DE1959629A1 - Bedingt geschalteter Feldeffektkondensator - Google Patents

Bedingt geschalteter Feldeffektkondensator

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DE1959629A1 DE19691959629 DE1959629A DE1959629A1 DE 1959629 A1 DE1959629 A1 DE 1959629A1 DE 19691959629 DE19691959629 DE 19691959629 DE 1959629 A DE1959629 A DE 1959629A DE 1959629 A1 DE1959629 A1 DE 1959629A1
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Description

1959529
North American Rockwell Corporation, El Segundo, Calif./USA
Bedingt geschalteter Feldeffektkondensator '
Die Erfindung bezieht sich auf einen Feldeffektkondensator, der seine Kapazität als Funktion einer angelegten Spannung zwischen einer Unterlage und einer Eingangselektrode umschaltet, und insbesondere auf einen Kondensator mit einer festen Platte und einer weiteren Platte, die durch Hervorrufen einer Leitfähigkeitsänderung in einem Halbleiterbereich erzeugt wird, der durch die feste Platte überdeckt ist.
In Feldeffektschaltungsanordnungen ist es häufig nützlich, wahlweise die Spannung an der Steuerelektrode einer Feldeffektanordnung als Funktion der ursprünglichen Steuerelektrodenspannung zu erhöhen. Wenn z.B. die Steuerelektrodenspannung an einer P-Kanal-MOS-Anordnung negativ ist, ist es erwünscht, sie für Ansteuerzwecke negativer zu machen. Wenn jedoch die Steuerelektrode mit Massepotential verbunden ist, sollte sie auf Massepotential bleiben. Es ist somit eine Anordnung erforderlich, die als Funktion der ursprünglichen Steuerelektrodenspannung zwischen Masse und einer Eingangsspannung umschalten kann. Die Unterlage, in der die MOS-Anordnung gebildet ist, ist gewöhnlich auf Masse bezogen. .
Es wird eine Anordnung beschrieben, die die schaltbaren Eigenschaften der Oberflächenumkehr verwendet, wie sie in dem Kanal von Feldeffekttransistoren auftritt, um einen Kondensator als Funktion einer an eine feste Platte des Kondensators angelegten Spannung zu schaffen. Durch Änderung der angelegten Spannung kann.die Kapazität zwischen Masse und einer Eingangselektrode, die mit einer Spannungsquelle zum Erhöhen der Spannung an der Steuerelektrode verbunden ist, umgeschaltet werden.
009639/1286
■;1 95962a
Die vorliegende Erfindung schafft eine Schaltung mit einer Eingangselektrode, einem Kondensator mit einer festen Platte und einer zweiten Platte, die als Funktion einer an die feste Platte angelegten Spannung bedingt mit der Eingangselektrode verbunden ist.
Figur 1 ist eine Schnittansicht einer Spannungserhöhungsschaltung mit einem bedingt schaltbaren Kondensator. .
Figur 2 ist eine Draufsicht der Schaltung von Figur 1 bei Anwendung in einer Gatterschaltung.
Figur 3 ist eine schematische Darstellung der Schaltung von Figur 1 bei Anwendung in einer Gatterschaltung.
Figur 1 zeigt eine Spannungserhöhungsschaltung 1, die aus einer Unterlage 2 und einem Bereich 3 besteht, der innerhalb der Unterlage angeordnet ist. Die Unterlage kann z.B. n-leitendes Halbleitermaterial, wie Silizium, und der Bereich 3 p-leitendes Halbleitermaterial sein, das innerhalb der Unterlage durch bekannte Diffusionstechniken gebildet ist.
Es ist selbstverständlich, daß die Unterlage auch ein p-leitendes Halbleitermaterial und der Halbleiterbereich 3 ein n-leitendes Halbleitermaterial sein könnte. Die Erfindung ist hier anhand einer Unterlage 2 beschrieben, die ein η-leitendes Material ist, und eines Bereiches 3* der ein p-leitendes Material ist. Wenn die Halbleitermaterialien vertauscht werden, müssen die Polaritäten der Spannungen entsprechend geändert werden.
