DE19515027A1 - Optokoppler mit Phasensteuerung - Google Patents
Optokoppler mit PhasensteuerungInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Bauteil zum Ausführen von Phasen
steuerung, insbesondere einen Optokoppler zum Ausführen
einer Phasensteuerung mit einem einzelnen Bauteil.
Zunächst wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ein Auf
baubeispiel für eine Phasensteuerschaltung unter Verwendung
eines herkömmlichen Optokopplers beschrieben.
- 1) Fig. 1 zeigt eine Phasensteuerschaltung, die aus einer Wechselspannungsversorgung 51, einer Last 52 und einem bi direktionalen Schalter 53 mit drei Anschlüssen besteht, die alle in Reihe geschaltet sind, wobei der Einschaltzeitpunkt des bidirektionalen Schalters 53 mit drei Anschlüssen vari iert wird, um eine Phasensteuerung auszuführen. Dieser bidi rektionale Schalter 53 mit drei Anschlüssen wird mit einem Ausgangssignal eines Optokopplers 54 als Triggersignal ver sorgt. Der Optokoppler 54 gibt das Triggersignal dann aus, wenn ein Impuls von einer Nulldurchgang-Erkennungsschaltung 55, einer Steuerschaltung 56 und einer Verzögerungstrigger schaltung 57 ausgegeben wird. Dieses Impulssignal wird von der Verzögerungstriggerschaltung 57 zu einem Zeitpunkt aus gegeben, der mit einer von der Steuerschaltung 56 angegebe nen Verzögerung gegenüber dem Zeitpunkt eines Nulldurchgangs verzögert ist, wie er von der Nulldurchgang-Erkennungsschal tung 55 erkannt wird. Anders gesagt, ist der Einschaltzeit punkt des bidirektionalen Schalters 53 mit drei Anschlüssen um diejenige Zeit verzögert, die von der Steuerschaltung 56 angegeben wird, wodurch die Phase gesteuert werden kann.
- 2) Fig. 2 zeigt ein anderes Aufbaubeispiel für eine Phasen steuerschaltung unter Verwendung eines anderen Optokopplers, und Fig. 3 zeigt Spannungsverläufe an verschiedenen wesent lichen Punkten in dieser Schaltung. In Fig. 2 sind solchen Elementen, die mit solchen in Fig. 1 übereinstimmen, gleiche Bezugszeichen zugeordnet, und eine wiederholte Beschreibung wird weggelassen. Diese Schaltung verwendet einen Optokopp ler 62 mit einem CDS auf der Lichtempfangsseite, dessen In nenwiderstand durch Licht verändert wird, und mit einem Kon densator 63, der mit dem CDS verbunden ist. Der Ausgangs strom von der Lichtempfangsseite des Optokopplers 62 lädt den Kondensator 63, wodurch die geladene Spannung VC an steigt, was bewirkt, daß ein Triggersignal ausgegeben wird, um einen bidirektionalen Schalter 53 mit drei Anschlüssen einzuschalten. Als Ausgangsbauelement (Triggerelement) 61 zum Ausgeben des Triggersignals wird ein Diac usw. verwen det. Wie in Fig. 3 dargestellt, steigt die geladene Spannung VC an, wenn ein einer Eingangsspannung VB entsprechender Strom durch den Optokoppler 62 fließt. Wenn diese geladene Spannung VC eine Einschaltspannung VS für das Triggerelement 61 überschreitet, wird das Triggersignal ausgegeben, um den bidirektionalen Schalter 53 mit drei Anschlüssen zu aktivie ren, wodurch eine Spannung V₀ an die Last 52 angelegt wird. In dieser Schaltung ändert sich die Dauer, bis das Trigger element 61 eingeschaltet wird, oder die Zeit, die erforder lich ist, daß die geladene Spannung VC die Einschaltspannung VS erreicht, abhängig von der Größe des Stroms, der durch den CDS des Optokopplers 62 fließt, der seinerseits von der Eingangsspannung VB abhängt. Dies bedeutet, daß bei diesem Aufbau Phasensteuerung dadurch bewirkt werden kann, daß die Eingangsspannung VB geändert wird.
Eines der Beispiele einer der so aufgebauten Phasensteuer
schaltung ist in der Offenlegungsschrift 5-54977 zu einer
japanischen Patentanmeldung offenbart.
