DE19509231C2 - Verfahren zum Aufbringen einer Metallisierung auf einem Isolator und zum Öffnen von Durchgangslöchern in diesem - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen einer Metallisierung auf einem Isolator und zum Öffnen von Durchgangslöchern in diesem

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren, mit dem auf einem Isolator eine Metallisierung aufgebracht werden kann und bei dem gleichzeitig in dem Isolator Durchgangslöcher geöffnet werden können. Ein solches Verfahren ist im Bereich der Dünnfilmtechnologie oder der Halbleitertechnologie einsetzbar, insbesondere zur Dünnfilmverdrahtung von Mehrschichtkeramiksubstraten.
In der Dünnfilmtechnologie ist es vorteilhaft, auf einem ebenen Untergrund zu arbeiten. Dadurch lassen sich Fehler beim Metallisieren, vor allem Kurzschlüsse und Löcher im Untergrund vermeiden oder zumindest minimieren. Bei rauhem Untergrund versucht man üblicherweise diese Rauhigkeit durch Einbringen einer Zwischen- oder Planarisierungslage abzufangen, bevor der Dünnfilm aufgebracht wird. Diese Planarisierungslage ist zusätzlich auch als Isolator verwendbar, um erwünschte und/oder unerwünschte metallische Rückstände von vorgeschalteten Prozessen auf der Oberfläche von der nachfolgenden Metallisierungsebene zu isolieren. Allerdings stellt diese Planarisierungslage zusätzliche Anforderungen an den Prozeßablauf, da erst einmal die elektrischen Kontakte zum Untergrund geöffnet werden müssen. Denkbar sind z. B. Prozesse wie das Zurückpolieren der Planarisierungslage auf das Niveau der elektrischen Kontakte des Untergrunds. Da die Metallisierung des Untergrunds dabei nicht beschädigt werden darf, erweist sich dies als ein sehr schwieriger Prozess.
Naheliegender ist es daher, Durchgangsöffnungen in den Isolator zu ätzen und diese metallisch zu füllen. Dies stellt allerdings wieder sehr hohe Anforderungen an den Ätzprozeß, da für eine kontinuierliche und verläßliche Metallverbindung über den Durchgangsöffnungen flache Flanken in den Isolator zu ätzen sind. Sind aus technischen Gründen nur steile Kanten im Isolator möglich, so erfordert dies die Metallabscheidung mit anschließendem Zurückpolieren. Hinzukommt, daß außer den Zusatzkosten für diesen Zwei-Maskenprozeß (die Bildung von Durchgangsöffnungen und von Metall-Leitungen), zusätzlicher Platz für die Justierungs- und Prozeßtoleranzen notwendig ist, der die aktive Fläche vergrößert und die Ausbeute verringert.
Entscheidend ist auch die Wahl des Isolatormaterials. So kann wegen des fehlenden Ätzstops beim reaktiven Ionenätzen mit Sauerstoffionen im Zwei-Maskenprozeß kein organischer Isolator wie z. B. Polyimid bei sich anschließenden Ablöse- oder Lift-Off-Prozessen verwendet werden.
Ein Hochtemperatur Lift-Off-Prozeß für Polyimidstrukturen ist im IBM Technical Disclosure Bulletin Vol. 23, No. 6, November 1980, Seiten 2293/2294 beschrieben. Ein solcher Hochtemperatur Lift-Off-Prozeß erfordert das Ätzen in Sauerstoffplasma und kann daher nicht auf einer ungeschützten Polyimidoberfläche ausgeführt werden, da das Polyimid durch diesen Ätzprozeß ebenfalls angegriffen wird. Als Ätzstop wird daher während des reaktiven Ionenätzens eine dünne Siliziumnitridschicht verwendet.
