferschicht, die zwischen einer aktiven Schicht, in der Träger wandern, und dem InP-Substrat gebildet ist, wobei die Pufferschicht zu mindest zwei Übergitterperioden aufweist, wobei jedes der Übergitter aus zumindest einem Halbleiter aus der Gruppe Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Ga_xIn_1-xP (0 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1) und zumindest ei nem Halbleiter aus der Gruppe InP und In_0,52Al_0,48As gebil det ist.

Gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung wird ein Heteroüber gangs-Feldeffekttransistor mit einem InP-Substrat geschaf fen, mit einer Pufferschicht, die zwischen einer Aktiv schicht, in der Träger wandern, und einem InP-Substrat ge bildet ist, wobei die Pufferschicht zumindest eine Schicht aus der Gruppe Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Ga_xIn_1-xP (0 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1) und eine InP-Schicht aufweist.

Gemäß dem dritten Aspekt der Erfindung wird ein Heteroüber gangs-Feldeffekttransistor mit einem InP-Substrat geschaf fen, mit einer Pufferschicht, die zwischen einer aktiven Schicht, in der Träger wandern, und dem InP-Substrat gebil det ist, wobei die Pufferschicht zumindest eine Schicht aus der Gruppe Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Ga_xIn_1-xP (0 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1) und eine In_0,52Al_0,48As-Schicht aufweist.

Gemäß einem vierten Aspekt der Erfindung wird ein Hetero übergangs-Feldeffekttransistor erhalten durch aufeinander folgendes Bilden eines Übergitters aus zumindest zwei Peri oden von In_0,52Al_0,48As-Schichten und InP-Schichten, einer aktiven GaInAs-Schicht, einer AlInAs-Abstandsschicht, einer AlInAs-Trägerzufuhrschicht und einer AlInAs-Schottky- Schicht auf einem InP-Substrat und durch Anordnen einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Gateelek trode auf der resultierenden Struktur.

Zu den oben genannten Aspekten hat die Erfindung noch die folgenden Zusatzaspekte.

Das AlP-Zusammensetzungsverhältnis (Molenbruch) der AlInP- Schicht gemäß einem der ersten bis dritten Aspekte fällt vorzugsweise in einen Bereich von 0,2 bis 0,5.

Das GaP-Zusammensetzungsverhältnis der GaInP-Schicht gemäß einem der ersten bis dritten Aspekte fällt vorzugsweise in einen Bereich von 0,2 bis 0,5.

Das AlAs-Zusammensetzungsverhältnis der AIGaAs-Schicht ge mäß einem der ersten bis dritten Aspekte beträgt vorzugs weise 0,3.

Das AlAs-Zusammensetzungsverhältnis der AlInAs-Schicht ge mäß einem der ersten bis dritten Aspekte fällt vorzugsweise in einen Bereich von 0,55 bis 0,8.

Die Pufferschicht gemäß einem der ersten bis vierten Aspekte hat eine Gesamtdicke innerhalb eines Bereichs von 50 nm bis 400 nm.

Das Material, das gemäß einem der ersten bis dritten Aspekte die Aktivschicht bildet, ist aus der Gruppe GaInAs, InP, GaInAsP, InSb und InGaSb ausgewählt.

Das GaAs-Zusammensetzungsverhältnis der Aktivschicht fällt in einen Bereich von 0 bis 1.

Das AlAs-Zusammensetzungsverhältnis jeder der Abstands schicht, der Trägerzufuhrschicht und der Schottky-Schicht gemäß dem vierten Aspekt fällt in einen Bereich von 0,48 bis 1,0.

Da erfindungsgemäß die Pufferschicht durch ein Material ge bildet ist, das eine Bandlücke aufweist, die gleich der des InP-Substrats oder größer ist, kann eine Speicherung von Elektronen in der Pufferschicht unterdrückt werden, die durch die Tatsache verursacht wird, daß die AlInAs-Schicht vom N-Typ mit etwa 1 × 10¹⁵/cm³ ist. Da die Zusammenset zungsverhältnisse der beiden Schichten, die die Hete roschnittstellen bilden, sich stark voneinander unterschei den oder die beiden Schichten aus unterschiedlichen Mate rialien gefertigt sind und die beiden Schichten, die die Heteroschnittstellen bilden, unterschiedliche Gitterkon stanten aufweisen, wird eine Verzerrung verursacht. Auf grunddessen wird die Fortpflanzung von Versetzungen, die im InP-Substrat vorhanden sind, zur Aktivschicht und eine Dif fusion eines Störstoffs, z. B. Fe, der zur Erhöhung des Wi derstandes des InP-Substrats zugefügt wird, in der Hete roschnittfläche unterdrückt. Als Resultat kann eine Aktiv schicht mit hoher Kristallinität erhalten werden, und die Pufferschicht kann dünn ausgelegt werden. Ein Elektronen leitungspfad wird in der Pufferschicht nicht gebildet. Auf grunddessen erzielt ein FET, der erfindungsgemäß herge stellt ist, eine gute Pinch-off-Charakteristik, ohne die Transkonduktanz zu vermindern.