Die Aufbauten 1) und 2), die einen herkömmlichen Optokoppler
verwenden, weisen die folgenden Nachteile auf:
Der Aufbau 1) benötigt drei Arten von Steuerschaltungen 55, 56 und 57, um Impulse zur Phasensteuerung zu erzeugen. Das heißt, daß der Zeitpunkt für die Impulserzeugung durch diese drei Schaltungen festgelegt werden muß, was den Schaltungs aufbau verkompliziert und die Anzahl von Teilen erhöht.
Der Aufbau 1) benötigt drei Arten von Steuerschaltungen 55, 56 und 57, um Impulse zur Phasensteuerung zu erzeugen. Das heißt, daß der Zeitpunkt für die Impulserzeugung durch diese drei Schaltungen festgelegt werden muß, was den Schaltungs aufbau verkompliziert und die Anzahl von Teilen erhöht.
Der Aufbau 2) benötigt eine Anzahl von Teilen wie einen
Optokoppler, ein Triggerelement, einen Kondensator, einen
bidirektionalen Schalter mit drei Anschlüssen usw., was die
Anzahl von Teilen erhöht und das Bauteil damit sperrig
macht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Optokoppler
zu schaffen, der aus wenigen Teilen besteht und Phasensteue
rung ausführen kann.
Der erfindungsgemäße Optokoppler ist durch die Lehre des
beigefügten Anspruchs 1 gegeben.
Bei dem so ausgebildeten Optokoppler sind ein erster, mit
einem lichtemittierenden Element ausgebildeter Chip und ein
zweiter, mit einem lichtempfangenden Element, einem Konden
sator und einer Darlingtonschaltung ausgebildeter Chip in
ein einzelnes Optokopplerelement eingeschlossen. Der erste
Chip ändert seine Lichtstärke auf einen Eingangsstrom hin.
Im zweiten Chip ändert sich ein Strom IL abhängig von der
vom lichtemittierenden Element empfangenden Lichtmenge, und
dieser Strom lädt den Kondensator mit pn-Übergang. Wenn die
geladene Spannung einen vorgegebenen Pegel erreicht, wird
die Darlingtonschaltung aktiviert. Der Strom IL kann hierbei
extrem klein sein, und zwar so, daß er gerade dazu aus
reicht, die Darlingtonschaltung einzuschalten. Bei der her
kömmlichen Phasensteuerschaltung ist ein Kondensator mit
einer Kapazität von ungefähr 0,1 µF erforderlich, um sicher
für eine Spannung zu sorgen, die den bidirektionalen Schal
ter mit drei Anschlüssen oder dergleichen aktivieren kann,
der stromabwärts bezüglich eines Triggerelements oder in der
auf dieses folgenden Stufe angeordnet ist. Es ist unmöglich,
eine derartige Kapazität durch einen Kondensator mit
pn-Übergang (der typischerweise einige 10 pF aufweist) zu er
halten, der innerhalb eines Halbleiterchips ausgebildet ist.
Bei der Erfindung genügt jedoch eine kleine Kapazität eines
Halbleiterübergangs, da der Basisstrom, vor der Verstärkung
durch den Darlingtontransistor, zum Laden eines Kondensators
verwendet wird.
Auf Grundlage der Spannung, mit der der Kondensator geladen
ist, wird ein Eingangsstrom durch die Darlingtonschaltung zu
einem Strom großer Stärke verstärkt. Demgemäß ist es mög
lich, wenn der erfindungsgemäße Optokoppler auf eine Phasen
steuerschaltung angewandt wird, daß der Ausgangsstrom der
Darlingtonschaltung das Phasensteuerelement wie einen Triac
usw. zweckentsprechend betreibt.
Gemäß der Erfindung kann dann, wenn ein Triggerelement in
Reihe in den Basis-Emitter-Schaltkreis der Darlingtonschal
tung gelegt wird, die Einschaltspannung der Darlingtonschal
tung erhöht werden, so daß es möglich wird, eine stabile
Steuerung auszuführen. In diesem Fall ist es möglich, durch
geeignetes Einstellen des eingefügten Triggerelements, auf
Grundlage des erhöhten Werts der Einschaltspannung, eine
hochgenaue Phasensteuerung in einem erweiterten Bereich zu
bewirken.
Bei der Erfindung kann der zweite Chip ferner einen Triac
beinhalten. Dieser Triac wird durch den Ausgangsstrom der
Darlingtonschaltung eingeschaltet. Daher ist es möglich,
wenn ein Optokoppler, der auf solche Weise mit einem Triac
im zweiten Chip versehen ist, in Reihe mit der Lastschaltung
geschaltet wird, eine Phasensteuerung der Last dadurch zu
bewirken, daß nur der Eingangsstrom für den Optokoppler ein
gestellt wird.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren
veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 1 ist eine Ansicht, die einen typischen Schaltungsauf
bau eines Phasensteuerung-Bauteils zeigt, das mit einem her
kömmlichen Optokoppler versehen ist;
Fig. 2 ist eine Ansicht, die einen anderen typischen Schal
tungsaufbau eines Phasensteuerung-Bauteils zeigt, das mit
einem herkömmlichen Optokoppler versehen ist;
Fig. 3 ist ein Kurvendiagramm, das Spannungsverläufe an we
sentlichen Punkten in dem in Fig. 2 dargestellten Phasen
steuerung-Bauteil zeigt;
Fig. 4 ist eine Ansicht, die einen Schaltungsaufbau eines
mit einem Optokoppler versehenen Bauteils als Ausführungs
beispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 5 ist ein Schaltbild, das eine gesamte Schaltung für
einen zweiten, in Fig. 14 dargestellten Chip zeigt;
Fig. 6 ist ein Ersatzschaltbild für einen Triacabschnitt des
in Fig. 4 dargestellten Optokopplers;
Fig. 7 ist ein Schaltbild für ein Aufbaubeispiel einer Gate
strom-Erzeugungsschaltung für den in Fig. 4 dargestellten
Optokoppler;
Fig. 8 ist ein Kurvendiagramm, das Ladungszustände eines in
Fig. 7 dargestellten Kondensators zeigt;
Fig. 9 ist ein Kurvendiagramm, das Spannungsverläufe an we
sentlichen Punkten in der in Fig. 5 dargestellten Schaltung
zeigt;
Fig. 10 ist ein Diagramm, das ein Aufbaubeispiel einer Halb
wellengleichrichter-Spannungsversorgungsschaltung innerhalb
der in Fig. 4 dargestellten Schaltung zeigt;
Fig. 11 ist ein Diagramm, das ein Aufbaubeispiel einer Gate
strom-Erzeugungsschaltung für Halbwellen in der in Fig. 10
dargestellten Schaltung zeigt;
Fig. 12 ist ein Diagramm, das ein Aufbaubeispiel für eine
Gatestrom-Erzeugungsschaltung in einem mit einem Optokoppler
versehenen Bauteil als zweites Ausführungsbeispiel der Er
findung zeigt;
Fig. 13 ist ein Kurvendiagramm, das Ladespannungen für einen
in Fig. 12 dargestellten Kondensator zeigt;
Fig. 14 ist eine Veranschaulichung eines Aufbaubeispiels
eines bei der Erfindung verwendeten Optokopplers;
Fig. 15 ist eine Veranschaulichung eines anderen Aufbaubei
spiels eines bei der Erfindung verwendeten Optokopplers;
Fig. 16 ist eine Veranschaulichung, die ein weiteres Aufbau
beispiel eines bei der Erfindung verwendeten Optokopplers
zeigt; und
Fig. 17 ist eine Veranschaulichung, die noch ein anderes
Aufbaubeispiel eines bei der Erfindung verwendeten Optokopp
lers zeigt.
Fig. 14 ist eine Veranschaulichung, die einen Aufbau eines
bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendeten
Optokopplers zeigt. Dieser mit 1 bezeichnete Optokoppler
verfügt über einen ersten, auf einem Leiterrahmen 6 ausge
bildeten Chip 7 und einen zweiten, auf einem anderen Leiter
rahmen 8 ausgebildeten Chip 9. Die zwei Leiterrahmen, die so
angeordnet sind, daß der erste Chip 7 und der zweite Chip 9
einander zugewandt sind, sind in ein lichtdurchlässiges Harz
10 und ein lichtabschirmendes Harz 11 eingegossen. Hierbei
sind die Anschlüsse des ersten Chips 7 und des zweiten Chips
9 über Zuleitungen 12 mit den Leiterrahmen 6 bzw. 8 verbun
den.
