DE1952082C3 - Verfahren zum Herstellen eines Leuchtschirmes fuer eine Lochmaskenfarbbildroehre - Google Patents

Description

? Verfahren nach Anspruch I, dadurch ge- Vorgang zu vergrößern.

kennzeichnet, daß der Träger der elektronenemp- 35 Bei der Herstellung von Leuchtschirmen fin findlichen Schicht mit einer, insbesondere trans- FarbschaUginsrröbren ist es bereits bekannt (deut parenten, elektrisch leitenden Schicht versehen sehe Offer' <n-r.£sschrift 1437 862), die Belichtung wird. einer elektronen impfindlichen· Schicht mittels eineb

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Elektronenstrahles vorzunehmen und diesen Elektrokennzeichnet, daß elektrisch leitfähig gemachte 3° nenstrahl durch Anlegen geeigneter Spannungen zwi-Leuchtstc^schichten verwendet werden. sehen Gitter und Schicht auf die gewünschten Stellen

4. Verfahren nach einem oder mehreren der abzulenken. Dabei können auch sammelnde elektri-Ansprüche 1 bis 3, dadurch, gekennzeichnet, daß sehe Felder entstehen, die den Querschnitt des Elekdas elektrische Feld dfjch Anlegen einer elektri- tronenstrahles vorwiegend jedoch nur in einer Querschen Spannung an den Tracer der elektronen- 35 Schnittsrichtung beeinflussen.

empfindlichen Schicht oder an diese Schicht ei- Zum Betrieb einer Lochmaskenfarbbildröhre ist

nerseits und an die Lochmaske andererseits er- auch bekannt (deutsche Auslegeschriit 1 101 494),

zeugt wird. zwischen Lochmaske und Leuchtschirm ein fokussie-

rendes elektrisches Feld auf« ichtzuerhalten, das den

— 40 Elektronenstrahl-Querschnitt vor dem Auftreffen auf

den Leuchtschirm verringert (Fokusmaske).

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu-

Die Erfindung betrifft e^:n Verfahren zum Herstel- gründe, ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung

len eines aus einer Vielzahl von diskreten Leucht- von Leuchtschirmen der eingangs genannten Art an-

stoffelementen bestehenden Leuchtschirmes für eine 45 zugeben.

Lochmaskenfarbbildröhre, bei dem die einzelnen Gemäß der Erfindung wird vorgeschlagen, daß

Leuchtstoffelemente durch Elektionenbestrahlung zwischen der Lochmaske und der elektronenemp-

einer zusammenhängenden elektronenempfindlichen findlichen Schicht ein elektrisches Feld erzeugt wird,

Schicht durch eine mit entsprechenden Öffnungen das den Queischnitt der die öffnungen der Maske

versehene Lochmaske, die in geringem Abstand vor 50 passierenden Elektronenbündel vor Auftrefferi auf

dem Leuchtschirm angeordnet ist, hindurch photo- die elektronsnempfindh'che Schicht derart verringert,

chemisch oder elektrochemisch aufgebracht werden. daß die hergestellten Leuchtstoffelemente in ihrer

Im Zusammenhang mit einer Farbbildkathoden- aktiven Flächenausdehnung geringer sind als die

Strahlrohrs, bs; wsichsr die Z^iischsnräus!? zv?sc*«?5 Querschnitt*¹- Ί?^τ tfVfminiien in der Maske,

den einzelnen Leuchtstoffelementen des Leuchtschir- 55 Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen

mes mit einer weitgehend lichtundurchlässigen und Verfahrens besteht darin, daß eine nachträgliche Be-

nicht reflektierenden Schicht ausgefüllt sind, ist es er- arbeitung der Lochmaske nach erfolgter Herstellung

wünscht, daß die einzelnen punktförmigen Leucht- des Leuchtschirms nicht mehr erforderlich ist, wo-

stoffelemente in ihrer flächenmäßigen Ausdehnung durch Ungenauigkeiten und Beschädigungen der

kleiner sind als die zugeordneten Löcher in der söge- 60 Maske durch den zusätzlichen Arbeitsgang vermie-

nsnnten Lochmaske, die in geringem Abstand vor den werden.

dem Leuchtschirm innerhalb der Röhre angeordnet Aa Hand des in der Figur dargestellten bevorzugsind (Maskenröhre), ten A usführungsbeispiels wird der Anmeldungsgt-

Die Herstellung solcher Leuchtschirme für Färb- genstand nachfolgend aäher erklärt,

bildröhren, die sich aus einer Vielzahl von nebenein- 65 Die Figur zeigt schemaüsch einen Ausschnitt aus

anderliegenden Leuchtstoffehmenten zusammenset- einer Farbbildlochmaskenröhre, auf deren aus Glas

zen, geschieht bekannterweise mit Hilfe von photo- bestehenden Frontplatte 1 ein Leuchtschirm aufge-

chemischen oder elektrochemischen Verfahren, wo- bracht wird. In geringem Abstand vor dem Leucht-

schirm, beispielsweise in einem Abstand vom bis 2 cm, befindet sich die sogenannte Lochmaske 6. Auf der Innenseite d r Frontplatte 1 befindet sich eine Schicht2, die elektronenempfindliches Material entliält. An den von elektronen getroffenen Stellen wird diese Schicht2 gegenüber einem Lösungsmittel weniger löslich gemacht, so daß bei einem anschließenden Auswaschvurgang nur die Teile der Schicht auf der Innenfläche der Frontscheibe 1 zurückbleiben, die von Elektronen getroffen wurden.

Die Bestrahlung dieser Schicht erfolgt mit einer Elektronenströmung, die ihre* Ausgang bevorzugt jeweils dort hat, wo IH c- foäter fertiggestellten Röhre die einzelnen -e Tzeugungssysteme

der Röhre sich befir'., ,._Ktronenstrahlung4

trifft auf die Lochm^ * d durchdringt diese lediglich an den SteUn, an weichen diese mit den Löchern 8 versehen ist. Die diese Löcher 8 durchsetzende Elektronenstrahlung gelangt auf die elektronenempfindliche Schichte Das Auftreffen der EIektronenstrahlung auf die gesamte Schirmfläche wird durch Ablenkung des Elektronenstrahles erreicht. Diese Ablenkung kann z. B. dtr beim Betrieb einer Farbbi?dröhre verwendeten magnetischen Ablenkung durch eine Ablenkeinheit entsprechen, bei der dzr Elektronenstrahl periodisch über den gesamten Schirm beweet wird

cZmäS SEindung wird nun während der Bestrahlung der elektronenempfindlichen Schicht2 mit der Elektronenströmung4 an die Schicht2 und die Lochmaske 6 mit Hilfe einer Spannungsquelle 7 ein elektrostatisches Feld angelegt. Die durch dieses Feld erzeugten Äquipotenüallinien sind mit 5 bezeichnet, und es tat zu ergehen, daß sich jeweils in den Bereichen der LöcherS in der Lochmaske6 Feldverzerrungen ergeben, die kleine, jeweils den einzelnen Löehern 8 zugeordnete elektrostatische Linsen bilden. Infolge der Wirkung dieser elektrostatischen Linsen tritt line sammelnde Wirkung auf db Elektronenbündel, die die LöcherS durchsetzen, ein, so daß sich deren Durchmesser im Verlauf zwischen der Lochmaskee und der Schicht* verringern. Diese sammelnde Wirkung kann durch entsprechende Aus-

SÄiSf' ^Ζ·^Β·^{konische Ausbildung}'^noch als der Durchmesser;/ ^
der Lochmaske 6. Die btarice oe β

Querschnittes des Elektronenbundels hangt j^ u.a. von der angelegten bpannung - _ ^

Schicht 2 anliegende Potential lsi_S^C"' anHe-ende dung höher als das an.de^r ^S^_ntersch-_ie/' _/W1 Potenüal. Je großer der Potentla iumer* ^ ^ sehen diesen beiden Potentialer. is>i, u ^.

die Linsenwirkung des zwischen ^a"J£*r -

der Schicht 2 erzeugten ,^elektnsc _f ^h®"_d ^schriebem-. Unter Anwendung der ^vor*^ie"f " _Hersld

Erfindung ergeben «ch zwei ^ &,_euchtschir lungsverfahren zur Herstellungres _dje ^.

mes. Das eine Verfahren bestem aar. ,

i_S Leuchtstoffe nacheinander aufgebracht werden w bei zweckmäßig jedem Leuchtstoff das fronen empfindliche MatenalMg^ « · erforderlich, sem Zweck dann dre Bestraniun^L-, _entspre.

wobei die ^^^JSSS^S zo chend der Lage der

steine der Röhre versst*. wira. _7weckmäßi„_c.

