DE1936443C3 - Vorrichtung zum Aufwachsen homogen dotierter, planparalleler epitaktischer ScNchten aus halbleitenden Verbindungen durch Schmelzepitaxie - Google Patents
Vorrichtung zum Aufwachsen homogen dotierter, planparalleler epitaktischer ScNchten aus halbleitenden Verbindungen durch SchmelzepitaxieInfo
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Description
Um einen zur Mitte hin zunehmenden Wärmewiderstand zu erreichen, kann die Auflagefläche für
das Substrat in der Mitte mindestens eine Bohrung
50 aufweisen. Als besonders vorteilhaft hat es sich jedoch
erwiesen, daß die Auflagefläche mit einer in der Mitte befindlichen größeren Bohrung versehen ist,
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Auf- die von auf konzentrischen Kreisen gelegenen kleinewachsen
homogen dotierter, planparalleler epitakti- ren Bohrungen umgeben ist.
scher Schichten aus halbleitenden Verbindungen, . Der gleiche Effekt wird auch erzielt, wenn eine
vorzugsweise aus Galliumarsenid, auf ein Substrat wärmeisolierende Scheibe aus einem hochschmelzendurch
Kristallisation aus einer Lösung von halblei- den Oxid, vorzugsweise Quarz, zwischen Substrat
tender Verbindung und Dotiermaterial in nicht stö- und Auflagefläche angebracht ist.
chiometrischer Metallschmelze, die sich in einem von Das Substrat und die geschmolzene halbleitende
außen beheizten Schmelztiegel befindet und mit dem 6o Verbindung können im Schmelztiegel getrennt aufgeauf
einer Auflagefläche ruhenden Substrat in Beruh- heizt werden; die beiden Teile des Schmelztiegels
rung gebracht werden kann. können aus Spektralgraphit hergestellt und zur Ver-
Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zu- meidung des Abstäubens kann die Oberfläche dieser
gründe liegt, besteht in der Herstellung homogen do- Teile pyrolytisch mit einer Hartkohleschicht versetierter
Aufwachsschichten mit einer einheitlichen 65 hen sein.
Schichtdicke. Wird nämlich unter konstanten Tempe- Der Tiegel sollte vor seiner Verwendung im Ultra-
raturverhältnissen gearbeitet, so wird normalerweise hochvakuum eine Stunde lang bei 18000C ausgedie
Schichtdicke an den Rändern der Substratscheibe heizt werden. Die epitaktische Beschichtung wird
3 ' 4
zweckmäßigerweise unter Schutzgas, beispielsweise und dann durch Drehen von Tiegel und Ofen — in
in Wasserstoff- oder Stickstoffatmosphäre, durchge- der F i g. 1 angedeutet durch den Pfeil 9 — mit dem
fuhrt. auf gleiche Temperatur erhitzten Substrat in Beriih-
Weitere Einzelheiten der Vorrichtung nach der rung gebracht. Als Schutzgas während des Aufwachs-Lehre
der Erfindung sind im folgenden Ausführungs- S prozesses wird nachgereinigter Wasserstoff verwenbeispiel
an Hand der in der Zeichnung befindlichen det. Die Aufwachsgeschwindigkeit beträgt etwa
F i g. 1 und 2 näher erläutert. 80 μ/h bei 820° C Substrattemperatur.
F i g. 1 zeigt in schematischer Darstellung im Aus- F i g. 2 zeigt eine mit einer epitaktischen Schicht
schnitt ein als Ofen dienendes Quarzrohr 1, in wel- 10 versehene Galliumarsenidscheibe 6
chem sich ein zylinderförmiger Schmelztiegel 2 befin- io F i g. 3 zeigt in Draufsicht die Auflagefläche 11 für
det, welcher aus einem dickwandigen, die Schmelze 3 das Substrat, welche gemäß einem besonders günsti-
aus Gallium-Galliumarsenid enthaltenden Hohlkör- gen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfin-
per 4 und einem mit einem Gewindeteil 7 versehenen dung eine in der Mitte befindliche größere Bohrung
Kühlfinger 5 besteht. Zwischen Hohlkörper 4 und 12 aufweist, die von auf konzentrischen Kreisen gele-
Kühlfinger 5 wird die aus Galliumarsenid bestehende 15 gencn kleineren Bohrungen 13 umgeben ist.
Kristallsubstratscheibe 6, welche für die epitaktische Durch die Vorrichtung nach der Lehre der Erfin-
Beschichtung vorgesehen ist, gebracht. In der Mitte dung ist es auch möglich, entsprechend dotierte
der Auflagefläche 11 für die Substratscheibe 6 ist am Schichten (n- bzw. siliciumdotierte p-Galliumarse-
Gewindeteil7 des Kühlfingers 5 eine Bohrung 8 an- nid-Schichten) aufzubringen und auf diese Weise
gebracht, durch welche die den axialen Temperatur- ao Dioden und Transistoren aus Galliumarsenid — z. B.
gradienten beeinflussende Wärmeableitung von der Lumineszenzdioden — oder anderen halbleitenden
Substratscheibe her verhindert wird und dadurch in Verbindungen herzustellen.