Die Oberflächen der Unterlage 2 und des Bereiches 3 sind mit einer dielektrischen Schicht 4 bedeckt, die aus einem Oxyd, Nitrat oder einem ähnlichen bekannten Isoliermaterial besteht. Eine Öffnung 5 ist in der dielektrischen Schicht 4 gebildet, um einen Metallkontakt 6 auf dem Bereich 3 anzuordnen und damit eine Eingangselektrode für die Schaltung 1 zu schaffen«
U U » β J 3 / 1400 ORfGINAt fNSPECTED
195 93-29
Eine Metallplatte 7 ist über dem Bereich 10 der Unterlage augeordnet. Der Bereich 10 grenzt an den Bereich 3 an., Die Metallplatte 7 und der Bereich 10 sind durch eine relativ dünne dielektrische Schicht 11 getrennt. Die Schicht aus Dielektrikum 1st relativ dünn, so daß dann, wenn an die Platte 7 eine Spannung angelegt wird, die den Umkehrsschwellwert dar Unterlage 2 übersteigt, In dem Bereich 10 eine Oberfläohenumkehr eintritt, wie nachfolgend beschrieben ist. Die Leitung Qs die mit der Metallplatte 7 verbunden ist, bildet einen leitenden Weg zu und von der Metallplatte,
Die Metallplatte 7, die Leitung 8 sowie der Kontakt 6 können g durch bekannte Niedersöhlagstechniken gleichseitig erzeugt werden.
Es 1st selbstverständlich, daß die1 Schnittansicht von Figur 1 eine Darstellung eines wesentlich übertriebenen Querschnitts eines Halbleiterchips ist, in dem während'eines einzigen Prozesses vielleicht Tausend solcher Schaltungen erzeugt werden können. Zum Zwecke der Erläuterung ist jedoch nur eine Schaltung dargestellt.
Wenn eine die ümkehrschwellenspannung des Unterlagenn.ateriaXs übersteigende Spannung mit Hilfe der Leitung 8 an die Metallplatte 7 gelegt wird, wird der durch die Platte 7 abgedeckte ( Bereich 10 veranlaßt, seine Leitfähigkeit vom r.-leitenden Material in die von p-leitenden Material zu ändern. Die Vorstellung der Oberflächenumkehrung, die zur Erläuterung der Änderung der Leitfähigkeit benutzt werden kann, ist den Fachleuten bekannt. Die Tiefe des induzierten p-leiteiiden Bereiches ist durch die gestrichelte Linie 9 angedeutet» Die Kombination des induzierten Bereichs 9 und der Metallplatte 7 bildet einen Kondensator., der eine Ladung speichert, die der durch die Leitung 8 und den Kontakt 6 angelegten Spannung proportional ist.
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Wenn anschließend eine negative Spannung an den Kontakt 6 angelegt wird, tritt zwischen dem diffundierten p-Bereich 3 und dem induzierten p-Bereich 9 ein Strom auf, um die Spannung an der Leitung 8 zu erhöhen. Wie nachfolgend beschrieben, kann die erhöhte Spannung dazu benutzt werden, die Steuerspannung an der Steuerelektrode einer Feldeffektschaltanordnung zu erhöhen.
Wenn die Spannung an der Leitung 8 unter die Umkehrschwellenspannung der Unterlage 2 gesenkt wird, beispielsweise durch Verbinden der Leitung mit Masse, wird der Kondensator nach Masse entladen,und der induzierte p-Bereich kehrt zu seiner normalen n-Leitfähigkeit zurück. Im Effekt wird der Kondensator zwischen dem Bereich 2 und der Unterlage 2 umgeschaltet. Normalerweise liegt die Unterlage auf Massepotential. Wenn die Kapazität zu der Unterlage umgeschaltet ist, dann erhöht eine an der Eingangselektrode erscheinende Spannung nicht die Spannung an dem Kontakt 8. .
Figur 2 zeigt eine Draufsicht des Ausführungsbeispiels von Figur 1 mit MOS-Anordnungen 12 und I^ ·. Alle Anordnungen der Schaltung werden von der Unterlage 2 getragen oder befinden sich in ihr. Obgleich sie durch eine dielektrische Schicht 4 abgedeckt sind, sind der Bereich 3 und andere diffundierte ,Bereiche normalerweise, wie gezeigt, durch die dielektrische Schicht 4 hindurch sichtbar. ■'-.',
Die Leitung 14 ist mit dem Kontakt 6 verbunden dargestellt, der zusammen mit dem Bereich j5 die Eingangselektrode 15 für die Schaltung 1 bildet. Eine Spannung wird der Eingangselektrode über die Leitung 14 zugeführt.
