DE19508222C1 - Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren - Google Patents

Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen optoelektronischen Wandler mit einem Strahlung empfangenden oder aussendenden Halbleiterbauelement, mit einer Bodenplatte, auf dem das Halbleiterbauelement befestigt ist und mit einem mit der Trägerplatte verbundenen Abstandhalter für ein optisch auf das Halbleiterbauelement ausgerichtetes Linsensystem.
Solche Wandler sind bzw. aus der US 40 55 761 oder der JP 5-218 463 A bekannt. Ein wesentliches Problem besteht darin, die Wandler mit gutem Wirkungsgrad zu betreiben. Dies wird, abgesehen von den Eigenschaften des Halbleiterbauelements selbst, dadurch erreicht, daß das Linsensystem optisch optimal auf das Halbleiterbauelement ausgerichtet wird. Nur dann läßt sich das Licht vom Halblei­ terbauelement mit hohem Wirkungsgrad auf einen Lichtleiter auskoppeln oder von einem Lichtleiter auf das Halbleiterbau­ element einkoppeln.
Bei einem optoelektronischen Wandler muß außerdem sicherge­ stellt werden, daß die optimale Justierung auch im Betrieb erhalten bleibt. Bei Erwärmung des Wandlers im Betrieb kann es nämlich zu Dejustierungen kommen, die den Wirkungsgrad verschlechtern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen optoelektro­ nischen Wandler der eingangs erwähnten Art so zu verbessern, daß Temperaturschwankungen nur noch einen geringen Einfluß auf die Justierung zwischen Halbleiterbauelement und Linsen­ system haben. Außerdem soll ein einfaches Verfahren zum Herstellen eines solchen optoelektronischen Wandlers angege­ ben werden.
Das erstgenannte Ziel wird dadurch erreicht, daß die Boden­ platte, der Abstandhalter und das Linsensystem aus Materia­ lien mit zumindest ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffi­ zienten bestehen.
Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteran­ sprüche 2 bis 8. Ein bevorzugtes Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Wandlers ist Gegenstand des Anspruchs 9.
Die Erfindung wird anhand zweier Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Fig. 1 bis 5 näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel,
Fig. 2 einen Schnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel,
Fig. 3 und 4 charakteristische Schritte bei der Herstellung des optoelektronischen Wandlers und
Fig. 5 ein Gehäuse mit eingesetztem Wandler.
Der optoelektronische Wandler nach Fig. 1 ist auf einer Bodenplatte 1 aufgebaut. Die obere Oberfläche der Bodenplatte 1 ist mit Vertiefungen 2 versehen. Beidseitig der Vertiefung 2 bleiben Stege 3 stehen. In der Vertiefung 2 ist über eine Metallisierung 5 ein Strahlung empfangendes oder aussendendes Halbleiterbauelement 6 befestigt. Dieses kann z. B. eine Fotodiode, eine lichtaussendende Diode (LED) oder ein Vertical Cavity Surface Emitter Laser (VCSEL) sein. Die Metallisierung 5 dient außerdem zur Stromzuführung zum Halbleiterbauelement 6. Ein zweiter Kontakt liegt auf der Oberseite des Halbleiterbauelementes.
Auf den Stegen 3 sind z. B. ebenfalls stegförmige Abstandhal­ ter 7 befestigt. Auf den Abstandhaltern 7 liegt ein Linsen­ system 8, das mit den Abstandhaltern stoffschlüssig verbunden ist. Der Abstand zwischen dem Linsensystem und dem Boden der Vertiefung 2 ist größer als die Dicke des Halbleiterbauele­ ments 6 zuzüglich der Metallschicht 5.
Die Bodenplatte 1 besteht aus Silizium. Dies kann polykri­ stallin oder monokristallin sein. Anstelle von Silizium kann für die Bodenplatte 1 jedoch auch ein anderes Material mit einem geeigneten thermischen Ausdehnungskoeffizienten verwen­ det werden.
