DE1589099B2

DE1589099B2 - Leuchtanordnung

Info

Publication number: DE1589099B2
Application number: DE19671589099
Authority: DE
Inventors: Karl Dr. 6240 Koenigstein Arnold
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1967-09-09
Filing date: 1967-09-09
Publication date: 1975-01-23
Also published as: DE1589099A1; DE1589099C3

Description

Strahlung. Der η-Bereich ist vornehmlich aus Gründen der Festigkeit der erfindungsgemäßen Leuchtanordnung vorgesehen.

Dieser tragende Teil der Platte 1 besteht aus einem Material mit gegenüber der dünneren η+-Schicht größerem Abstand zwischen Valenz- und Leitfähigkeitsband. Hierdurch wird die Absorptionskante der dicken Schicht nach kürzeren Wellenlängen verschoben, und das im PN-Übergang erzeugte Licht kann mit wesentlich verminderter Absorption austreten.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

1 2 Prozessen — üblicherweise Ätzprozessen — unter- S Patentansprüche: worfen werden.muß; χ , ' " c Bei einer aus 'der deutschen Auslegeschrift c

1. Leuchtanordnung mit einem Halbleiterkör- 1156 506 bekanntgewordenen Halbleiterlichtquelle per des einen Leitfähigkeitstyps, mit in Zeilen 5 sind auf einer Seite eines eigenleitenden Halbleiter- l· und Spalten angeordneten voneinander getrenn- körpers η-leitende Zonen und auf der anderen Seite i ten Zonen des anderen Leitfähigkeitstyps, die dieses Halbleiterkörpers p-leitende Zonen vormit dem Halbleiterkörper Licht emittierende PN- gesehen. Diese Zonen sind in Zeilen und Spalten Übergänge bilden, und mit dem Halbleiterkörper orientiert und durch lichtdurchlässige Leiterbahnen sowie die Zonen des anderen Leitfähigkeitstyps io kontaktiert. Eine derartige Halbleiterlichtquelle bekontaktierenden,Leitern, -über welche die. PNr sitzt den Nachteil, daß der Halbleiterkörper von zwei Übergänge' Selektiv·'elektrisch ansteuerbär sind, . ■ Seiten behandelt'werden muß, was bearbeitungstechdadurch gekennzeichnet, daß auf der nisch aufwendig ist.

die Zonen des" anderen Leitüngstyps enthalten- Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zuden Seite des Halbleiterkörpers in Spaltenrichtung 15 gründe, eine Leuchtanordnung der in Rede stehenverlaufende, den Halbleiterkörper kontaktierende den Art anzugeben, die in einfacher Weise durch die Leiterbahnen angeordnet sind, welche im Bereich in der Halbleitertechnik übliche Planartechnik herder Zonen des anderen Leitfähigkeitstyps die stellbar ist.

Oberfläche dieser Zonen frei lassende Fenster auf- Diese Aufgabe wird bei einer Leuchtanordnung weisen, daß auf der gesamten Fläche des Halb- 20 der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch leiterkörpers einschließlich der in Spaltenrichtung gelöst, daß auf der die Zonen des anderen Leitungsverlaufenden Leiterbahnen eine Isolationsschicht typs enthaltenden Seite des Halbleiterkörpers in Spalvorgesehen ist, welche im Bereich der Zonen des tenrichtung verlaufende, den Halbleiterkörper konanderen Leitfähigkeitstyps die Oberfläche dieser taktierende Leiterbahnen angeordnet sind, welche im Zone frei lassende gegenüber den Fenstern in den 25 Bereich der Zonen des anderen Leitfähigkeitstyps in Spaltenrichtung verlaufenden Leiterbahnen die Oberfläche dieser Zone frei lassende Fenster aufkleinere Fenster besitzt, und daß auf der Isola- weisen, daß auf der gesamten Fläche des Halbleitertionsschicht in Zeilenrichtung verlaufende, die körpers einschließlich der in Spaltenrichtung verlau-Zonen des anderen Leitungstyps durch die Fen- fenden Leiterbahnen eine Isolationsschicht vorgesehen ster in ihr kontaktierende Leiterbahnen vorge- 30 ist, welche im Bereich der Zonen des anderen Leitsehen sind. fähigkeitstyps die Oberfläche dieser Zone frei lassende

2. Leuchtanordnung nach Anspruch 1, dadurch gegenüber den Fenstern in den in Spaltenrichtung gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper aus . verlaufenden Leiterbahnen kleinere Fenster besitzt, einer hochdotierten, die Zonen des anderen Lei- und daß auf der Isolationsschicht in Zeilenrichtung tungstyps enthaltenden Schicht sowie einer gegen- 35 verlaufende, die Zonen des anderen Leitungstyps" über der hochdotierten Schicht schwächer dotier- durch die Fenster in ihr kontaktierende Leiterbahnen ten Schicht besteht. vorgesehen sind.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand eines in der Figur der Zeichnung dargestellten Ausführungs-40 beispiels näher erläutert.

Die Leuchtanordnung nach der Figur weist eine

Platte 1 mit einer hochdotierten Oberflächenschicht /Z⁺ auf, die strahlende PN-Übergänge enthält und nur deren Tiefenausdehnung besitzen muß. Der 45 übrige Teil der Platte, die aus Gründen der Festig-

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine keit eine gewisse Dicke haben muß, kann aus hoch-Leuchtanordnung mit einem Halbleiterkörper des ohmigem, wenig Licht absorbierendem Material beeinen Leitfähigkeitstyps, mit in Zeilen und Spalten stehen, dies ist der Teil ti.

angeordneten voneinander getrennten Zonen des Die erforderlichen PN-Übergänge sind durch Einanderen Leitfähigkeitstyps, die mit dem Halbleiter- 50 bringen von diskreten Inseln ρ in die hochdotierte körper Licht emittierende PN-Übergänge bilden, und Oberflächenschicht n⁺ der Platte 1 erzeugt. Auf der mit dem Halbleiterkörper sowie die Zonen des ande- zunächst freien Fläche der hochdotierten Oberflächenren Leitfähigkeitstyps kontaktierenden Leitern, über schicht n⁺ sind weiterhin n-Kontakte 10 angeordnet, welche die PN-Übergänge selektiv elektrisch an- welche die Inseln ρ jedoch nicht berühren, sondern steuerbar sind. 55 Ausnehmungen aufweisen, so daß jeweils zwischen

Bei einer aus der französischen Patentschrift den Inseln ρ und den n-Kontakten 10 keine elektrisch 1385724 bekanntgewordenen Leuchtanordnung ist leitende Verbindung besteht. Im Anschluß an die ein plattenförmiger Halbleiterkörper vorgesehen, der Aufbringung der η-Kontakte wird auf die Platte 1 auf einer Seite in Zeilen und Spalten angeordnete eine Isolierschicht 13 aufgebracht, auf der dann mesaförmige Erhebungen besitzt, in denen sich die 60 ihrerseits p-Kontakte 12 angeordnet werden. Die strahlenden PN-Übergänge befinden. Der Halbleiter- p-Kontakte 12 sind jeweils über eine Brücke 14 mit körper ist dabei auf der den mesaförmigen Erhebun- den p-Inseln verbunden.

gen abgewandten Seite ganzflächig kontaktiert, wäh- Die Erzeugung von optischen Informationen er-

rend die mesaförmigen Erhebungen jeweils einzeln folgt durch entsprechende Ansteuerung bestimmter kontaktiert sind. Eine derartige Leuchtanordnung ist 65 p- und η-Kontakte. Die Aufteilung der Platte 1 nach insofern relativ aufwendig, da eine Seite des Halb- der Figur in einen hochdotierten Bereich n⁺ und leiterkörpers zur Bildung der mesaförmigen Er- einen weniger dotierten Bereich η erfolgt im wesenthebung geometrisch komplizierten technologischen liehen zur Verringerung der Absorption der erzeugten