DE1958618C - Anpassungsschaltkreis zur Umwand lung niedriger Spannungsimpulse in solche die in anderen Kreisen verwendbar sind - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Schaltkreis zur Umwandlung relativ niedriger Spannungsimpulse in in anderen Kreisen — beispielsweise MOS-Rechnerkreisen — verwendbare Impulse, bestehend aus zwei in Serie angeordneten Feldeffekttransistoren, wobei der den beiden Feldeffekttransistoren gemeinsame Schaltungspunkt mit einer Ausgangsklemme verbunden ist.

Die in Schaltungen eines MOS-Computers angeordneten MOS-Elemente benötifen zur gegenseitigen Kopplung Spannungsimpulse relativ großer Amplitude, d. h. beispielsweise 10 bis 15 Voit. Da der Energiebedarf dem Quadrat der Signalspannung proportional ist, tritt in dem System infolge r"cr hohen Spannung ein beträchtliches Grundrauschen auf. E<; ist deshalb eir.e Kopplungselektronik anzustreben, die die Kopplung der MOS-Anordi ungen mittels Impulsen geringer Spannung erlaubt.

Es sind bereits Anordnungen mit in Serien verbundenen Transistoren, bei welchen die Eingangsimpulse der Steuerelektrode zugeführt werden, während die Ausgangssignale von einem Verknüpfungspunkt zwischen den Transistoren abgeleitet werden. Bei einer dieser Anordnungen (s. »Elektronics« Vol. 40, Heft 24, S. 81) wird dabei eine Stromveistärkungifunktion durchgeführt. Ferner ist ein Schieberegister bekannt (s. »IBM Technical Disclosure Bulletin« Nr. 8, S. 1047 bis 1049), bei welchem Spannungswerte größer als der MOS-Schwellwert notwendig sind. Schließlich ist eineSchaltanordnungbekaruit(s. »Electronics«, 30. Nov. 1964, S. 58), bei welcher die Signaleingänge dem Gatter eines Transistorkreises zugeführt werden.

Im Hinblick auf diesen Stand der Technik ist es Ziel der vorliegenden Erfindung, einen relativ einfach gebauten Schaltkreis zur Umwandlung relativ niedriger Spannungsimpulse zu schaffen, bei welcher störende Einflüsse das Grundrauschen des Systems vermieden werden.

Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß die Gatterelektrode des ersten Feldeffekttransistors mit einer derartigen Vorspannungsauelle verbunden ist.daß

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er in Abhängigkeit von den Eingangsimpulsen leitfähig gemacht ist, wobei die Vorspannung größer als die Schwellwertspannung des ersten Feldeffekttransistors gewählt ist, während der über die Schwciiw-ertspannung hinausgehende Spannungswert nicht größer als der maximal erwartbare Spannungsimpuls ist, und daß eine Quellen- bzw. Abflußelektrode des zweiten Feldeffekttransistors mit der einen relativ hohen Spannungswert aufweisenden Betriebsspannungsquelle verbunden ist, während seine Gatterelektrode mit einer Taktimpuls- bzw. Betriebsspannungsquelle verbunden ist, derart, daß er wenigstens während der Zeit leitfähig gemacht ist, während welcher der Eingangsimpuls kleiner oder gleich dem über die Schwellwertspannung hinausgehenden Spannungswert ist, wodurch die Auscingsklemme den Spannungswert der Betriebsspannungsquelle erhält.

H:e Schaltungsanordnung gemäß der vorliegenden Er ndung weist eingangsseitig einen ersten Feldeffektjr.-: -.istor auf, dessen Gatterelektrode eine geringfügig üKr einem Schwellwert liegende Vorspannung erhält. I; Igedessen läßt sich c .ser Feldeffekttransistor di. ^h Spannungen steuern, welche kleiner als die Vorsp-ünung sind. Die Vorspannung darf dabei kein p.-vt-ntial aufweisen, welches großer als die maximale Λ plitude der Eingangsimpulse ist. Wenn die Größe Oi ? ingangsimpulse von annähernd Massepoientialauf tu : itives Potential sich ändert, darf die Vorspannung r.¹ nt negativer als die maximale negative Größe des (-!■'yangsimpulses sein. Wenn die Größe der Impulse b gegen zwischen annähernd Massepotential und e cm positiven Potential sich ändert, darf die Vorv. ."inung nicht positiver als die maximale positive ( ..>ße der Eingangsimpulse sein.

