DE1905666A1 - Auf Druck ansprechendes Bauelement - Google Patents
Auf Druck ansprechendes BauelementInfo
- Publication number
- DE1905666A1 DE1905666A1 DE19691905666 DE1905666A DE1905666A1 DE 1905666 A1 DE1905666 A1 DE 1905666A1 DE 19691905666 DE19691905666 DE 19691905666 DE 1905666 A DE1905666 A DE 1905666A DE 1905666 A1 DE1905666 A1 DE 1905666A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pressure
- component
- electrical resistance
- semiconductor
- magnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47B—TABLES; DESKS; OFFICE FURNITURE; CABINETS; DRAWERS; GENERAL DETAILS OF FURNITURE
- A47B9/00—Tables with tops of variable height
- A47B9/08—Tables with tops of variable height with clamps acting on vertical rods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
, t ■> , PATENTANWÄLTE
. H. LEINWEBER dipl-ing. H. ZIMMERMANN
T.i.-Adr. Utnpat MDiKhM
1905666 Telefon (NII)MIfIf
5. Februar 1969
o POS-16943
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO.,LTD., Osaka, Japan
Auf Druck ansprechendes Bauelement
Die Erfindung betrifft ein auf Druck ansprechendes Bauelement, und zwar ein solches Bauelement, bei dem ein Halbleiterbauelement,
das aus einem Halbleiterkörper mit einem einen tiefen Pegel bildenden Störstoff besteht und dessen elektrischer
Widerstand sich durch Druck verändert, in einem nichtmagnetischen Material eingeschlossen ist.
Bisher sind solche Bauelemente als Messer zum Feststellen mechanischer Spannungen unter Verwendung einer Germanium-Dünnschicht
und als Patrone unter Verwendung eines Siliziumkörpers als Halbleiterbauelemente bekannt, deren elektrischer Widerstand
sich durch Druck verändert. Alle diese Bauelemente enthalten jedoch keinen Störstoff, der einen tiefen Pegel bildet.
Es wurde festgestellt, daß ein mit einem einen tiefen Pegel bildenden Störstoff dotierter Halbleiter eine hohe Empfindlichkeit
gegenüber Druck aufweist und daß sich sein elektrischer Widerstand durch Druck beträchtlich verändert. Deshalb
kann der elektrische Widerstand durch eine geringe magnetische
909834/ 1099
Anziehungskraft verändert werden, und es wurde möglich, ein
auf Druck ansprechendes Bauelement durch die Anziehungskraft
eines magnetischen Materials zu betätigen«,. .Das' druckempfindliche Bauelement wird dadurch hergestellt, daß man ein Halbleiterbauelement, das aus einem Halbleiterkörper besteht, der
mit einem einen tiefen Pegel bildenden Störstoff dotiert ist
und dessen elektrischer Widerstand sich durch Druck verändert, in ein nicht-magnetisches Material einschließt. V
Durch die Erfindung soll ein für Druck hochempfindliches
Halbleiterbauelement geschaffen werden.
Gemäß der Erfindung wird ein auf Druck ansprechendes
Bauelement'durch magnetische Anziehungskraft betätigbär, das
ein Halbleiterbauelement mit einem einen tiefen Pegel bildenden j
Störstoff aufweist, dessen elektrischer Widerstand sich durch Druck verändert und das in einen Körper aus nicht-magnetischem
Material eingeschlossen ist.
Die einzige Figur der Zeihnung zeigt eine Schnittansicht
einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen, auf Druck anspretenden
Bauelements.; "
Die Zeichnung zeigt ein sehr einfaches Beispiel eines
erfindungsgemäßen, auf Druck ansprechenden Bauelements, das
ein Halbleiterbauelement 1 aufweist, das mit einem einen tiefen
Pegel bildenden Störstoff dotiert ist und dessen elektrischer Widerstand sich durch Druck verändert. Das Halbleiterbauelement
1 ist in nicht-magnetischem Material 2 und 3 eingeschlossen
und ist mit Elektroden 4 und 5 versehen, die Anschlüsse 6 und·
7 aufweisen.