Fig. 4 ist ein Schaltbild, das ein diesen Optokoppler ent
haltendes Bauteil zeigt.
Der Optokoppler 1 bei diesem Ausführungsbeispiel umfaßt ein
lichtemittierendes Element (lichtemittierende Diode) 2,
einen Triac 3 und Gatestrom-Erzeugungsschaltungen 4 und 5.
Das lichtemittierende Element 2 ist im vorstehend genannten
ersten Chip 7 enthalten, während die Gatestrom-Erzeugungs
schaltungen 4 und 5 wie auch der Triac (Schaltelement) 3 im
vorstehend genannten zweiten Chip 9 enthalten sind. Eine
Wechselspannungsversorgung 51 und eine Last 52 sind in Reihe
zum Triac 3 geschaltet. Ein einer Eingangsspannung VB ent
sprechender Strom wird durch das lichtemittierende Element 2
geführt.
Nachfolgend wird der Aufbau jeder der obigen Komponenten im
einzelnen beschrieben.
Fig. 6 zeigt ein Ersatzschaltbild für den Triac 3. Der Triac
3 bei diesem Ausführungsbeispiel entspricht einem bidirek
tionalen Thyristor, und er weist Thyristorbereiche 3a und 3b
auf. Der Thyristorbereich 3a wird mit einem Gatestrom Ga
versorgt, während der Thyristorbereich 3b mit einem Gate
strom Gb versorgt wird. Der Anschluß an der Anodenseite des
Thyristorbereichs 3a und der Kathodenseite des Thyristor
bereichs 3b ist mit T1 bezeichnet, während der andere An
schluß an der Kathodenseite des Thyristorbereichs 3a und der
Anodenseite des Thyristorbereichs 3b bezeichnet mit T2 ist.
Wenn T1 und T2 mit der positiven bzw. negativen Seite einer
angelegten Spannung verbunden sind und ein Gatestrom Ga
fließt, wird der Thyristorbereich 3a aktiviert. Wenn dagegen
T1 und T2 mit der negativen bzw. positiven Seite der ange
legten Spannung verbunden sind und ein Gatestrom Gb fließt,
wird der Thyristorbereich 3b aktiviert.
Fig. 7 zeigt eine Konfiguration für die Gatestrom-Erzeu
gungsschaltung 4, die folgendes beinhaltet: ein lichtempfan
gendes Element (Photodiode) 21, die Licht vom vorstehend ge
nannten lichtemittierenden Element 2 empfängt, einen Konden
sator 22 mit einem pn-Übergang und eine Darlingtonschaltung
23. Eine Bezugszahl 24 bezeichnet einen Widerstand zum Ein
stellen der Transistorempfindlichkeit. Der Kondensator 22
ist in Reihe mit dem lichtempfangenden Element 21 geschal
tet, und er wird durch den Ausgangsstrom desselben geladen.
Der Kondensator 22 ist zwischen die Basis und den Emitter
der Darlingtonschaltung 23 geschaltet. Wenn die Spannung VC,
mit der der Kondensator 22 geladen ist, einen vorgegebenen
Wert VBE erreicht, wird die Darlingtonschaltung 23 akti
viert. Hierbei steht die Zeitspanne, die die geladene Span
nung VC benötigt, um den vorgegebenen Wert VBE zu erreichen,
mit dem durch das lichtempfangende Element 21 fließenden
Strom IL in Beziehung. Genauer gesagt, ist dann, wenn der
Strom IL durch das lichtempfangende Element groß ist, die
Zeit, die benötigt wird, bis die Beziehung VC VBE erfüllt
ist, kurz, wohingegen sie dann lang ist, wenn dieser Strom
klein ist. Daher kann die Zeit, die erforderlich ist, um die
Darlingtonschaltung 23 einzuschalten, dadurch wahlfrei ein
gestellt werden, daß der in das lichtempfangende Element 21
eingegebene Strom IL eingestellt wird. Wenn die Darlington
schaltung 23 aktiviert ist, wird der Gatestrom Ga ausgege
ben.
Die Gatestrom-Erzeugungsschaltung 5 hat ähnliche Struktur
wie die Gatestrom-Erzeugungsschaltung 4, mit der Ausnahme,
daß der Strom durch sie in der entgegengesetzten Richtung
fließt.
