DE1933938C - Iomsations Rauchgasanzeiger - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft einen Ionisations-Rauch- Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen er-

gasanzeiger mit einer Ionisationskammer, in welche läutert werden, in deren Fig. 2 bis 4 verschiedene

die Rauchgase durch eine Siebelektrode strömen, Ausführungsbeispiele der Erfindung in vereinfach-

wobei die von den Rauchgasen hervorgerufene Ände- ter Darstellung in teilweisem Schnitt veranschaulicht

rung des Ionisationsstromes durch die Potentialdif- 5 sind.

ferenz zwischen der Tor- (gate) und Quelle-(source) Gemäß Fig. 2 sind bei einem lonisations-Rauch-

Elektrode eines Feldeffekttransistors angezeigt wird. gasanzeiger der Feldeffekttransistor FET und die ge-

Ein derartiger bekannter Rauchgasanzeiger hat schlossene Ionisationskammer 3 in einem zylindn-

die in F i g. 1 der Zeichnung veranschaulichte Schal- sehen Gehäuse 20 untergebracht, wobei die Siebelek-

tung. Ein Ionisations-Rauchgasanzeiger 1 besteht io trode 4 an e^:nem Ring 21 befestigt ist, der in das

aus einer von einer elektrisch leitenden isolierten untere Ende der Innenwand des Gehäuses 20 ge-

Platte 2 begrenzten, geschlossenen Ionisationskam- schraubt ist.

mer 3 sowie einer von einer Siebelektrode 4 begrenz- Der Ring21 und die Siebelektrode 4 sind elektrisch

ten offenen Ionisationskammer 5. Auf der Platte 2 mit der Quelleelektrode S des Feldeffekttransistors

Ist eine radioaktive Substanz 6 angebracht, die die 15 FET verbunden, dessen Abflußeiektrode D und Tor-

lonisaiionskammern 3 und 5 bestrahlt. elektrode G mit der Elektrode 7 und der isolierten

Mit der Platte 2 ist das Tor (gate) G eines Feld- Platte 2 verbunden sind.

effekttransistors FET verbunden, dessen Abfluß- An der Innenwand des Gehäuses 20 ist ein federnelektrode (drain) D an eine in der geschlossenen des Kontaktstück 22 befestigt, und an dem die Sieb-Ionisationskammer 3 angeordnete Elektrode 7 ange- ao elektrode 4 tragenden Ring 21 ist ein DistanTglied schlossen ist, während die Quelle (source) S mit der 23 vorgesehen, das mit dem federnden Kontaktstück Siebelektrode 4 verbunden ist. Beim Auftreten eines 22 zusammenwirkt. Die elektrisch leitende isolierte Brandes gelangt Rauch durch die Maschen der Sieb- Platte 2 'st an einem Träger 24 mittels eines festen elektrode 4 in die offene Ionisationskammer 5, und Kontaktstücks 25 befestigt, dessen oberes Ende über der diese durchsetzende Ionisationsstrom wird durch 35 den Träger 24 ragt.

die von dem Rauch hervorgerufene Störung verrin- Wenn die Siebelektrode 4 und der Ring 21 an gert. Diese ergibt eine Änderung des Potentials zwi- dem unteren Ende des Gehäuses 20 befestigt sind, sehen dem Tor (gate) Ί und der Quelle (source) 5 drückt das Distanzglied 23 das federnde Kontaktdes Transistors. Diese Potentialänderung wird der stück 22 nach oben, wie in Fig. 2 gezeigt ist. Hier-Ausgangselektrode einet Siliziumgleichrichters SCR 30 durch entsteht ein Stromkreis, ähnlich demjenigen über eine Zenerdiode ZD zugeführt, um das Auftre- der Fig. 1. Wenn der Ring 21 von dem Gehäuse 20 ten eines Brandes anzuzeigen. gelöst wird, um die Siebelektrode 4 zu entfernen, Bei einem derartigen Rauchgasanzeiger ist ein berührt das federnde Kontaktstück 22 das obere häufiger Ausbau der Siebelektrode 4 notwwendig, Ende des festen Kontaktstücks 25, wie in F i g. 3 geum Verunreinigungen an der Oberfläche der radio- 35 zeigt ist. Da das feste Kontaktstück 25 in elektrisch aktiven Substanz 6 zu entfernen oder die innere leitender Verbindung mit der isolierten Platte 2 oder äußere Oberfläche der Siebelektrode 4 zu reini- steht, werden Tor G und Quelle 5 des Transistors gen. Bei einem Ausbau der Siebelektrode 4 wird die FET kurzgeschlossen. Dieser kurzgeschlossene Strom-Verbindung zwischen dem Tor (gate) und der Quelle kreis verhindert eine Beschädigung des Transistors (source) des Feldeffekttransistors unterbrochen. Da 40 FET durch die seiner Quelle zugeführte statische der Feldeffekttransistor einen sehr hohen Eingangs- Elektrizität, wenn die Siebelektrode 4 zwecks Reiniwiderstand von ungefähr IO¹⁴ Ohm hat, tritt bei Un- gung entfernt wird.