K. Prased und E. Perfecto beschrieben in IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology-Part B: Advanced Packaging, Vol. 17, No. 1, 1994, S. 38 ff. einen sogenannten Dual Level Metallization (DLM) Prozeß, in dem zunächst eine Polyimidschicht aufgebracht und ausgehärtet wird, gefolgt von einer Schicht photosensitiven Polyimids. In dieser photosensitiven Polyimidschicht werden dann die Leiterzüge durch Photolithographie definiert und anschließend die Vias in der darunterliegenden Polyimidschicht durch Projektionslaserablation unter Verwendung einer dielektrischen Maske ausgeführt. Es schließt sich eine Metallisierung durch Sputtern oder Elektroplating an. Anschließend wird durch mechanisches Planarisieren überschüssiges Material entfernt und die Leiterzugmerkmale werden definiert (Fig. 7(a)).
In IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, Vol. 16, No. 8, Dezember 1993, S. 817-821, wird die Herstellung eines Dünnfilm-Multilayer-Substrats dargestellt, die folgende Schritte umfaßt: 1) Herstellen von CCP-Sheets mit hohem thermischem Widerstand, 2) Auflaminieren von Dünnfilmresisten auf die Kupferfolien und Ausbilden der Leiterzugmuster durch eine Belichtungs- und Entwicklungstechnik, 3) Ausbilden der Kupfer-Leiterzugmuster durch subtraktives Ätzen, 4) Auflaminieren der mit den Leiterzugmustern versehenen Sheets auf Substrate, 5) Herstellen der Via-Löcher durch Laserablation unter Verwendung des mit einem Muster versehenen Kupfers als Lasermaske, und 6) Metallisieren der Via-Löcher durch electroless copper plating.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, bei dem auf einfache und zuverlässige Weise gleichzeitig Leiterbahnen und elektrische Kontakte hergestellt werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale des Anspruchs 1.
Bereitgestellt wird ein Substrat mit einer ersten und einer zweiten Isolierschicht auf der Oberfläche des Substrats, einer Abdeckschicht auf der zweiten Isolierschicht, einer strukturierten Maskenschicht auf der Abdeckschicht sowie mit von der Substratrückseite bis an die Substratoberfläche reichenden und mit Metall gefüllten Durchgangsöffnungen. Die Maskenschicht ist so strukturiert, daß sie in den Bereichen über den Durchgangsöffnungen und in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen Öffnungen aufweist. Die Abdeckschicht wird in den nicht von der strukturierten Maskenschicht bedeckten Bereichen mittels eines ersten Ätzprozesses geöffnet. Danach wird die zweite Isolierschicht in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen liegenden Bereichen unter Verwendung einer dielektrischen Maske laserablattiert. Anschließend wird gleichzeitig die erste Islolierschicht in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen liegenden Bereichen und die zweite Isolierschicht in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen mittels eines zweiten Ätzprozesses geöffnet, wobei die Durchgangsöffnungen von der ersten Isolierschicht vollständig befreit werden, in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen die zweite Isolierschicht vollständig entfernt wird und die erste Isolierschicht auf der Substratoberfläche im wesentlichen erhalten bleibt.
Dieses Ein-Masken-Verfahren stellt im Vergleich zum bekannten Zwei-Masken-Verfahren eine wesentliche Verfahrensvereinfachung dar und gewährleistet, daß in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen der Substratoberfläche diese immer mit der ersten Isolierschicht bedeckt ist und damit verfahrensbedingte Ausfälle durch Fehler bei/in der Metallisierung weitestgehend ausgeschlossen werden und damit die Zuverlässigkeit des späteren Endprodukts stark erhöht wird. Ein weiterer Vorteil des Verfahrens besteht darin, daß die Kanten der zweiten Isolationsschicht steil geätzt werden können, da die Metall-Leitungen erst dort auf den Isolator übergehen, wo die äußere Begrenzung der dielektrischen Maske für das Laserablattieren endet und die erste Isolationsschicht durch den sich anschließenden Ätzschritt eine flache Kante hat.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nun ausführlich mittels Ausführungsbeispielen beschrieben unter Bezugnahme auf Abbildungen, die im einzelnen folgendes darstellen:
Fig. 1A)-D) zeigt die einzelnen Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einer organischen Schicht als erster Isolierschicht;
Fig. 2A)-E) zeigt die einzelnen Schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einer anorganischen Schicht als erster Isolierschicht;
Fig. 3A) zeigt die Umgebung einer Durchgangsöffnung nach dem Aufbringen einer Metallschicht in der Aufsicht und Fig. 3B) verdeutlicht dies im Querschnitt und zeigt gleichzeitig beispielhaft die gute Kantenbedeckung der Isolatorstufe durch das Metall;
Fig. 4A) und 5A) zeigen jeweils in der Aufsicht und Fig. 4B) und 5B) als Querschnittsbild Beispiele für häufig auftretende Fabrikationsprobleme, die durch das erfindungsgemäße Verfahren vermieden werden; in Fig. 4 sind dies Kurzschlüsse im Bereich von Doppel-Durchgangsöffnungen und in Fig. 5 sind dies radial- oder C-förmige, mit Metall gefüllte Risse im Substrat.