Fig. 5 ist ein Diagramm, das den gesamten Schaltungsaufbau
des zweiten Chips zeigt, und Fig. 9 zeigt Spannungsverläufe
an wesentlichen Punkten in der Schaltung. Diese Schaltung
wird nun erörtert.
Wie vorstehend ausgeführt, sind die Anschlüsse T1 und T2 für
den Triac 3 und die Gatestrom-Erzeugungsschaltungen 4 und 5
mit der Wechselspannungsversorgung 51 verbunden.
Wenn positive Halbwellen an die Anschlüsse T1 und T2 ange
legt werden, werden diese positiv bzw. negativ. In der Gate
strom-Erzeugungsschaltung 4 lädt der Ausgangsstrom des
lichtempfangenden Elements 21 den Kondensator 22, um dadurch
die geladene Spannung VC zu erhöhen. Wenn die geladene Span
nung VC des Kondensators 22 den Wert VBE übersteigt, fließt
ein Strom (Gatestrom) in das Gate Ga des Thyristorbereichs
3a des Triacs, wodurch dieser Thyristorbereich 3a aktiviert
wird und der Last 52 elektrische Spannung zugeführt wird. Da
der andere Thyristorbereich 3b in Sperrichtung vorgespannt
ist, verbleibt er im ausgeschalteten Zustand. Wenn der Thy
ristorbereich 3a einmal eingeschaltet ist, verbleibt er in
diesem Zustand so lange, bis der Strom unter einen vorgege
benen Pegel fällt.
Wenn negative Halbwellen an die Anschlüsse T1 und T2 ange
legt werden, sind T1 und T2 negativ bzw. positiv. In der
Gatestrom-Erzeugungsschaltung 5 lädt der Ausgangsstrom des
lichtempfangenden Elements 21 den Kondensator 22, um dadurch
die geladene Spannung VC zu erhöhen. Wenn die geladene Span
nung VC des Kondensators 22 den Wert VBE übersteigt, fließt
ein Strom (Gatestrom) in das Gate Gb des Thyristorbereichs
3b, wodurch dieser aktiviert wird. Er verbleibt im einge
schalteten Zustand, um eine Spannung an die Last 52 anzule
gen, bis der Strom unter einen vorgegebenen Pegel fällt. Da
der Thyristorbereich 3a in Sperrichtung vorgespannt ist,
verbleibt er im ausgeschalteten Zustand.
Wie in Fig. 8 dargestellt, hängt die Zeit, die dazu erfor
derlich ist, daß die geladene Spannung VC am Kondensator 22
die die Darlingtonschaltung 23 aktivierende Einschaltspan
nung VBE erreicht, von der Stärke des durch das lichtempfan
gende Element 21 fließenden Stroms ab. Genauer gesagt, benö
tigt es lange Zeit bis zum Einschalten der Darlingtonschal
tung 23, wenn die Stärke des durch das lichtempfangende Ele
ment 21 fließenden Stroms klein ist. Wenn dieser Strom dage
gen groß ist, wird die Darlingtonschaltung 23 innerhalb
einer kurzen Zeitspanne eingeschaltet. Einfach gesagt, er
möglicht es das Einstellen der Stärke des durch das licht
empfangende Element 21 fließenden Stroms, den Einschaltzeit
punkt der Darlingtonschaltung 23 zu steuern, wodurch Phasen
steuerung durch die Last 52 bewerkstelligt werden kann. Da
der Strom durch das lichtempfangende Element 21 mit der
Lichtstärke des lichtemittierenden Elements 2 in Beziehung
steht, ist es möglich, wenn der durch das lichtemittierende
Element 2 fließende Strom oder die Eingangsspannung VB ein
gestellt wird, eine Phasensteuerung für die an die Last 52
angelegte Spannung auszuführen.
Da der Verstärkungsfaktor der Darlingtonschaltung 23 ziem
lich groß ist, reicht als Eingangsspannung eine kleine Span
nung, weswegen die durch einen pn-Übergang in einem Halblei
terchip erzeugte Kapazität als Kapazität für den Kondensator
22 ausreicht. Demgemäß ist es möglich, den Kondensator 22
innerhalb eines Halbleiterchips bereitzustellen, wodurch das
Bauteil kompakt ist und die Anzahl von Teilen verringert
ist.