der Mitte der Substratscheibe gegenüber den Rän- Galliumarsenidsubstrate mit 8 mm 0 konnten mit
dem eine gleich dicke Aufwachsschicht erzielt wird. einer epitaktischen Aufwachsschicht belegt werden,
F i g. 1 zeigt das Stadium des Aufwachsens der epi- as deren relative Dickenschwankung 20 Vo bei 100 μ
taktischen Schicht, nachdem die Schmelze 3 auf das Gesamtdicke, gemessen über den gesamten Quer-Substratö
gekippt worden ist. Vor dem Aufkippen schnitt der epitaktisch belegten Fläche, nicht überwird
die Gallium-Galliumarsenid-Schmelze durch steigt. Die auf diese Weise hergestellten Halbleiteraneine
in der Figur nicht dargestellte Induktionshei- Ordnungen sind besonders gut geeignet zur Herstelzung
bei horizontaler Lage des Tiegels und de? 30 lung von aus Galliumarsenid bestehenden Gunndio-Ofens,
getrennt vom Substrat, auf 820° C aufgeheizt den.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Vorrichfiiing zum Aufwachsen homogen do- Richtung an der Grenzfläche Kristall/Schmelze grö-
tierter, planparalleler epitaktischer Schichten aus 5 ßer wird.
halbleitenden Verbindungen, vorzugsweise aus Homogen dotierte, planparallele epitaktische Auf-Galliumarsenid,
auf ein Substrat durch Kristalli- wachsschichten können aber erfindungsgemäß in der
sation aus einer Lösung von halbleitender Ver- eingangs beschriebenen Vorrichtung hergestellt werbindung
und Dotiermaterial in nicht stöchiome- den, wenn der Schmelztiegel als dickwandiger zylintrischer
Metallschmelze, die sich in einem von io drischer Hohlkörper ausgebildet ist, als dessen Boaußen
beheizten Schmelztiegel befindet und mit den ein abschraubbarer Kühlfinger angeordnet ist,
dem auf einer Auflagefläche ruhenden Substrat in auf dem sich die Auflagefläche mit dem Substrat beBerührung
gebracht werden kann, dadurch findet und wenn zwischen Auflagefläche und Kühlgekennzeichnet,
daß der Schmelztiegel als finger ein nach der Mitte hin zunehmender Wärmedickwandiger,
zylindrischer Hohlkörper ausgebil- widerstand angebracht ist, der so bemessen ist, daß
det ist, als dessen Boden ein abschraubbarer sich bei Betrieb der Vorrichtung mit während des
Kühlfinger angeordnet ist, auf dem sich die Auf- Aufwachsens konstanter Temperatur nur ein axialer,
lagefläche mit dem Substrat befindet und daß nicht radialer Temperaturgradient im Substrat auszwischen
Auflagefläche und Kühlfinger ein nach bilden kann.
der Mitte hin zunehmender Wärmewiderstand ao Diese Vorrichtung, mit der unter Ausnutzung der
angebracht ist, der so bemessen ist, daß sich bei Thermo-Diffusion unter konstanten Temperaturver-Betrieb
der Vorrichtung mit während des Auf- hältnissen gearbeitet wird, liefert epitaktische Aufwachsens
konstanter Temperatur nur ein axialer, wachsschichten, welche hinsichtlich ihrer Schichtnicht
radialer Temperaturgradient im Substrat dicke über die ganze Substratoberfläche und der Doausbilden
kann. tierstoffverteilung einen hohen Grad an Homogenität
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge- * aufweisen. Die Thermo-Diffusion und die Kondensakennzeichnet,
daß die Auflagefläche für die Sub- tion bestimmen die Aufwachsgeschwindigkeit in jestratscheibe
in der Mitte mindestens eine Boh- dem Punkt der Epitaxieschicht. Sie sind während des
rung aufweist. Aufwachsens als eine Art von Serienschaltung zu be-
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, da- trachten, so daß der langsamere der beiden Vorgänge
durch gekennzeichnet, daß die Auflagefläche mit die Aufwachsgeschwindigkeit bestimmt. Hieraus ereiner
in der Mitte befindlichen größeren Bohrung gibt sich die Bedingung für die Temperaturverteilung
versehen ist, welche von auf konzentrischen Krei- im Tiegel und auf dem Substrat zum Aufwachsen hosen
gelegenen kleineren Bohrungen umgeben ist. mogener Schichtdicken. Diese Bedingung ist in der
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch „ erfindungsgemäßen Vorrichtung erfüllt, da durch den
gekennzeichnet, daß zwischen Substratscheibe nach der Mitte hin zunehmenden Wärmewiderstand
und Auflagefläche zusätzlich eine wärmeisolie- die Aufwachsgeschwindigkeit in der Mitte infolge des
rende Scheibe als Wärmewiderstand angebracht verringerten Temperaturgradienten in radialer Richist,
welche aus einem hochschmelzenden Oxid, tung an der Grenzfläche Kristall/Schmelze zurückvorzugsweise
Quarz, besteht. geht.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch 4° Sowohl die Auflagefläche als auch die der Auflagekennzeichnet,
daß die Auflagefläche für die gefläche zugewandte Seite des Substrats oder minde-Substratscheibe
am Gewindeteil des Kühlfingers stens eine dieser Flächen kann beispielsweise mit
und/oder die dieser Auflagefläche zugewandte 15 μ Diamantpaste geläppt sein. Dadurch wird die
Seite der Substratscheibe geläppt ist. Planparallelität der Epitaxieschichten noch verbes-
sert.
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US5011564A (en) * | 1986-05-28 | 1991-04-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Epitaxial growth |
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