Die Leitung 8 bildet die Steuerelektrode 16 für die MOS-Anordnung 12. Es sind außerdem Teile von Elektroden 17 und 18 der MOS-Anordnung 12 dargestellt. Die Metallkontakte für die Elektroden sind jedoch nicht gezeigt, obgleich sie in Figur 3 sche-' matisch dargestellt sind. Die Leitung 8 endet in einem Bereich
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19, der mit dem p-Bereioh 20 die Elektrode 21 einer MOS-Anoranung 13 bildet. Die Steuerelektrode 22 und der p-Bereich der anderen Elektrode 23 (der nicht vollständig gezeigt ist) sind ebenfalls dargestellt.
" Zum Zwecke der Beschreibung der Arbeitsweise der Schaltung 1 wird angenommen, daß eine negative Spannung an den p-Bereioh der Elektrode 23 angelegt ist. Wenn die Anordnung 13 eingeschaltet wird, dann wird im wesentlichen die Spannung an der Elektrode 23 über die Leitung 8 an die Platte 7 gelegt. Wenn die Spannung größer ist als die Umkehrschwelle der Unterlage 2, tritt eine Oberflächenumkehrung ein; und der n-Bereich 10 andert sich in einen p-Bereich. Wenn sie geringer ist als der Schwellwert, tritt keine Änderung ein. Der induzierte p-Bereich bildet eine Kondensatorplatte, die an den p-Bereich 3 angrenzt. Zwischen der festen Platte 7 und der Schaltplatte 9 wird eine der angelegten Spannung proportionale Ladung gespeichert. Wenn dann eine Spannung an die Elektrode 15 der Schaltung 1 angelegt wird, nachdem die Anordnung 13 eingeschaltet worden ist, tritt zwischen dem Bereich 3 und dem induzierten Bereich 9 ei» Strom auf. Als Folge davon steigt die an der Platte 7 erscheinende Spannung an, und zwar annähernd um den Wert der an der Elektrode 15 angelegten Spannung, vorausgesetzt, daß die Kapazität zwischen den Platten 7 und 9 viel größer ist als die Eigenkapazität der Leitung 8, der Elektrode 16 und der Elektrode 21. Andernfalls wird die Zunahme der Plattenspannung so verringert, wie Eigenkapazität relativ zu der Kapazität zwischen den Platten 7 und 9 zunimmt.
Wenn die Spannung an der Metallplatte unter die Urakehrschwellenspannung der Unterlage 2 sinkt, verschwindet der induzierte p-Bereioh 9 und die Kapazität schaltet vom Bereich 3 zu der Unterlage 2 um. Gewöhnlich ist die Unterlage mit Masse verbunden, obgleich sie auch mit einer Bezugsspannung vorgespannt werden könnte. Wenn der Kondensator zu der Unterlage umgeschaltet ist,
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wird ein Signal an der Eingangselektrode 15 nicht durch den Be- t reich-9-zu der Platte gekoppelt und die Steuerelektrode 16 der Anordnung 12 bleibt annähernd auf Masse.
Figur 3 ist eine schematische Darstellung des Ausführungsbeispiels von Figur 2 und umfaßt eine zusätzliche MOS-Anordnung zur Bildung einer vierphasigen (4 0) Gatterschaltung. Diejenigen Anordnungen von Figur 2, die auch in Figur 3 auftreten, sind in gleicher Welse nummeriert. Die Figur zeigt außerdem eine MOS-Anordnung 24, an deren Steuerelektrode 25 ein Mehrphasensignal 0r+2 liegt und deren eine von den übrigen Elektroden, 26, mit einer Spannungsquelle -V verbunden ist. Ihre andere Elektrode, 27, ist mit der Klemme 28 eines Netzwerkes 29, das eine logische Funktion erfüllt, und mit der Elektrode 23 der MOS-Anordnung 13 verbunden.