Die oben genannten Vorteile, Merkmale und weitere Aufgaben der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung mit Be zug auf die beigefügten Zeichnungen deutlich.

Fig. 1A ist eine Schnittdarstellung der Struktur eines be kannten Heteroübergangs-Feldeffekttransistors, und Fig. 1B ist ein Energiebanddiagramm, das eine Ände rung des Leitungsbandes in dem bekannten Feldef fekttransistor darstellt,

Fig. 2A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des er sten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 2B ist ein Energiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes in dem ersten Ausführungsbei spiel darstellt,

Fig. 3A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des zwei ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 3B ist ein Energiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes in dem zweiten Ausführungsbeispiel darstellt,

Fig. 4A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des drit ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 4B ist ein Energiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes in dem dritten Ausführungsbeispiel darstellt,

Fig. 5A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des vier ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 5B ist ein Energiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes in dem vierten Ausführungsbeispiel darstellt, und

Fig. 6A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des fünf ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 6B ist ein Energiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes in dem fünften Ausführungsbeispiel darstellt.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der beige fügten Zeichnungen erläutert.

Die Fig. 2A und 2B zeigen das erste Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 2A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 2B ist ein En ergiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes der Struktur gemäß Fig. 2A darstellt.

Der in Fig. 2A dargestellte Feldeffekttransistor wird her gestellt durch Ausbilden, auf einem InP-Substrat 111, von InP-Schichten 113 (z. B. mit einer Filmdicke von 200 nm), einschließlich AlInP-Schichten 112 (beispielsweise mit ei nem AlP-Zusammensetzungsverhältnis (Molenbruch) von 0,3 und einer Filmdicke von 2 nm) in Bereichen, die vom InP-Sub strat 111 beispielsweise um 10 nm, 20 nm, 30 nm, 160 nm, 170 nm und 180 nm beabstandet sind, dann durch Ausbildung einer GaInAs-Aktivschicht 114 (beispielsweise mit einem GaAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,47 und einer Film dicke von 45 nm), einer AlInAs-Abstandsschicht 115 (bei spielsweise mit einem AIAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 4 nm), einer AlInAs-Trägerzu fuhrschicht 116 (z. B. mit einem AlAs-Zusammensetzungsver hältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) und einer AlInAs-Schottky-Schicht 117 (beispielsweise mit einem AlAs- Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) auf der resultierenden Struktur und durch Anordnen von ohm′schen Elektroden (einer Sourceelektrode 118 und ei ner Drainelektrode 119) und einer Schottky-Elektrode (einer Gateelektrode 120) auf der AlInAs-Schottky-Schicht 117.

Es soll festgestellt werden, daß Si mit beispielsweise 3 × 10¹⁸ cm^-3 in die AlInAs-Trägerzufuhrschicht 116 dotiert wird. Wenn auf diese Weise die InP-Schichten 113 als Puf ferschichten verwendet werden und die AlInP-Schichten 112 mit dem AlP-Zusammensetzungsverhältnis von 0,3, die aus ei nem zu dem InP-Schichten 113 unterschiedlichen Material ge fertigt sind und eine größere Bandlücke (Energielücke) als die InP-Schichten 113 und eine von der InP-Schicht 113 un terschiedliche Gitterkonstante aufweisen und die somit als Verzerrungsschicht dient, in die InP-Schichten 113 zwi schengefügt werden, kann eine Fortpflanzung von Versetzun gen, die in dem InP-Substrat 111 vorhanden sind, an die GaInAs-Aktivschicht 114 unterdrückt werden, die puffer schichtdicke kann so klein wie 200 nm gestaltet werden und ein Elektronenleitungspfad wird in der Pufferschicht nicht gebildet, wodurch ein Transistor mit guten Pinch-off-Cha rakteristika erzielt wird.

In dem ersten Ausführungsbeispiel wird als Pufferschicht eine solche verwendet, die aus den InP-Schichten 113 und den AlInP-Schichten 112 besteht, die zwischen die InP- Schichten 113 zwischengefügt sind und ein AlP-Zusammenset zungsverhältnis von 0,3 aufweisen. Das AlP-Zusammenset zungsverhältnis der AlInP-Schichten 112 kann jedoch inner halb des Bereichs von 0,1 bis 1 geändert werden.

Wenn das AlP-Zusammensetzungsverhältnis von 0,1 erhöht wird, vermindert sich die Filmdicke (kritische Dicke), mit der die AlInP-Schichten 112 mit guter Kristallinität gebil det werden können. Somit beträgt das AlP-Zusammensetzungs verhältnis vorzugsweise 0,2 oder mehr und 0,5 oder weniger.

