DE2003802A1

DE2003802A1 - Elektrolumineszenzeinrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number: DE2003802A1
Application number: DE19702003802
Authority: DE
Inventors: Aron Vecht
Original assignee: SECRETARY TECHNOLOGY BRIT
Current assignee: SECRETARY TECHNOLOGY BRIT
Priority date: 1969-01-28
Filing date: 1970-01-28
Publication date: 1970-07-30
Also published as: NL176626B; DE2003802C3; NL7001218A; DE2003802B2; JPS4826984B1; NL176626C; FR2029573A1; GB1300548A; SE358899B

Description

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Augsburg, den 27. Januar 1970

Der Minister für Technologie in der Regierung Ihrer . f Majestät der Königin der Vereinigten Königreiche von Großbritannien und Nordirland, Millbank Tower,Millbank, London, S.W.l, England

Elektrolumineszenzeinrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben.

Die Erfindung betrifft Elektrolumineszenzeinrichtungen und ein Verfahren zur Herstellung von Elektrolumineszenzeinrichtungen, bei welchen pulverförmiger Phosphor in eine durchscheinende Matritze eingebettet ist und bei welchen

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Elektrolumineszenz durch Anlegen einer elektrischen Spannung bzw. durch einen elektrischen Strom erzeugt wird.

Der üblicherweise bei derartigen Elektrolumineszenzeinrichtungen verwendete Phosphor weist Verbindungen eines Elementes der Gruppe Hb des periodischen Systems mit einem Element der Gruppe VIb auf, beispielsweise Zinksulfid bzw. ein Gemisch derartiger Verbindungen. Auch dann, wenn durch das Einfügen verschiedener Elemente, wie beispielsweise Mangan, in die Kristallgitterstruktur eine Aktivierung vorgenommen wird, erzeugen derartige Phosphorverbindungen infolge eines hindurchfließenden Gleichstromes keine starke Lumineszenzerscheinung.

Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, ein Verfahren zur Herstellung derartiger pulverförmiger Phosphorverbindungen so zu verbessern, daß sich Elektrolumineszenzeinrichtungen ergeben, welche eine sehr viel stärkere Lumineszenz in einem bestimmten Bereich hervorrufen, welch letzterer eine bestimmte Gestalt bzw. Konfiguration aufweist.

Im Sinne der Lösung dieser Aufgabe beinhaltet die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Lumineszenz-

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einrichtung, welches durch folgende Schritte gekennzeichnet ist:

a) Herstellen von Phosphorteilchen aus einer Verbindung bzw. aus Verbindungen eines Elementes der Gruppe Ub des periodischen Systems mit einem Element der Gruppe VIb unter Beimischung eines Aktivators,

b) überziehen der Phosphorteilchen mit einem Element der Gruppe Ib,

c) Einbetten der überzogenen Phosphorteilchen in eine durchscheinende Mabritze,

d) Anordnen der die Teilchen tragenden Matritze als Phosphorschicht Jeweils in elektrischem Kontakt mit zwei Elektroden, und

e) Hindurchleiten eines elektrischen Gleichstromes zwischen den beiden Elektroden so lange, bis sich der elektrische Widerstand in einem im voraus bestimmbaren örtlichen Bereich der Phosphorschicht

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vergrößert hat, wobei im Falle einer anschließenden Betriebsverwendung der Elektrolumineszenzeinrichtung beim Hindurchleiten eines elektrischen Stromes zwischen den Elektroden die Lumineszenz des im voraus bestimmbaren örtlichen Bereiches der Phosphorschicht mindestens einhundertmal größer ist, als bei Anwendung nicht überzogener Phosphorteilchen.

Die Erfindung beinhaltet weiterhin Elektrolumineszenzeinrichtungen, welche mittels eines Verfahrens nach der Erfindung hergestellt worden sind. Ein besonderer Vorteil derartiger Elektrolumineszenzeinrichtungen nach der Erfindung besteht darin, daß diese die Elektrolumineszenz sowohl bei Anliegen einer Gleichspannung als auch bei Anliegen einer Wechselspannung erzeugen.

Die genannte Vergrößerung des elektrischen Widerstandes erfolgt normalerweise innerhalb etwa einer Minute und normalerweise wird der Widerstand etwa um einen Paktor zehn vergrößert. Während des Vorganges der Ausbildung örtlicher Bereiche hohen Widerstandes liegt die Menge der abgeführten Energie in bezug auf die Oberfläche der

ρ ρ

Phosphorschicht zwischen 0,5 Watt/cm und 5 Watt/cm . Die

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Oleichspannung an den Elektroden wird zur Erzeugung der gewünschten Lumineszenzerscheinung normalerweise einfach eingestellt.