Die Abstandhalter 7 bestehen aus Glas, während das Linsensy­ stem aus Silizium oder Glas bestehen kann. Wesentlich ist, daß zwischen dem Halbleiterbauelement und dem Linsensystem wenigstens ein aus Glas bestehendes Teil angeordnet ist. Des­ sen geringer Wärmeleitwert verhindert, daß vom Halbleiterbau­ element 6 in die Bodenplatte 1 abgeleitete Wärme zum Linsen­ system gelangt. Eine Bodenplatte aus Silizium wird wegen ih­ rer guten Wärmeleitfähigkeit vorzugsweise bei Strahlung aus­ sendenden Halbleiterbauelementen verwendet, da hier die umge­ setzte Leistung i.a. höher als bei Strahlungsempfängern ist. Bei Strahlungsempfängern kann die Bodenplatte 1 aus Glas be­ stehen, die Abstandhalter 7 aus Silizium und das Linsensystem 8 aus Silizium oder Glas. Silizium für das Linsensystem in beiden Fällen kann dann der Vorzug gegeben werden, wenn die Strahlung eine Wellenlänge hat, für die Silizium durchlässig ist. Dies ist bei Wellenlänge größer als 1,1 µm der Fall.
Die Bodenplatte, die Abstandhalter 7 und das Linsensystem 8 können miteinander durch Kleben und/oder Löten verbunden wer­ den. Liegen jeweils Siliziumflächen und Glasflächen aufein­ ander, so können diese auch durch anodisches Bonden mitein­ ander verbunden werden. Diese Technik ist bekannt. Dabei wer­ den die miteinander zu bondenden Teile unter einer Temperatur von z. B. 400°C aufeinandergedrückt und eine Spannung von z. B. -1000 V wird am Glas angelegt. Da diese Verbindungstechnik sehr gut reproduzierbar ist, empfiehlt es sich auch in demjenigen Fall, bei dem die Bodenplatte 1 und das Linsen­ system 8 aus Glas besteht, die Abstandhalter 7 aus Silizium herzustellen. Beim Löten oder Verkleben von Abstandhalter und Linsensystem wird zwischen beide Teile eine Lot- oder Kleber­ schicht 9 eingefügt. Eine Lotschicht kann z. B. aufgedampft werden.
Als Glas wird ein Typ verwendet, das ein dem Silizium ähnli­ chen thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat. Hierfür eignet sich z. B. ein Borosilikatglas.
Soll der optoelektronische Wandler 11 eine geringe Kapazi­ tät haben, so empfiehlt sich statt der Silizium-Bodenplatte eine Glas-Bodenplatte. Ist jedoch aus Gründen der besseren Wärmeableitung eine Silizium-Bodenplatte erforderlich, so kann diese dünn ausgeführt und auf ihrer Rückseite mit einer Glasplatte 10 (Fig. 2) verbunden werden. Die Glasplatte 10 kann mit der Siliziumbodenplatte entweder durch anodisches Bonden, durch Löten oder durch Kleben verbunden sein.
Die in Fig. 1 und 2 gezeigten Wandler 11 werden in ein Gehäuse eingesetzt (Fig. 5), das einen Sockel 14 und einen Deckel 15 hat. Der Wandler 11 wird relativ zu einem im Deckel 15 angebrachtes Fenster 16 justiert und auf dem Sockel 14 befestigt. An das Fenster stößt ein Lichtwellenleiter (nicht dargestellt), der durch eine Kupplung 20 mit dem Gehäuse verbunden ist. Das Halbleiterbauelement selbst ist elektrisch über die Metallisierung 5 und den auf der Oberseite des Halbleiterbauelements angeordneten Kontakt mit zwei Anschlüs­ sen 21 und 22 verbunden, über die die Betriebsspannung zuge­ führt wird bzw. das elektrische Signal ausgekoppelt wird.
Zum gleichzeitigen Herstellen einer Vielzahl von optoelektro­ nischen Wandlern 11 nach Fig. 1 oder 2 wird zunächst eine Glasplatte oder Siliziumplatte 1 mit Vertiefungen 2 versehen (Fig. 3). Diese Vertiefungen dienen der Aufnahme der Halb­ leiterbauelemente und sind entsprechend breit bemessen. Zwischen zwei der Vertiefungen 2 bleibt ein Steg stehen. Diese Stege werden zweckmäßigerweise durch weitere Vertiefun­ gen 12 voneinander getrennt, wodurch Stege 3 entstehen. Die Vertiefungen 2, 12 können durch fotolithografisches Ätzen oder durch Sägen hergestellt werden. Beim Sägen entste­ hen einander parallele Stege 3, beim Ätzen können sie jede beliebige Form, z. B. Gitterform annehmen.
Als nächstes wird auf die Stege 3 eine aus Silizium oder Glas bestehende Platte 17 aufgelegt und mit den Stegen wie be­ schrieben durch anodisches Bonden, Kleben oder Verlöten verbunden. Dann wird die Platte 17 zersägt derart, daß das zwischen den Stegen 3 liegende, nicht mit der Bodenplatte 1 verbundenen Material entfernt wird. Dabei entstehen die mit den Stegen 3 verbundenen Abstandhalter 7 (Fig. 4). An­ schließend werden die Halbleiterbauelemente 6 gemäß einem vorgegebenen Raster in den Vertiefungen 2 befestigt.
Als nächster Schritt wird eine eine Vielzahl von Linsen­ systemen enthaltende Platte 18 aus Silizium oder Glas auf die Abstandhalter 7 aufgelegt. Die Linsensysteme sind in einem Raster auf der Platte 18 angeordnet, das dem Raster der auf der Bodenplatte 1 befestigten Halbleiterbauelement 6 ent­ spricht. Die Linsensysteme werden optisch auf die Halbleiter­ bauelemente 6 ausgerichtet und anschließend wird die Platte 18 mit den Abstandhaltern 7 durch das beschriebene anodische Bonden oder durch Verlöten verbunden. Hierdurch entsteht ein aus Bodenplatte 1, Halbleiterbauelementen 6, Abstandhaltern 7 und Platte 18 bestehender Verbund mit einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen und Linsensystemen. Dieser Verbund wird dann durch zwischen den Stegen 3 gelegte Sägeschnitte 13 und durch dazu rechtwinklige, parallel zur Zeichenebene liegende weitere Sägeschnitte zerlegt. Jede der dabei entste­ henden Einheiten 11 wird, wie oben beschrieben, in ein Ge­ häuse eingesetzt.
Die Technik der Vereinzelung eines Wafers in kleine Chips ist in der Halbleitertechnik seit langem üblich und kann bei Vereinzelung des Verbundes ebenfalls angewandt werden. Der Verbund wird also durch Sägen, Ritzen und Brechen geteilt. Hierbei ist es üblich, den Verbund auf einer elastischen Klebefolie zu fixieren. Die Folie dient dann als Träger bei allen Nachfolgeprozessen.
Es ist in Abänderung des beschriebenen Verfahrens auch mög­ lich, zunächst fotolithografisch oder mechanisch die Vertie­ fungen 2 und die Stege 3 zu erzeugen und dann die Abstandhal­ ter wie beschrieben anzubringen. Anstelle einer mit vielen Linsensystemen versehenen Scheibe 18 werden dann aber einzel­ ne Linsensysteme optisch auf die Halbleiterkörper ausgerich­ tet und mit den Abstandhaltern 7 verbunden.

Claims (10)

1. Optoelektronischer Wandler mit einem Strahlung empfangen­ den oder aussendenden Halbleiterbauelement mit einer Boden­ platte, auf dem das Halbleiterbauelement befestigt ist und mit einem mit der Bodenplatte verbundenen Abstandhalter für ein optisch auf das Halbleiterbauelement ausgerichtetes Linsensystem, dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenplatte (1), der Abstandhalter (7) und das Linsensystem (8) aus Materialien mit zumindest ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten bestehen.
2. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenplatte (1) und das Linsensystem (8) aus Silizium und der Abstandhalter (7) aus Glas bestehen.
3. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenplatte (1) aus Glas, das Linsensystem (8) und der Ab­ standhalter (7) aus Silizium bestehen.
4. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenplatte (1) mit einer Metallschicht (5) versehen ist, auf der das Halbleiterbauelement (6) befestigt ist.
5. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Glas mit den aus Silizium bestehenden Teilen jeweils durch anodisches Bonden miteinander verbunden sind.
6. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils aus Glas bzw. aus Silizium bestehende Teile miteinander verlötet oder verklebt sind.
7. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement (6) in einer Vertiefung (2) der Boden­ platte (1) sitzt.
8. Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Bodenplatte (1) aus Silizium besteht und daß sie auf der vom Halbleiterbauelement (6) abgewandten Seite mit einer Glas­ platte (10) verbunden ist.
9. Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Wandlers nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Merkmale:
  • a) In der Bodenplatte (1) werden Vertiefungen (2) zur Aufnah­ me der Halbleiterbauelemente (6) erzeugt derart, daß min­ destens auf einer Seite jeder Vertiefung ein Steg (3) ste­ hen bleibt,
  • b) auf die Stege wird eine Platte (17) Von der Größe der Bodenplatte (1) aufgelegt und mit den Stegen (3) stoff­ schlüssig verbunden,
  • c) die Platte (17) wird zwischen den Stegen (3) entfernt, so daß mit der Bödenplatte (1) verbundene Abstandhalter (7) entstehen,
  • d) in die Vertiefungen (2) werden gemäß einem vorgegebenen Raster die Halbleiterbauelemente (6) eingesetzt und mit der Bodenplatte (1) verbunden,
  • e) auf die Träger wird eine weitere Platte (18) aufgelegt, die eine der Anzahl der Halbleiterbauelemente entspre­ chende Zahl von Linsensystemen (8) enthält, die gemäß dem gleichen Raster auf der weiteren Platte angeordnet sind,
  • f) die weitere Platte (18) wird bezüglich der Träger derart justiert, daß jedes der Linsensysteme auf eines der Halb­ leiterbauelemente ausgerichtet ist,
  • g) die weitere Platte (18) wird auf den Trägern befestigt,
  • h) der aus Bodenplatte, Halbleiterbauelementen, Abstandhal­ tern und weiterer Platte bestehende Verbund wird durch erste parallele Schnitte (13) und dazu rechtwinkelige zweite Schnitte zerteilt, so daß Einheiten (11) entstehen, die jeweils eine Bodenplatte (1), ein Halbleiterbauelement (6) Abstandhalter (7) und ein Linsensystem (8) enthalten.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Einheiten (11) in ein gasdichtes Gehäuse (14, 15) eingesetzt wird.
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TW085100760A TW366599B (en) 1995-03-08 1996-01-23 Optoelectronic converter and its manufacturing method
JP7321896A JP3256126B2 (ja) 1995-03-08 1996-03-04 オプトエレクトロニクス変換器
EP96103353A EP0731509B1 (de) 1995-03-08 1996-03-04 Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
DE59607023T DE59607023D1 (de) 1995-03-08 1996-03-04 Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
ES96103353T ES2158166T3 (es) 1995-03-08 1996-03-04 Convertidor optoelectronico y procedimiento de fabricacion.