Des weiteren können die AlInP-Schichten 112 mit einem AlP- Zusammensetzungsverhältnis von 0,3 ersetzt werden durch entweder Al_xIn_1-xAs-Schichten (0,5 x 1), Al_xGa_1-xAs- Schichten (0 x 1) oder Ga_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1) oder sie können ersetzt werden durch zwei oder mehr Arten von Schichten, die ausgewählt sind aus Al_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1), Al_xIn_1-xAs-Schichten (0,5 x 1), Al_xGa_1-xAs-Schichten (0 x 1) und Ga_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1).

In dem ersten Ausführungsbeispiel haben die InP-Schichten 113 und die AlInP-Schichten 112 mit einem AlP-Zusammenset zungsverhältnis von 0,3, die beide die Pufferschicht bil den, Filmdicken von 200 nm bzw. 2 nm. Insbesondere ist es jedoch ausreichend, wenn die AlInP-Schichten mit einem AlP- Zusammensetzungsverhältnis von 0,3, die als Verzerrungs schicht dienen, eine Filmdicke gleich der kritischen Dicke oder weniger aufweisen.

Wenn die Filmdicke der gesamten Pufferschicht 400 nm über schreitet, werden Elektronen in der Pufferschicht angesam melt und bilden leicht einen Leitungsweg; falls sie weniger als 50 nm beträgt, kann die Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat 111 vorhanden sind, an die Aktiv schicht und die Diffusion eines Störstoffs, z. B. Fe, in das InP-Substrat 111 nicht vollständig verhindert werden. Somit beträgt die gesamte Dicke der Pufferschicht vorzugsweise 50 nm bis 400 nm.

Zur Bildung der Pufferschicht sind in dem ersten Ausfüh rungsbeispiel die AlInP-Schichten 112 dreifach (drei Peri oden) in die InP-Schichten 113 zwischengefügt, jeweils auf der Seite des InP-Substrats 111 und der Seite der Aktiv schicht 114. Es ist jedoch ausreichend, wenn zumindest eine AlInP-Schicht 112 entweder auf Seiten des InP-Substrats 111 oder auf Seiten der Aktivschicht 114 eingefügt wird. Obwohl die Aktivschicht 114 aus einer GaInAs-Schicht mit einem GaAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,47 gebildet ist, kann des weiteren das GaAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0 bis 1 verändert werden.

Das Material zur Bildung der Aktivschicht 114 kann InP, GaInAs, GaInAsP, InSb oder InGaSb sein. Das AlAs-Zusammen setzungsverhältnis jeder der AlInAs-Abstandsschicht 115, der AlInAs-Trägerzufuhrschicht 116 und der AlInAs-Schottky- Schicht 117 kann von 0,48 bis 1 verändert werden.

Die Dotierungskonzentration kann ein gewünschter Wert sein. Hinsichtlich des Dotierungsmittels wird in dem ersten Aus führungsbeispiel, da Elektronen als Träger verwendet wer den, Si als N-Dotierungsmittel verwendet. Jedes andere Do tierungsmittel, z. B. S oder Se, kann jedoch verwendet wer den, solange es als N-Dotierungsmittel dient. In einem He teroü.bergangs-Feldeffekttransistor, der Löcher als Träger verwendet, kann ein P-Dotierungsmittel, z. B. Be oder C, verwendet werden.

Die Fig. 3A und 3B zeigen das zweite Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 3A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des zwei ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 3B ist ein Energiebanddiagramm, das eine Änderung des Leitungsbandes der in Fig. 3A dargestellten Struktur darstellt.

Der in Fig. 3A dargestellte Feldeffekttransistor ist herge stellt durch Ausbilden, auf einem InP-Substrat 211, von Al_0,48In_0,52As-Schichten 213 (z. B. mit einer Filmdicke von 200 nm) einschließlich GaInP-Schichten 212 (z. B. mit einem GaP-Zusammensetzungsverhältnis von 0,4 und einer Filmdicke von 2 nm) in Bereichen, die vom InP-Substrat 211 beispiels weise 10 nm, 20 nm, 30 nm, 160 nm, 170 nm und 180 nm ent fernt sind, und dann durch Ausbildung der GaInAs-Aktiv schicht 214 (beispielsweise mit einem GaAs-Zusammenset zungsverhältnis von 0,47 und einer Filmdicke von 45 nm), einer AlInAs-Abstandsschicht 215 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Film dicke von 4 nm), einer AlInAs-Trägerzufuhrschicht 216 (bei spielsweise mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) und einer AlInAs- Schottky-Schicht 217 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusam mensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) auf der resultierenden Struktur und durch Anordnen von ohm′schen Elektroden (einer Sourceelektrode 218 und einer Drainelektrode 219) und einer Schottky-Elektrode (einer Gateelektrode 220) auf der AlInAs-Schottky-Schicht 217.