!.'er erste Feldeffekttransistor ist mit einem als V, Verstand arbeitenden zweiten Feldeffekttransistor i:·; "eihe geschaltet, welcher mit seiner Ausgangseuktrode an den ersten Feldeffekttransistor angeschlos-Nt :i ist. Bei eingeschaltetem erstem Feldeffekttransistor fiiit praktisch die ganze Spannung der Betriebsspann'ingsquelle am zweiten Feldeffekttransistor ab, so daß d.·· Ausgangselektrode annähernd an Masse liegt. Bei .i¹ geschaltetem erstem Feldeffekttransistor steht hingegen an der Ausgangsklemme eine nutzbare Ausgangsspannung an.

Damit der effektive Widerstand des ersten Feldeffekttransistors im Hinblick auf den zweiten FeIdeFekttransistor vermindert ist, erweist es sich als zweckmäßig, wenn zwischen der Ausgangselektrode des ersten Feldeffekttransistors und der Ausgangjklemme ein Verstärker vorgesehen ist.

Damit beim Leitendwerden des ersten Feldeffekttransistors das an dem zweiten Feldeffekttransistor anstehende Potential vermindert wird, erweist es sich hingegen als vorteilhaft, wenn der erste Feldeffekttransistor einen Widerstand aufweist, welcher wesentlich geringer als der Widerstand des zweiten Feldeffekttransistors ist.

Damit die zur Veränderung der Ausgangsspannung von einem Spannungswert auf einen anderen notwendige Zeit verringert wird, erweist es sich als zweckmäßig, wenn zwischen der Betriebsspannungsquelle und der Parallelkapazität der Ausgangselektrode des ersten Feldeffekttransistors ein dritter Feldeffekttransistor vorgesehen ist.

Damit die an der Gatterelektrode des ersten Feldeffekttransistors anstehende Spannung auf die Größe der Vorspannung begrenzt wird, erweist es sich als vorteilhaft, wenn zwischen der Betriebsspannungsquelle und der Gatierelektrode des ersten Feldeffekttransistors ein einen Teil der Vorspannungsquelle bildender FeIdeffekttransistorwidersiand angeordnet ist, während zwischen der Gatterelektrode des ersten Feldeffekttransistors und Erde ein weiterer FeldeffekUransistorwiderstand angeordnet ist.

Im allgemeinen erweist es sich als zweckmäßig, wenn

zwischen dem zweiten Feldeffekttransistorwiderstand

!o und der Gatterelektrode des ersten Feldeffekttransistors ein Verstärker vorgesehen ist, weicher den durch den zweiten Feldeffekttransistorwiderstand fließenden Strom verstärkt und welcher durch Ziehen eines relativ niedrigen Stromes die an der betreffenden Gatterelektrode anstehende Spannung geringfügig größer als die Schwellwertspannung macht. In diesem

Zusammenhang ist es vorteilhaft, wenn zwischen der Gatterelektrode des ersten Feldeffekttransistors und dem Verstärker eine D. -de vorgesehen ist, welche die

»0 Vorspannung der betreffe.iden Gatterelektrode um einen Betrag erhöht.

Für den Aufbau größerer Scha'tungen erweist es sich als zweckmäßig, wenn eine Mehrzahl von ersten Feldeffekttransistoren vorgesehen ist, deren Ausgangselektroden gemeinsam mit einer Ausgangsklemme verbunden sind, während die einzelnen Gatterelektroden zur Erzielung eir»er Vorspannung mit einer derartigen Vorspannungsquelle verbunden sind, daß die einzelnen Feldeffekttransistoren in Abhängigkeit der Spannungswerte der den entsprechenden Eingangselektroden zugeführten Eingangsimpulse leitfähig gemacht sind.

Die im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendeten Feldeffekttransistoren sind vorzugsweise MOS-Elemente.

Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Zeichnung. Derin zeigt

F i g. 1 eine Ausführungsform eines MOS-Schaltkreises, der au^f relativ kleine Spannungssignale /ur Kopplung von Schaltkreisen mit MOS-Elementen anspricht.

F i g. 2 eine bevorzugie Ausführungsform eines Niedrigspannungs-MOS-Schaltkreises mit einer aus MOS-Widerständen gebildeten Vorspannungsschaltung,

F i g. 3 eine Weiterentwicklung der Ausführungsform nach F i g. 2 mit einem zweiten MOS-Element, das zwischen eine Spannungsquelle und ein Eingangs-MOS-Elerr.ent geschaltet ist und die Schaltzeit des Ausganges verbessert, und

F i g. 4 eine Variante der Ausführungsform nach Fig. 1.

In F i g. 1 erkennt man eine MOS-Kopplungsschaltung 1 mit einem Eingangs-MOS-Element 2, dessen Quell „nelektrode 3 mit einem Eingangsanschluß 4 und dessen Abzugselektrode 5 mit einem Ausgangsanschluß 6 verbunden ist. Außerdem steht die Abzugselektrode 5 mit der Abzugselektrode 7 eines MOS-Elementes 8 in Verbindung.

Die Quellenelektrode 9 des MOS-Elementes 8 ist mit der Spannungsquelle verbunden (— V), während seine Steuerelektrode 10 an einer Signalquelle liegt, angedeutet durch ψ, die das Element zu bestimmten Zeitpunkten einschaltet.

Die Steuerelektrode 11 des MOS-Elementes 2 ist mit der Vorspannungsquelle 12 verbunden, um die Steuerelektrode 11 bis etwas oberhalb der SchweJJspannunj; (V₁) des Elementes 2 vorzuspannen. Die Vorspann ungs-

quelle 12 kann eine Vorspannung von beispielsweise eines Schaltungsnetzes nach F i g. 2, bei dem die das V, \- 2Vi liefern. Die Spannung Vd kann durch den Schaltungsnctzwerk bildenden Elemcrte im gleichen Spannungsabfall von Dioden gebildet werden, damit Trägermaterial oder in der gleichen Schalungsplatte die Vorspannung an der Steuerelektrode 11 die Schwell- hergestellt werden wiediedieSchaltung ausgleichenden spannung überschreitet, so dall, wenn das Eingangs- 5 Elemente, werden keine Einstellungen benötigt. Das kopplungssignal kleiner ist als. die Spannung 2 Vd, das Schaltungsnetz läßt sich zum Vorspannen aller Kopp-Element 2 eingeschaltet wird. lungsschaltungeti einer Trägerplatte verwenden.

Bei der Ausführungsform nach F i g. 1 sei angenom- Es wurde schon darauf hingewiesen, daß die be-

men, daß das Element 2 wesentlich größer ist als das schriebenen und in den Figuren gezeigten MOS-EIe-

Element 8, su daß der Widerstand des Elementes 2 be- 10 menle P-leiteiide Firmente sind, wenn auch die Er-

trächtlich kleiner ist als der Widerstand des Elemen- findung nicht auf solche Elemente beschränkt ist.

tes 8. In einer Ausführungsform kann das Widerstands· N-Ieitende Elemente liegen ebenfalls im Rahmen der

verhältnis 160:1 betragen. Die Bedeutung des Wider- Erfindung. Die beiden Halbleiterarten lassen sich

Standsverhältnisses wird im folgenden Abschnitt er· durch entsprechende iJmpolung der Spannungsan-

läutert. ' 15 Schlüsse gegeneinander vertauschen.

Wenn die Eingangsspannung kleiner ist akdiezusätz* F i g. 2 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform der liehe Vorspannung an der Steuerelektrode des Elemen· Erfindung, bei der die MOS-Elemente der Schaltung in tes 2, wird dieses eingeschaltet, und der Ausgängen- einem Trägermaterial (chip) mit annähernd gleichen Schluß 6 liegt annähernd an Masse. Angenommen sei, physikalischen Eigenschaften hergestellt sind, daß das Signal 9 ansteht, so daß das Element 8 eben* ao Das Eingangs-MOS-Elcment 20 besitzt eine Quellenfalls eingeschaltet ist. DaderWiderstanddesElementes2 elektrode 21, angeschlossen an den Eingangsanschluß wesentlich kleiner ist als derjenige des Elementes 8, 22. eine Steuerelektrode 23, angeschlossen an das Vorfällt praktisch die ganze Spannung am Element 8 ab, spannungsschattungsnetz 24 und eine Ausgangselekso daß der Ausgang annähernd an Masse liegt. trode 25, angeschlossen an die Basisleektrode 26 des

Wenn dagegen die Eingangsspannung größer ist als 35 NPN-Traiisistors27. der als Emitterfolger geschaltet

die zusätzliche Vorspannung an der Steuerelektrode 11, ist. Oie Kollektorelektrode 28 des Transistors 27 liegt

so wird das Element2 abgeschaltet, und am Ausgange an Masse, während seine Emitterelektrode 29 mit dem

liegt die Quellenspannung V, wenn das Signal der Ausgangsanschluß 30 und der Ausgangselektrode 31