Die Vergrößerung des elektrischen Widerstandes und in gleicher Weise die daraus resultierende Lumineszenz erfolgen fast vollständig in einem örtlich begrenzten Bereich der Phosphorschicht, dessen Lage auf verschiedene . ™ Weise im voraus bestimmbar ist.

Die Lage des örtlichen Bereiches wird beispielsweise einfach dadurch festgelegt, daß die Querschnittsfläche der Phosphorschicht, durch welche der die örtlichen Bereiche bildende elektrische Strom hindurchfließen muß, örtlich verengt wird. Das erreicht man beispielsweise dadurch, daß in der Oberfläche der Phosphorschicht einfach eine Vertiefung vorgesehen ist. Die Zuführung von Wärme m

bzw. die Erzeugung von Wärme innerhalb eines im voraus bestimmbaren, örtlich begrenzten Bereiches stellt eine weitere Möglichkeit zur Erzeugung der Widerstandsvergrößerung und der sich damit ergebenden Lumineszenz innerhalb eines derartigen Bereiches dar.

Wenn andererseits im wesentlichen gleiche physikalische

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Bedingungen in der Phosphorschicht erhalten "bleiben, so bildet sich der örtlich begrenzte Bereich normalerweise verhältnismäßig nahe bei derjenigen Elektrode bzw. bei denjenigen Elektroden aus, v/eiche beim Hindurchleiten des, die örtlichen Bereiche bildenden elektrischen Stromes positiv ist bzw. positiv sind. Wenn sich der örtliche Bereich, welcher sich auf diese Weise in der Phosphorschicht

W ausbildet, normalerweise ziemlich dicht längs der gesamten gemeinsamen Berührungsfläche der Phosphorschicht mit dieser Elektrode bzw. mit diesen Elektroden erstreckt, so ist die Lage des örtlich begrenzten Bereiches unter diesen Umständen durch die Lage bzw. Anordnung der Elektrode bzw. der Elektroden im voraus bestimmt. Weiter ist unter diesen Umständen die Ausbildung bzw. Konfiguration der erzeugten Lumineszenz durch die anordnung derjenigen Elektrode im voraus bestimmt, ' welche während des Ausbildungsvorganges der örtlichen Be-

φ reiche positiv ist.

Nachdem sich ein örtlich begrenzter Bereich infolge des Hindurchleitens des Gleichstromes in der richtigen Weise ausgebildet hat, wird die Einrichtung daraufhin dadurch zum Lumineszieren gebracht, daß ein Wechsel- bzw. Gleichstrom hindurchgeleitet wird, wobei die Polarität des letztgenannten Stromes beliebig sein kann, da der Ausbildungsvorgang

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örtlich begrenzter Bereiche hohen Widerstandes im wesentlichen irreversibel ist.

Die .Phosphorteilchen weisen vorzugsweise eine Verbindung eines Elementes der Gruppe.Hb des periodischen Systems, vorzugsweise Zink, mit einem Element der Gruppe.VIb, vorzugsweise Schwefel oder Selen, bzw. eine Hischung aus ·

derartigen Verbindungen sowie einen Aktivator und einen "Überzug aus einem Element der Gruppe Ib auf. Die Verbindung ist vorzugsweise Zinksulfid bzw. Zinkselenid und die Mischung bzw.. die feste Lösung-derartiger Verbindungen kann ein Gemisch von Zinksulfid und Zinkselenid sein. Ein wirksamer Aktivator ist beispielsweise Langan. Es können jedoch-auch"andere bekannte Aktivatoren verwendet werden, beispielsweise Kupfer zusätzlich zum Hangan.

Der genannte Überzug der Phosphorteilchen besteht ^j

vorzugsweise aus Kupfer, kann jedoch bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung aus Gold bzw. Silber bestehen.

Der Überzug aus einem rietall der Gruppe Ib-, welcher ob en und in .der¹" folgenden-Beschreibung erwähnt ist, liegt normalerweise zwar nicht in Forn' eines kontinuierlichen .

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metallischen Biederschlages vor, das Element ist Jedoch normalerweise in der Phosphorteilchenoberfläche als Teil einer komplexen Gberflächenphase vorhanden, bei v/elcher die Atome des Kristallgitters der mit dem überzug versehenen Teilchen teilweise durch das Element der Gruppe Ib ersetzt sind.