Ein weiteres bevorzugtes and ιsehr zweocm j

Verfahren besteht dann zunächst auf den L*ucn

schirmträger eine Schicht ^auf _f ^z _n ^u°"ⁿ.^g _p ^e"-w_ateria, _be. « sentlichen aus elektron^mpfindlichern Matenal bc

steht und die im Rf^hme.ⁿ,.^ei.ⁿ _t ^e _e ^s. ^ ,£ aberTm drei Elektronenstrahlern belichtet wird, oJer aoer im Rahmen eines Arbeitsganges,mit «nem strahler, der jeweils in die Lage de spater enden ElektiOTcnBthtoi^Wg^J

wird. Die nicht von ^e ..^f,?^ „J dieser elektronenempfmdlichen^ Schichtwerden e.

fernt, und es kann ^a^^J%

sehen ^n zurückgebliebenen P nenemprindhchen Schicht ^¹

sigen, möglichst schwarzen

den. Nachdem diese Schicht *

nun die Beschichtung mit den L '

der bisher üblichen Weis e d.h. eines elektrostatischen ™*^

mehr ^^utend ist wenn die^p

eine gleich g^r°^ß\^Au^^dehn""|_ß ^bef_f ^Ze£_r£_ndung vo eher in der Maske. ^Die f ^ma£ ^de' ^fX ™

^e Als ReSSdieses während der Bestrahlung angelegten elektrostatischen Feldes ergibt sich auf der Schicht 2 eine von den einzelnen Elektronenbündeln getroffene Flache 3, deren Durchmesser α geringer ist stoffpunkte ab so daß von
ten nur ein kleinerer Ted
wirksam wird nämlich nur der Schicht nicht abgedeckt ist.

der durch die

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

bei eine Bestrahlung einer auf dem Leuchtschirmt rä- Patentansprüche: ger angebrachten «empfindlichen oder elektro nenempfindlichen Schicht durch die Maske hindurch

1. Verfahren zum Herstellen eines aus einer mit einer entsprechenden Bestrahlung erfolgt. Es ist Vielzahl von diskreten Leuchtstoffelementen be- 5 auch bekannt, die Leuchtstoffscnicht direkt mit elekstehenden Leuchtschirmes für eine Lochmasken- tronen- oder lichtempfindlichem Material zu durchfarbbildröhre, bei dem die einzelnen Leuchtstoff- setzen, so daß eine gesonderte lichtempfindliche ode· elemente durch Elektr nenbestrahlung einer elektronenempfindliche Schicht nicht mehr ertorderzusammenhängenden e.ektronenempfindlichen lieh ist Die dabei verwendeten elektronen- oder ucnt-Schicht durch eine mit entsprechenden öffnun- io empfindlichen Substanzen wercen in becannte: gen versehene Lochmaske, die in geringem Ab- Weise durch die Einwirkung der Strahlung gegenüber stand vor dem Leuchtschirm angeordnet ist, hin- einem Lösungsmittel weitgehend unlöslich gemacht durch photochemisch oder elektrochemisch auf- so daß bei einem anschließenden Auswaschvorgang gebracht werden, dadurch gekennzeich- nut die Teils auf dem Leuchtschirmtrager zurucK net, daß zwischen der Lochmaske und der 15 bleiben, die von der StraMung getroffen sind, elektronenemprindlichen Schicht ein elektrisches Um nun Leuchtstoffpunkte herzustellen, deren

Feld erzeugt wird, das den. Querschnitt der die Größe geringer ist als der Querschnitt der Löcher m öffnungen der Maske passierenden Elektronen- der Maske, durch welche hindurch bestrahlt wird, is· bündel vor Auftreffen auf die elektronenempfind- bereits vorgeschlagen worden, die Bestrahlung zur liehe Schicht derart verringert, daß die bergesteil- *> Herstellung des Leuchtschirmes mit einer Maske vor ten Leuchtstoffelemente in ihrer aktiven Flächen- zunehmen, die zunächst kleinere Löcher aufweist ausdehnung geringer sind als die Querschnitte um dann nach Fertigstellen der Leuchtstoffschichi der öffnungen in der Maske. die Löcher der Ma^ke durch einen zusätzlichen Ä17-