Es soll hier festgestellt werden, daß Si mit beispielsweise 3 × 10¹⁸ cm^-3 in die AlInAs-Trägerzufuhrschicht 216 dotiert ist. Wenn auf diese Weise die Al_0,48In_0,52As-Schichten 213 als Pufferschicht verwendet werden und die GaInP-Schichten 212 mit einem GaP-Zusammensetzungsverhältnis von 0,4, die aus einem zu den Schichten 213 unterschiedlichen Material gefertigt sind und eine größere Bandlücke als die Schichten 213 und eine von den Schichten 213 unterschiedliche Gitter konstante aufweisen, die somit als Verzerrungsschicht dient, in die Al_0,48In_0,52As-Schichten 213 eingefügt wer den, kann eine Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat 211 vorhanden sind, zu der Aktivschicht 214 unterdrückt werden, die Pufferschichtdicke kann so klein wie 200 nm gestaltet werden, und ein Elektronenleitungsweg wird in der Pufferschicht nicht gebildet, wodurch ein Tran sistor mit guten pinch-off-Charakteristika erhalten wird.

In dem zweiten Ausführungsbeispiel wird als Pufferschicht eine aus den Al_0,48In_0,52As-Schichten 213 und den GaInP- Schichten 212, die in die Schichten 213 zwischengefügt sind und ein GaP-Zusammensetzungsverhältnis von 0,4 aufweisen, verwendet. Das GaP-Zusammensetzungsverhältnis der GaInP- Schichten 212 kann jedoch innerhalb des Bereichs von 0,1 bis 1 verändert werden. Wenn das GaP-Zusammensetzungsver hältnis von 0,1 erhöht wird, kann die Filmdicke (kritsche Dicke), mit der die Schichten 212 mit guter Kristallinität gebildet werden können, vermindert werden. Somit beträgt das GaP-Zusammensetzungsverhältnis vorzugsweise 0,2 oder mehr und 0,5 oder weniger.

Des weiteren können die GaInP-Schichten 212, die in die Al_0,48In_0,52As-Schichten 213 zwischengefügt sind und ein GaP-Zusammensetzungsverhältnis von 0,4 aufweisen, ersetzt werden durch entweder Al_xIn_1-xAs-Schichten (0,5 x 1), Al_xGa_1-xAs-Schichten (0 x 1) oder Al_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1) oder sie können ersetzt werden durch zwei oder mehrere Arten der Schichten, die ausgewählt sind aus Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Ga_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1).

In dem zweiten Ausführungsbeispiel haben die Schichten 213 und die Schichten 212, die ein GaP-Zusammensetzungsverhält nis von 0,4 aufweisen, wobei beide die Pufferschicht bil den, Filmdicken von 200 nm bzw. 2 nm. Es ist jedoch auch ausreichend, wenn die GaInP-Schichten mit einem GaP-Zusam mensetzungsverhältnis von 0,4, die als Verzerrungsschicht dienen, eine Filmdicke gleich der kritischen Dicke oder we niger aufweisen. Falls die Filmdicke der gesamten Puffer schicht 400 nm überschreitet, sammeln sich Elektronen in der Pufferschicht und können einen Leitungsweg bilden; falls sie kleiner als 50 nm ist, kann die Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat 211 vorhanden sind, an die Aktivschicht und die Diffusion eines Störstoffs, z. B. Fe, des InP-Substrats 211 nicht vollständig verhindert werden. Somit liegt vorzugsweise die Gesamtdicke der Puf ferschicht innerhalb des Bereichs von 50 nm bis 400 nm.

Um in dem zweiten Ausführungsbeispiel die Pufferschicht zu bilden, sind GaInP-Schichten 212 in die Al_0,48In_0,52As- Schichten 213 zu jeweils drei auf Seiten des InP-Substrats 211 und der Aktivschicht 214 eingefügt. Es ist jedoch aus reichend, wenn zumindest eine GaInP-Schicht 212 in entweder die Seite des InP-Substrats 211 oder die Seite der Aktiv schicht 214 eingebracht ist. Obwohl die Aktivschicht 214 aus GaInAs gebildet ist und ihr GaAs-Zusammensetzungsver hältnis auf 0,47 eingestellt ist, kann des weiteren das GaAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0 bis 1 geändert wer den.

Das Material zur Bildung der Aktivschicht 214 kann InP, GaInAs, GaInAsP, InSb oder InGaSb sein. Das AlAs-Zusammen setzungsverhältnis jeweils der AlInAs-Abstandsschicht 215, der AlInAs-Trägerzufuhrschicht 216 und der AlInAs-Schottky- Schicht 217 kann von 0,48 bis 1 geändert werden.

Die Dotierungskonzentration kann ein gewünschter Wert sein. Da in dem zweiten Ausführungsbeispiel Elektronen als Träger eingesetzt werden, wird Si als N-Dotierungsmittel verwen det. Jedes andere Dotierungsmittel, z. B. S oder Se, kann verwendet werden, solange es als N-Dotierungsmittel dient. In einem Heteroübergangs-Feldeffekttransistor, der Löcher als Träger verwendet, kann ein P-Dotierungsmittel, bei spielsweise Be oder C, verwendet werden.

Die Fig. 4A und 4B zeigen das dritte Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 4A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des drit ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 4B ist ein Energiebanddiagramm, das den Verlauf des Leitungsbandes der Struktur gemäß Fig. 4A darstellt.

Der in Fig. 4A dargestellte Feldeffekttransistor ist gefer tigt durch Ausbilden auf einem InP-Substrat 311, eines Übergitters 314 (beispielsweise 15 Perioden) aus InP- Schichten 313 (mit beispielsweise einer Filmdicke von 8 nm) und AIGaAs-Schichten 312 (beispielsweise mit einem AlAs-Zu sammensetzungsverhältnis von 0,3 und einer Filmdicke von 2 nm), einer GaInAs-Aktivschicht 315 (beispielsweise mit einem GaAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,47 und einer Filmdicke von 45 nm), einer AlInAs-Abstandsschicht 316 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 4 nm), einer AlInAs- Trägerzufuhrschicht 317 (beispielsweise mit einem AlAs-Zu sammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) und einer AlInAs-Schottky-Schicht 318 (beispiels weise mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) und durch Anordnen von ohm′schen Elektroden (einer Sourceelektrode 319 und einer Drainelektrode 320) und einer Schottky-Elektrode (einer Ga teelektrode 321) auf der Schottky-Schicht 318.

Es soll festgestellt werden, daß Si mit beispielsweise 3 × 10¹⁸ cm^-3 in die Trägerzufuhrschicht 317 dotiert ist. Wenn auf diese Weise das Übergitter 314, das aus den Schichten 313 und den Schichten 312 die das AlP-Zusammen setzungsverhältnis von 0,3 aufweisen, besteht, die aus ei nem zu den Schichten 313 unterschiedlichen Material gefer tigt sind und eine größere Bandlücke als die Schichten 313 und eine von den Schichten 313 unterschiedliche Gitterkon stante aufweisen, die somit als Verzerrungsschicht dienen, als Pufferschicht verwendet wird, kann die Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat 311 vorhanden sind, zur GaInAs-Aktivschicht 315 unterdrückt werden, die pufferschichtdicke kann so klein wie 150 nm gestaltet wer den, und ein Elektronenleitungsweg wird in der Puffer schicht nicht gebildet, wodurch ein Transistor mit guten Pinch-off-Charakteristika erzielt wird.

In dem dritten Ausführungsbeispiel wird als Pufferschicht das Übergitter 314 aus den InP-Schichten 313 und den AIGaAs-Schichten 312 mit einem AlAs-Zusammensetzungsver hältnis von 0,3 verwendet. Das AlAs-Zusammensetzungsver hältnis der AIGaAs-Schichten 312 kann jedoch innerhalb des Bereichs von 0,1 bis 1 geändert werden. Des weiteren können die Schichten 312 mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,3 ersetzt werden durch entweder Al_xIn_1-xAs-Schichten (0,5 x 1), Ga_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1) oder Al_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1) oder sie können ersetzt werden durch zwei oder mehr Arten von Schichten, die ausge wählt werden aus Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Ga_xIn_1-xP (0,1 x 1).

In dem dritten Ausführungsbeispiel bilden die InP-Schichten 313 und die AlGaAs-Schichten 312, die ein AlAs-Zusammenset zungsverhältnis von 0,3 aufweisen, beide das Übergitter mit Filmdicken von 8 nm bzw. 2 nm. Es reicht jedoch insbeson dere, wenn die AlGaAs-Schichten 312, die ein AlAs-Zusammen setzungsverhältnis von 0,3 aufweisen und als Verzerrungs schicht dienen, eine Filmdicke gleich der kritischen Dicke oder weniger aufweisen. Falls die Filmdicke der gesamten Pufferschicht 400 nm überschreitet, sammeln sich Elektronen in der Pufferschicht und können ein Leitungsweg bilden; falls sie geringer als 500 nm ist, kann die Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat vorliegen, in die Aktivschicht und die Diffusion eines Störstoffs, z. B. Fe, des InP-Substrats 311 nicht vollständig verhindert werden. Somit liegt die Gesamtdicke der Pufferschicht vorzugsweise innerhalb des Bereichs von 50 nm bis 400 nm. Obwohl die Ak tivschicht 315 aus GaInAs gebildet ist und ihr GaAs-Zusam mensetzungsverhältnis auf 0,47 eingestellt ist, kann das GaAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0 bis 1 geändert wer den.

Das Material zur Bildung der Aktivschicht 315 kann InP, GaInAs, GaInAsP, InSb oder InGaSb sein. Das AlAs-Zusammen setzungsverhältnis jeder der AlInAs-Abstandsschicht 316, der AlInAs-Trägerzufuhrschicht 317 und der AlInAs-Schottky- Schicht 318 kann von 0,48 bis 1 geändert werden.