Fig. 1A) zeigt ein Substrat 1 mit einer ersten 3 und einer zweiten 4 Isolierschicht auf der Oberfläche 2 des Substrats 1. Das Substrat kann aus einem Halbleitermaterial bestehen oder ein keramisches Material sein wie z. B. Aluminiumoxidkeramik oder Glaskeramik. Die erste Isolierschicht 3 ist in diesem Ausführungsbeispiel aus organischem Material hergestellt, vorzugsweise aus Polyimid, und die zweite Isolierschicht 4 besteht ebenfalls aus organischem Material und vorzugsweise aus Polyimid.
Über der zweiten Isolierschicht 4 liegt eine Abdeckschicht 5, die aus Hexamethyldisilazan, Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder auch aus einem Metall bestehen kann. Auf der Abdeckschicht 5 ist eine nach den herkömmlichen photolithographischen Methoden strukturierte Maskenschicht 6 aufgebracht, die geeigneterweise aus einem Photolack besteht. Mit Metall gefüllte Durchgangsöffnungen 7 reichen von der Substratrückseite bis an die Substratoberfläche 2. Im an die Substratoberfläche 2 angrenzenden Bereich ist das Füllmetall der Durchgangsöffnungen 7 mit einer aufplattierten Metallschicht 7a, vorzugsweise einer Nickelschicht, belegt. Die Maskenschicht 6 ist so strukturiert, daß sie in den Bereichen über den Durchgangsöffnungen 7 sowie in den später mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen Öffnungen aufweist.
Im Substrat 1 sind lochartige 9 und rißartige 10 Fehlerstrukturen angedeutet.
Fig. 1A) zeigt den Zustand nach dem Öffnen der Abdeckschicht 5 in den nicht von der strukturierten Maskenschicht 6 bedeckten Bereichen. Die Abdeckschicht wurde in den gewünschten Bereichen mittels eines Ätzprozesses entfernt. Dazu ist ein naßchemisches Ätzverfahren oder ein Ätzen mit reaktiven Ionen wie z. B. mit CHF3, CF4 oder C12/SF6 gleichermaßen geeignet.
In Fig. 1B) ist dargestellt, wie unter Verwendung einer dielektrischen Maske durch Laserablattieren der zweiten Isolierschicht 4 in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen 7 liegenden Bereichen und in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen Öffnungen in der zweiten Isolierschicht 4 geschaffen werden. Wie mittels Laserablation Durchgangslöcher in einer organischen Schicht, z. B. aus Polyimid, hergestellt werden ist z. B. in IBM Technical Disclosure Bulletin Vol. 26, No. 7B, December 1983, Seite 3586/3587 oder auch in IBM Technical Disclosure Bulletin Vol. 28,, No. 5, October 1985, Seite 2034 beschrieben.
