DE19519724C1 - Mikrostreifenleitung - Google Patents
MikrostreifenleitungInfo
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- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
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Description
Die Erfindung betrifft eine Mikrostreifenleitung mit
den im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen
Merkmalen.
Mikrostreifenleitungen dieser Art, wie sie zum Aufbau
integrierter Mikrowellenschaltungen benutzt werden,
sind bekannt (Meinke-Gundlach, Taschenbuch der Hochfre
quenztechnik, 5. Aufl., S. K7 bis K20). Bei einem
als integrierte Mikrowellenschaltung ausgebildeten
Doppel-Gegentaktmischer ist es dabei auch schon bekannt,
auf der Oberseite des Substrates schmale Leiterbahnen
und in der rückseitigen Grundmetallisierung ein Koplanar
leitungsstück mit einem Mittelleiter auszubilden und
die Enden der auf der Oberseite ausgebildeten schmalen
Leiterbahnen über Durchkontaktierungen mit dem Mittel
leiterstreifen des rückseitigen Koplanarleitungsstückes
zu verbinden. Im Mittelleiter des rückseitigen Koplanar
leitungsstückes ist dabei ein Diodenquartett zwischenge
schaltet (Bild 3, S. K8 von Meinke-Gundlach).
Der Wellenwiderstand von Mikrostreifenleitungen ist
bestimmt durch die Breite der Leiterbahn sowie die
Dicke und Permittivität des dielektrischen Substrats,
die Breite der Leiterbahnen ist damit nur begrenzt
frei wählbar. Zum Aufbau von Mikrowellenschaltungen
müssen andererseits oftmals Bauelemente in solche
Mikrostreifenleitungen integriert werden, die aus
hochfrequenztechnischen Gründen eine Breite besitzen,
die größer ist als die der Leiterbahnen. Dieses Problem
besteht beispielsweise beim Einbau eines Trennkondensators
in eine solche Mikrostreifenleitung, der aus hochfrequenz
technischen Gründen als Plattenkondensator mit möglichst
kurzen Verbindungsleitungen zu den Enden der Leiterbahn
der Mikrostreifenleitung ausgebildet sein sollte und
der damit eine Kantenlänge aufweist, die zwei bis
dreimal so groß ist wie die Breite der Leiterbahn.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Mikrostreifenleitung
zu schaffen, in welche an beliebigen Stellen Bauelemente,
beispielsweise ein Trennkondensator, integriert sind,
deren Breite größer als die vorgegebene Breite der
Leiterbahnen ist.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einer Mikrostreifenleitung
laut Oberbegriff des Hauptanspruches durch dessen
kennzeichnende Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen
ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Bei Koplanarleitungen ist der Wellenwiderstand bestimmt
durch das Verhältnis der Breite des Mittelleiterstreifens
zu der Breite der seitlichen Schlitze. Aus diesem
Grunde stellt sich bei Koplanarleitungen nicht das
der Erfindung zugrunde liegende Problem und es ist
daher an sich bei einer Koplanarleitung bekannt, den
Mittelleiterstreifen aufzutrennen und unter Zwischenlage
einer dielektrischen Schicht durch eine die beiden
Abschnitte des Mittelleiterstreifens überbrückenden
Metallschicht von der gleichen Breite wie der Breite
des Mittelleiterstreifens einen Trennkondensator in
den Mittelleiterstreifen einzubauen (DE 23 52 712 B2).
Außerdem ist es bei solchen Koplanarleitungen an sich
bekannt, den Mittelleiterstreifen aufzutrennen und
an dieser Stelle ein aktives Bauelement, beispielsweise
einen Transistor, zwischenzuschalten (DE 39 34 224 A1).
Durch die erfindungsgemäße Maßnahme, an der Einbaustelle
für das breitere Bauelement von der Mikrostreifenleitung
auf eine Koplanarleitung überzugehen, in diese Koplanar
leitung dann das zu integrierende breitere Bauelement
einzusetzen und anschließend wieder von der Koplanarleitung
auf die Mikrostreifenleitung überzugehen, ist es möglich,
unter Beibehaltung des Leitungswellenwiderstandes
der Mikrostreifenleitung beliebig breite Bauelemente
zu integrieren, da in dem zwischengeschalteten Koplanar
leitungsstück die Breite des Mittelleiterstreifens
entsprechend der Breite des zu integrierenden Bauelements
beliebig breit wählbar ist und trotzdem der vorgegebene
Leitungswellenwiderstand der Mikrostreifenleitung
beibehalten wird, da bei einer Koplanarleitung der
Wellenwiderstand bei gegebener Permittivität des Substrats
nur durch das Verhältnis der Breite des Mittelleiterstrei
fens zu der Breite der seitlichen Schlitze zwischen
Mittelleiterstreifen und den zu beiden Seiten liegenden
Masseflächen bestimmt ist, die größere Breite des
Mittelleiterstreifens also durch entsprechende Wahl
der Breite dieser Schlitze ausgeglichen werden kann.
Eine erfindungsgemäße Anordnung eignet sich insbesondere
zum Einbau von Gleichspannungs-Trennkondensatoren,
die aus hochfrequenztechnischen Gründen vorzugsweise
als flache rechteckige Plattenkondensatoren (Single-La
yer-Chip-Kondensator) ausgebildet sind, da sie mit
ihrer Unterseite unmittelbar flach auf das eine Ende
der Koplanarleitung aufgeklebt werden können und der
obere Belag dann nur noch über kurze Bonddrähtchen
mit dem anderen Ende der Koplanarleitung verbunden
werden muß, wie dies bei Mikrostreifenleitungen an
sich bekannt ist (US-PS 4 326 180). Auf diese Weise
ist eine sehr breitbandige Trennkondensatorschaltung
von beispielsweise 10 MHz bis 40 GHz möglich.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer
Zeichnungen an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Streifenleitungsanordnung, bei der die
Mikrostreifenleitung und das Koplanarleitungsstück
in verschiedenen Ebenen liegen.
Fig. 2 eine Streifenleitungsanordnung, bei der die
Mikrostreifenleitung und das Koplanarleitungsstück
in derselben Ebene liegen.
Fig. 1a zeigt die Draufsicht (Oberseite) auf den Ausschnitt
eines Substrats 1 einer integrierten Mikrowellenschaltung,
auf der die beiden in einem Abstand voneinander angeordneten
Leiterbahnenden 2 und 3 einer Mikrostreifenleitung
angeordnet sind, die Rückseite nach Fig. 1b dieser
Mikrostreifenleitung wird durch eine auf der Rückseite
des Substrats ausgebildete Grundmetallisierung 4 gebildet.
Für ein beispielsweise 0,254 mm dickes Substrat aus
Aluminiumoxyd ergibt sich für ein 50 Ω Wellenwiderstands
system eine Leiterbahnbreite von 0,24 mm. Für den
Einbau eines flachen Plattenkondensators 5 mit einer
Kantenlänge von beispielsweise 1 mm in diese Leiterbahn
von nur 0,24 mm wird gemäß Fig. 1 von den beiden Enden
2, 3 auf ein kurzes Koplanarleitungsstück 6 übergegangen,
das gemäß Fig. 1b durch eine Ausnehmung 7 in der Grund
metallisierung 4 der Mikrostreifenleitung und einem
dort angeordneten Mittelleiterstreifen bestehend aus
zwei durch eine Lücke 8 getrennte Streifenabschnitte
9 und 10 gebildet ist. Die Enden dieser Streifenabschnitte
9 und 10 sind über Durchkontaktierungen 11 und 12
mit den Leiterbahnenden 2 und 3 auf der Substratoberseite
galvanisch verbunden. Die Breite des Mittelleiterstreifen
abschnittes 10 ist etwa so breit wie die Kantenlänge
des Kondensators 5 gewählt, der dem Systemwellenwiderstand
der Mikrostreifenleitung entsprechende Wellenwiderstand
der Koplanarleitung wird durch entsprechende Wahl
der Breite der Schlitze 13 zwischen Mittelleiterstreifen
und umgebender Grundmetallisierung gewählt. Der Platten
kondensator 5 ist beispielsweise unmittelbar flach
auf dem Streifenabschnitt 10 aufgeklebt und sein oberer
Kondensatorbelag ist über kurze Bonddrähtchen 14 mit
dem anderen Streifenabschnitt 9 verbunden.
Fig. 2 zeigt eine Möglichkeit, wie unmittelbar auf
der Oberseite des Substrats das Koplanarleitungsstück
zwischen die Mikrostreifenleitung integriert werden
kann. Fig. 2 zeigt wieder die Draufsicht auf einen
Teil einer Mikrostreifenleitung, von der auf der Oberseite
wieder zwei Leiterbahnstücke 2 und 3 dargestellt sind.
Die rückseitige Grundmetallisierung 4 ist im Bereich
der Lücke zwischen den beiden Leiterbahnstücken 2
und 3 ausgespart, wie dies durch die Aussparung 20
gestrichelt angedeutet ist. Das Leiterbahnstück 2
geht unmittelbar über in einen Mittelleiterstreifenabschnitt
10 einer Koplanarleitung, die mit einer Unterbrechung
8 über einen Leiterstreifenabschnitt 9 in den anderen
Leiterbahnabschnitt 3 der Mikrostreifenleitung übergeht.
Die Breite des Streifenabschnittes 10 ist wieder entspre
chend der Kantenlänge des Kondensators 5 gewählt.
Zu beiden Seiten dieses Mittelleiterstreifens 9, 10
der Koplanarleitung sind Masseflächen 21, 22 ausgebildet,
deren Breite ein Mehrfaches der Mittelleiterbreite
ist. An den Rändern dieser Masseflächen 21, 22 sind
Durchkontaktierungen 23 vorgesehen, durch welche diese
Masseflächen 21, 22 mit der rückseitigen Grundmetallisierung
4 der Mikrostreifenleitung galvanisch verbunden sind.
Die Breite der Schlitze 13 zwischen Mittelleiterstreifen
und Massefläche dieser somit auf der Oberseite des
Substrats ausgebildeten Koplanarleitung ist wieder
so gewählt, daß der Systemwellenwiderstand von beispiels
weise 50 Ω auch im Koplanarleitungsstück eingehalten
ist. Der Kondensator ist wieder wie in Fig. 1 zwischenge
schaltet.
Claims (6)
1. Mikrostreifenleitung mit einem dielektrischen Substrat
(1), das auf der Oberseite schmale Leiterbahnen
(2, 3) und auf der Rückseite eine Grundmetallisierung
(4) aufweist, und auf dem ein Koplanarleitungsstück
mit einem Mittelleiterstreifen (9, 10) ausgebildet
ist, dadurch gekennzeichnet, daß
zum Einbau von Bauelementen (5), deren Breite größer
als die Breite der Leiterbahnen ist, an der Einbaustelle
in die Mikrostreifenleitung das Koplanarleitungsstück
zwischengeschaltet ist, dessen Mittelleiter
streifen (9, 10) eine der Breite des einzubauenden
Bauelements (5) entsprechende Breite aufweist.
2. Mikrostreifenleitung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Mittelleiter
streifen (9, 10) an der Einbaustelle für das Bauelement
(5) unterbrochen (8) ist und das Bauelement
unmittelbar auf nur einem Abschnitt
(10) des Mittelleiters angeordnet ist.
3. Mikrostreifenleitung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das einzubauende
Bauelement ein flacher Plattenkondensator (5) ist.
4. Mikrostreifenleitung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der Plattenkondensator
(5) mit seinem unteren Metallbelag flach auf dem
einen Ende (10) des Mittelleiterstreifens befestigt
ist und dessen oberer Metallbelag über Bonddrähte
(14) mit dem anderen Ende (9) des Mittelleiterstreifens
verbunden ist.