Die Dotierungskonzentration kann ein gewünschter Wert sein. Da in dem dritten Ausführungsbeispiel Elektronen als Träger verwendet werden, wird Si als N-Dotierungsmittel verwendet. Jedes andere Dotierungsmittel, z. B. S oder Se, kann verwen det werden, solange es als N-Dotierungsmittel dient.

In einem Heteroübergangs-Feldeffekttransistor, der Löcher als Träger verwendet, kann ein P-Dotierungsmittel, z. B. Be oder C, eingesetzt werden.

Die Fig. 5A und 5B zeigen das vierte Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 5A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des vier ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 5B ist ein Energiebanddiagramm, das den Verlauf des Leitungsbandes in der Struktur gemäß Fig. 5A darstellt.

Der in Fig. 5A dargestellte Feldeffekttransistor wird ge fertigt durch Ausbilden, auf einem InP-Substrat 411, eines Übergitters 414 (z. B. 20 Perioden) aus In_0,52Al_0,48As- Schichten 413 (beispielsweise mit einer Filmdicke von 4 nm) und AlInAs-Schichten 412 (z. B. mit einem AlAs-Zusammenset zungsverhältnis von 0,7 und einer Filmdicke von 2 nm), ei ner GaInAs-Aktivschicht 415 (beispielsweise mit einem GaAs- Zusammensetzungsverhältnis von 0,47 und einer Filmdicke von 45 nm), einer AlInAs-Abstandsschicht 416 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und ei ner Filmdicke von 4 nm), einer AlInAs-Trägerzufuhrschicht 417 (z. B. mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) und einer AlInAs- Schottky- Schicht 418 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusam mensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) und durch Anordnen ohm′scher Elektroden (einer Sourceelektrode 419 und einer Drainelektrode 420) und einer Schottky-Elektrode (einer Gateelektrode 421) auf der Schottky-Schicht 418.

Es soll hier festgestellt werden, daß Si von beispielsweise 3 × 10¹⁸ cm^-3 in die Trägerzufuhrschicht 517 dotiert ist. Wenn in dieser Weise das Übergitter aus den In_0,52Al_0,48As- Schichten 413 und den AlInAs-Schichten 412, die eine größere Bandlücke als die Schichten 413 und eine von den Schichten 413 unterschiedliche Gitterkonstante aufweisen und somit als Verzerrungsschicht dienen, als Pufferschicht verwendet werden, kann die Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat 411 vorhanden sind, zur Aktiv schicht 415 unterdrückt werden, die Pufferschichtdicke kann so klein wie 120 nm gestaltet werden und ein Elektronenlei tungsweg wird in der Pufferschicht nicht gebildet, wodurch ein Transistor mit guten pinch-off-Charakteristika erzielt wird.

In dem vierten Ausführungsbeispiel wird als Pufferschicht das Übergitter aus den In_0,52Al_0,48As-Schichten 413 und den AlInAs-Schichten 412, die ein AlAs-Zusammensetzungsverhält nis von 0,7 aufweisen, verwendet. Das AlAs-Zusammenset zungsverhältnis der AlInAs-Schichten 412 kann jedoch inner halb des Bereichs von 0,5 bis 1 geändert werden. Wenn das AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,5 erhöht wird, wird die Filmdicke (kritische Dicke) vermindert, bei der die AlInAs-Schichten 412 mit guter Kristallinität gebildet wer den können. Somit beträgt das AlAs-Zusammensetzungsverhält nis vorzugsweise 0,55 oder mehr und 0,8 oder weniger. Des weiteren können die Schichten 412 mit einem AlAs-Zusammen setzungsverhältnis von 0,7 ersetzt werden durch entweder Al_xGa_1-xAs-Schichten (0 x 1), Ga_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1) oder Al_xIn_1-xP-Schichten (0,1 x 1) oder sie können ersetzt werden durch zwei oder mehr Arten von Schichten, die ausgewählt werden aus Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Ga_xIn_1-xP (0,1 x 1).

In dem vierten Ausführungsbeispiel haben die Schichten 413 und die Schichten 412, die ein AIAs-Zusammensetzungsver hältnis von 0,7 aufweisen, die beide das Übergitter bilden, Filmdicken von 4 nm bzw. 2 nm. Es reicht jedoch insbeson dere aus, wenn die AlInAs-Schichten 412 mit einem AlAs-Zu sammensetzungsverhältnis von 0,7, die als Verzerrungs schicht dienen, eine Filmdicke gleich der kritischen Dicke oder weniger aufweisen. Falls die Filmdicke der gesamten Pufferschicht 400 nm überschreitet, werden Elektronen in der Pufferschicht angesammelt und können einen Leitungsweg bilden; falls sie weniger als 50 nm beträgt, kann die Fort pflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat 411 vorhanden sind, zur Aktivschicht und Diffusion eines Stör stoffs, z. B. Fe, des InP-Substrats nicht vollständig ver hindert werden. Somit liegt vorzugsweise die gesamte Dicke der Pufferschicht innerhalb des Bereichs von 50 nm bis 400 nm.

