DE1589099A1 - Leuchtanordnung - Google Patents

Leuchtanordnung

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R13/00Arrangements for displaying electric variables or waveforms
    • G01R13/40Arrangements for displaying electric variables or waveforms using modulation of a light beam otherwise than by mechanical displacement, e.g. by Kerr effect
    • G01R13/404Arrangements for displaying electric variables or waveforms using modulation of a light beam otherwise than by mechanical displacement, e.g. by Kerr effect for discontinuous display, i.e. display of discrete values
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof

Description

  • Leuchtanordnung Die Erfindung bezieht sich auf eine Leuchtanordnung zur optischen Anzeige von Informationen aller Art, z. B. von Meßgrößen, Anweisungen für Reklamezwecke od. dgl.
  • Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß an einem Halbleiterkörper mit p-n Übergang begrenzte Bereiche elektrisch ansteuerbar sind.
  • Durch entsprechende Bemessung und Kontaktierung solcher Bereiche ist es möglich, Buchstaben, Schriften, Ziffern und andere Symbole in dem Halbleiterkörper aufleuchten zu lassen und somit optisch wahrnehmbar zu machen. Von ganz besonderem Vorteil bei der erfindugsgemäßen An ordnung ist esy daß sie äußerst schnell arbeitet.
  • Die erfindungsgemäße Leuchtanordnung empfiehlt sich deshalb besonders zur Verwendung in Meß- oder Anzeige-Instrumenten, die erheblichen Beschleunigungskräften unterworfen sind, s. B, in Flugzeugen, Raketen oder dgl.
  • Sofern die Anzeige von flächenmäßig vergleichsweise großen Infornlationen gewünscht wird, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß der Halbleiterkörper als Platte ausgebildet ist Dann empfiehlt es sich nach einem anderen Merkmal der Erfindung, daß auf gegenüberliegenden Flächen der Platte elektrische Kontakte zwecks Ansteuerung der begrenzten Bereiche angeordnet sind.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die auf gegenüberliegenden Flächen angeordneten Kontakte kreuzweise zueinander vorgesehen und streifen- oder linienförmig ausgebildet sind. Auf diese Weise läßt sich eine praktisch unbegrenzte Anzahl von optischen Informationen auf der Platte darstellen.
  • Diese Variationsmöglichkeit läßt sich noch steigern, wenn die Kontakte gemäß der Erfindung auf den beiden größten Flächen der Platte und-der p-n Übergang im wesentlichen parallel zu diesen Flächen sich befinden.
  • Um die Lichtausbeute der erzeugten optischen Information möglichst groß zu halten, können nach einem weiteren Merkmal der Erfindung auf einer Fläche der Platte zwischen den Kontakten den p-n Übergang durchsetzende Vertiefungen angeordnet sein.
  • Eine optimale Lichtausbeute wird nach einem zusätzlichen Kennzeichen der Erfindung erzielt, wenn die Vertiefungen zwei sich schneidende Flächen aufweisen, von denen die eine austretendes Licht total reflektiert, während die andere lichtdurchlässig ist.
  • Weiterhin liegt es im Rahmen der Erfindung, daß auf der Platte diskrete p-n Übergänge vorgesehen sind, die über eine auf einer Plattenfläche vorgesehene Kontakt-Isolator-Sontakt-Anordnung ansteuerbar sind. Durch diese erfindungsgemäne Ausbildung läßt sich ebenfalls eine Vielzahl von optischen Eindrücken auf der Platte erzeugen. Die Ansteuerung der bisher erwähnten p-n Übergänge erfolgt zweckmäßigerweise über Schieberegister oder andere ähnliche elektronische Bauteile.
  • Es liegt weiterhin im Rahmen der Erfindung, daß die Platte aus einer hochdotierten (n ) Schicht mit p-n-Üb-ergang sowie einer weniger dotierten, lichtdurchlässigeren Schicht besteht. Hierbei dient die weniger dotierte Schicht im wesentlichen als Trägermaterial.
  • Zugleich kann das Licht durch diese Schicht praktisch unbehindert austreten.
  • Schließlich kann zum Zwecke der Beeinflussung des Lichtaustrittes aus der Platte die dem Lichtaustritt gegenüberliegende Fläche reflektierend ausgebildet sein.
  • Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung einiger bevorzugt er Ausführungsbeispiele sowie anhand der schematischen Zeichnung. Hierbei zeigen: Fig. 1 eine schaubildliche Darstellung der erfindungsgemäßen Leuchtanordnung; Fig. 2 eine teilweise schaubildliche Darstellung einer abgewandelten Ausführungsform des Gegenstandes der Fig. 1 und Fig. 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, ebenfalls in schaubildlicher Darstellung, teilweise aufgebrochen.
  • Gemaß Fig. 1 besteht die Leuchtanordnung nach der Erfindung aus einem Halbleiterkörper in Form einer Platte 1 mit einem p-n Übergang 2. Auf den beiden einander gegenüberliegenden großen Flächen der Platte 1 sind Kontakte 3 und 4 angeordnet. Beim gezeichneten Ausführungsbeispiel sind diese Eontakte streifenförmig ausgebildet, die Kontakte sind auf jeweils einer Fläche der Platte parallel zueinander angeordnet ; bezüglich der Kontakte der anderen Fläche verlauten sie etwa rechtwinklig. Indem über einem bestimmten Kontakt 3 und einem bestimmten Kontakt 4 Spannung, z. B. über Schieberegister, an die Halbleiterplatte 1 angelegt wird, kann die Platte 1 im Bereich des Schnittepunktes dieser beiden Kontakte am p-n Übergang zu Lumineszenzstrahlung angeregt werden. Selbstverständlich kann durch gleichzeitige Ansteuerung mehrerer solcher Kontakte 3 und 4 die Lumine ; zenzstrahlung an verschiedenen Stellen der Platte 1 gleichzeitig erzeugt werden. Auf diese Weise können Schriftzeichen, Ziffern und dgl. Symbole zur Anzeige gebracht werden.
  • Der p-n Übergang ist in der Platte 1 nach bekannten Verfahren hergestellt, die Kontakte 3 und 4 können in Form eines Streifenrasters, ebenfalls in bekannter Weise, auf die Oberflächen der Platte 1 aufgebracht werden. Die in der Umgebung des Kreuzungspunktes' eines angesteuerten Kontaktpaares 3,4 auftretende Lichtstrahlung wird durch Selbstabsorption und totale Reflexion in ihrer Ausdehnung begrenzt. Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. i kann das Licht nach allen Seiten der Platte 1 austreten. Dieser Lichtaustritt kann jedoch durch Verspiegeln oder Anbringung von reflektierenden Schichten auf bestimmten Flächen der Platte 1 beschränkt werden. pas in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel unterscheidet sic von dem nach Fig. 1 im wesentlich dadurch, daß zur Beeinflussung des Lichtaustrittes zwischen den Kontakten 3 in der einen Fläche der Platte 1 Vertiefungen 5 vorgesehen sind. Sie durchsetzen den p-n Übergang der Platte 1. Die beiden sich schneidenden Flächen 6 und 7 der Vertiefung 5 sind so ausgebildet, daß durch die eine Fläche 6 das imp-n Übergang an der Stelle 8 erzeugte Licht durch die Fläche 6 austreten kann, während es an der Fläche 7 total reflektiert wird. Der so erzwungene Strahlengang des erzeugten Lichts ist durch einen Pfeil 9 angedeutet. Die Yertiefungen zwischen den Kontakten 3 können auf mechamische oder chemische Weise erzeugt werden.
  • Die Leuchtanordnung nach Fig. 3 weist einen etwas anderen konstruktiven Aufbau als die Ausführungsbeispiele nach Fig. i und 2 auf1 ihre Wirkungsweise ist jedoch die gleiche wie die der beiden oen beschriebenen Leuchtanordnungen. Die Platte 1 weist eine hochdotierte Oberflächenschicht n+ auf, die die p-n Übergänge enthält und nur deren Tiefenausdehnung besitzen muß. Der übrige Teil der Platte, die aus Gründen der Festigkeit eine gewisse Dicke haben muß, kann aus hochohmigem, wenig Licht absorbierendem Material bestehen, dies ist der Teil n Die erforderlichen p-n Übergänge sind durch Einbringen von diskreten Inseln p dn die hochdotierte Oberflächenschicht n+ der Platte 1 erzeugt. Auf der zunächst freien + Flache der hochdotierten Oberflächenschicht n sind weiterhin n-Kontakte 10 angeordnet, welche die Inseln p jedoch nicht berühren, sondern Ausnehmungen aufweisen, so-daX jeweils zwischen den Inseln p und den n-Kontakten 10 keine elektrisch leitende Verbindung besteht. Im Anschluß an die Aufbringung der n-Kontakte wird auf die Platte 1 eine Isolierschicht 13 aufgebracht, auf der dann ihrerseits Kontakte 12 angeordnet werden. Die p-Kontakte 12 sind jeweils über eine Brücke 14 mit den p-Inseln verbunden.
  • Die Erzeugung von optischen Informationen erfolgt in der gleichen Weise, wie bezüglich der Ausführungsbeispiele nach Fig. 1 und 2 beschrieben, nämlich über entsprechende Ansteuerung bestimmter p- und n-Kontakte.
  • Die Aufteilung der Platte 1 nach Fig. 3 in einen hochdotierten Bereich n und einen weniger dotierten Bereich n erfolgt im wesentlichen zur, Verringerung der Absorption der erzeugten Strahlung. Der n-Bereich ist vornehmlich aus Gründen der Festigkeit der erfindungsgemäßen Leuchtanordnung vorgesehen. Dieser tragende Teil der Platte 1 besteht aus einem Material mit gegenüber der dunneren n+-Schicht größerem Abstand zwischen Valenz- und Leitfhigkeitsband. Hierdurch wird die Absorptionskante der dicken Schicht nach kürzeren Wellenlängen verschoben, und das im p-n Übergang erzeugte Licht kann mit wesentlich verminderter Absorption austreten.

Claims (9)

  1. Patentansprüche 1. Leuchtanordnung, dadurch gekennzeichnet,daß an einem Halbleiterkörper mit p-n Übergang begrenzte Bereiche elektrisch ansteuerbar sind.
  2. 2. Leuchtanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper als Platte (1) ausgebildet ist.
  3. 3. Leuchtanordnung nach Anspruchs 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf gegenüberliegenden Flächen der Platte (1) elektrische Kontakte (3, 4) vorgesehen sind.
  4. 4. Leuchtanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die auf gegenüberliegenden Flächen angeordneten Kontakte (3, 4) kreezweise-zueinander vorgesehen und streifen- oder linienförmig ausgebildet sind
  5. 5. Leuchtanordnung nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte (3, 4) auf den beiden größten Flächen der Platte (1) und der p-n Übergang im wesentlichen parallel zu diesen Flächen vorgesehen sind.
  6. 6. Leuchtanordnung nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, däß auf einer Fläche der Platte (1) zwischen den Kontakten (3, 4) den p-n Übergang durchsetzende Vertiefungen (5) angeordnet sind.
  7. 7. Leuchtancrdnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (5) zwei sich schneidende Flächen (6, 7) aufweisen, von denen die eine (7) austretendes Licht total reflektiert während die andere (6) lichtdurchlässig ist.
  8. 8. Leuchtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß an der Platte (1) diskrete p-n Übergknge vorgesehen sind, die über auf einer Plattenfläche vorgesehene p- und n-Kontakte ansteuerbar sind.
  9. 9. Leuchtanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (t) aus einer hochdotierten Schicht (n) mit p-n Übergang sowie einer weniger dotierten, 1ichtdurchlässigeren Schicht (n) besteht, 10, Leuchtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die demLichtaustritt gegenüber. iiegende Fläche reflektierend ausgebildet ist.
    L e e r s e i t e
DE19671589099 1967-09-09 1967-09-09 Leuchtanordnung Expired DE1589099C3 (de)

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DE1589099B2 DE1589099B2 (de) 1975-01-23
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE10038671A1 (de) * 2000-08-08 2002-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
DE10059532A1 (de) * 2000-08-08 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
US6995030B2 (en) 2000-08-08 2006-02-07 Osram Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics
US7547921B2 (en) 2000-08-08 2009-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics

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US7109527B2 (en) 2000-08-08 2006-09-19 Osram Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics and method for production thereof
US7547921B2 (en) 2000-08-08 2009-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics

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DE1589099C3 (de) 1975-08-28
DE1589099B2 (de) 1975-01-23

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