5. Mikrostreifenleitung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Koplanarleitungsstück in der rückseitigen
Grundmetallisierung (4) ausgebildet ist und die
Enden (2, 3) der an der Einbaustelle unterbrochenen
Leiterbahn der Mikrostreifenleitung über Durchkontak
tierungen (11, 12) mit dem Mittelleiterstreifen
(9, 10) des Koplanarleitungsstückes verbunden ist
(Fig. 1).
6. Mikrostreifenleitung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die rückseitige Grundmetalli
sierung (4) an der Einbaustelle ausgespart (20) ist,
der Mittelleiterstreifen (9, 10)
des Koplanarleitungsstückes auf der Oberseite des
Substrates (1) zwischen den Enden (2, 3) der an
der Einbaustelle unterbrochenen Leiterbahn der
Mikrostreifenleitung angeordnet ist und zu beiden
Seiten dieses Mittelleiterstreifens (9, 10) auf
der Oberseite des Substrates (1) die äußeren
Masseflächen (21, 22) des Koplanarleitungsstückes
ausgebildet sind, die über Durchkontaktierungen
(23) mit der rückseitigen Grundmetallisierung (4)
galvanisch verbunden sind (Fig. 2).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1995119724 DE19519724C1 (de) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | Mikrostreifenleitung |
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---|---|
DE (1) | DE19519724C1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003050910A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-19 | Bookham Technology Plc | Transmission line structures |
DE10301982A1 (de) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Infineon Technologies Ag | Wellenleiter |
EP1770820A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Siemens Milltronics Process Instruments Inc. | Galvanische Trennungsvorrichtung für eine ebene Schaltung |
US8397566B2 (en) | 2004-08-06 | 2013-03-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Apparatus for transferring high-frequency signals comprising overlapping coupling regions that are serially connected |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2352712B2 (de) * | 1972-10-25 | 1975-04-03 | Hewlett-Packard Co., Palo Alto, Calif. (V.St.A.) | |
US4326180A (en) * | 1979-11-05 | 1982-04-20 | Microphase Corporation | Microwave backdiode microcircuits and method of making |
DE3934224A1 (de) * | 1989-07-04 | 1991-01-10 | Licentia Gmbh | Anordnung zur mikrowellen-integration |
-
1995
- 1995-05-30 DE DE1995119724 patent/DE19519724C1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2352712B2 (de) * | 1972-10-25 | 1975-04-03 | Hewlett-Packard Co., Palo Alto, Calif. (V.St.A.) | |
US4326180A (en) * | 1979-11-05 | 1982-04-20 | Microphase Corporation | Microwave backdiode microcircuits and method of making |
DE3934224A1 (de) * | 1989-07-04 | 1991-01-10 | Licentia Gmbh | Anordnung zur mikrowellen-integration |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Meinke, Gundlach: Taschenbuch der Hochfrequenz- technik, Bd.2: Komponenten, Springer-Verlag 1992, K7-K20 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003050910A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-19 | Bookham Technology Plc | Transmission line structures |
GB2383199B (en) * | 2001-12-11 | 2005-11-16 | Marconi Optical Components Ltd | Transmission line structures |
US7064625B2 (en) | 2001-12-11 | 2006-06-20 | Bookham Technology, Plc | Transmission line structures |
DE10301982A1 (de) * | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Infineon Technologies Ag | Wellenleiter |
US6999294B2 (en) | 2003-01-15 | 2006-02-14 | Finisar Corporation | Waveguide |
DE10301982B4 (de) * | 2003-01-15 | 2007-06-06 | Infineon Technologies Ag | Wellenleiter |
US8397566B2 (en) | 2004-08-06 | 2013-03-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Apparatus for transferring high-frequency signals comprising overlapping coupling regions that are serially connected |
EP1770820A1 (de) * | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Siemens Milltronics Process Instruments Inc. | Galvanische Trennungsvorrichtung für eine ebene Schaltung |
US7545243B2 (en) | 2005-09-28 | 2009-06-09 | Siemens Milltronics Process Instruments, Inc. | Galvanic isolation mechanism for a planar circuit |
US7688165B2 (en) | 2005-09-28 | 2010-03-30 | Siemens Milltronics Process Instruments, Inc. | Galvanic isolation mechanism for a planar circuit |
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