Obwohl die Aktivschicht 415 aus GaInAs gebildet ist und ihr GaAs-Zusammensetzungsverhältnis auf 0,47 eingestellt ist, kann das GaAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0 bis 1 geän dert werden. Das Material zur Bildung der Aktivschicht 415 kann InP, GaInAs, GaInAsP, InSb oder InGaSb sein. Das AIAs- Zusammensetzungsverhältnis jeder der Abstandsschicht 416, der Trägerzufuhrschicht 417 und der Schottky-Schicht 418 kann von 0,48 bis 1 geändert werden. Die Dotierungskonzen tration kann ein gewünschter Wert sein.

Da in dem vierten Ausführungsbeispiel Elektronen als Träger eingesetzt werden, wird Si als N-Dotierungsmittel verwen det. Jedes andere Dotierungsmittel, beispielsweise S oder Se, kann eingesetzt werden, sofern es als N-Dotierungsmit tel dient. Bei einem Heteroübergangs-Feldeffekttransistor, der Löcher als Träger verwendet, kann ein P-Dotierungsmit tel, beispielsweise Be oder C, eingesetzt werden.

Das fünfte Ausführungsbeispiel der Erfindung wird mit Bezug auf die Fig. 6A und 6B erläutert.

Fig. 6A ist eine Schnittdarstellung der Struktur des fünf ten Ausführungsbeispiels der Erfindung, und Fig. 6B ist ein Energiebanddiagramm, das den Verlauf des Leitungsbandes der Struktur gemäß Fig. 6A darstellt.

Der in Fig. 6A dargestellte Feldeffekttransistor wird her gestellt durch Ausbilden, auf einem InP-Substrat 511, eines Übergitters 514 (beispielsweise 20 Perioden) aus In_0,52Al_0,48As-Schichten 512 (beispielsweise mit einer Filmdicke von 5 nm) und InP-Schichten 513 (beispielsweise mit einer Filmdicke von 5 nm), einer GaInAs-Aktivschicht 515 (beispielsweise mit einem GaAs-Zusammensetzungsverhält nis von 0,47 und einer Filmdicke von 45 nm), einer AlInAs- Abstandsschicht 516 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusam mensetzungsverhältnis von 0,48 und einer Filmdicke von 4 nm), einer AlInAs-Trägerzufuhrschicht 517 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhältnis von 0,48 und ei ner Filmdicke von 15 nm) und einer AlInAs-Schottky-Schicht 518 (beispielsweise mit einem AlAs-Zusammensetzungsverhält nis von 0,48 und einer Filmdicke von 15 nm) in Folge und Anordnen von ohm′schen Elektroden (einer Sourceelektrode 519 und einer Drainelektrode 520) und einer Schottky-Elek trode (einer Gateelektrode 521) auf der Schottky-Schicht 518. Es soll festgestellt werden, daß Si mit beispielsweise 3 × 10¹⁸ cm^-3 in die AlInAs-Trägerzufuhrschicht 519 dotiert ist.

Wenn auf diese Weise das Übergitter, das aus den Schichten 512 und den Schichten 513, die aus einem anderen Material als die Schichten 512 bestehen, als Pufferschicht verwendet wird, kann die Fortpflanzung von Versetzungen, die in dem InP-Substrat 511 vorhanden sind, zu der Aktivschicht unter drückt werden, die Pufferschichtdicke kann so klein wie 200 nm gestaltet werden, und ein Elektronenleitungsweg wird in der Pufferschicht nicht gebildet, wodurch ein Transistor mit guten Pinch-off-Charakteristika erzielt wird.

In dem fünften Ausführungsbeispiel haben die In_0,52Al_0,48As-Schichten 512 und die InP-Schichten 513, die zusammen das Übergitter bilden, eine Filmdicke von 5 nm. Die Schichten, die das Übergitter bilden, können jedoch eine gewünschte Dicke aufweisen. Es soll festgestellt wer den, daß, falls die Filmdicke der gesamten Pufferschicht 400 nm überschreitet, Elektronen in der Pufferschicht ge sammelt werden, die einen Leitungsweg bilden können; falls sie geringer als 50 nm ist, kann die Fortpflanzung von Ver setzungen, die in dem InP-Substrat 511 vorhanden sind, zur Aktivschicht und die Diffusion eines Störstoffs, beispiels weise Fe, des InP-Substrats 511 nicht vollständig verhin dert werden. Somit liegt die Gesamtdicke der Pufferschicht vorzugsweise innerhalb des Bereichs von 50 nm bis 400 nm.