Das Netzwerk 29 besitzt eine zweite Klemme, 30* an der das Mehrphasensignal 01+2 liegt. Obgleich die logische Funktion des Netzwerks so dargestellt ist, daß sie nur eine einzige MOS-Anordnung 31 umfaßt, ist es selbstverständlich, daß das Ausführungsbeispiel nur dazu benutzt wird, einen einfachen Fall zu erläutern. Bei anderen AusfUhrungsbeispielen können verschiedene Kombinationen von MOS-Anordnungen dazu benutzt werden, unterschiedliche logische Funktionen zu erfüllen»
Die Klemme 28 des Netzwerks ist außerdem mit der Elektrode 23 der MOS-Anordnung I3 verbunden (teilweise in Figur 1 gezeigt). An der Steuerelektrode 22 der Anordnung I3 liegt ein zweites Mehrphasensignal 02+3« Die Elektrode 21 ist über eine Leitung 8 mit der Steuerelektrode 16 der MOS-Anordnung 12 und der festen Platte 7 des bedingt schaltbaren Kondensators 32 verbunden. /
Ein Netzwerk 33 erfüllt eine logische Funktion und umfaßt eine •MOS-Anordnung 12, an deren Elektrode 17 ein drittes Mehrphasensignal 0·2+4 liegt und deren andere Elektrode, 18, mit der Elektrode 34 einer MOS-Anordnung 35 und der Elektrode 36 einer
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MOS-Anordnung 37 verbunden ist. Obgleich die logische Funktion des Netzwerks so dargestellt ist, daß sie nur eine einzige MOS-Anordnung umfaßt, ist es selbstverständlich, daß das Ausführungsbeispiel nur dazu benutzt wird, einen einfachen Fall zu erläutern. In anderen AusfUhrungsbeispielen können-verschiedene Kombinationen von MOS-Anordnungen dazu benutzt werden, unterschiedliche logische Funktionen zu erfüllen.
An der Steuerelektrode 38 der MOS-Anordnung 35 liegt das dritte Mehrphasensignal 0-z.u und die Elektrode 39 ist mit einer Spannungsquelle -V verbunden. An der Steuerelektrode 40 der MOS-Anordnung 37 liegt das vierte Mehrphasensignal 0^1, und die andere Elektrode, 41, der Anordnung ist mit der Ausgangsklemme ver- ä bunden.
Das vierte Mehrphasensignal 0^+1 liegt außerdem an der Eingangsklemme I5 des bedingten Kondensators 32. Die schaltbare Platte 9 des Kondensators ist durch die gestrichelte Linie dargestellt, um die Platte von der mit der durchgehenden Linie dargestellten festen Platte 7 zu unterscheiden.
Im Betrieb wird während der Zelt 0± die MOS-Anordnung 24 eingeschaltet, und die eigene (nicht dargestellte) Elektrodenkapazität, die mit der MOS-Anordnung 3I des Netzwerks 29 verbunden ist, wird etwa auf -V vorauf geladen. An der Klemme 30 liegt das Mehrphasensignal 0j_+p* so daß beide Klemmen des Netzwerks 29 f während der Zelt 0, auf einem Spannungspegel liegen. Für das gezeigte Ausftlhrungsbeispiel kann angenommen werden, daß der Spannungspegel von -V und der (negative) Eins-Spannungspegel des Mehrphasensignals ungefähr gleich sind. Als Folge davon tritt durch die Anordnungen 24 und 35 ein Schwellwertyerlust ein.
Während der Zeit 02 werden die MOS-Anordnungen 13, 24 und 29 eingeschaltet, um etwa die Spannung -V (verringert um einen Schwellwert) an die Platte 7 des bedingt geschalteten Kondensa-
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tors 32 zu legen. Es sei angenommen, daß die Spannung größer ist als die Umkehrschwellspannung des Bereichs 1.0 der Unterlage 2 (siehe Figur 1), so daß der Bereich 9 induziert wird, um die zweite Platte des Kondensators zu bilden. Die Kapazität des . Kondensators 32 wird deshalb von der Unterlage zu der Eingangselektrode I5 umgeschaltet und eine Ladung, die der angelegten Spannung proportional ist, zwischen den Platten des Kondensators gespeichert. Die Eigenkapazität 45, die die Eigenkapazität der Leitung 8, der Elektrode 16 und der Elektrode 21 darstellt, wird ebenfalls während der Zeit 0« aufgeladen.
Die Elektrode I5 von Schaltung 1 ist während der Zeit 0O mit Massepotential (Null) verbunden, da das Signal 0Ji+1 Null ist. Da an der Platte 7 des Kondensators ein negativer Spannungspegel auftritt, wird die MOS-Anordnung 12 eingeschaltet* Da jedoch05+4 während der Zeit 02 Null ist und da der Transistor während der Zeit 02 ausgeschaltet ist, wird der Betrieb der Schaltung nicht beeinflußt.
Während der. Zeit 0, bleibt die MOS-Anordnung I3 eingeschaltet,, weil das Signal 02+3 Eins ist, und der Zustand der logischen Funktion, dargestellt durch ein Netzwerk 29, wird ausgewertet. Wenn sie Eins .ist und deshalb die MOS-Anordnung 3I eingeschaltet ist, wird der durch den Nullzustand von 0^+2 dargestellte ^ Massepegel an die Platte 7 des bedingten Kondensators 32 ange-™ legt. Als Folge davon wird der Kondensator entladen und die Platte 9, die durch· die Oberflächenumkehr bewirkt wird, wird zu der Unterlage 2 zurückgeschaltet. Die MOS-Anordnung 3>5 wird ebenfalls während der Zeit 0-, eingeschaltet, da 0-^u Eins ist, so daß etwa -V (verringert um einen Schwellwert) an die Klemme 46 des Netzwerkes 33 angelegt wird, um die (nicht dargestellte) Eigenkapazität des Netzwerkes 33 voraufzuladen. Das Taktsignal 0-*+^ liegt außerdem während der Zeit 0-,+ h an der Klemme 44 des Netzwerkes 33.
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t Während der Zeit 0u wird die mit der Ausgangsklemrae 42 verbun-. dene Eigenkapazität 43 unbedingt auf etwa -V (verringert um einen Schwellwert) aufgeladen.
Während der Zeit 0·, wird der logische Zustand der durch das Netzwerk 33 verwirklichten logischen Punktion bewertet. Die MOS-Anordnung 37 ist eingeschaltet und der Ausgang 42 wird bedingt mit der Klemme 44 des Netzwerkes 33 verbunden, und zwar als eine Punktion des Zustandes der durch die MOS-Anordnung 12 dargestellten logischen Punktion. Wenn angenommen wird, daß der logische Zustand des Netzwerkes 29 während der Bewertungszeit 0-, Null gewesen wäre, dann wäre die Ladung auf dem Kondensator ä 32 festgehalten worden, so daß die Platte 9 ausgebildet und mit der Eingangsklemme 15 verbunden worden wäre. Danach, während der Zeit 0u, wird die Spannung an der Steuerelektrode 16 der MOS-Anordnung 12 um einen Betrag erhöht, der dem Taktsignal $4+l proportional ist, so daß während der Zeit 0^ die Steuerspannung für die Anordnung vergrößert und die Ausgangsklemme 42 mit dem Massepotential an der Klemme 44 verbunden wird. Es wird darauf hingewiesen, daß die Spannung an der Steuerelektrode 16 als eine Punktion des Verhältnisses zwischen der Eigenkapazität 45 und der Kapazität des bedingt geschalteten Kondensators ansteigt. Wenn der Kondensator 32 viel größer als die Kapazität 45 ist, dann nimmt die Spannung etwa um das Signal 0η+± zu. Wenn Jedoch die Kapazität 45 relativ zu dem Kondensator 32 zu- ' nimmt, wird die Zunahme der Spannung verringert.
Als eine Folge der Zunahme der Steuerspannung, oder der stärkeren Ansteuerung der Anordnung, wie es gewöhnlich beschrieben wird, wird zwischen den Klemmen 42 und 44 ein Weg geringerer Widerstandes hervorgerufen. Der Kondensator 43 wird schneller entladen, als es ohne die erhöhte Steuerspannung der, Fall wäre. Außerdem gleicht die erhöhte Spannung Störungen aus, die auf die Steuerelektrode 16 gekoppelt werden, und sonst die Spannung an der Steuerelektrode verringern könnten.
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Wenn die logische Funktion 29 während der Zelt 0, Eins gewesen wäre, wäre die Ladung in dem Kondensator 32 abgeleitet worden. Als Folge davon, würde während der Zeit 0, der Ausgang 42 unverändert bleiben, weil die logische Funktion 33 Null wäre.
Obgleich die speziellen AusfUhrungsbeispiele hier anhand von MOS-Anordnungen beschrieben wurden, ist es selbstverständlich, daß auch andere Transistoranordnungen, wie z.B. MNS-Anordnungen, MNOS-Anordnungen oder andere Verstärkungsfeldeffektanordnungen verwendet werden könnten.
Obgleich die Erfindung unter Bezugnahme auf mehrere in Verbindung damit konstruierte körperliche Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, ist es für Fachleute auf diesem Gebiet klar, daß verschiedene Abwandlungen und Verbesserungen vorgenommen werden können, ohne den Umfang Und das Wesen der Erfindung zu verlassen.