Die Öffnungen der dielektrischen Maske sind deutlich größer als die Öffnungen der wesentlich genaueren Maske 6, die die zu schaffenden Öffnungen in den Isolierschichten 3 und 4 über den Durchgangsöffnungen 7 definiert und justiert. Durch die relativ dicke Maskenschicht 6 ist jedoch die Abdeckschicht 5 geschützt und kann durch das Laserablattieren nicht zerstört werden.
In den später mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen werden die Öffnungen in der zweiten Isolierschicht 4 sogar noch etwas vergrößert, sodaß sich ein sanfter Winkel im Kantenbereich der zweiten Isolierschicht 4 einstellt und eine scharfe Kantenbegrenzung durch die Kante der Abdeckschicht 5 vermieden wird. Somit wird gewährleistet, daß bei der späteren Metallabscheidung die Isolatorstufe durch das Metall abrißfrei bedeckt wird.
Nach dem Laserablationsschritt werden durch einen zweiten Ätzschritt gleichzeitig sowohl die erste Isolierschicht 3 in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen 7 liegenden Bereichen als auch die zweite Isolierschicht 4 in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen geöffnet. Das Ergebnis dieses Ätzschritts, der besonders vorteilhaft ein Ätzen mit reaktiven Sauerstoffionen umfaßt, ist in Fig. 1C) dargestellt. Die Durchgangsöffnungen 7 wurden vollständig von der ersten Isolierschicht 3 befreit und in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen wurde die zweite Isolierschicht 4 vollständig und die erste Isolierschicht 3 auf der Substratoberfläche 2 teilweise entfernt. Ein wichtiges Ergebnis dieses Ätzschritts ist, daß die erste Isolierschicht 3 auf der Substratoberfläche 2 in den Bereichen, die nicht direkt mit Metall beschichtet werden sollen, im wesentlichen erhalten bleibt, auch wenn, um ein vollständiges Entfernen der ersten Isolierschicht 3 von den Durchgangsöffnungen 7 sicherzustellen, ein leichtes Überätzen beabsichtigt ist. Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrensablaufs liegt im wesentlichen darin, daß die Öffnungen in den mit Metall zu belegenden Bereichen an der Substratoberfläche infolge des Ätzvorsprungs durch das Laserablattieren nur soweit lateral in die erste Isolationsschicht 3 eindringen, daß noch eine genügende Schichtdicke des Isolatormaterials über der Substratoberfläche vorhanden ist, das Material der zweiten Isolationsschicht 4 aber sicher entfernt wird.
In Fig. 3A) ist die Umgebung einer Durchgangsöffnung 7 nach dem Aufbringen einer Metallschicht 8 in der Aufsicht und in Fig. 3B) im Querschnitt dargestellt. Nur der schraffierte schmale Bereich 2A zwischen der Öffnung der genaueren Maske 6 und der deutlich größeren Öffnung der dielektrischen Maske 6A wird in der ersten Isolatorschicht 3 ungewollt beim zweiten Ätzschritt geöffnet. Solche kleinen Bereiche lassen sich durch geschickte Änderung der Anordnung von Leiterbahn 8 und Durchgangsöffnung 7 in kritischen Bereichen umgehen. Selbst Metallreste wie zum Beispiel die in Fig. 5A) in der Aufsicht und in Fig. 5B) im Querschnitt dargestellten radial- oder C- förmigen, mit Metall gefüllte Risse 11, 12 im Substrat wirken in diesen kleinen Bereichen nicht störend, da diese ohnehin durch die darüber verlaufende Metalleitung 8 kurzgeschlossen würden. Nur in den Fällen, in denen der Abstand der Durchgangsöffnung 7 zur nächsten Metallinie 8 den Differenzabstand 2A zwischen der Öffnung der genaueren Maske 6 und der deutlich größeren Öffnung der dielektrischen Maske 6A unterschreitet, können die beschriebenen Defekte zu Ausfällen durch Kurzschlüsse führen. Ein zufälliges Zusammentreffen von einem Versatz der Maske 6A in bezug auf Maske 6 und den oben beschriebenen Defekten 11, 12 ist jedoch höchst unwahrscheinlich.