Wenn eine Halbwellen-Spannungsversorgung verwendet wird,
wird eine der Gatestrom-Erzeugungsschaltungen 4 und 5 in
Kombination mit dem zugehörigen Thyristorbereich 3a und 3b
verwendet. Wenn z. B. als Spannungsquelle eine Positivhalb
wellen-Spannungsversorgung 51′ verwendet wird, reicht die
Gatestrom-Erzeugungsschaltung 4 für positive Halbwellen
alleine mit dem entsprechenden Thyristorbereich 3a aus, um
das Bauteil aufzubauen, wie in den Fig. 10 und 11 darge
stellt.
Wie in Fig. 12 dargestellt, kann ein Triggerelement 26 wie
eine Zenerdiode in Reihe in den Basis-Emitter-Kreis der Dar
lingtonschaltung 23 geschaltet sein. Hierbei ist in der
Figur nur eine Gatestrom-Erzeugungsschaltung 4′ dargestellt.
Wenn das Triggerelement 26 auf diese Weise eingeführt ist,
kann die geladene Spannung VC des Kondensators 22 auf eine
Stärke erhöht werden, die der Einschaltspannung VS des Trig
gerelements 20 entspricht, wodurch es möglich wird, eine
Phasensteuerung in erweitertem Bereich mit hoher Genauigkeit
auszuführen, wie in Fig. 13 dargestellt. Da die Zeitkonstan
te der Schaltung (die Stromstärke im geladenen Zustand, wie
sie mit der Eingangslichtstärke in Beziehung steht) dieselbe
wie die bei dem in den Fig. 4 bis 7 dargestellten Aufbau
ist, ist es möglich, eine verfeinerte Steuerung auszuführen.
Auch kann als Triggerelement 26 außer einer Zenerdiode ein
Diac, eine SBS, ein SSS, ein UJT, ein PUT usw. verwendet
werden.
Obwohl beim obigen Ausführungsbeispiel eine Beschreibung für
einen in den Optokoppler eingebauten Triac 3 (Thyristorbe
reiche 3a und 3b) erfolgte, kann getrennt vom zweiten Chip
ein Schaltelement für große Leistung vorhanden sein, wenn
die Last 52, die Ziel der Phasensteuerung ist, viel elektri
sche Leistung benötigt. Genauer gesagt, ist es in einem sol
chen Fall möglich, daß nur die Gatestrom-Erzeugungsschaltung
(für doppelseitige Kanäle oder einen einseitigen Kanal) im
zweiten Chip ausgebildet ist, während das Schaltelement, wie
ein Triac, ein Thyristor usw., große Leistung extern an die
Gateanschlüsse Ga und Gb des zweiten Chips angeschlossen
ist. Durch diesen Aufbau ist es möglich, Schwierigkeiten wie
ein Überhitzen oder dergleichen des Elements zu vermeiden.
Obwohl der Optokoppler, der vorstehend unter Bezugnahme von
Fig. 14 beschrieben wurde, so aufgebaut ist, daß der erste
und der zweite Chip 7 und 9, die von Leiterrahmen 6 bzw. 8
gehalten werden, durch ein lichtdurchlässiges Harz 10 ver
gossen sind, ist es auch möglich, den Optokoppler dadurch
aufzubauen, daß nur die Chips 7 und 9 oder der lichtdurch
lässige Teil mit einem lichtdurchlässigen Harz 10 vergossen
ist, wie in Fig. 15 dargestellt. Ferner ist es auch möglich,
den ersten und zweiten Chip 7 und 9 in derselben Ebene anzu
ordnen, wie in Fig. 16 dargestellt. In diesem Fall sind die
so angeordneten Chips 7 und 9 durch ein lichtdurchlässiges
Harz 10 vergossen, und darüber befindet sich eine Verguß
schicht aus einem lichtabschirmenden Harz 11, wodurch das
vom ersten Chip emittierte Licht an der Grenzfläche zum
lichtabschirmenden Harz 11 so reflektiert wird, daß es auf
den zweiten Chip fällt. Es ist auch möglich, einen Optokopp
ler, wie es in Fig. 17 dargestellt ist, so aufzubauen, daß
ein erstes, einen ersten Chip haltendes Element 31, ein
zweites, einen zweiten Chip haltendes Element 32 und eine
optische Faser 33, die zwischen die zwei Elemente 31 und 32
geschaltet ist, um dadurch Lichtübertragung zu ermöglichen,
zu verwenden.