Es soll darauf hingewiesen werden, daß die Größe der Kapazität zwischen der festen Platte und der Unterlage als Funktion der angelegten Spannung variiert. Infolge dessen ist es möglich, einen parametrischen Verstärker zu schaffen, der die in Figur 1 gezeigte Struktur aufweist. In diesem Fall würde nach dem Anlegen einer festen Vorspannung an die Platte 7 eine Wechselspannung an die Platte angelegt. Danach würde eine andere Spannung an die Eingangselektrode angelegt. Als Folge der Änderung der Kapazität durch die Wechselspannung würde das Ausgangssignal an der festen Platte verstärkt werden.
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Claims (8)

  1. ■ 1959623
    Pa tea tanspr liehe
    ) Schaltungsanordnung, gekennzeichnet durch eine Eingangslclemrae (3, 6), einen Kondensator mit einer festen Platte (7) und einer zweiten Platte (9), die als Punktion einer an die feste Platte angelegten Spannung bedingt mit der Eingangselektrode verbunden ist.
  2. 2.) Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangselektrode einen in einer Unterlage (2) angeordneten Halbleiterbereich (3) umfaßt, daß die feste Platte übe'r einem Bereich (10) der Unterlage angeordnet ist, der an den ersten Halbleiterbereich angrenzt, und daß die zweite Platte in diesem Bereich bedingt» als Punktion einer an die feste Platte zum Umschalten der Kapazität zwischen der Unterlage und der Eingangselektrode angelegten Spannung, erzeugt wird.
  3. 3·) Feldeffektschaltungsanordnung mit Halbleiterbereichen, gekennzeichnet durch eine Metallplattenanordnung (7)* die über einem Halbleiterbereich (10) mit einer Art von Leitfähigkeit angeordnet ist, eine Elektrodenanordnung (3« 6), die einen Halbleiterbereich (3) einer anderen Art von Leitfähigkeit um» faßt, der an den ersten Halbleiterbereich angrenzt.
  4. 4.) Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch Mittel zum Anlegen einer ersten Spannung an die Platte (7) zum Hervorrufen einer Änderung der Art der Leitfähigkeit des ersten Halbleiterbereiches in die Art der Leitfähigkeit des zweiten Halbleiterbereiches zum Ausbilden eines Speicherkondensators.
  5. 5.) Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch Mittel zum Anlegen einer zweiten Spannung an die Elektrodenanordnung zum Erhöhen der Spannung an der Metallplatte um einen Betrag, der der zweiten angelegten Spannung proportional ist.
  6. 6.) Schaltungsanordnung nach Anspruch 5* gekennzeichnet durch eine Feldeffektanordnung (12) mit einer Steuerelektrode (16),
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    die mit der Platte (7) verbunden ist zum relativ starken Einschalten der Anordnung im Vergleich zu der ersten Spannung und der Erhöhung der Spannung, wodurch der effektive Widerstand der Anordnung verringert wird.
  7. 7.) Schaltungsanordnung nach Anspruch 3* gekennzeichnet durch Mehrphasensignale (0) und Mittel zum Anlegen einer ersten Spannung an die Metallplatte während eines Intervalls des Mehrphasensignals, wobei die Spannung eine Größe hat zum Hervorrufen einer Änderung in dem ersten Haibleiterbereich in einen Halbleiterbereich, der die zweite Art von Leitfähigkeit besitzt, durch eine Logikanordnung (29), die während eines zweiten Intervalls des Mehrphasensignals mit der Platte verbunden ist, durch Mittel zum bedingten Verbinden der Platte mit Masse während des zweiten Intervalls des Mehrphasensignals als Funktion des logischen Zustand der Logikanordnung, und durch Mittel zum Anlegen einer zweiten Spannung an die Elektrodenanordnung während eines dritten Intervalls des Mehrphasensignals zum Erhöhen der Spannung an der Platte, wenn die logische Funktion während des zweiten Intervalls Null war.
  8. 8.) Schaltungsanordnung nach Anspruch 7t gekennzeichnet durch eine Feldeffektanordnung (12) mit einer Steuerelektrode (16), die mit der Platte (7) verbunden ist, um die Anordnung als Folge der angelegten Spannungen einzuschalten.
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    Leerseite
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