DE1948097A1 - Elektronisches Koppelelement - Google Patents

Elektronisches Koppelelement

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DE1948097A1 DE19691948097 DE1948097A DE1948097A1 DE 1948097 A1 DE1948097 A1 DE 1948097A1 DE 19691948097 DE19691948097 DE 19691948097 DE 1948097 A DE1948097 A DE 1948097A DE 1948097 A1 DE1948097 A1 DE 1948097A1
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electronic
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Karl Dipl-Ing Maier
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Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
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Description

10 9813/U4 2
E-Nr. 9585 Reg. Nr. A^ Case: K .Maier-2
Titel: Elektronisches Koppelelement 1948097
Verzeichnis der verwendeten Bezeichnungen
Bezugs
zeichen		 Ursprungssprache D/E 10981 3/1U Übersetzung E/D 2
S Quelle source
D Senke drain
SiO2 Siliziumdioxyd
G Steuerelektrode gate
B Basiselektrode base
G1,G2,G3 Steuerelektroden gates
E,E1 bis
E8		 Eingänge
A Ausgang
xl bis x8 Steuereingänge
yi,y2 Steureingänge
Fl Oberfläche
P2 bisP6 Flächen
-Ul,-U?,
+U2		 Spannungen
R1,R2,R3 Widerstände
Cl,C2 Kondensatoren
Tl, T2 Transistoren
Lee rs ei te

Claims (12)

194809?
~ IO ~
K.Maier-2
Patentansprüche
Elektronisches Koppelelement für Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchschaltestelle und die zur Auswahl und Ansteuerung der Durchschaltestelle dienenden Schaltkreise zu'einem integrierten Halbleiterbauelement in MOS-FET-Bauweise zusammengefasst sind.
2. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchschaltestelle als Quelle (S) und Senke(D) und die zur Auswahl und Ansteuerung dienenden Schaltkreise als mehrfache Gatter (Gl...Gn) mit dazwischenliegenden, aber nicht kontaktierten und unbeschalteten, paarweise zusammengefassten Quelle~/Senkezonen eines kettenförmigen MOS-FET-Transistors ausgebildet sind.
3. Elektronisches Koppelelement naoh Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Anschluss der Durchschaltestellen einer Koppelzeile bzw. einer -spalte als gemeinsame Quelle bzw. Senke (D in Fig.4b) auf einem für diese Koppelzeilen bzw. -spalten gemeinsamen Substratplättchen ausgebildet ist.
4. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, daduroh gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Gatteranschlüsse (yl , y2) für mehrere Durchschaltestellen gemeinsam sind.
5. Elektronisches Koppelelement naoh Anspruch 1 oder einem der folgenden, daduroh gekennzeichnet, dass am Eingang und Ausgang des Koppelnetzwerks Anpassungsschaltungen angeordnet sind, die filr mehrere hiitereinander geschaltete Koppelelemente eine Umsetzung der übertragbaren elektrischen Grossen zwisohen den Ein- bzw. Ausgängen und den MOS-FET-Transistoren durchführen.
V-109813/U42
7 «J-
K.Maier-2
6. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet,dass die Anpassungsschaltung am Eingang der ersten Koppelstufe annähernd die Eigenschaften einer Urstromquelle aufweist, also einen der Eingangsspannung proportionalen Strom in das Koppelnetz einprägt und dass die letzte Koppelstufe durch eine Anpassungsschaltung abgeschlossen ist, welche eine dem eingeprägten Eingangsstrom proportionale Ausgangsspannung abgibt.
7. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Anpassungsschaltung am Ausgang der letzten Koppelstufe einen differentiellen Eingangswiderstand aufweist, der klein gegenüber dem Durchlasswiderstand der Koppelelemente ist.
8. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass bei mehreren hintereinandergeschalteten Koppelstufen des Koppelnetzwerkes nur an den Eingängen und Ausgängen der ersten und letzten Stufe Anpassungsschaltung angeordnet sind.
9. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Anpassungsschaltungen eine bei der Durchschaltung auftretende Dämpfung durch Verstärkung ausgleichen.
10. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 5 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, dass der Eingangswiderstand der eJngangsseitigen Anpassungsschaltung gleich dem Wellenwiderstand der Zuleitung ist.
11. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 5 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet,dass der Ausgangswiderstand der ausgangsseitigen Anpassungsschaltung gleich dem Wellenwiderstand der abgehenden Leitung ist.
109813/U42 -/-
K.Maier-2
12. Elektronisches Koppelelement nach Anspruch 2 oder einem der folgenden Ansprüche für eine Vermittlungsanlage mit Zeitvielfachdurchschaltung, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der Gatter impulsförmig angesteuert wird und eine zeitgerechte, periodische Durchschaltung der Durchschaltestelle bewirkt.
13· Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Koppelelements nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass alle Dotierungszonen (z.B. n-leitend) für die Quellen und die Senken und die zwischen den Gattern liegenden Dotierungszonen in gemeinsam durchgeführten Arbeitsgängen eindiffundiert werden.
DE19691948097 1969-09-23 1969-09-23 Elektronisches Koppelelement Pending DE1948097A1 (de)

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ZA706170A ZA706170B (en) 1969-09-23 1970-09-10 Electronic switching element
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ZA (1) ZA706170B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2159592A1 (de) * 1971-12-01 1973-06-07 Heinz Prof Dr Rer Nat Beneking Halbleiteranordnung
DE2855844A1 (de) * 1978-12-22 1980-06-26 Texas Instruments Deutschland Feldeffekttransistor
DE3140268A1 (de) * 1980-10-15 1982-06-16 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Halbleiteranordnung mit mindestens einem feldeffekttransistor und verfahren zu ihrer herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2159592A1 (de) * 1971-12-01 1973-06-07 Heinz Prof Dr Rer Nat Beneking Halbleiteranordnung
DE2855844A1 (de) * 1978-12-22 1980-06-26 Texas Instruments Deutschland Feldeffekttransistor
DE3140268A1 (de) * 1980-10-15 1982-06-16 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Halbleiteranordnung mit mindestens einem feldeffekttransistor und verfahren zu ihrer herstellung

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NL7015772A (de) 1972-05-03
GB1282793A (en) 1972-07-26

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