Quelle q um einen Schwellwert größer ist als - V. An· des MOS-Elementes 32 verbunden ist. Die Slcuerelek-

dernfalls wurde die Ausgangsspannung durch den Be- 30 trode 33 und die Eingaii&selek trode 34 des MOS-

trag der Schwellspannung für das MUS-biement B re* Elementes si sind mit der Spannungsqueiie — V

duziert werden. verbunden. Der Kondensator 54 ist zwischen den Aus-

Die Schaltung nach F i g. 1 kann auch in einer ande- gangsanschluß 30 und Masse geschaltet und speichert ren als der oben beschriebenen Art betrieben werden. das an der Ausgangselektrode auftretende Potential, wodurch die Notwendigkeit der Widerstandsaufteilung 35 Der Kondensator 15 liegt an der Ausgangselektrode 25 der MOS-Elemente entfällt. Beispielsweise wird der des MOS-Elementes 20. Der Kondensator repräsen-Kondensator 13 auf annähernd - V aufgeladen. tiert die der Ausgangselektrcde des MOS-Elementes20 Der Kondensator 14. der mit dem Eingangsanschluß zugeordnete, eingeprägte Kapazität, verbundenist, wird auf die gleiche Weise auf eine Span- Das Vorspannungsschaltungsnetz 24 enthält ein nung aufgeladen, um das MOS-Element 2abzuschalten. 40 MOS-Element 35. dessen Eingangselektrode 36 und Der Kondensator kann beispielsweise auf - 3 Volt ge- Steuerelektrode 37 mit der Spannungsquelle — V verladen werden. Nach Aufladung beider Kondensatoren bunden sind und dessen Ausgangselektrode 38 an die wird 9 abgeschaltet, wodurch der Eingangsanschluß Steuerelektrode 23 des Elementes 20 und den Kathodenauf Massepotential entladen wird. Infolgedessen wird anschluß der Diode 39 des Schaltungsnetzes gelegt ist. das MOS-Element 2 wieder eingeschaltet und der Kon· 45 Der Anodenanschluß der Diode 39 liegt am Emitter40 densator 3 nach Masse entladen. Falls der Kondensa- des Transistors 41. der als Emitterfolger geschaltet ist. tor 14 nicht mit Masse verbunden ist, bleibt die Span- Der Kollektor 42 des Transistors 41 liegt an Masse. Die nung der Kondensatoren ungeändert. Dadurch weist Eingangselektrode 44 und die Steuerelektrode 45 des die Ausgangsspannung, unabhängig ν .im Wider- MOS-Elementes 46 stehen mit der Basis 43 des Transtandsverhältnis der MOS-Elemente, einen Spanmings- s» sistors41 in Verbindung. Die Ausgangsefektrode 47 wert auf, der etwa gleich — Köder Massepetential ent- des Elementes liegt elektrisch aa Masse, spricht, als Funktion der Ladung des Kondensators 14. Dk MOS-Elemente des Vorspannungsschaltung»-

Dadurch wird bei kleinen Signalen, von etwa Masse- netzes 24 arbeiten als Widerstände und liefern eine potential oder weniger als 2 V₄ das Element 2 einge- Vorspannung — (K₁ f- 2 K*). Die Spannung an der schaltet, so daß der λ sgaag an Masse liegt Wenn das Ss Steuerelektrode 23 des MOS-Elementes 20 wird inSignal größer als 2 Va ist, beispielsweise — 3 V, geht der folge der Schaltung des MOS-Elementes 46 im Strom-Ausgang auf etwa — V, so daß sich die Schaltung;ohne kreis auf einer annähernd konstanten Vorspannung weiteres als Kopplungsschaltung für Eingangssignale gehalten, relativ niedriger Spannung eignet Die Ausgangselektrode 47 liegt an Masse, während

Die Vorspannung kann von jeder geeigneten Quelk fe» die zugehörige Steuerelektrode mit der Eingangselek-

abgeleitet werden, beispielsweise von der Strotnver- trode 44 verbunden ist, so daß bei geringer Strom-

sorgung, wird aber vorzugsweise von einer vorgespann- stärke im Element die Eingangsspannung etwa V_t (ein

ten Schaltung nach F i g. 2 geliefert Aus praktischen Schwellwert) beträgt.