Aus der vorstehenden detaillierten Beschreibung zur Erfin
dung ist es erkennbar, daß es die Verwendung einer Darling
tonschaltung ermöglicht, eine niedrige Ladespannung für
einen Kondensator einzustellen. Dies ermöglicht es, den Kon
densator in einen einzigen Chip (den zweiten Chip) des Opto
kopplers einzubauen. Daher ist es möglich, phasengesteuerte
Signale nur unter Verwendung eines erfindungsgemäßen Opto
kopplers zu erhalten. Demgemäß kann der erfindungsgemäße
Optokoppler kompakt hergestellt werden, ohne daß eine Anzahl
getrennter Teile bereitzustellen ist, wie bei herkömmlichen
Aufbauten erforderlich.
Gemäß der Erfindung ist es möglich, eine stabile Steuerung
dadurch auszuführen, daß die Einschaltspannung für die Dar
lingtonschaltung zweckentsprechend erhöht wird.
Gemäß der Erfindung kann die Leistungssteuerung einer Last
alleine durch einen Optokoppler erfolgen, da ein Schaltele
ment zum Steuern der Spannungsversorgung der Last im zweiten
Chip vorhanden ist.
Claims (4)
1. Optokoppler mit Phasensteuerung, mit:
- - einem ersten Chip (7), der mit einem lichtemittierenden Element versehen ist, das Licht auf einen Eingangsstrom hin emittiert; und
- - einem zweiten Chip (9), der mit einem lichtempfangenden Element versehen ist, das einen Strom ausgibt, dessen Stärke von der Stärke des Lichts vom lichtemittierenden Element ab hängt;
- - wobei der erste und der zweite Chip in einer umschlossenen Struktur ausgebildet sind;
dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Chip außer dem licht
empfangenden Element (21) noch einen Kondensator (22) in
Form eines pn-Übergangs zum Einspeichern von Ladungen ent
sprechend dem Ausgangsstrom vom lichtempfangenden Element,
und eine Darlingtonschaltung (23) aufweist, zwischen deren
Basis und Emitter der Kondensator liegt.
2. Optokoppler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Triggerelement wie eine Zenerdiode in Reihe in den
Basis-Emitter-Kreis der Darlingtonschaltung (23) geschaltet
ist.
3. Optokoppler nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der zweite Chip (9) ferner mit einem
Thyristor versehen ist, der an den Ausgangsanschluß der Dar
lingtonschaltung (23) angeschlossen ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6086395A JP2812874B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 光結合素子 |
JPP6-86395 | 1994-04-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19515027A1 true DE19515027A1 (de) | 1995-10-26 |
DE19515027B4 DE19515027B4 (de) | 2005-04-07 |
Family
ID=13885692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19515027A Expired - Fee Related DE19515027B4 (de) | 1994-04-25 | 1995-04-24 | Durch Optokoppler gesteuerte Phasenanschnittsschaltung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5559340A (de) |
JP (1) | JP2812874B2 (de) |
KR (1) | KR100187388B1 (de) |
DE (1) | DE19515027B4 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2986698B2 (ja) * | 1994-12-28 | 1999-12-06 | シャープ株式会社 | 光結合素子 |
TW527786B (en) * | 2001-10-24 | 2003-04-11 | Wistron Corp | Filtering device with bandwidth adjustment capability |
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US7679223B2 (en) * | 2005-05-13 | 2010-03-16 | Cree, Inc. | Optically triggered wide bandgap bipolar power switching devices and circuits |
JP5865216B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2016-02-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | フォトカプラ |
US10283699B2 (en) * | 2016-01-29 | 2019-05-07 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Hall-effect sensor isolator |
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JPH0554977A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 調光器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-04-25 JP JP6086395A patent/JP2812874B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-24 US US08/426,869 patent/US5559340A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-24 DE DE19515027A patent/DE19515027B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-25 KR KR1019950010653A patent/KR100187388B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5559340A (en) | 1996-09-24 |
KR100187388B1 (ko) | 1999-05-15 |
DE19515027B4 (de) | 2005-04-07 |
JPH07298605A (ja) | 1995-11-10 |
JP2812874B2 (ja) | 1998-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PATENTANWAELTE MUELLER & HOFFMANN, 81667 MUENCHEN |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |