DE1815129A1 - Verfahren zum Unterteilen von Unterlagen in eine Mehrzahl diskreter Einheiten - Google Patents
Verfahren zum Unterteilen von Unterlagen in eine Mehrzahl diskreter EinheitenInfo
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Description
Western Electric Company Incorporyted Graham 1-2-1
New York/N.Y. 10007 U.S.A. .
Verfahren zum Unterteilen von Unterlagen in eine Mehrzahl diskreter
Einheiten.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Unterteilen von
Unterlagen in eine Mehrzahl dieskreter Einheiten.
Bei der Herstellung zahlreicher elektronischer Schaltungen und Komponenten,
beispielsweise bei Dünnfilmschaltungen, Dioden, Transistoren oder Widerständen, finden allgemein eine Vielzahl Herstellungsschritte
Anwendung, wie Materialniederschlagen, Mustererzeugung, selektives Ätzen, Anodisieren usw. Da die Kosten für die gleichzeitige
Anwendung dieser Herstellungsschritte auf eine Mehrzahl einzelner
Schaltungen oder Komponenten praktisch die gleichen sind wie
bei der Herstellung einer einzelnen Schaltung oder Komponente, ist
es allgemeine Übung, eine Vielzahl individueller Schaltungen auf einer einzigen Unterlage gruppenweise herzustellen. Diese gruppenweise
Herstellung ermöglicht eine wesentliche Senkung der Kosten für die einzelnen Schaltungen oder Komponenten. Jedoch ist es nach
der gruppenweisen Herstellung wesentlich, dass die Unterlage zur Trennung der einzelnen Schaltungen oder Komponenten ohne Beschädi-
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gung der letzteren zerteilt wird.
Dieses führt zu gewissen Problemen, da die Unterlage üblicherweise
ein Material, wie Glas, Keramik, Quarz oder Saphir oder eine Halbleiterscheibe,
z. B. aus Silizium oder Germanium, ist. Es versteht sich, dass der Ausdruck "Unterlage" diese Substanzen sowie alle
übrigen Materialien umfasst, auf welchen Schaltungen oder diskrete Komponenten erzeugt oder gehaltert werden können.
Die bei der Zerteilung solcher Unterlagen in ihre Komponentenabschnitte
zu überwindenden Probleme können anhand einer Betrachtung von Glas verdeutlicht werden, das ein billiger und verbreitet
angewandter Werkstoff ist. Die zumeist übliche Glas Schneidemethode
erfolgt mit Hilfe eines Ritz-Werkzeuges, z.B. eines Diamantspitzenschneiders
oder eines Stahlrädchens, mit dem das Glas längs der gewünschten Linie angeritzt wird; anschliessend wird das Glas einer
Biegespannung ausgesetzt, um ein Springen längs der Anritzlinie zu erzeugen. Unabhängig davon, wie sorgfältig das Glas abgeritzt und
zum Springen gebracht wird, ist es für das Glas nicht unüblich, längs eines zufälligen Weges zu springen, der der Anritzlinie nicht folgt,
wodurch ersichtlich mehrere Schaltungen oder Komponenten beschädigt werden und nicht zuletzt eine gezackte, gefährliche Kante entsteht.
Zusätzlich zu der allgemeinen Unzuverlässigkeit dieser Methode
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nützen sich die Anritzwerkzeuge übermässig ab und müssen häufig ersetzt werden. Für eine Massenproduktion ist diese Methode sowohl
teuer wie auch allgemein unzuverlässig.
Eine zum formgebenden Schneiden von dickem Glas vorgeschlagene Methode ist das Anwenden eines Wärmeschocks längs des Umfangs
des Musters, derart, dass das Glas längs dieser Linie springt. Der
Wärmeschock kann erzeugt werden mit Hilfe eines Widerstandsdrahtes,
der auf das Glas im gewünschten Muster aufgebracht und dann elektrisch beheizt wird, oder mit Hilfe eines hohlen Gliedes
des gewünschten Umrisses, das durch Hindurchschicken eines Kühlmittels plötzlich abgekühlt wird.
Diese Methoden sind zum Schneiden relativ grosser Glasstücke vorgesehen
und unterliegen noch den Nachteilen eines Zerbrech-Schrittes,
bei welchem der Scherben unregelmässig bricht, so dass, wenn die
Unterlage zahlreiche dicht nebeneinander liegende Komponenten oder
Schaltungen trägt, der Ausschuss hoch sein würde. Des weiteren ist
es im Falle derart dicht beieinanderliegender Einheiten nicht möglich, ausreichend kleine Erhitzungs- oder Abkühlungsglieder bereitzustellen,
und in jedem Fall würden solche Kontaktglieder unerwünscht
sein, da sie eine Oberflächenverunreinigung der Unterlage verursachen.
