DE2800797A1

DE2800797A1 - Elektrolumineszierendes abbildungselement

Info

Publication number: DE2800797A1
Application number: DE19782800797
Authority: DE
Inventors: Alain Groff; Pierre Loubly
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1977-01-20
Filing date: 1978-01-09
Publication date: 1978-07-27
Also published as: FR2378325A1; IT1092278B; JPS5392681A; GB1594553A; CA1126373A; FR2378325B1; IT7819324A0

Description

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geli/va/jv/ap

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28UÜ797

Elektroluraineszierendes Abbildungselement.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Abbildungselement, das im wesentlichen aus einem Halbleiterkristall·, in dem zwei Zonen entgegengesetzter Leitungstypen erzeugt werden, die eine elektroluniineszierende Diode bilden, und aus einer Vorricht besteht, die das Licht reflektiert, das von der genannten elektrolumineszierenden Diode emittiert wird, wobei das durch die Kombination der genannten Diode und das genannten Reflektors erhaltene Lichtbild eine langgestreckte geometrische Figur darstellt.

Zur Abbildung numerischer oder alphanumerischer Daten werden Anordnungen verwendet, die Ziffern oder

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Buchstaben in Form von Gebilden linearer, einfacher und geradliniger Leuchtelemente darstellen. Wenn die.abgebildeten Zeichen begrenzte Abmessungen aufweisen müssen und mehrere dieser Zeichen nahe beieinander liegen müssen, werden Mosaike elektrolumineszierender Elemente verwendet, die durch Dioden mit einem Halbleiterübergang gebildet werden, die in einem einkristallinen Material erzeugt und selektiv durch z.B. das Anlegen einer Spannung erregt werden.

Diese Dioden werden in diesem Falle auf Kristallen geringer Abmessungen erzeugt, die nahezu punktförmige Lichtquellen bilden. Zur Umwandlung jeder punktförmigen Lichtquelle in eine stabförmige Lichtquelle werden verschiedene beliebige Mittel verwendet, wobei in allen Fällen davon ausgegangen wird, dass der punktförmigen Lichtquelle ein Reflektor zugeordnet wird, dessen dem Beobachter des abgebildeten Zeichens zugekehrte Öffnung eine nahezu rechteckige Form aufweist. Meistens befinden sich die Dioden auf dem Boden von Hohlräumen, die in einem aus einem isolierenden und lichtreflektierenden Material bestehenden Block angebracht sind, wobei diese Dioden gemäss einer bestimmten Konfiguration angeordnet sind, die der Erzeugung einer parallelepxpedförmigen geometrischen Figur entspricht, die aus sieben stabförmigen Leuchtelementen besteht und eine Abbildungsanord-

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nung bildet.

Diese Anordnungen und die Verfahren zu deren Herstellung weisen eine Anzahl Nachteile auf. Tatsächlich beziehen sich die sich zuerst ergebenden Schwierigkeiten auf die Abmessungen der Abbildungsanordnungen und ihre Parallelepipedform. Einerseits können durch die Anzahl in dem aus Isoliermaterial bestehenden Block angebrachter Hohlräume die Abmessungen der Anordnung nicht wesentlich herabgesetzt werden, aber andererseits ist es, um eine gute Definition jedes der stabfSrmigen Leuchtelemente aufrechtzuerhalten, nicht möglich, die genannten Abmessungen übertrieben stark zu vergrSssern.

überigens hat die Erfahrung gezeigt, dass von sieben stabförmigen Leuchtelementen, die eine Abbildungsanordnung enthält, gewisse Elemente nie verwendet werden können, wobei ihre Verwendung tatsächlich von tem Typ des abzubildenden Zeichens abhängig ist.

Ausserdem können durch die Anordnung der stabförmigen Leuchtelemente in dem Block aus Isoliermaterial und die Parallelepipedform der Abbildungsanordnung nicht nach Bedarf Abwandlungen des von demselben Abbildungselement abgebildeten Zeichens und kann insbesondere keine lineare Abbildung gemäss einer geraden oder einer gekrümmten Linie erhalten werden.

Im letzteren Falle, in dem eine lineare Abbil-

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dung erhalten werden soll, erweist sich die Anwendung eines Verfahrens, das auf dem Vorhandensein reflektierender Hohlräume basiert, wie sie bereits zum Erhalten der genannten Abbildung bekannt sind, als ungeeignet. Tatsächlich können, weil es zur Gewährleistung der Festigkeit des Gebildes erforderlich ist, einen Zwischenraum zwischen den genannten Hohlräumen einzuhalten, die stabförmigen Leuchtelemente nicht aufeinander gelegt werden so dass während der Beleuchtung der genannten Stäbe zwisehen diesen Stäben dunkele Zonen verbleiben.

Diese Nachteile werden nach einer vorgeschlagenen Lösung dadurch behoben, dass spezifische Abbildungselemente hergestellt werden, die die Form eines Stabes aufweisen und mit Hilfe punktförmiger Quellen und insbesondere mit Hilfe elektrolumineszierender Dioden erhalten werden.

Insbesondere aus der US-PS 3.694.902 ist ein derartiges Abbildungselement bekannt. Nach dieser Patentschrift ist die als .punktförmige Quelle dienende elektrolumineszierende Diode auf dem Ende eines ersten leitenden Streifens befestigt, der als eine erste Elektrode dient und einen Teil eines geschichteten Trägers bildet, von dem ein zweiter Streifen, der ebenfalls leitend und gegen den ersten Streifen isoliert ist, als die zweite elektrode der genannten Diode dient. Ausserdem ist die genannte

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Diode in einen Block aus einem härtbaren durchsichtigen Material, insbesondere einem Harz, eingeschlossen, dessen Form und Struktur es ermöglichen, dass das Licht, das von der Diode emittiert wird, zu der nahezu rechteckigen Vorderfläche des Abbildungselements reflektiert wird.

Einer der Nachteile, den diese Element aufweist, besteht darin, dass die mechanische Festigkeit und Steifigkeit ungenügend sind. Tatsächlich wird der Block aus plastischem Material mit einem erheblichen Volumen durch Spritzgiessen rings um einen geschichteten Träger geringen Querschnittes angebracht. In diesem Falle ist der nützliche Teil, d.h. der reflektierende Teil, in bezug auf den Träger schwer, was zum Durchbiegen des genannten Trägers und bei Wiederholung der Bewegung zu einem ungünstigen Einfluss auf das rings um den genannten Träger durch Spritzgiessen angebrachte Material führen kann, wobei dieser ungünstige Einfluss dann eine Verringerung der Wasserdichtigkeit zur Folge hat.

überdies ergeben sich, vom technologischen Standpunkt her, bei der Montage des Kristalls auf dem Träger und beim Spritzgiessen des Harzes rings um den genannten Kristall einige Schwierigkeiten. Es stellt sich nämlich heraus, dass die Zentrierung des Kristalls auf dem Träger und die Zentrierung des Harzblocks rings um den Kristall und rings um den Träger mit grösster Sorgfalt

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und grösster Genauigkeit erfolgen müssen, wobei diese Anforderungen noch schwieriger erfüllt werden können, wenn die genannten Vorgänge automatisch durchgeführt werden.

Die Erfindung bezweckt, diese Nachteile zu beseitigen.

Nach der Erfindung ist daher ein Abbildungselement, das im wesentlichen aus einem Halbleiterkristall, in dem zwei Zonen entgegengesetzter Leitungstypen erzeugt werden, die eine elektrolumineszierende Diode bilden, und aus einer Vorrichtung besteht, die das Licht reflektiert, das von der genannten elektrolumineszierenden Diode emittiert wird, wobei das durch die Kombination der genannten Diode und des genannten Reflektors erhaltene Lichtbild eine langgestreckte geometrische Figur darstellt, dadurch gekennzeichnet, dass der genannte Reflektor zwei Halbmuscheln enthält, die die Aussenwände der genannten Elements bilden und derart miteinander zusammenwirken, dass ein Hohlraum gebildet wird, auf dessen Boden der Halbleiterkristall befestigt wird, wobei jede der genannten Halbmuscheln mindestens eine metallene Verbindungsfläche enthält, die mit einer der Zonen der Diode in Kontakt gebracht wird, und wobei der genannte Hohlraum mit einem härtbaren durchsichtigen Material, insbesondere einem Harz, ausgefüllt wird.

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Dieses Abbildungselement weist zahlreiche

Vorteile auf. An erster Stelle sei bemerkt, dass es sich einfach herstellen lässt und dass sein Selbstkostenpreis niedrig ist. übrigens ist es durch die Form des Reflektors möglich, eine unbeschränkte Anzahl von Zeichen in verschiedenen Konfigurationen darzustellen.

Bei einer ersten Ausführungsform sind die beiden Halbmuscheln identisch und liegen symmetrisch zu der zu der Oberfläche des genannten Kristalls senkrechten und durch die Mitte der emittierenden Zone des genannten Kristalls gehenden Achse.

Diese Ausführungsform ist insbesondere dazu bestimmt, ein Abbildungselement einfacher geometrischer Form herzustellen. Insbesondere ist die dazu bestimmt, ein Abbildungselement rechteckiger Form herzustellen, mit dessen Hilfe lineare und geradlinige Abbildungen erzeugt werden können.

Bei einer zweiten Ausführungsform liegen die beiden Halbmuscheln·symmetrisch zu einer Ebene, die den Hohlraum, den diese Halbmuscheln bilden, in zwei Teile mit gleichem Volumen unterteilt, wobei die genannte Ebene ausserdem zu der Oberfläche des auf dem Boden des Hohlraumes befestigten Halbleiterkristalls senkrecht ist und durch die Mitte der emittierenden Zone des genannten

25. Kristalls geht.

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Diese Ausführungsform ist insbesondere dazu bestimmt, trapezförmige Abbildungselemente herzustellen, die in kreisförmigen oder sektorförmigen Abbildungsanordnungen verwendet werden.
Ungeachtet der gewählten Ausftihrungsform weist die erhaltene Abbildung die wesentliche Eigenschaft auf, dass die Verdunkelung derselben nur minimal und praktisch vernachlässigbar ist. Die vordere oder aktive Oberfläche jedes Abbildungselements, d.h. die vom Beobachter her äussere Oberfläche des Hohlraumes, entspricht dem von den beiden Halbmuscheln begrenzten Gebiet abzüglich lediglich der Dicke des Metalls, wenn die genannten Halbmuscheln aus einer Metallplatte bestehen, oder abzüglich der Dicke des Randes der Wand der genannten Halbmuscheln, wenn diese aus einem Isoliermaterial bestehen. Ausserdem können durch die geradlinige Formgebung der Ränder des Hohlraumes, wodurch der genannte Hohlraum einen rechteckigen oder einen trapezförmigen Querschnitt aufweist, die Abbildungselemente aufeinander gelegt werden.

Übrigens können mit den unterschiedlichen obenbeschriebenen Ausführungsformen Abbildungsanordnungen erhalten werden, die Elemente enthalten, die in verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren.

Schliesslich können mit Hilfe derartiger Abbildungselemente Anordnungen erhalten werden, die nur

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die notwendige Anzahl elektrolumineszierender Elemente enthalten, was zweckmässiger und wirtschaftlicher ist.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung dieser Ausführungsformen wird der Halbleiterkristall mit einer seiner Flächen auf der Schnittfläche jeder der Halbmuscheln in dem den Boden des Hohlraumes bildenden Teil derselben befestigt. Um die Zentrierung des genannten Kristalls in dem Boden des Hohlraumes zu erleichtern, kann jede der Halbmuscheln in dem für· die Bildung des genannten Bodens bestimmten Teil eine Aussparung aufweisen, auf mindestens einer deren Wände der genannte Kristall befestigt wird. Vorteilhafterweise enthält die Wand der Aussparung, auf der der Kristall befestigt ist, dann einen erhöhten Teil.

Der beabsichtigte Zweck kann mit verschieden gestalteten Halbmuscheln erreicht werden. Tatsächlich können die genannten Halbmuscheln derart ausgebildet werden, dass Hohlräume mit ebenen Innenflächen und/oder Hohlräume mit parabolischen Innenflächen erhalten werden. In den meisten Fällen sind die laterale Innenwand grossen Flächeninhalts (als Hauptwand bezeichnet) und die laterale Innenwand geringen Flächeninhalts (als sekundäre Wand bezeichnet) jeder der Halbmuscheln eben, aber es ist auch möglich, dass die Halbmuscheln mindestens eine ebene Hauptwand und mindestens eine parabolische sekundäre

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Wand aufweisen.

Es sind bereits Patentschriften bekannt, die sich, auf optoelektronische Anordnungen mit elektrolumineszierenden Halbleiterdioden beziehen und nach denen die die genannten Dioden tragenden Halbleiterkristalls auf dem Boden reflektierender Hohlräume angeordnet und dann von einem transparenten Material umhüllt werden. Insbesondere sei in diesem Zusammenhang auf die USA-Patentschriften 3.764.862, 3.82O.237 und 3.914.786 verwiesen. Diese Patent-Schriften bezwecken, einen metallischen Hohlraum zu erhalten, auf dessen Boden der Halbleiterkristall festgeschweisst ist und der dazu bestimmt ist, die Reflexion des emittierten Lichtes zu verbessern. Bei näherer Betrachtung der Patentschriften 3.764.862 und 3.914.786 kann jedoch festgestellt werden, dass durch das verwendete Verfahren und die verwendeten Mittel nur Leuchtscheiben kreisförmigen Querschnittes erhalten werden können. Das in der Patentschrift 3.820.237 beschriebene Verfahren ermöglicht es, rechteckige Abbildungselemente zu erhalten, aber seine Durchführung ist von der des in der vorliegenden Anmeldung vorgeschlagenen Verfahrens verschieden, weil der Hohlraum völlig in einem Metallband gebildet wird. Es sei bemerkt, dass in der Patentschrift 3.914.786 das Gefüge der beiden vorher in die gewünschte Form gebrachten Kontaktanschlusselektroden einen Hohlraum bildet, aber es kann festge-

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stellt werden, dass diese beiden Elektroden nicht die beiden Hälften des genannten Hohlraumes bilden und dass diese beiden Elektroden weder identisch noch symmetrisch sind; dies im Gegensatz zu dem Vorschlag nach der vorliegenden Anmeldung.

Ausserdem sei bemerkt, dass den obenerwähnten Patentschriften nicht entnommen werden kan, dass die Elektroden auch die Wände der Abbildungselemente bilden, was gerade einer der wesentlichen Vorteile der vorliegenden Erfindung ist.

Schliesslich kann während der Durchführung der in den genannten Patentschriften beschriebenen Verfahren festgestellt werden, dass die Positionierung und die Zentrierung der Halbleiterkristalle auf dem Boden der Hohlräume nicht erleichtert werden. Nach der Erfindung, die den Gegenstand der vorliegenden Anmeldung bildet, bestimmen jedoch die identischer oder symmetrischen Halb— muscheln die Form und die Abmessungen, des Hohlraumes und somit der Reflektorvorrichtung und des Abbildungselements, während weiter der Kristall, der zwischen den beiden Halbmuscheln festgeschweisst ist, automatisch auf dem Boden des Hohlraumes zentriert ist, wobei die geeigneten Kontaktanschlüsse zu diesem Zweck auf oder in der genannten Halbmuscheln angebracht sind.

Nach den beabsichtigen Anwendungen können die

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τ?

Halbmuscheln aus verhältnismässig geschmeidigen und gegebenenfalls elektrisch leitenden Metallbändern hergestellt werden, die insbesondere aus Kupfer oder einem Material auf Basis von Kupfer bestehen und durch Biegen und Fliesspressen in die gewünschte Form gebracht werden. Vorzugsweise wird das Metallband dann mit einer elektrisch leitenden Schicht mit einer hohen Reflexionsfähigkeit überzogen.

Die genannten Halbmuscheln können aber auch aus einem isolierenden und starren Kunststoff bestehen, der gegebenenfalls transparent und wenigstens teilweise mit einer elektrisch leitenden Metallschicht mit einer hohen Reflexionsfähigkeit überzogen ist, die dazu dient, die elektrolumineszierende Diode mit einem äusseren Steuergebilde in Kontakt zu bringen.

. Die Halbmuscheln aus einem isolierenden und starren Kunststoff werden insbesondere in jenen Fällen verwendet, in denen es notwendig ist, dass nur ein minimaler lichtundurchlässiger Zwischenraum zwischen den . aufeinander gelegten Abbildungselementen gebildet wird.

Die Halbmuscheln aus Kunststoff sind tatsächlich meistens durch ein Spritzgussverfahren erhalten und es ist dann einfacher, eine abgeschrägte Kante am oberen Ende ihrer Seitenwände zu bilden, die den äusseren Umfang des Hohlraumes und des Abbildungselements definieren. Übrigens

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kann der verwendete Kunststoff abhängig von der Art des den Hohlraum füllenden. Materials derart gewählt werden, dass einerseits ein Gebilde grosser Festigkeit erhalten und andererseits mit dem den Hohlraum füllenden Material ein Leiter für die von der elektrolumineszierender Diode emittierten Strahlen gebildet wird.

Im Falle, in dem die Halbmuscheln aus Kunststoff bestehen, können ihre die Innenwände des Hohlraumes bildenden Oberflächen mit einer reflektierenden Metallschicht überzogen werden, wodurch sowohl ein Kontaktanschluss mit den beiden Halbleiterzonen der elektrolumineszierenden Diode als auch eine bessere übertragung des von ihnen emittierten Lichtes sichergestellt sind. In diesem Falle besteht vorteilhafterweise die Metallschicht aus einem Material auf Basis von Silber.

In anderen Fällen werden völlig aus Metall bestehende Halbmuscheln bevorzugt, die den Vorteil auf weisen, dass sie selber eine Reflektorvorrichtung bilden.

Diese Halbmuscheln können auf stark mechanisierte und automatisierte Weise aus Metallbändern erhalten werden, die ein Motiv eines bereits auf dem Gebiet der Halbleitererzeugnisse unter der Bezeichnung "Kamm" bekannten Gebildes aufweisen.

Durch die Anwendung metallener Halbmuscheln können zugleich ein direkter Zusammenbau von Halbmuscheln

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und wenigstens die Verschweissung des Kristalls erhalten werden, was zur Folge hat, dass die Herstellungskosten herabgesetzt werden.

Die Erfindung wird vorteilhafterweise bei einem Abbildungselement angewandt, dessen elektrolumineszierende Diode aus einem Kristall gebildet wird, der die wesentliche Eigenschaft aufweist, dass er bei seiner eigenen Wellenlänge transparent ist; dieser Kristall besteht z.B. aus Galliumphosphid (GaP).

In diesem Falle können nämlich die Befestigung des genannten Kristalls auf dem Boden des Hohlraumes und die Anbringung von Anschlusskontakten auf den beiden Zonen der Diode in einem einzigen Arbeitsgang erfolgen. Es ist tatsächlich genügend, unmittelbar mit Hilfe eines leitenden Klebstoffes die beiden Hauptflächen des Kristalls, die die beiden Zonen der Diode bilden, auf den Metallflächen der beiden Halbmuscheln, die den Hohlraum bilden, festzukleben: Die vom Reflektor durchgelassenen Strahlen sind dann im wesentlichen die von dem Halbleiterübergang über die Schnittfläche oder die Seitenflächen des Kristalls emittierten Strahlen.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine Halbmuschel eines Abbildungsele-

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Sir

ments nach der Erfindung, die aus einem steifen durch Spritzgiessen erhaltenen Kunststoff besteht;

Fig. 2 einen schematischen Schnitt durch dieselbe Halbmuschel längs der Linie U-II, Fig. 3 ein Abbildungselement nach der Erfindung, das mit Hilfe zweier identischer Kunststoffhalb— nuscheln gemäss einer ersten Ausführungsform erhalten ist, wobei eine der Halbmuscheln der Deutlichkeit halber teilweise auseinandergezogen dargestellt ist; Fig. h eine erste Ausftihrungsform einer Halbmuschel nach der Erfindung, die aus einem Metallband hergestellt ist;

Fig. 5 das Gebilde zweier identischer Halbmuscheln der in Fig. k dargestellten Art, wobei ein Abbildungselement in einer ersten Ausfüiirungsform erhalten wird;

Fig. 6 eine zweite Ausführungsform einer

Halbmuschel nach der Erfindung, die ebenfalls aus einem Metallband hergestellt ist, und

· Fig. 7 das Gebilde zweier symmetrischer HaIbmuscheln der in Fig. 6 dargestellten Art, wobei ein Abbildungselement nach der Erfindung in einer zweiten Ausführungsform erhalten wird.

Es sei bemerkt, dass der Deutlichkeit halber in den Figuren die Abmessungen tibertrieben und nicht-

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massgerecht dargestellt sind.

Weiter sei bemerkt, dass gewisse Teile jedes Abbildungselements, die von einem gegebenenfalls transparenten Kunststoff umhüllt sind, manchmal durch strichpunktierte Linien dargestellt sind, wenn ihr Vorhandensein für ein gutes Verständnis der Zeichnung notwendig ist,

Unter Berücksichtigung der wichtigen Rolle, die dieses Halbleitermaterial in de optoelektronischen Industrie spielt, ist bei der vorliegenden Beschreibung ein bei seiner eigenen ¥ellenlänge transparenter Kristall und insbesondere ein Kristall aus GaP gewählt, wodurch die Anordnung des genannten Kristalls in bezug auf den Reflektor in den Figuren erklärt wird.

Nach den Figuren 1 und 2 ist eine Halbmuschel 1 aus einem undurchlässigen Kunststoff, z.B. einem Epoxydharz, hergestellt, wobei von einem parallelepxpedförmigen Block ausgegangen wird, in dem eine erste Aussparung 2, die den Reflektor bildet, und eine zweite Aussparung 3 zur Aufnahme der elektrolumxneszxerenden Diode gebildet werden. Wie in den Figuren 1 und 2 angegeben ist, enthält die Aussparung 2 z.B. zwei sekundäre parabolische Wände 4 und 5 und eine Hauptwand 6 in Form einer Schrägfläche. Diese ebene Wand 6 sowie die senkrechte Wand 7 der Aussparung 3» die eine Fortsetzung der genannten Wand 6 bildet, sind mit einer Schicht überzogen, die aus einem

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Metall besteht, das lichtreflektierend und gut elektrisch leitend ist. Auf* der ebenen Wand 6 dient ein Teil 8a dieser Metallschicht dazu, die Wirkung des Reflektors zu verbessern. Dieser Teil 8a setzt sich auf der Wand 7 in dem Teil 8b fort, der insbesondere dazu dient, einen elektrischen Kontakt mit einem der Gebiete der elektrolu— mineszierenden Diode sicherzustellen, und er endet zu diesem Zweck ausserhalb des parallelepipedförmigen Blocks in dem Teil 8c, der einen Kontaktanschluss bildet.

Fig. 3 zeigt ein Abbildungselement nach der Erfindung, das aus zwei identischen Halbmuscheln nach der obenstehenden Beschreibung zusammengestellt ist. Wenn die beiden Halbmuscheln 1a und 1b aufeinander gelegt werden, bilden die beiden Aussparungen 2a und 2b den reflektierenden Hohlraum 9» während die Aussparungen Ja und yo einen Raum bilden, in den ein Halbleiterkristall 10 eingeführt wird, der eine elektrolumineszierende Diode trägt und der mittels eines geeigneten Harzes festgeklebt wird. Z.B. in dem Falle,- in dem der Kristall aus GaF besteht, sind die beiden Halbleitergebiete der Diode den Metallflächen der Aussparungen 3^a bzw. 3b gegenüber angeordnet und sind direkt mittels eines leitenden Klebstoffes mit diesen Flächen verklebt.

Der Hohlraum 9 ist mit einem transparenten Kunststoff 11, im allgemeinen einem Epoxydharz, gefüllt,

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der als Funktion seiner Brechungszahl und seiner Anpassungsfähigkeit an das die Halbmuscheln 1a und 1b bildende Material gewählt wird.

Figuren 1 fcis 3 entsprechen einer ersten Ausführungsform der Erfindung, nach der die Halbmuscheln identisch sind und einander gegenüber liegen.

Figuren 4 und 5 entsprechen einer Abwandlung der ersten Ausführungsform der Erfindung.

Nach Fig. h wird die Halbmuschel 21 aus einem Metallband gebildet, das auf geeignete Weise einem Fliesspressvorgang unterworfen wird, um das dargestellt Motiv zu erzeugen. Diese Halbmuschel 21 enthalt im wesentlichen zwei zueinander senkrechte Wände 22 und 23· Die Wand 22 ist im allgemeinen eben und die Wand 23 weist eine meistens parabolische Konfiguration auf. Diese Jiand 23 setzt sich in einem ebenen Teil 2k fort, der eine Erhöhung 25 enthält, auf deren Schnittfläche der Halbleiterkristall angebracht werden soll. Meistens enthalt die Halbmuschel auch eine ebene Wand 26, die zu der Wand 22 parallel ist und von der ein Teil derart ausgebildet ist, dass eine Anschlusszunge 27 erhalten wird.

Das zur Bildung der Halbmuschel gewählte Metall muss gut elektrisch leitend sein und eine hohe Reflexionsfähigkeit aufweisen;es ist somit zu bevorzugen, die Halbmuschel aus einem Kupferband herzustellen, das

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anschliessend mit einer dünnen Silberschicht überzogen wird.

Fig. 5 zeigt ein Abbildungselement, das aus zwei identischen Halbmuscheln nach der obenstehenden be — Schreibung (Fig. k) zusammengestellt ist, die symmetrisch zu einer vertikalen durch die Mitte der elektrolumineszierenden in dem Halbleiterkristall 28 erzeugten Diode gehenden Achse angeordnet sind. Wenn die beiden Halbmuscheln aufeinander gelegt werden, kann ein reflektierender Hohlraum 29 gebildet werden, der mit einem in der Figur nicht dargestellten transparenten Material gefüllt wird.

In dem Falle dieser Figur ist der Kristall mit seinen beiden Halbleiterzonen auf den Erhöhungen 25 der beiden Halbmuscheln festgeklebt. In diesem Beispiel ist er mittels eines leitenden den Fachleuten bekannten Harzes festgeklebt, aber dadurch muss -während der Montage sichergestellt werden, dass die beiden Halbmuscheln nicht aneinander grenzen, damit Kurzschlüsse vermieden werden.

Da die Halbmuscheln nicht aneinander grenzen, muss das Ausfüllen dieser Halbmuscheln. mit einem transparenten Material einer Pressform erfolgen.

In einem anderen Beispiel kann der Kristall 28 mittels eines isolierenden Klebstoffs festgeklebt werden, wonach die Kontakte angebracht werden, und unter

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diesen Bedingungen ist es durchaus unbedenklich, dass die Halbmuscheln aneinander grenzen.

Figuren 6 und 7 entsprechen einer zweiten Ausführungsform.

Nach Fig. 6 wird die Halbmuschel 3I aus einem Metallband hergestellt, das auf geeignete Weise einem Fliesspressvorgang unterworfen wird, um ein Motiv der dargestellten Form zu erzeugen.

Diese Halbmuschel 3I enthält im wesentlichen zwei Wände 32. und 331 die z.B. flach sind und mit einer dritten Wand 3^> die ebenfalls flach ist, einen Winkel von nahezu 90 einschliessen. Diese Wände weisen eine Trapezform auf und sind derart gewählt, dass, indem zwei Halbmuscheln 31^a und 3IT³I deren Abmessungen identisch,· aber symmetrisch sind, kombiniert werden, ein Abbildungselement erhalten wird, bei dem der Querschnitt des gebildeten Hohlraumes 35 selber trapezförmig ist (Fig. 7)· Jede der HaIbmuscheln 3I enthält einen flachen Teil 36» der zu der Wand 3h senkrecht ist und mit einer Erhöhung 37 versehen ist, auf deren Schnittfläche der Halbleiterkristall 38 festgeklebt wird.

Diese Ausführungsform hat im wesentlichen zum Zweck, eine kreis oder sektorförmige Abbildungsanordnung zu erhalten, dadurch, dass die erforderliche Anzahl diese Trapezförmige Konfiguration aufweisender Elemente aufeinander gelegt werden.

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PATENTANSPRÜCHE:

Λ. J .,Abbildungselement, das im wesentlichen aus einem Halbleiterkristall, in dem zwei Zonen entgegengesetzter Leitungstypen erzeugt werden, die eine elektrolumineszierende Diode bilden, und aus einer Vorrichtung besteht, die das Licht reflektiert, das von der genannten elektrolumineszierenden Diode emittiert wird, wobei das Lichtbild, das durch die Kombination der genannten Diode und des genannten Reflektors erhalten wird, eine langgestreckte geometrische Figur darstellt, dadurch gekenn-' zeichnet, dass die Reflektorvorrichtung zwei Halbmuscheln enthält, die die Aussenwände des genannten Elements bilden und derart miteinander zusammenwirken, dass sie einen Hohlraum bilden, auf dessen Boden der Halbleiterkristall befestigt ist, wobei jede der genannten Halbmuscheln mindestens eine Anschlussmetallfläche enthält, die mit einer der Zonen der Diode in Kontakt gebracht wird, und wobei der genannte Hohlraum mit einem härtbaren transparenten Material, insbesondere einem Harz, gefüllt wird.
2. Abbildungselement nach Anspruch 1, dadurch

gekennzeichnet, dass die beiden Halbmuscheln identisch und symmetrisch zu der zu der Oberfläche des genannten Kristalls senkrechten und durch die Mitte der emittierenden Zone des genannten Kristalls gehenden Achse symme-

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trisch angeordnet sind.

3· Abbildungselement nach Anspruch 1, dadurch

gekennzeichnet, dass die beiden Halbleitermuscheln zu einer Ebene symmetrisch liegen, die den Hohlraum, den diese Halbmuscheln bilden, in zwei Teile mit gleichem Volumen unterteilt, wobei die genannte Ebene ausserdem zu der Oberfläche des Halbleiterkristalls, der auf dem Boden des Hohlraumes befestigt ist, senkrecht ist und durch die Mitte der emittierenden Zone des genannten Kristalls geht.

k. Abbildungselement nach einem der Ansprüche

bis 3> dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkris-c tall mit einer seiner Flächen auf der Schnittfläche jeder der Halbmuscheln in dem den Boden des Hohlraumes bildenden Teil derselben befestigt wird.

5· Abbildungselement nach Anspruch K, dadurch

gekennzeichnet, dass jede Halbmuschel in ihrem für die Bildung des Bodens des Hohlraumes bestimmten Teil eine Aussparung aufweist, auf mindestens einer deren Wände der genannte Kristall befestigt wird.

6. Abbildungselement nach Anspruch 5, dadurch

gekennzeichnet, dass die Wand der Aussparung, auf der der Kristall befestigt ist, einen erhöhten Teil enthält. 7· Abbildüngselement nach einem der Ansprüche

1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Form der late-

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ralen Innenwände der Halbmuscheln die Bildung eines Hohlraumes mit ebenen Innenflächen herbeiführt.

8. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Form der lateralen Innenwände der Halbmuscheln die Bildung eines Hohlraumes mit parabolischen Innenflächen herbeiführt.

9. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Form der lateralen Innenwände der Halbmuscheln die Bildung eines Hohlraumes herbeiführt, von dem mindestens eine Innenfläche parabolisch gestaltet ist.

10. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 9> dadurch gekennzeichnet, dass jede Halbmuschel aus einem Metallband hergestellt ist, das elektrisch leitend ist.

11. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 9» dadurch gekennzeichnet, dass jede Halbmuschel aus einem isolierenden und starren Kunststoff hergestellt ist.

12. . Abbildungselement nach einem der Ansprüche
10 und 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche

jeder der Halbmuscheln wenigstens teilweise mit einer
elektrisch leitenden Schicht überzogen ist und eine hohe ".'■-. Reflexionsfähigkeit aufweist.

13· Abbildungselement nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Schicht mit

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hoher Reflexionsfähigkeit aus einem Material auf Basis von Silber besteht.

Ik. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum, der dadurch gebildet wird, dass die beiden Halbmuscheln aufeinander gelegt werden, mit einem Epoxydharz gefüllt ist.

15. Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der Kristall auf der Wand der in den beiden Halbmuscheln gebildeten Aussparung mittels eines isolierenden Klebstoffes festgeklebt wird.

16. Abbildungselement nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbmuscheln, die den Hohlraum bilden, aneinander grenzen.

17- Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis Ikj dadurch gekennzeichnet, dass der Kristall mit seinen beiden Halbleiterzonen auf den Wänden der in den Halbmuscheln gebildeten Aussparung mittels eines leitenden Klebstoffes festgeklebt wird.

18. Abbildungselement nach Anspruch I7» dadurch gekennzeichnet, dass die beiden den Hohlraum bildenden Halbnnischeln gegeneinander isoliert sind. 19· Abbildungselement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkristall, aus dem die elektrolumineszxerende Diode hergestellt ist, bei seiner eigenen Wellenlänge transparent

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20. Abbildungselement nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkristall, aus dem die elektrolumineszierende Diode hergestellt ist, aus Galliumphosphid besteht.

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