terbrechung der Verbindung zwischen diesen beiden In einer modifizierten Ausführungsform, wie sie Elektroden eine hohe Spannung auf, die den Tran- in F i g. 4 gezeigt ist, ist das Distanzglied 23 an dem sistor FET beschädigt. Infolge dieses hohen Ein- 45 federnden Kontaktstück 22 befestigt, wodurch sein gangswiderstandes erzeugt die beim Reinigen der unteres Ende gegen die Oberfläche des Ringes 21 geradioaktiven Substanz auftretende statische Eltktri- drückt wird. Wenn der Ring 21 entfernt wird, berührt zität an dem FET-Transistor eine hohe Spannung, das federnde Kontaktstück 22 das feste Kontaktstück die häufig die in der Größenordnung von 150 V lie- 25 und bewirkt den gewünschten Kurzschluß,
gende Isolationsdurchschlagspannung des FET- 50 Das Distanzglied 23 kann durch ein nicht gezeig-Transistors übersteigt. tes zylindrisches, zum Gehäuse 20 konzentrisches Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Glied ersetzt werden. Ein derartiges Glied kann Feldeffekttransistor vor der hohen Spannung zu schüt- gleitbar angeordnet sein, um nach oben gedrückt zu zen, die beim Ausbau der Siebelektrode auftritt. werden, wenn der Ring 21 in das Gehäuse 20 geWenn der Ionisations-Rauchgasanzeiger aus einer 55 schraubt wird. Die elektrische Verbindung zwischen von einer elektrisch leitenden, isolierten Platte be- der Quelle S des Transistors FET und der Siebelekgrenzten, geschlossenen Ionisationskammer mit einer trode 4 kann entweder durch das Zusammenwirken radioaktiven Substanz sowie aus einer von dieser des Gehäuses 20 und des Ringes 21 bewerkstelligt Platte und einer Siebelektrode begrenzten offenen werden, wie dies in der Zeichnung gezeigt ist, oder Ionisationskammer besteht und mit einem Feld- 60 durch das Distanzglied 23 eines Stromleiters. Außereffekttransistor versehen ist, dessen Tor mit besagter dem kann das obere Ende der isolierten Platte 2 Platte, dessen Abflußelektrode mit einer in der ge- nach oben über den Träger 24 gebogen werden, um schlossenen Ionisationskammer angeordneten Elek- die gewünschte elektrische Verbindung herzustellen, trode und dessen Quelle mit der Siebelektrode ver- statt das federnde Kontaktstück 22 und die Platte 2 bunden ist, sind gemäß der Erfindung Schaltmittel 63 durch das feste Kontaktstück 25 miteinander zu verzutn wlbittätigen Kurzschließen der Tor- und Quelle- binden.

elektrode dei Feldeffekttransistors beim Ausbau der Wenn die Siebelektrode 4 entfernt wird, werden

Siebelektrode vorgesehen. die Quelle S des Feldeffekttransistors FET und die

isolierte Platte 2, an welche sein Tor G angeschlossen ist, elektrisch miteinander verbunden, um die Quelle- und Torelektrode kurzzuschließen. Wenn die Siebeiektrode 4 wieder in ihre Betriebsstellung gebracht wird, öiTnet das federnde Kontaktstück 22 diesen kurzgeschlossenen Stromkreis, wodurch eine Beschädigung des Transistors, wie bei den bekannten Ionisations-Rauchgasanzeigern, wirksam verhindert wird.

Die Erfindung kann auch für den Schutz anderer Elemente des Rauchgasanzeigers in gleicher Weise angewendet werden, die einen höheren Eingangswiderstand als der Feldeffekttransistor haben, z. B. Doppelbasis- (uni junction) Transistoren u. dgl.

Claims (7)

15 Patentansprüche:

1. Ionisations-Rauchgasan7eiger init einer Ionisationskammer, in die die Rauchgase durch eine Siebelektrode strömen, wobei die von den Rauch- ao gasen verursachte Änderung des Ionisationsstromes durch die Potentialdifferenz zwischen der Tor- und Quelleelektrode eines Feldeffekttransistors angezeigt wird, gekennzeichnet durch Schaltmittel (22, 23, 25) zum selbsttäti- as gen Kurzschließen der Tor- und Quelleelektrode (G, 5) des Feldeffekttransistors (FET) beim Ausbau der Siebelektrode (4).

2. Ionisations-Rauchgasanzeiger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltmittel (22, 23, 25) aus einem federnden Kontaktstück (22), einem Distanzglied (23) und einem festen Kontaktstück (25) bestehen, daß das federnde Kontaktstück (22) an die Quelleelektrode (S) und das feste Kontaktstück (25) an die Torelektrode (G) des Feldeffekttransistors (FhT) angeschlossen sind, daß die Siebeleklrode (4) mit einer Halterung (21) versehen ist, die in einem die Ionisationskammer (3) und den Feldeffekttransistor (FET) enthaltenden Gehäuse (2C) lösbar befestigt ist, und daß das mit der Halterung

(21) zusammenwirkende Distanzglied (23) an dem federnden Kontaktstück (22) derart angreift, daß die Kontaktstücke (22, 25) in der Betriebsstellung der Siebelektrode (4) öffnen und bei deren Ausbau schließen.

3. Ionisations-Rauchgasanzeige nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Distanzglied (23) an der Halterung (21) befestigt ist und an dem federnden Kontaktstück (22) anliegt.

4. Ionisations-V^iuchgasanzeiger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Distanzglied (23) an dem federnden Kontaktstück

(22) befestigt ist und an der Halterung (21) anliegt.

5. Ionisations-Rauchgasanzeiger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Distanzglied (23) aus einer Stange besteht.

6. Ionisations-Rauchgasanzeiger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Distanzglied (23) aus einem Rohrstück besteht, das gleitbar in dem zylindrischen Gehäuse (20) konzentrisch zu diesem angeordnet ist.

7. Ionisations-Rauchgasanzeiger nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das feste Kontaktstück (25) aus einer Schraube btsteht, die zur Befestigung einer eine radioaktive Substanz (6) tragenden Flatte (2) an ihrem Träger (24) dient.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen