DE1943841A1 - Schaltungsanordnung fuer eine integrierbare Phasenumkehrstufe - Google Patents

Schaltungsanordnung fuer eine integrierbare Phasenumkehrstufe

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DE1943841A1
DE1943841A1 DE19691943841 DE1943841A DE1943841A1 DE 1943841 A1 DE1943841 A1 DE 1943841A1 DE 19691943841 DE19691943841 DE 19691943841 DE 1943841 A DE1943841 A DE 1943841A DE 1943841 A1 DE1943841 A1 DE 1943841A1
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Walter Spichall
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/347DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits

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Description

SIEMENSAKTIEHSESlILSCHAPi München 2, % & ^-196 9 '
Berlin und München Wittelsbacherplatz 2
pa 69/2779
Schaitungsanordnunp; für eJ.n.e_ inteß^ie_rtiare^.Phasenuinkehrstufe
Die Erfindung "betrifft eine Schaltungsanordnung für eine integrierbare Phasenuinkehrstufe für Signale mit einem HuTd bis annähernd der Größe der Versorgungsspannung.
Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegt besteht darin, eine Phasenumkehrstufe anzugeben, mit deren Hilfe die Phasenlage eines Signals um 18o gedreht werden soll, ohne daß das Signal in seiner Form und in seiner Amplitude merklich beeinflußt v/ird. Dabei soll die Größe des Signalhubs bis zu annähernd der Größe der Versorgungsspanm:-. nung betragen können* Die Phasenumkehrstufe soll integrierbar sein, d.h., sie soll gleichspannungsgekoppelt sein und gleichartige Transistoren enthalten.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einer Schaltungsanordnung der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß und wie in der Zeichnung dargestellt, vorgeschlagen, daß ein Ausgangstransistor 1 mit seinem Emitter auf Bezugspotential und mit seinem Kollektor am Ausgang des Phasenumkehrstufe und über einen ohmschen Widerstand 2 auf Versorgungspotential liegt, wobei seine Basis mit der Basis und mit dem Kollektor eines als Diode verwendeten Transistors 3, dessen Emitter auf Bezugspotential liegt, verbunden ist und über einen ohmschen Widerstand ψ'-an den Emitter eines Eingangstransi st ors 5 an- / geschlossen ist, dessen Kollektor Versorgungspotential führt und dessen Bjasis am Eingang der Phasenumkehrstufe liegt und viobei weiterhin alle Transistoren 1,3, 5 vom vorzugsweise gleichen Tyfc sind und die beiden ohmschen Widerstände 2,4 vorzugsweise gleiche Größe haben.
PA 9/493/893 7. August 1969
SH/Au '
109811/1697 ' " - 2 r
PA 9/493/893 - 2 -
Mit Hilfe einer solchen Schaltungsanordnung können die Forderungen der der Erfindung zugrundeliegenden Aufgabe zufriedenstellend erfüllt werden. Ein an die Basis des Eingangstransistors 5 gelegtes Signal steuert den Strom durch den ohmschen Widerstand 4} der sich in einen durch den als Diode geschalteten Transistor 3- und in einen durch die Basis-Emitter-Diode des Ausgangstransistors 1 fließenden Strom aufspaltet. Die Spannung zwischen Basis und Emitter des Ausgangstransistors 1 bleibt weitgehend konstant. Der vom Eingangssignal abhängige Strom durch die Basis-Emitter-DiOde des Ausgangstransistors 1 steuert den Strom durch den ohmschen Widerstand 2, an dem das Ausgangssignal abgenommen wird» Dieses Ausgangssignal besitzt eine gegenü
Phase.
gegenüber der Phase des Eingangssignals um 18o° gedrehte
Damit das Ausgangssignal und das Eingangssignal gleiche Amplituden haben, ist im wesentlichen vorauszusetzen, daß der Ausgangstransistor 1 und der Transistor 3 von gleicher Beschaffenheit sind und daß die beiden ohmschen Widerstände 2 und 4 gleiche Größe haben.
Der Hub des Eingangssignals kann einen Wert annehmen, der nur wenig unter der Größe der Versorgungsspannung liegt.
1 Patentanspruch
1 Figur
1G98117

Claims (1)

  1. PA 9/493/893 - 3 -
    Pate nj^a^ nm s_ ρ r u c h
    Schaltungsanordnung für eine integrierbare Phasenumkehrstufe für Signale mit einem Hub bis annähernd der Größe der Versorgungsspannung, dadurch gekennzeichnet , daß ein Ausgangstransistor (1) mit seinem Emitter auf Bezugspotential und mit seinem Kollektor am Ausgang der Phasenumkehrstufe und über einen ohmschen Widerstand (2) auf Versorgungspotential liegt, wobei seine Basis mit der Basis und mit dem Kollektor eines als Diode verwendeten Transistors (3), dessen Emitter auf Bezugspotential liegt, verbunden ist und über einen ohmschen Widerstand (4) an den Emitter eines Eingangstransistors (5) angeschlossen ist, dessen Kollektor Versorgungspotential führt und dessen Basis am Eingang der Phasenumkehrstufe liegt und wobei weiterhin alle Transistoren (1,3,5) vorzugsweise vom gleichen Typ sind und die beiden ohmschen Widerstände (2,4) vorzugsweise gleiche Größe haben.
    109811/1697
    Leerseiie
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