Gründen sind Stromversorgungen unerwünscht, da die Zur Herabsetzung der Stromstärke ist der Transistor Schwellspannungen der MOS-Elemente je nach Träger- 6& 43 als Emitterfolger geschaltet. Die Basis 41 des Tranmaterial schwankt. Dadurch würde somit eine ein- sistors steht mit der SchweUspannung des MOS-EIestelfbare Stromversorgung bzw. eine Vielzahl von mentes 46 in Verbindung, und der Emitter 40 ist über Stromversorgungen erforderlich. Durch Verwendung die Diode 39 an das MOS-Element 35 angeschlossen.

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Infolgedessen fließt nur \jß der Stromstärke im MOS- wünscht. Das MOS-Element 50 verringert diese Lade-Element 35 durch das MOS-Element 46 und die Aus- zeit, indem es einen Ladeweg von — V zum KondensagangseleHrode 38 des MOS-Elementes35 wird auf tor 15 herstellt. Die Steuerelektrode 51 und die Eineincr negativen Spannung von etwa V₁ \ 2 Va gehalten. gangselektrode 52 stehen mit der Spannung —V in

Bei der gezeigten Vorspannung^anordnung kann ein 5 Verbindung. Die Ausgangselektrode 53 ist an die Basis

relativ kleines Spannungssignal von etwa 3 Volt 26 des Transistors und an den Kondensator 15 ange-

Amplitude als Kopplungssignal dienen. Das heißt mit schlossen. Das Element 50 besitzt einen relativ großen

anderen Worten, daß lediglich eine Amplitude von Widerstand, so daß der Strom ausreichend reduziert

3 Volt vom Signal erreicht werden muß, um die MOS- wird, wenn der Kondensator 15 nicht gel.iden wird.

Schaltung mit anderen Schaltungen koppeln zu können, io F i g. 4 zeigt eine Abwandlung des Systems nach

die eine relativ höhere Spannung — K von beispiels- Fig. 1, wobei die MOS-Elemente55 bis 59 an die

weise — ISVoIterfordern. Stelle des MOS-Elementes2 in Fig. 1 getreten sind.

Wenn die Eingangselektrode 21 des Elementes 20 mit wodurch eine nicht umkehrende Logikschaltung, eine

Masse verbunden ist, ist das Element 20 eingeschaltet, UND-Schaltung gebildet wird. Selbstverständlich lav

so daß es einen kleinen Strom führt. Der Strom wird is sen sich auch andere nicht umkehrende Schaltfunktio-

infolge der Verstärkung (ß) des Transistors 27 verviel- nen durch entsprechende Verbindung der MOS-Eie-

facht, so daß die Ausgangselektrode 31 des MOS-EIe- mente erzielen. Die Eingangsanschlüsse 60 bis 64 stehen

mentes 32 nach Masse geht. Der Ausgangsanschluß30 mit Signalquellen relativ kleiner Spannung in Ver

liegt ebenfalls annähernd an Masse, da er mit der Aus- bindung, wie dies schon bei F i g. 1 erwähnt wurde. Γ ic

gangselektrode 31 verbunden ist. »° Vorspannungsquelle 12' liegt an jedem der MOS-EIe

Wenn die Ausgangselektrode 21 des Elementes 20mit mente und liefert eine Vorspannung, die Ober den*

einer Eingangsspannung beaufschlagt ist, die größer, Schwellwert der MOS-Elemente liegt. Diese zusätzlich

d.h. negativer ist als die zusätzliche Vorspannung Spannung ist nicht größer als die maximale Spannung^

(-2Vd), so ist das Element 20 abgeschaltet. Infolge- amplitude der Eingangssignale. Die Ausgangselektnxlc

dessen geht der Ausgangsanschluß auf ein nutzbares is (nicht gezeigt) der MOS-Elemente ist an einem gc

MOS-Signal über das MOS-Element 32. meinsamen Punkt mit dem MOS-Element 8' und dein

F i g. 3 zeigt eine weitere Variante der Ausführungs- Ausgangsanschluß 6' verbunden. Sobald eines dir

form nach F i g. 2. Wenn das Element 20 durch die Elemente eingeschaltet wird, geht der Ausgang'

Eingangsspannung abgeschaltet wird, so daß sein Aus- anschluß etwa auf das Potential des kleinen Eingangs

gang wechselt., d. h. von etwa Massepotential auf eine 30 signals. Sind alle Elemente abgeschaltet, so liegt an-.