In Fig. 1D) wurde das Substrat mit Metall 8 bedampft und in den mit den vorhergehenden Prozeßschritten dafür vorbereiteten Bereichen auf der Substratoberfläche und auf der ersten Isolierschicht 3 befindet sich nun eine Metallschicht 8.
In den Fig. 2A)-2E) wird die entsprechende Prozeßsequenz des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einer anorganischen Schicht als erster Isolierschicht 3 dargestellt. Die anorganische Schicht kann beispielsweise aus Materialien wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Polysilizium bestehen. Dies in den Fig. 2A)-2E) gezeigte Verfahren unterscheidet sich von dem oben beschriebenen Verfahrensablauf dadurch, daß das Laserablattieren in Fig. 2B) die zweite Isolierschicht 4 in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen 7 liegenden Bereichen nicht vollständig entfernt und der zweite Ätzprozess in zwei Teilschritten abläuft, deren jeweiliges Teilergebnis in den Fig. 2C)-2E) dargestellt ist. Im ersten Teilschritt des zweiten Ätzprozesses wird die zweite Isolierschicht 4 in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen 7 liegenden Bereichen vollständig entfernt, Fig. 2C) und 2D). Im anschließenden zweiten Teilschritt des zweiten Ätzprozesses wird die zweite Isolierschicht 4 lateral so zurückgeätzt, daß die Abdeckschicht 5 über die zweite Isolierschicht 4 überhängt, Fig. 2E).
Der erste Teilätzschritt des zweiten Ätzprozesses ist bevorzugt ein naßchemisches Ätzen in mehreren Sequenzen oder ein Ätzen mit reaktiven Ionen in mehreren Schritten. Durch diese speziellen Ätztechniken, mehrere Naßätzsequenzen oder Mehrschrittätzen mit reaktiven Ionen, läßt sich der spätere Übergang der Metallinie 8 auf die Isolationsschicht 3 flach halten. Der zweite Teilätzschritt des zweiten Ätzprozesses ist vorzugsweise ein Ätzen mit reaktiven Sauerstoffionen.
Wie in Fig. 2D) angedeutet ist es möglich, daß beim zweiten Teilätzschritt die Abdeckschicht 5 etwas angegriffen wird. Durch geeignete aufeinander abgestimmte Wahl des Isolatormaterials, des Materials für die Abdeckschicht sowie der Ätzmedien kann dies minimiert werden.
Im Anschluß an die Ätzschritte wird das Substrat ebenso wie im ersten Ausführungsbeispiel ganzflächig mit Metall bedampft. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahrensablauf zu erreichende gute Kantenbedeckung der Isolatorstufe durch das Metall 8 ist beispielhaft in Fig. 3B) verdeutlicht.
Abschließend werden die aus der ersten 3 und der zweiten 4 Isolierschicht sowie der mit Metall 8 bedampften Abdeckschicht 5 bestehenden nicht mehr benötigten Strukturen von der Substratoberfläche 2 abgelöst, wobei die Durchgangsöffnungen 7 und die mit einer Metallschicht 8 zu belegenden Bereiche über der im wesentlichen erhaltenen ersten Isolierschicht 3 vollständig mit Metall 8 bedeckt bleiben.
Dies ist ein großer Vorteil gegenüber den bisher bekannten Verfahren und trägt ursächlich dazu bei, verfahrensbedingte Ausfälle durch Fehler bei/in der Metallisierung, wie u. a. die in Fig. 4A) und 4B) dargestellten Kurzschlüsse im Bereich von Doppel-Durchgangsöffnungen weitestgehend auszuschließen.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung einer Metallisierung auf einem mit Isolierschichten versehenen Substrat, bei dem gleichzeitig Leiterbahnen und elektrische Kontakte hergestellt werden, mit den folgenden Schritten:
  • 1. Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer ersten (3) und einer zweiten (4) Isolierschicht auf der Oberfläche (2) des Substrats (1), einer Abdeckschicht (5) auf der zweiten Isolierschicht (4), einer strukturierten Maskenschicht (6) auf der Abdeckschicht (5) zum Schutz der Abdeckschicht (5) während eines Laserablattierens der zweiten Isolierschicht (4), so dass die Abdeckschicht (5) nicht zerstört, sondern allenfalls angegriffen werden kann, sowie mit von der Substratrückseite bis an die Substratoberfläche (2) reichenden und mit Metall gefüllten Durchgangsöffnungen (7), wobei die Maskenschicht (6) so strukturiert ist, daß sie in den Bereichen über den Durchgangsöffnungen (7) und in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen Öffnungen aufweist;
  • 2. Öffnen der Abdeckschicht (5) in den nicht von der strukturierten Maskenschicht (6) bedeckten Bereichen mittels eines ersten Ätzprozesses;
  • 3. Laserablattieren der zweiten Isolierschicht (4) in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen (7) liegenden Bereichen unter Verwendung einer sich nicht auf dem Substrat (1) befindlichen dielektrischen Maske (6a) und/oder den Öffnungen in der strukturierten Maskenschicht (6) bzw. der Abdeckschicht (5);
  • 4. gleichzeitiges Öffnen der ersten Islolierschicht (3) in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen (7) liegenden Bereichen und der zweiten Isolierschicht (4) in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen mittels eines zweiten Ätzprozesses, wobei die Durchgangsöffnungen (7) von der ersten Isolierschicht (3) vollständig befreit werden, in den mit einer Metallschicht zu belegenden Bereichen die zweite Isolierschicht (4) vollständig entfernt wird und die erste Isolierschicht (3) auf der Substratoberfläche (2) im wesentlichen erhalten bleibt;
  • 5. Bedampfen des Substrats (1) mit Metall (8).
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Ätzprozess ein Ätzen mit reaktiven Ionen wie CHF3, CF4 oder C12/SF6 oder naßchemisches Ätzen umfaßt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der zweite Ätzprozess ein Ätzen mit reaktiven Sauerstoffionen ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Isolierschicht (3) aus einem organischen Material besteht und vorzugsweise ein Polyimid ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Laserablattieren die zweite Isolierschicht (4) in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen (7) liegenden Bereichen nicht vollständig entfernt und wobei der zweite Ätzprozess in zwei Teilschritten abläuft.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei im ersten Teilschritt des zweiten Ätzprozesses die zweite Isolierschicht (4) in den über den gefüllten Durchgangsöffnungen (7) liegenden Bereichen vollständig entfernt wird und im zweiten Teilschritt des zweiten Ätzprozesses die zweite Isolierschicht (4) lateral so zurückgeätzt wird, daß die Abdeckschicht (5) über die zweite Isolierschicht (4) überhängt.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei der erste Teilschritt des zweiten Ätzprozesses naßchemisches Ätzen oder ein Ätzen mit reaktiven Ionen in mehreren Schritten umfaßt und wobei der zweite Teilschritt des zweiten Ätzprozesses ein Ätzen mit reaktiven Sauerstoffionen ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die erste Isolierschicht (3) ein anorganisches Material ist und das anorganische Material Siliziumoxid, Siliziumnitrid und Polysilizium umfaßt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die strukturierte Maskenschicht (6) auf der Abdeckschicht (5) eine strukturierte Photolackschicht umfaßt und die Abdeckschicht (5) aus Hexamethyldisilazan, Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder einem Metall besteht.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9 mit dem weiteren Schritt:
  • 1. Ablösen der aus der ersten (3) und der zweiten (4) Isolierschicht sowie der mit Metall (8) bedampften Abdeckschicht (5) bestehenden Strukturen von der Substratoberfläche (2), wobei die Durchgangsöffnungen (7) und die mit einer Metallschicht (8) zu belegenden Bereiche über der im wesentlichen erhaltenen ersten Isolierschicht (3) vollständig mit Metall (8) bedeckt bleiben.
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