Obwohl die Aktivschicht 515 aus GaInAs-Schichten gebildet ist und ihr GaAs-Zusammensetzungsverhältnis auf 0,47 einge stellt ist, kann das Material zur Bildung der Aktivschicht 515 durch InP, GaInAsP, InSb oder InGaSb ersetzt werden und das GaAs-Zusammensetzungsverhältnis kann von 0 bis 1 geän dert werden.

Das AlAs-Zusammensetzungsverhältnis jeder der Trägerzufuhr schicht 517 und der Schottky-Schicht 518 kann von 0,48 bis 1 geändert werden.

Die Dotierungskonzentration kann ein gewünschter Wert sein.

Da im fünften Ausführungsbeispiel Elektronen als Träger verwendet werden, wird Si als N-Dotierungsmittel verwendet. Jedes andere Dotierungsmittel, beispielsweise S oder Se, kann verwendet werden, sofern es als N-Dotierungsmittel dient. Bei einem Heteroübergangs-Feldeffekttransistor, der Löcher als Träger einsetzt, kann ein P-Dotierungsmittel, beispielsweise Be oder C, eingesetzt werden.

Claims

1. Heteroübergangs-Feldeffekttransistor mit einem InP- Substrat und einer Pufferschicht, die zwischen dem InP-Sub strat und einer Aktivschicht, in der Träger wandern, ausge bildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht zumindest zwei Perioden von Übergittern aufweist, wobei je des Übergitter aus zumindest einem Halbleiter, der aus der Gruppe Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Ga_xIn_1-xP (0 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1) ausge wählt ist und zumindest einem aus InP und In_0,52Al_0,48As ausgewählten Halbleiter gebildet ist.

2. Heteroübergangs-Feldeffekttransistor mit einem InP- Substrat und einer Pufferschicht, die zwischen dem InP-Sub strat und einer Aktivschicht, in der Träger wandern, ausge bildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht zumindest eine Schicht aus der Gruppe Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Ga_xIn_1-xP (0 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1) und eine InP- Schicht aufweist.

3. Heteroübergangs-Feldeffekttransistor mit einem InP- Substrat und einer Pufferschicht, die zwischen dem InP-Sub strat und einer Aktivschicht, in der Träger wandern, ausge bildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht mindestens eine Schicht aus Al_xIn_1-xP (0,1 x 1), Ga_xIn_1-xP (0 x 1), Al_xGa_1-xAs (0 x 1) und Al_xIn_1-xAs (0,5 x 1) und eine In_0,52Al_0,48As-Schicht aufweist.

4. Transistor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet, daß der Molenbruch von AlP in der Zusammen setzung der AlInP-Schicht vorzugsweise in den Bereich von 0,2 bis 0,5 fällt.

5. Transistor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet, daß der Molenbruch von an GaP in der Zusam mensetzung der GaInP-Schicht vorzugsweise in den Bereich von 0,2 bis 0,5 fällt.

6. Transistor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet, daß der Molenbruch von AlAs in der Zusammen setzung der AlGaAs-Schicht vorzugsweise 0,3 beträgt.

7. Transistor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet, daß der Molenbruch von AlAs in der Zusammen setzung der AlInAs-Schicht vorzugsweise in den Bereich von 0,55 bis 0,8 fällt.

8. Transistor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet, daß die Pufferschicht eine Gesamtdicke inner halb des Bereichs von 50 nm bis 400 nm aufweist.

9. Transistor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge kennzeichnet, daß das Material der Aktivschicht zumindest ein aus der Gruppe GaInAs, InP, GaInAsP, InSb oder InGaSb ausgewähltes Material ist.

10. Transistor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Molenbruch von GaAs in der Zusammensetzung der Ak tivschicht vorzugsweise innerhalb eines Bereichs von 0 bis 1 liegt.

11. Heteroübergangs-Feldeffekttransistor, der durch se quentielles Ausbilden eines Übergitters erhalten wird, das aus zumindest zwei Perioden von In_0,52Al_0,48As-Schichten und InP-Schichten, einer GaInAs-Aktivschicht, einer AlInAs- Abstandsschicht, einer AlInAs-Trägerzufuhrschicht und einer AlInAs-Schottky-Schicht auf einem InP-Substrat erhalten wird, und durch Anordnen einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Gateelektrode auf der resultieren den Struktur.

12. Transistor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich net, daß die Pufferschicht eine Gesamtdicke innerhalb des Bereichs von 50 nm bis 400 nm aufweist.

13. Transistor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich net, daß der Molenbruch von GaAs in der Zusammensetzung der Aktivschicht vorzugsweise in den Bereich von 0 bis 1 fällt.

14. Transistor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich net, daß der Molenbruch von AlAs in der Zusammensetzung der Abstandsschicht, der Trägerzufuhrschicht und der Schottky- Schicht vorzugsweise in einen Bereich von 0,48 bis 1,0 fällt.