Spannung von etwa — V geht, muß die eingeprägte Ausgang die relativ höhe Spannung - V. Kapazität 15 über den Transistor 27 aufgeladen wer- Erwähnt sei noch, daß sich an Stelle der erwähnten

den, bevor der Ausgang — V erreicht.Da der Konden- MOS-Schaltelemente auch MNS- und MNOS-EIe-

sator 15 Ober die Basis des Transistors nur sehr lang- mente sowie weitere verstärkende Feldeffektelemente

sam aufgeladen wird, ist eine schnellere Aufladung er- 35 verwenden lassen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche:

1. Anpassungsschaltkreis zur Umwandlung relativ niedriger Spannungsimpulse in in anderen Kreisen — beispielsweise MOS-Rechnerkreisen — verwendbare Impulse, bestehend aus zwei in Serie angeordneten Feldeffekttransistoren, wobei der den beiden Feldeffekttransistoren gemeinsame Schaltungspunkt mit einer Ausgangsklemme verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Gatterelektrode (II, 23) des ersten Feldeffekttransistors (2, 20) mit einer derartigen Vorspannungsquelle (12, 24) verbunden ist, daß er in Abhängigkeit von den Eingangsimpulsen leitfähig gemacht ist, wobei die Vorspannung (VT + VD) größer als die Schwellwertspannung (VT) des ersten Feldeffekttransistors (2, 20) gewählt ist, während der über die SchvHlwertspannung hinausgehende Spannungswert nicht größer als der maximal erwartbare *o Spannungsimpuls ist, und daß eine Quellen- bzw. Abflußelektrode (9, 34) des zweiten Feldeffekttransistors (S, 32) mit der einen relativ hohen Spannungswert a'ifweisenden tk'.riebsspannungsquelle (-V) verbunden ist, während seine Gatter- as elektrode (10, 33) mit einer Taktimpuls- bzw. Betriebsspannungsquelle ((f, — V) verbunden ist, derart, daß er wenigstens während cer Zeit leitfähig gemacht ist, während welcher der Eingangsimpuls kleiner oder gkich dem über die Schwellwertspannung hinausgehenden Spannu; gswert ist, wodurch die Ausgangsklemme (6, 30) den Spannungswert der Betriebsspannungsquelle (— '') erhäit.

2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Ausgangselektrode (25) des ersten Feldeffekttransistors (20) und der Ausgangsklemme (30) ein Verstärker (27) vorgesehen ist.

3. Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Feldeffekttransistor (20) einen Widerstand aufweist, welcher wesentlich geringer als der Widerstand des zweiten Feldeffekttransistors (32) ist.

4. Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Betriebsspannungsquelle (— V) und der Parallelkapazität (15) der Ausgangselektrode (25) des ersten Feldeffekttransistors (20) ein dritter Feldeffekttransistor (50) vorgesehen ist.

5. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Betriebsspannungsquelle (— V) und der Gatterelektrode (23) des ersten Feldeffekttransistors (20) ein einen Teil der Vorspannungsquelle (24) bildender Feldeffekttransistorwiderstand (35) angeordnet ist, während zwischen der Gatterelektrode (23) des ersten Feldeffekttransistors (20) und Erde ein weiterer Feldeffekttransistorwiderstand (46) angeordnet ist.

6. Schaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem zweiten Feldeffekttransistorwiderstand (46) und der Gatterelektrode (23) des ersten Feldeffekttransistors (20) ein Verstärker (41) vorgesehen ist, weicherden durch den zweiten Feldeffekttransistorwiderstand (46) fließenden Strom verstärkt und welcher durch Ziehen eines relativ niedrigen Stromes die an der betreffenden Gatterelektrode (23) anstehende Spannung geringfügig größer als die Schwellwertspannung macht.

7. Schaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Gatterelektrode (23) des ersten Feldeffekttransistors (20) und dem Verstärker (41) eine Diode (39) vorgesehen ist, welche die Vorspannung der betreffenden Gatterelektrode (23) um einen Betrag (2 Vd) erhöht.

8. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl von ersten Feldeffekttransistoren (55 bis 59) vorgesehen ist, deren Ausgangselektroden gemeinsam mit einer Ausgangsklemme (6') verbunden sind, während die einzelnen Gatterelektroden (60 bis 64) zur Erzielung einer Vorspannung mit einer derartigen Vorspannungsquelle (12') verbunden sind, daß die einzelnen Feldeffekttransistoren (55 bis 59) in Abhängigkeit der Spannungswerte der ihren Eingangselektroden zugeführten F.ingangsimpulse leitfähig gemacht sind.

9. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldeffekttransistoren MOS-Elemente sind.