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Die Schwierigkeiten, die beim Zerteilen von Glasunterlagen in getrennte
einzelne Schaltungen auftreten, vervielfachen sich, wenn keramische Unterlagen verwendet werden. Es ist sehr schwierig,
keramisches Material mit einem mechanischen Ritz werkzeug richtig anzuritzen,' und selbst wenn das keramische Material angeritzt wird,
verhält es sich noch unvorhersehbarer als Glas, und es entstehen zumeist unregelmässige Brüche. Versuchsweise wurde auch schon
das Elektronenstrahl-Schneiden für keramische Unterlagen verwendet, dieses hat sich aber als unbefriedigend erwiesen. Elektronenstrahleinrichtungen
sind extrem teuer, und es ist notwendig, die Keramik unterlagen in Vakuum zu schneiden, das die Kosten dieser Methode
beträchtlich erhöht. Ausserdem erfordert das Durchschneiden des keramischen Materials mit einem Elektronenstrahl die Verdampfung
des keramischen Materials längs der gewünschten Schnittlinie, um das Material zu trennen. Dieses führt zu einem ausgezackten Schnitt
mit beträchtlicher Oberflächenbeschädigung des keramischen Materials, unterwirft das keramische Material daher alle Schaltungen
und/oder Komponenten hierauf starken Wärmebeanspruchungen und setzt die Schaltungen und/oder Komponenten relativ grossen Mengen
an verdampftem Keramikmaterial mit der begleitenden Gefahr einer Verunreinigung aus. Folglich werden keramische Unterlagen allgemein
durch Zerschneiden mit einer Diamantsäge unterteilt. Diese
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Methode ist jedoch teuer, sehr langsam und erfordert ein häufiges
Auswechseln der Diamantsäge infolge übermässiger Abnutzung.
In der US-Patentschrift 3 183 33 9 ist eine speziell auf das Verteilen
einer Glasunterlage gerichtete Methode beschrieben. Hiernach wird ein Hochfrequenz signal der Unterlage zugeführt derart, dass die
Hochfrequenz energie vollständig durch das Glas hindurchgeht, um einen Wärmeschock und dadurch ein Springen der Unterlage zu erzeugen.
Das Hqchfrequenzsignal bewirkt einen lokalisierten Leitungsweg niedriger Impedanz durch das Glas längs der Lauflinie des Hochfrequenzsignals
und erzeugt eine Plasmaleitung in Form eines Bogens, der sich zwischen einer das Signal zuführenden Spitze und einer Platte
zum Halten der Glasunterlage erstreckt. Die so erzeugte Wärme
verursacht einschneidendes Materials. Durch Verschieben der Spitze
über die Unterlage hinweg erhält man einen Schnitt längs des zurückgelegten
Weges der Spitze. Eine Berührung der Spitze mit der Glasunterlage wird dazu verwendet, einen sauberen, schnelleren und
wirksameren Schnitt zu erreichen. Die Schwierigkeit einer Verunreinigung
infolge einer solchen Berührung und infolge des aus dem Plasma ausgestossenen Materials ist ein schwerwiegender Nachteil dieser
Methode. Zusätzlich kann der Hochfrequenzlichtbogen über den Schaltungen und/oder Komponenten zu einer Beschädigung derselben führen.
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Aufgabe der Erfindung ist es, daher ein verbessertes Verfahren zum
Trennen oder Unterteilen vpn Unterlagen bereitzustellen.
Diese Aufgabe ist für. gin Verfatiren zum Trennen einßs ersten Teiless
einer Unterlage yqn pingm zweiten Teil derselben durch, Erzeugen
eines Wärme schockes hieran erfindungsgemäss dadurch gelöst, 43^s
auf die Oberfläche der Unterlage ein Laserstrahl gerichtet wird,
dessen Strahlleistung für die Erzeugung eines lokalisierten Bruches durch die ganze Dicke der Unterlage hindurch bemessen wird, und
dass eine Relativbewegung zwischen Unterlage und Strahl erzeugt wird, so dass sich der Bruch längs der Grenze zwischen dem ersten
und zweiten Teil ausbreitet.
Im folgenden ist das erfindungsgemässe Verfahren anhand der Zeichnung
im einzelnen beschrieben; es zeigen:
Fig. 1 eine beispielhafte Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens in Seitenansicht,
Fig. 2 eine vergrösserte Teilansicht der Anordnung nach Fig. 1 in perspektivischer Darstellung,
Fig. 3 eine vergrösserte Teilansicht der Anordnung nach Fig. 2 in perspektivischer Darstellung und
Fig. 4 ein Diagramm der Energieverteilung im Laserstrahlquerschnitt.
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BAD ORfaiNAL
Bei der dargestellten Vorrichtung kann ein üblicher Laser 11, z.B.
ein Molekülgas-Laser, zur Erzeugung eines Laserstrahls 12 verwendet
werden. Dieser spezielle Laser hat eine maximale, kontinuierliche Ausgangsleistung von annähernd 50 Watt und liefert einen
Laserstrahl bei einer Wellenlänge von etwa 10, 6 Mikrometer. Der erzeugte Laserstrahl hat einen Durchmesser von etwa 1, 25 cm und
kann auf einen Punkt 13 mit einer üblichen Linse 14 fokussiert werden. Wegen der Länge des Laserkopfes bei diesem Lasertypus wird
der Laserstrahl 12 im allgemeinen horizontal emittiert und wird zweckmässigerweise auf ein Werkstück mit Hilfe einer üblichen Ablenkvorrichtung,
z.B. dem dargestellten Spiegel 17, auf das Werkstück, z.B. die dargestellte Unterlage 16, gerichtet.
Die Verschiebung des Laserstrahls 12 relativ zur Unterlage 16 wird
vorteilhafterweise bewerkstelligt durch Anordnen der Unterlage 16 auf einem Schalten 18 und durch geeignetes Drehen einer Spindel 21
in einer Mutter 22, um eine lineare Verschiebung des Schlittens 18
auf seiner Führung 23 zu erzeugen. Die Drehung der Spindel 21 kann durch beliebige Mittel erfolgen, beispielsweise durch einen
reversiblen Elektromotor (nicht dargestellt).
Wenn gewünscht, den Laserstrahl 12 gegenüber der Unterlage 16
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nach einem komplizierteren Muster zu bewegen, beispielsweise entsprechend
einem Sägezahnmuster, so kann der Schlitten 18 beispielsweise durch einen üblichen, numerisch gesteuerten Tisch mit zumindest
zwei Freiheitsgraden verschoben werden. Selbstverständlich kann auch ein kreisförmiger Schnitt durch Drehen des Schlittens bewirkt
werden. .
Wird der Laserstrahl 12 einem vorbestimmten Gebiet 26 der Unterlage
16 bei ausreichend hoher Leistung zugeführt, -so entsteht ein lokalisierter Bruch 27 (Fig. 3) am Gebiet 26, der sich durch die ganze
Unterlage hindurch erstreckt. Der Bruch 27 ist in Fig. 3 an der Kante der Unterlage dargestellt, und man sieht, dass sich der Bruch
durch die ganze Dicke der Unterlage hindurch erstreckt.
Es handelt sich um einen lokalisierten Bruch dahingehend, dass dieser
im wesentlichen auf das Gebiet 26 beschränkt ist, der der Grosse des Flecks 13 entspricht. Es wird angenommen, dass der im Gebiet
26 resultierende örtliche Temperaturgradient eine Expansion der Unterlage im Gebiet 26 und damit den lokalisierten Bruch 27 erzeugt.
Wird der Strahl 12 über die Unterlage 16 längs eines durch die Linie
41 definierten Weges geführt, so folgt der lokale Bruch 27 der Linie 41, um die Unterlage 16 längs der Linie 41 ganz durchzubrechen.
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Die angewandte Strahlleistung ist so, dass jegliche Beschädigung
der Unterlage, die entweder die Unterlage oder die Schaltungen und/oder Komponenten hierauf beeinträchtigt, vermieden wird. Beispiele einer beeinträchtigenden Schädigung sind Haarrisse in der
Unterlage, zufälliges Brechen der Unterlage oder nennenswertesVerdampfen
der Unterlage, um einen schädlichen Niederschlag des verdampften Materials auf den Schaltungen und/oder Komponenten zu
erzeugen. " - ■
Die minimale Leistung, die für ein Brechen der Unterlage erforderlich
ist, wird experimentell bestimmt.
In einigen Fällen tritt ein leichtes Anschmelzen der Unterlage infolge
deren Beaufschlagung mit dem Laserstrahl auf. Ein derartiges Anschmelzen
ist für den Erhalt des gewünschten lokalisierten Bruches 27 nicht wesentlich und kann üblicherweise vermieden werden durch
entweder schwaches Reduzieren der Strahlleistung oder durch schwaches
Defokussieren des Strahles, um die Leistungsdichte des Fleckes 13'zu verringern. Das Defokussieren kann bewerkstelligt werden
durch Verschieben der Unterlage aus der Brennebene des Laserstrahls
heraus.
In den meisten Situationen kann ein solches Anschmelzen in Kauf ge-
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nommen werden, weil es auf ein sehr kleines Gebiet beschränkt ist und weil üblicherweise keine Verdampfung auftritt. Wenn Verdampfung
auftritt, ist es üblicherweise wünschenswert, entweder die
Schmelze zu verhindern oder diese auf einen Wert zu reduzieren, bei welchem keine Verdampfung auftritt, um so eine Beschädigung
der Schaltungen und/oder Komponenten auf der Unterlage infolge des zufälligen Niederschlages an verdampftem Material auf der Unterlage
zu vermeiden. Wird die Unterlage in der Brennebene des Laserstrahls angeordnet, variiert die Breite eines solchen Anschmelzens
zwischenuetwa 0,1 - 0, 6 mm. Es wurde beobachtet, dass die Breite
des angeschmolzenen Gebiets mit zunehmender Strahlleistung selbst dann zunimmt, wenn die Unterlage im gleichen Abstand von der Linse
14 gehalten wird. Dies beruht offenbar darauf, dass die Strahlleistung innerhalb des Durchmessers des Fleckes 13 im allgemeinen eine
Gauss'sche Verteilung besitzt (Fig. 4). Wenri eine durch die Punkte
32-32 auf der Kurve 31 definierte Strahlleistung erforderlich ist, um eine bestimmte Unterlage bei gegebener Vor schub geschwindigkeit
anzuschmelzen, dann definieren die Linien 33-33 die Breite des Anschmelfcgebietes,
das auf die Strahlbeaufschlagung der Unterlage hin entsteht. Wird die Leistung des Strahls 12 erhöht, so nimmt die Höhe
der Kurve 31 zu, beispielsweise auf die Höhe der Kurve 34. Der zum Anschmelzen der Unterlage erforderliche Leistungswert auf der
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BAD ORIGINAL
Kurve 34 ist durch die Punkte 36-36 angegeben, und erstreckt sich,
wie durch die Linien 37-37 dargestellt ist, über einen grösseren Teil
des Fleckens 13 als es der Fall sein würde, wenn der Strahl die niedrigere, durch die Kurve 31 dargestellte Leistung hätte. Zusätzlich ist eine Erhöhung der Strahlleistung üblicherweise von einer Erhöhung der Strahldivergenz begleitet, wodurch die Grosse des Fleckes
13 und damit auch die Breite des angeschmolzenen Gebietes zunehmen. Da die Vorschubgeschwindigkeit des Strahls relativ zur Unterlage die einem gegebenen Gebiet der Unterlage in einem bestimmten
Zeitintervall zugeführte Energiemenge definiert, wird auch eine Erhöhung der Vorschubgeschwindigkeit die Breite des angeschmolzenen
Gebietes reduzieren.
Selbst wenn Schmelzen auftritt, so liegt die Breite des angeschmolzenen Gebietes auf jedem Teil der zerteilten Unterlage nur zwischen
0, 05 mm und 0, 03 mm. Bei einer Tiefe zwischen 0, 02 und 0, 6 mm.
Folglich ist das angeschmolzene Gebiet mit dem blossen Auge schwierig zu erkennen und ist für die Unterlage oder die hierauf angeordneten Schaltungen und/oder Komponenten nicht schädlich.
Spezielle Beispiele für repräsentative Strahlleistungen zum Trennen
von Unterlagen nach dem erfindungsgemässen Verfahren sind in den nachstehenden Tabellen I - IV wiedergegeben. Die Beispiele der
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Tabelle I gelten für O, 685 mm Dicke und 11, 5 cm lange Aluminiumoxyd-Unterlagen,
deren Breiten von 0, 6 - 9, 6 cm variieren. Die Beispiele der Tabelle II gelten für 2, 5 cm χ 5, 0 cm lange Keramikunterlagen,
die gegenüber dem Laserstrahl 12 mit einer Vorschubgeschwindigkeit von 30 cm pro Minute verschoben werden. Die Beispiele
der Tabelle II gelten für 5 verschieden dicke Unterlagen, deren Dicken zwischen 0, 53 und 0, 86 mm variieren. Die Beispiele
der Tabelle III gelten für 1,19 mm Dicke und 7, 6 cm lange Glasunter lagen, deren Breiten zwischen 1, 27 und 5,1 cm variieren. Die
Beispiele der Tabelle IV gelten für 1, 57 mm Dicke und 7, 6 cm lange Glasunterlagen, deren Breiten zwischen 1,27 und 5,1 cm variieren.