Das Letall der Gruppe Ib wird auf die Phosphorteilchen durch Verwendung organisch-metallischer Verbindungen bzw. einfach durch Reaktion der Phosphorteilchen mit einer Salzlösung des iietalles der Gruppe Ib aufgetragen. Bei Verwendung von Kupfer liegt die in ϊοπα eines Überzugs auf den 1-hospLorteilchen niedergeschlagene lienge in der Größenordnung von C,,° Gewichtsprozent der Phosphorteilchen.

Die u-Ui-cLcciioiiiende Hat ritze, in welcher die Phosphorit teilchen eingebettet cind, besteht beispielsweise aus I ol^Tiotl-."lr.etalirvlat bzv;. Nitrozellulose.

Zi&c Veriic'.ltnis von Phosphorteilchen zu lichtdurchlässigen linaon.it,tel ict zwar in weitem Bereich wählbar, liegt Jedccii i:.. all^eLeinen zv/isehen 10 Gewichtsprozent und 25 Gewichtsprozent (Gewicht/Gewicht mit Bezug auf

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Eine bevorzugte Ausführungsform einer Elektrolumineszenz einrichtung nach der Erfindung ist in einem durchscheinenden Gefäß eingeschlossen, welch letzteres ein Inertgas, wie "beispielsweise Stickstoff, zusammen mit einem Trockenmittel enthält, welch letzteres die aktive Lebensdauer des Inertgases erhöht.

Das von der Elektrolumineszenzeinrichtung nach der d

Erfindung, in welcher örtliche Bereiche hohen Widerstandes ausgebildet sind, ausgesandte Licht ist bei einer bestimmten angelegten Spannung beträchtlich heller als ■dasjenige Licht, welches von einer-Elektrolumineszenzeinrichtung ausgesandt wird, in welcher das Licht von nicht überzogenem, pulverartigem Phosphor-erzeugt wird und in welcher kein Vorgang der Ausbildung örtlicher Bereiche hohen Widerstandes stattgefunden hat. Die Helligkeit des von der erfindungsgemäßen Einrichtung ausgesandten Lichtes ist mit Bezug auf bekannte derartige Einrichtungen ■ mindestens einhundertmal größer, d.h. um zwei Zehnerpotenzen größer, und kann, darüberhinaus noch beträchtlich gesteigert werden. Es wird andererseits eine derart niedrigere Spannung an die erfindungsgemäße Einrichtung angelegt, daß sich mindestens die gleiche Helligkeit wie bei einer Elektrolumineszenzeinrichtung mit nichtüberzogenen Phosphorteilchen ergibt. Das ist insbesondere dann von Vorteil,

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wenn die erfindungsgemäße Einrichtung in einer Schaltung mit Batteriestromversorgung "bzw. in einer Transistorschaltung enthalten ist.

Einen bevorzugten Anwendungsbereich der erfindungsgemäßen Elektrolumineszenzeinrichtung stellen erleuchtete Buchstaben bzw. Zahlen dar. Die Buchstaben bzw. dgl. werden entweder in eine, eine Schicht aus Phosphor tragende

^ Iuatritze eingeschrieben bzw. alternativ dazu wird eine auf einer Trägerschicht angeordnete leitende Schicht derart geätzt, daß sich ein Spalt bzw. eine Vertiefung ergibt, welcher bzw. Vielehe einem Buchstaben bzw. einer Zahl entspricht. Durch Verwendung eines Doppelspaltes mit einem schmalen, leitenden Zwischenstreifen ergeben sich doppelt-erleuchtete Buchstaben. Ein Doppelspalt wird darüberhinaus zur Erzeugung eines leuchtenden Buchstabens verwendet, bei welchem die gesamte Phosphorschicht zwischen

φ den Spalten luminesziert.

Die Erfindung wird im folgenden am Beispiel einiger be vorzugter Äusführungsformen näher erläutert, welche in den Zeichnungen dargestellt sind, die im einzelnen zeigen: _/

eine Elektrolumineszenzeinrichtung nach der Erfindung, bei welcher die Phosphor

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schicht zwischen den Elektroden-durcli . die Ausbildung, einer im Querschnitt

beispielsweise V-förmigen Vertiefung verengt ist,

Fig. 2 eine weitere Ausführungsform der Elektrolumineszenz einrichtung nach der Erfindung, \_: . bei welcher über einen Spalt in einer lei-

tenden ScMcht eine .Phosphorsehicht gelegt ist, ■- * ^: .

Fig. 3 eine eingekapselte Elektrolumineszenzein-

richtung nach der Erfindung,

Fig.: 4 einen Buchstaben, welcher gemäß der. - . ' stellung in Fig.. 2 gebildet ist, und

Fig. 5 . einen Schnitt durcli eine -Elektrolux-.inoa- .

.-■■-■ -'- .-.senaeinrichtun-^.naci. der ^rfindun^, v.^!elciie

._;: "; ' \ geschiclitet aue;;efüiirt ist.

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Gemäß der Darstellung in Fig.l sind auf einer nichtleitenden Trägerschicht 1 Elektroden 2a und 2b angeordnet. Zwischen diesen Elektroden und jeweils in elektrischem Kontakt mit ihnen ist eine phosphorhaltige Matrizenschicht angeordnet, welche jeweils mit einem überzug versehene Phosphorteilchen 4 aufweist, die in eine lichtdurchlässige Matrize 5 eingebettet sind. Die Dicke der Schicht 3 liegt typischerweise in der Größenordnung von 50^m. Eine nutenartige Vertiefung 6 rührt beispielsweise von einem in der Zeichnung nicht dargestellten Schreibwerkzeug her, welches über die Matrizenoberfläche gezogen worden ist. Wenn zwischen den Elektroden 2a und 2b ein Gleichstrom hindurchgeleitet wird, so bildet sich längs der Vertiefung 6 ein Bereich hohen Widerstandes aus, welcher in Fig. 1 allgemein mit 7 beziffert ist. Nach Ausbildung dieses V/iderstandsbereiches bewirkt ein Gleichstrom und/oder ein Wechselstrom, welcher zwischen den Llektroden 2a und 2b hindurchgeleitet wird, daß die Phosphorteilchen in dem Bereich hohen V/iderstandes 7 eine Lumineszenzstrahlun_o aussenden. Ls ist günstig, wenn man die Spannung und den Gtrom während der Ausbildung des Bereiches hohen Widerstandes überwacht und die Spannung von einem niedrigen Anfangswert ausgehend derart steigert, daß die ilenge der abgeführten energie in bezug auf die Oberfläche der

rhosphorschicht innerhalb eines Bereiches von G,5 Watt/cm

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bis 5 Watt /cm. bleibt. Bei der Ausbildung des Bereiches höhen= Widerstandes f steigt der elektrische Widerstand etwa um einen Faktor 10 an.

In Fig* 2 is,t mit der Bezugsziffer 8 eine nichtleitende Trägerschicht bezeichnet, auf welcher eine Schicht 9 aus, leitendem Material angeordnet ist* In der Schicht 9 aus leitendem Material ist ein Spalt 10 derart gebildet, daß :j|

die Schicht aus leitendem Material zwei Elektroden 9a und 9b darstellt. Eine phösphorhaltige Matrize 11 ist über dem Spalt TO angeordnet und beim Hindurchleiten eines Gleichstromes bildet sich ein Bereich hohen Widerstandes 12 in der genannten'phosphorhaltigen Matrize derart ausj daß beim Hindurchleiten eines Gleichstroriies und/oder eines Wechselstromes der Phosphor in dem Bereich 12 luminesziert.

Fig, 3 zeigt eine erfindungsgemäße Elektrolumineszenz- ^ einriehtung li} entsprechend der Darstellung in Fig. 2, bi Elektroden 15a und 15b durch einen Spaltj xrelcher in Fig. 3 durch gebrochene Linien angedeutet ist, voneinander getrennt sind und wobei eine phosphorhaltige Matrizenschicht 17 Über dem Spalt 16 angeordnet ist> was durch eine Schraffur angedeutet ist» Die erfindungsgemäße Einrichtung 14 ist in einem durchscheinendem Gefäß 18 eingeschlossen, welches"' an: der Stelle 19 evakuiert und anschließend mit Stickstoffgas gefüllt

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worden ist und welches ein Trockenmittel 20 enthält. Über elektrische Leiter 21a und 21b, welche jeweils mit den Elektroden 15a und 15b verbunden und an Stellen 22a und 22b in die Gefäßwände eingeschmolzen sind, wird ein elektrischer Strom durch die erfindungsgemäße Einrichtung hindurchgeleitet.