Ein solches Bauelement wird zwischen zwei Körper aus
magnetischem Material eingebracht, so daß sich der elektrische
Widerstand des Bauelements durch die Anziehungskraft des magne-1
909834/109
tischen Materials verändert.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung
näher beschrieben.
jsin einen tiefen Pegel bildender Störstoff wird in einen
ein-
Siliziumkristall eingebracht, der mit einer ohmischen und einer
nicht-ohmischen Elektrode versehen ist, wobei die nichtohmische Elektrode als Mesa-Elektro<ie ausgebildet ist. Ein
Kunststoffmaterial wird als nicht-magnetisches Material verwendet
und die Elektroden 4 und_ 5 werden, wie in der Zeichnung
dargestellt, als Schichten auf der oberen bzw. unteren Fläche der Kunststoffabdichtung ausgebildet« Die nioht-ohmische
Mesa-Elektrode wird mit der Elektrode 4 und die ohmische Elek- j
trodemit der Elektrode 5 verbunden,, wodurch ein druckempfind- j
liches Bauelement geschaffen wird, wie es die Zeichnung zeigt.
Wenn auf ein solches druckempfindliches Bauelement ein Druck
von der oberen und unteren Seite durch die Anziehungskraft eines magnetischen Mterials aufgebracht wird/ verändert sich der
elektrische Widerstand zwischen den Klemmen in der Großenord-
4 5
nung von 10 bis 10 .
nung von 10 bis 10 .
Obwohl bei dieser Ausführungsform Silizium als Halbleitermaterial
verwendet worden ist, können auch andere Halblei termatBrialien, wie Ge, GaAs, GaP,InAs, InSb und CdS verwendet
werden, die nur mit einem einen tiefen Pegel bildenden
Störstoff dotiert zu werden brauchen. Als einen tiefen Pegel
bildende Störstoffe werden im allgemeinen Au, Gu, Co, Fe, tin,
Zn und IU verwendet.
' Anstelle von Kunststoff kann auch Metall oder Glas als
nicht-magnetisches Material verwendet werden. Obwohl in dieser Ausfuhrungsform das Halbleiterbauelement in 'Mesa-Form ausge-
-4-
909834/1099
bildet ist, ist die Form nicht auf diesen Mesatyp beschränkt.
Das Bauelement kann als einzelnes Hechteck oder als eine Vielzahl von Mesas ausgebildet sein.
Das Bauelement kann als einzelnes Hechteck oder als eine Vielzahl von Mesas ausgebildet sein.
Was die Elektroden betrifft, so muß wenigstens eine !
eine nicht-ohmische Kontaktelektrode sein, wobei die Anzahl
der Elektroden beliebig, jedoch mehr als eine sein kann. Eine
Vielzahl nicht-ohmischer Kontaktelektroden bedeutet, daß eine ί Vielzahl paralleler Bauelemente vorhanden ist,deren elektrischer Widerstand sich bei Druck verändert, was verschiedene '
der Elektroden beliebig, jedoch mehr als eine sein kann. Eine
Vielzahl nicht-ohmischer Kontaktelektroden bedeutet, daß eine ί Vielzahl paralleler Bauelemente vorhanden ist,deren elektrischer Widerstand sich bei Druck verändert, was verschiedene '
interessante Verwendungsmöglichkeiten bietet. ·
Was die ohmische Elektrode betrifft, so ist eine ohmi- :
sehe Elektrode erforderlich, wenn das Bauelement mit Gleich- ;
strom arbeitet. Wenn jedoch das Bauelement mit Wechselstrom \
betrieben wird, kann die ohmische Elektrode wegfallen. < Wie im einzelnen beschrieben, kann das erfindungsgemäße,'
auf Druck ansprechende Bauelement durch die Anziehungskraft
eines Magnetkörpers betätigt werden. Es kann vielfach, beispielsweise als Schalter, variabler Widerstand, akustisches
Bauelement od. dgl. verwendet werden.
eines Magnetkörpers betätigt werden. Es kann vielfach, beispielsweise als Schalter, variabler Widerstand, akustisches
Bauelement od. dgl. verwendet werden.
-5-
909834/1099
Claims (1)
- Patentanspruch :Auf Druck ansprechendes Bauelement, das durch magnetisch Anziehungskraft betätigbar ist, gekennzeichnet durch ein Halbleiterbauelement (1), das einen einen tiefen Pegel bildenden Störstoff enthält, das in einem Körper (2, 3) aus nicht-magnetischem Material eingeschlossen ist und dessen elektrischer Widerstand durch Druck veränderbar ist.909834/1099Le β rs e r te
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP813268 | 1968-02-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1905666A1 true DE1905666A1 (de) | 1969-08-21 |
Family
ID=11684747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19691905666 Pending DE1905666A1 (de) | 1968-02-06 | 1969-02-05 | Auf Druck ansprechendes Bauelement |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1905666A1 (de) |
| FR (1) | FR2001397A1 (de) |
| NL (1) | NL6901801A (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2717052A1 (de) * | 1976-04-19 | 1977-11-10 | Hitachi Ltd | Halbleiter-messumformer |
| DE3934202A1 (de) * | 1989-10-13 | 1991-04-18 | Peter Heckmann | Teleskopfuss fuer ein hoehenverstellbares moebel |
-
1969
- 1969-02-04 FR FR6902437A patent/FR2001397A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-02-05 DE DE19691905666 patent/DE1905666A1/de active Pending
- 1969-02-05 NL NL6901801A patent/NL6901801A/xx unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2717052A1 (de) * | 1976-04-19 | 1977-11-10 | Hitachi Ltd | Halbleiter-messumformer |
| DE3934202A1 (de) * | 1989-10-13 | 1991-04-18 | Peter Heckmann | Teleskopfuss fuer ein hoehenverstellbares moebel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2001397A1 (de) | 1969-09-26 |
| NL6901801A (de) | 1969-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102016213937B4 (de) | Arraysubstrat, Anzeigebedienfeld und Anzeigevorrichtung | |
| DE2017642B2 (de) | Programmierbarer Festwertspeicher | |
| DE2047166B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung | |
| DE1639019B2 (de) | Steuerbarer halbleitergleichrichter | |
| DE2722388A1 (de) | Passives elektro-optisches anzeigemittel | |
| DE2553739A1 (de) | Transistorfeld zum ansteuern eines optischen mediums und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE3017470A1 (de) | Mehrfachausdruck-dateneingabeeinrichtung | |
| DE1905666A1 (de) | Auf Druck ansprechendes Bauelement | |
| DE1574651C3 (de) | Monolithisch integrierte Flip-Flop-Speicherzelle | |
| DE1185294B (de) | Schaltungsanordnung mit unipolartransistoren auf einer einkristallinen halbleiterplatte | |
| DE2158270C3 (de) | Kontaktloser Schalter mit einem Feldeffekt-Thyristor | |
| DE1166340B (de) | Halbleiteranordnung aus mit Aktivatoren dotiertem kristallinem Material und mit zweiohmschen Kontaktelektroden | |
| DE2048020A1 (de) | Halbleilergedachtnisvornchtung mit einem den Halbleiter berührenden Viel schichtisolator | |
| DE2926757C2 (de) | Halbleiteranordnung mit negativem differentiellen Widerstand | |
| DE1614250B2 (de) | Halbleiteranordnung mit gruppen von sich kreuzenden verbindungen | |
| DE2034659B2 (de) | Halbfestwertspeicher aus Feldeffekttransistoren | |
| DE1282188B (de) | Elektrische Halbleiteranordnung mit mehreren voneinander isolierten streifenfoermigen Zuleitungen | |
| DE1137078B (de) | Halbleitervorrichtung mit mehreren stabilen Halbleiterelementen | |
| DE1816680A1 (de) | Elektrophotolumineszierende Reklameeinrichtung | |
| DE1573717B2 (de) | Druckempfindliches halbleiterbauelement | |
| DE1464829C3 (de) | Schaltungsanordnung mit mehreren in einem Halbleiterplättchen ausgebildeten Schaltungselementen | |
| DE1171992C2 (de) | Transistor mit Dotierung der Basiszone | |
| EP0065174A2 (de) | Verfahren zum Betrieb eines Thyristors mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen | |
| DE1589099A1 (de) | Leuchtanordnung | |
| DE2163835C3 (de) | Halbleiter-Umschaltanordnung |