KR1019960005882A KR960036157A (ko) 1995-03-08 1996-03-07 광전 변환기 및 그 제조방법
CN96101887A CN1135660A (zh) 1995-03-08 1996-03-08 光电转换器及其制造方法
US08/614,836 US5981945A (en) 1995-03-08 1996-03-08 Optoelectronic transducer formed of a semiconductor component and a lens system

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003027743A1 (de) * 2001-09-14 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Sende- und/oder empfangsanordnung zur optischen signalübertragung
DE10308048A1 (de) * 2003-02-26 2004-09-09 Abb Research Ltd. Verfahren zur Herstellung von Trägerelementen
EP1462422A2 (de) * 2003-02-28 2004-09-29 Hitachi, Ltd. Anodisches Bondenverfahren und ihre Verwendung zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
EP1244151A3 (de) * 2001-03-21 2007-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
EP1848034A2 (de) * 2006-04-18 2007-10-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Elektronikbauteil
WO2009024125A1 (de) 2007-08-20 2009-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleitermodul und verfahren zur herstellung eines solchen
EP2287925A3 (de) * 1998-01-30 2012-04-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080136955A1 (en) * 1996-09-27 2008-06-12 Tessera North America. Integrated camera and associated methods
EP1014455B1 (de) 1997-07-25 2006-07-12 Nichia Corporation Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
CN1258820C (zh) * 1998-06-30 2006-06-07 罗伯特·博施有限公司 电磁辐射的探测装置
DE19958229B4 (de) * 1998-12-09 2007-05-31 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Optisches Halbleiter-Sensorbauelement
US6683325B2 (en) * 1999-01-26 2004-01-27 Patent-Treuhand-Gesellschaft-für Elektrische Glühlampen mbH Thermal expansion compensated opto-electronic semiconductor element, particularly ultraviolet (UV) light emitting diode, and method of its manufacture
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6711191B1 (en) 1999-03-04 2004-03-23 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
US20070181781A1 (en) * 2001-03-06 2007-08-09 Digital Optics Corporation Integrated optical transceiver
US20040041081A1 (en) * 2002-08-30 2004-03-04 Feldman Michael R. Integrated optical transceiver and related methods
JP3858537B2 (ja) * 1999-11-02 2006-12-13 富士ゼロックス株式会社 基板接合方法、接合体、インクジェットヘッド、および画像形成装置
IL133453A0 (en) * 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US6674775B1 (en) 2000-02-18 2004-01-06 Jds Uniphase Corporation Contact structure for semiconductor lasers
US20040120371A1 (en) * 2000-02-18 2004-06-24 Jds Uniphase Corporation Contact structure for a semiconductor component
US7842914B2 (en) * 2000-03-06 2010-11-30 Tessera North America, Inc. Optoelectronic package, camera including the same and related methods
US6759687B1 (en) 2000-10-13 2004-07-06 Agilent Technologies, Inc. Aligning an optical device system with an optical lens system
KR100393057B1 (ko) * 2000-10-20 2003-07-31 삼성전자주식회사 마이크로 렌즈 일체형 표면광 레이저
US6798931B2 (en) * 2001-03-06 2004-09-28 Digital Optics Corp. Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
JP2002290842A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子の製造方法
DE10118630A1 (de) * 2001-04-12 2002-10-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiter-Bauelements
FR2824955B1 (fr) * 2001-05-18 2004-07-09 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique blinde
DE10146498C2 (de) * 2001-09-21 2003-11-20 Arnold Glaswerke Photovoltaik-Isolierverglasung
US7343535B2 (en) 2002-02-06 2008-03-11 Avago Technologies General Ip Dte Ltd Embedded testing capability for integrated serializer/deserializers
US7074638B2 (en) 2002-04-22 2006-07-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device
TW587842U (en) * 2002-05-30 2004-05-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Optical package
KR100464965B1 (ko) * 2002-06-28 2005-01-06 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 하우징
WO2004007386A2 (en) * 2002-07-11 2004-01-22 Alfalight, Inc. Thermal barrier for an optical bench
EP1686618A3 (de) * 2002-07-29 2007-01-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Festkörper-Bildaufnehmer und Herstellungsverfahren dafür
AU2003255926A1 (en) * 2002-09-09 2004-03-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing such a device
US7564496B2 (en) * 2002-09-17 2009-07-21 Anteryon B.V. Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
EP1572115B1 (de) * 2002-11-27 2015-01-21 Ampio Pharmaceuticals, Inc. Behandlung von erkrankungen und zuständen,die durch erhöhte phosphorylierung vermittelt werden
TWI246780B (en) 2003-03-10 2006-01-01 Toyoda Gosei Kk Solid-state component device and manufacturing method thereof
US6953990B2 (en) * 2003-09-19 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Wafer-level packaging of optoelectronic devices
US6998691B2 (en) * 2003-09-19 2006-02-14 Agilent Technologies, Inc. Optoelectronic device packaging with hermetically sealed cavity and integrated optical element
US6900509B2 (en) * 2003-09-19 2005-05-31 Agilent Technologies, Inc. Optical receiver package
US6982437B2 (en) * 2003-09-19 2006-01-03 Agilent Technologies, Inc. Surface emitting laser package having integrated optical element and alignment post
US7520679B2 (en) 2003-09-19 2009-04-21 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device package with turning mirror and alignment post
US20050063431A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Gallup Kendra J. Integrated optics and electronics
FR2861217B1 (fr) * 2003-10-21 2006-03-17 St Microelectronics Sa Dispositif optique pour boitier semi-conducteur optique et procede de fabrication.
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1602953A1 (de) * 2004-05-31 2005-12-07 STMicroelectronics S.r.l. Ein Gehäuse für mindestens ein elektro-optisches Element und dessen Montagemethode
JP3801601B2 (ja) * 2004-06-15 2006-07-26 シャープ株式会社 蓋部を備えた半導体ウェハの製造方法及び半導体装置の製造方法
TWI228326B (en) * 2004-06-29 2005-02-21 Cleavage Entpr Co Ltd Structure of light emitting diode and manufacture method of the same
JP4547569B2 (ja) * 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
JP2008519289A (ja) 2004-09-14 2008-06-05 シーディーエム オプティックス, インコーポレイテッド 低い高さのイメージングシステムおよび関連方法
TWI289365B (en) 2005-09-29 2007-11-01 Visera Technologies Co Ltd Wafer scale image module
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
WO2009052764A1 (fr) 2007-10-19 2009-04-30 Ren Lou Appareillage de réaction composite et procédé chimique de production utilisant celui-ci
US20110192445A1 (en) * 2008-03-13 2011-08-11 Florian Solzbacher High precision, high speed solar cell arrangement to a concentrator lens array and methods of making the same
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
TW201010097A (en) * 2008-08-19 2010-03-01 Advanced Optoelectronic Tech Solar cell and manufacturing method therof
WO2010033211A1 (en) 2008-09-18 2010-03-25 Tessera North America, Inc. Recessed optical surfaces
US8265487B2 (en) * 2009-07-29 2012-09-11 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Half-duplex, single-fiber (S-F) optical transceiver module and method
DE102009042479A1 (de) 2009-09-24 2011-03-31 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug
CN102103235B (zh) * 2009-12-18 2012-06-27 国碁电子(中山)有限公司 光收发器及其制造方法
CN102375185B (zh) * 2010-08-20 2013-11-13 国碁电子(中山)有限公司 光收发器及其制造方法
US20120154945A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 William Mark Hiatt Optical apertures and applications thereof
JP2012069977A (ja) * 2011-11-08 2012-04-05 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
CN103926658A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 光通讯模组
US9008139B2 (en) * 2013-06-28 2015-04-14 Jds Uniphase Corporation Structure and method for edge-emitting diode package having deflectors and diffusers
TWI696809B (zh) * 2014-07-23 2020-06-21 新加坡商海特根微光學公司 用來產生光圖案之照明投影器模組及製造照明投影器模組之方法
US10439358B2 (en) * 2016-04-28 2019-10-08 Nichia Corporation Manufacturing method of light-emitting device
WO2020125646A1 (zh) 2018-12-17 2020-06-25 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光学次模块及光模块
CN109407235B (zh) * 2018-12-17 2020-08-25 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光学次模块及光模块
CN109407233B (zh) * 2018-12-17 2020-10-02 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光学次模块及光模块
CN110212402B (zh) * 2019-05-07 2020-11-27 上海灿瑞科技股份有限公司 雷射二极管装置
EP4033621B1 (de) * 2019-09-20 2023-11-01 Nichia Corporation Lichtquellenvorrichtung und verfahren zur herstellung davon
CN114514662A (zh) * 2019-09-30 2022-05-17 京瓷株式会社 光元件搭载用封装件及电子装置
WO2022020257A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-27 Apple Inc. Photonic integrated circuits with controlled collapse chip connections
EP3971543B1 (de) * 2020-09-17 2024-02-07 Lynred Verfahren zur herstellung eines infrarotdetektors und zugehöriger infrarotdetektor
US20230011177A1 (en) 2021-07-08 2023-01-12 Apple Inc. Light Source Modules for Noise Mitigation
US12111207B2 (en) 2022-09-23 2024-10-08 Apple Inc. Despeckling in optical measurement systems

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055761A (en) * 1975-03-14 1977-10-25 Nippon Kogaku K.K. Light receiving device for photoelectric conversion element

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5946434B2 (ja) * 1978-01-10 1984-11-12 キヤノン株式会社 半導体レ−ザ装置
US4511755A (en) * 1982-05-17 1985-04-16 Kei Mori Solar ray collection apparatus
US5274456A (en) * 1987-12-28 1993-12-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and video camera unit using it and their manufacturing method
DE3833096A1 (de) * 1988-09-29 1990-04-05 Siemens Ag Optische koppelanordnung
JPH0732208B2 (ja) * 1989-10-31 1995-04-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3191823B2 (ja) * 1992-02-03 2001-07-23 住友電気工業株式会社 半導体受光装置
JPH0463669U (de) * 1990-10-12 1992-05-29
US5167724A (en) * 1991-05-16 1992-12-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Planar photovoltaic solar concentrator module
JPH0667115A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Kyocera Corp 画像装置
JP2975501B2 (ja) * 1993-05-17 1999-11-10 京セラ株式会社 画像装置
US5617131A (en) * 1993-10-28 1997-04-01 Kyocera Corporation Image device having a spacer with image arrays disposed in holes thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055761A (en) * 1975-03-14 1977-10-25 Nippon Kogaku K.K. Light receiving device for photoelectric conversion element

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 3-69169 A (engl. Abstract) *
JP 5-218463 A (engl. Abstract) *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0933823B1 (de) * 1998-01-30 2018-08-29 OSRAM GmbH Flächenleuchte mit ausdehnungskompensiertem optoelektronischem Halbleiter-Bauelement
EP2287925A3 (de) * 1998-01-30 2012-04-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1244151A3 (de) * 2001-03-21 2007-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
US7359646B2 (en) 2001-09-14 2008-04-15 Finisar Corporation Transmitter and/or receiver arrangement of optical signal transmission
CN1302306C (zh) * 2001-09-14 2007-02-28 因芬尼昂技术股份公司 光学信号传输之传送及/或接收装置
WO2003027743A1 (de) * 2001-09-14 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Sende- und/oder empfangsanordnung zur optischen signalübertragung
DE10308048A1 (de) * 2003-02-26 2004-09-09 Abb Research Ltd. Verfahren zur Herstellung von Trägerelementen
EP1462422A3 (de) * 2003-02-28 2007-11-21 Hitachi, Ltd. Anodisches Bondenverfahren und ihre Verwendung zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
EP1462422A2 (de) * 2003-02-28 2004-09-29 Hitachi, Ltd. Anodisches Bondenverfahren und ihre Verwendung zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung
EP1848034A3 (de) * 2006-04-18 2010-03-10 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Elektronikbauteil
EP1848034A2 (de) * 2006-04-18 2007-10-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Elektronikbauteil
WO2009024125A1 (de) 2007-08-20 2009-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleitermodul und verfahren zur herstellung eines solchen
US9564555B2 (en) 2007-08-20 2017-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Opto-electronic semiconductor module and method for the production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08264843A (ja) 1996-10-11
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ES2158166T3 (es) 2001-09-01

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