In Fig. 4 bezeichnet die Bezugsziffer 24 eine Träger- * schicht, auf welcher eine Schicht aus leitendem Material angeordnet ist. Das leitende Material ist teilweise derart entfernt worden, daß Spalte 26a und 26b übrigbleiben, die beispielsweise derart angeordnet sind, daß sie einen Buchstaben "A" bilden. Eine phosphorhaltige Ilatrizenschicht, welche in der Fig. 4 nicht dargestellt ist, ist jeweils über den Spalten 26a und 26b angebracht. Die leitende Schicht 25 wird als in drei Bereiche 27, 28 und 29 unterteilt angesehen. Wenn elektrische Anschlüsse, welche in Fig. 4 ebenfalls nicht fl| dargestellt sind, derart gelegt sind, daß die Bereiche 27 und jeweils die gleiche Polarität aufweisen, während der Bereich dazu entgegengesetzt gepolt ist, und ein Gleichstrom hindurchgeleitet wird, so bilden sich in der Phosphorschicht entsprechend dem Verlauf der Spalte 26a und 26b Bereiche jeweils hohen Widerstandes derart aus, daß bei Anlegen einer Gleichspannung und/oder einer Wechselspannung die Bereiche und 29 jeweils gleiche, beispielsweise positive Polarität auf~

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weisen und der Bereich 28 negative Polarität aufweist. Dabei tritt in den Bereichen höhen. Widerstandes in der Phosphorschieht Elektrolumineszenz derart auf, daß der betreffende Buchstabe "hervorgehoben" wird.

Die Erfindung kann auch auf diejenige Art von Elektrolumineszenzeinrichtungen angewendet werden, welche in Fig. 5 schematisch dargestellt sind, d,h. auf geschichtete Elektrolumineszenzeinrichtungen. Die Einrichtung weist einen Träger 30,. welcher vorzugsweise aus Glas besteht, sowie eine leitende Schicht 31, eine Phosphorschicht 33 und schließlich eine weitere leitende Schicht 32 auf. Die leitenden Schichten dienen als Elektroden. Die leitende Schicht 31 ist beispielsweise eine dünne Schicht aus Zinnoxid bzw. Indiumoxid, während die leitende Schicht 32 beispielsweise—aus- Aluminium-Graphit bzw. Kupfer besteht. Es hat sich ergeben, daß, wenn ein Gleichstrom über die leitenden Schichten durch die Pho.spor-sc.hi.ch-t 33 derart hindurchgeleitet wird, sich ein Bereich hohen Widerstandes innerhalb dieser Phöspor-.-schicht ausbildet, wobei, die Schicht 31 positiv gepolt ist, 'ein Bereich hohen Widerstandes bei 3^ in der Nähe der leitenden.-Schicht 31 ausbildet. Dieser derart "'gebildete-Bereich hohen Widerstandes emittiert eine Lichtstrahlung, was durch die Bezugsziffer 35 angedeutet ist-,' Die Ausbildung

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des Bereiches hohen Widerstandes ist in diesem Falle mit örtlicher Selbsterwärmung verbunden. Eine derartige Einrichtung nach der Erfindung kann so abgewandelt werden, daß nur ein Bereich bzw. mehrere Bereiche der Phosphorschicht illuminiert wird bzw. werden. Die leitenden Schichten 31 und 32 sind jeweils nicht kontinuierlich über der gesamten Fläche der Phosphorschicht 33 angeordnet, sondern bilden jeweils gegliederte Anordnungen von Streifen, welch letztere jeweils W durch Zwischenräume 32B voneinander getrennt sind. Die Streifen der einen gegliederten Anordnung verlaufen jjeweils rechtwinkelig zu den Streifen der anderen gegliederten Anordnung. Die Streifen sind jeweils mit elektrischen Anschlüssen 31A bzw.32A versehen. Durch Auswahl geeigneter Schaltverbinüungen in jeder dieser beiden Anordnungen kann ein bestimmter Teil der Phosphorschicht 33 zum Lumineszieren gebracht werden.

α Unter normalen umständen steigt die Stärke der im

Betrieb erzeugten Elektrolumineszenz mit der Höhe der angelegten Spannung innerhalb vernünftiger Grenzen an, so dalo die einzelnen Elektrolunineszenzeinrichtungen derart ausleiert werden können, daß sie jeweils an verschiedener angelegter ,Spannung betrieben werden, wobei typische Vierte der Spannung im Bereich von 30 Volt bzw. 50 Volt bis zu

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einigen hundert Volt liegen. Die Betriebsspannung igt natürlich nicht auf diejenige Spannung begrenzt* weiche zur Erzeugung eines Bereiche hohen Widerstandes ausbildenden elektrischen Stromes in der oben beschriebenen.Weise angelegt ist, . .

Aus der vorhergehenden Beschreibung ergibt sich der Vorteil, daß es bei Elektrolumiheszenzeinrichtungen nach der Erfindung möglich ist, ,starke Slektrolumine'szeiiz in .

einem bestimmten Flächenbereich zu erzeugen, dessen Gestalt und ßiöföe bzw.. Konfiguration im voraus bestimmbar ist, entweder durch die Ausdehnung und Lage der gemeinsamen Berührungsfläche zwischen der Phosphorschieht und derjenigen Elektrode bzw. denjenigen Elektroden, weiche bei der Ausbildung der Sereiche höhen Widerstandes positiv sind, während in einiger" Entfernung von dieser Berührungsfläche in- der gesamten: Phosphorsöhicht im wesentlichen gleiche physikalische Bedingungen, d*h. Stromdichte und Erwärmungseffekte, auf- "■ ^ rechterhalten werden* oder aber durch die Ausdehnung und Lage •eines ausgewählten* örtlichen Bereiches der Phosphor schicht, welcher zweckmäßig unterschiedlichen physikalischen Bedingungen ausgesetzt wird, weiche zu einem Örtlichen Ansteigen der Erwärmung und/oder des elektrischen Widerstandes in dem ausgewählten Bereich dann führen* wenn der ein Ansteigen der Erwärmung und/oder des Widerstandes bewirkende elektrische Strom fließt. ' ■'"■

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Claims

n. 490

Patentansprüche

lly Verfahren zur Herstellung einer Slektrolumineszenz- W einrichtung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

a) Herstellen von Phosphorteilchen aus einer Verbindung bzw. aus Verbindungen eines Elementes der Gruppe Hb des periodischen Systems mit einem Element der Gruppe VIb unter Beimischung eines Iktivators,

b) überziehen der Phosphorteilchen mit einem Element der Gruppe Ib,

c) Einbetten der überzogenen Phosphorteilchen in eine durchscheinende Katritze,

d) Anordnen der die Teilchen tragenden Hatritze als Phosphorschicht jeweils in elektrischem Kontakt mit zwei Elektroden, und

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e) Hindurchleiten eines elektrischen Gleichstromes zwischen den beiden Elektroden so lange, -"bis sich. der elektrische Widerstand in einem im voraus be>stimmbaren örtlichen Bereich der Phosphorschicht vergrößert hat, wobei im Falle einer anschließenden Betriebsverwendung der Elektrolumineszenzeinric'htung beim Hindurchleiten eines elektrischen Stromes

·.. zwischen den Elektroden-die Lumineszenz des im voraus λ bestimmbaren, örtlichen Bereiches der Phosphorschicht mindestens einhundertmal größer ist als bei Anwendung nichtüberzogener Phosphorteilchen.

2, Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Querschnittsfläche der Phosphorschicht, durch welche der örtliche Bereiche hohen Widerstandes ausbildende Strom zwischen den Elektroden hindurchfließt, in einen bestimmten Örtlichen Bereich verengt wird.

3, Verfallren nach Anspruch 1, dadurch ^ daß die Elektroden:in bestimmtem Aostand auf einer Trägerschicht angeordnet werden und daß der 3aum zwisehen diesen Elektroden mit der Phosphorschicht ausgefüllt wird, daß weiter die,-greine insane Berührungsf lache zwischen der Phosphorschicht und derjenigen Elektrode, welche beim Hindurchleiten des V/iderstaiidsbereiche bildenden Stromes als positive Elektrode

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gewählt wird, längs der Trägerschicht in bestimmter Gestalt ausgebildet wird, wodurch die Lumineszenz auf diese bestimmte Gestalt örtlich begrenzt auftritt.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einem bestimmten, örtlich begrenzten Bereich der

P Phosphorschicht Wärme zugeführt bzw. daß in einem bestimmten, örtlich begrenzten Bereich der Phosphorschicht Wärme erzeugt wird, wodurch die Lumineszenz örtlich auf diesen Bereich beschränkt auftritt.

5- Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aus Elementen der Gruppe Hb und VIb des periodischen Systems gebildete Verbindung bzw. gebildeten Verbindungen entweder aus Zinksulfid oder aus Zinkselenid oder aber aus einen Gemisch von Zinksulfid ^l und Zinkselenid besteht bzw. bestehen.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Aktivator von Mangan gebildet wird bzw. Langan aufweist.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch rekennzeichnet, daß das Element bzw. Metall aus

■ der Gruppe Ib des periodischen Systems Kupfer ist.

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