Mit Ausnahme der Beispiele der Tabelle II sind repräsentative Strahlleistungen für mehrere verschiedene Vorschubgeschwindigkeiten angegeben,
die zwischen 15, 2 und 152 cm pro Minute variieren. Die Leistungswerte sind in den Tabellen in Watt angegeben, und zwar
am Strahlauftreffpunkt. Diese Leistungswerte sind annähernd 20% niedriger als die Strahlleistung beim Strahlaustritt aus dem Laser,
und zwar wegen des im jeweiligen optischen System auftretenden Energieverlustes. In jedem der Beispiele ist der Strahl zu einem
Fleck fokussiert, und die Unterlagen sind in der Brennebene des Strahles angeordnet.
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Vorschub- | ο, | 6cm | 1,2cm | Strahlleistung | 4, 8cm | 9,6cm |
geschwindigkeit | 5, | 6 | 4,8 | 2, 4cm | 6,4 | 9,6 |
15,2 | 5, | 6 | 6,4 | 6,4 | 10,4 | 21,6 |
30,4 | 8, | 0 | 8,0 | 12,0 | 43,2 | |
60,8 | 8, | 8 | 8,8 | 20,0 | ||
91,2 | 11, | 2 | 10,4 | 12,8 | 27,2 | |
121,6 | 12, | 0 | 11,2 | 36,0 | ||
152,0 | 20,8 | |||||
Dicke | Strahlleistung |
0, 53mm | 4,8 |
0, 58mm | 5,6 |
0, 63mm | 6,4 |
0, 79mm | 8,8 |
0,86mm | 10,4 |
909833/0909
Vorschub- | 1,27cm | Strahlleistung | 5, lcm |
ge s chwindi gke it | 1,6 | 2, 54cm | 3,2 |
15,2 | 2,4 | 1,6 | 5,6 |
30,4 | 6,4 | 3,2 | .17,6 |
60,8 | 18,4 | 7,2 | 31,2 |
91,2 | 19,2 | 39,2 | |
106,4 | 23,2 | ||
121,6 | 32,8 | 24,8 | |
152, 0 | 40,0 | ||
Vorschub- | 1,27cm | Strahlleistung | 5,1 cm |
geschwindigkeit | 8,8 | 2, 54cm | 12,0 |
30,4 | 16,0 | 8,8 | 28,0 |
60,8 | 24,8 | 16,0 | 32,0 |
76,0 | 26,4 | 21,6 | 41,6 |
91,2 | 32,0 | 26,4 | |
121,6 | 40,0 | 35,2 | |
152,0 | |||
909833/0 909
Aus den Tabellen I, III und IV ist ersichtlich, dass die zum Zerbrechen
einer gegebenen Unterlage erforderliche Strahlleistung zunimmt, wenn die Vorschubgeschwindigkeit und die Breite der Unterlage
zunehmen. Es wird angenommen, dass mit zunehmender Breite der Unterlage ein grösserer Widerstand für die örtliche Expansion
der Unterlage bis zum Bruch vorhanden ist, und dass die Strahlleistung erhöht werden muss, um diesen erhöhten Widerstand zu
Überwinden. Die Energiemenge, die die Unterlage absorbiert und abführt,
mag ebenfalls mit zunehmender Breite zunehmen, so dass höhere Strahlleistungen erforderlich sind.
Des weiteren ist aus Tabelle II ersichtlich, dass die zum Brechen der Unterlage erforderliche Strahlleistung mit zunehmender Unterlagsdicke
zunimmt. Dieses scheint in der Hauptsache die Folge der erhöhten Stärke der Unterlage bei zunehmender Dicke zu sein, kann
aber auch einer zunehmenden Fähigkeit der Unterlage zugeschrieben werden, Energie zu absorbieren und abzuleiten.
Es wurde gefunden, dass durch Haltern der Unterlage 16 auf Messerschneiden
44-44, um" den Energie über gang zum Schlitten zu reduzieren, die zum Brechen der Unterlage erforderliche Strahlleistung
gleichfalls reduziert wird. In allen, in den Tabellen wiedergegebenen Beispielen wurden die Unterlagen vom Schlitten 18 solcherart auf
Abstand gehalten.
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Es wurde auch gefunden, dass bei der Anwendung dieses Verfahrens
zur Teilung von Glasunterlagen die Oberflächenbeschädigung der Unterlage beträchtlich reduziert werden konnte durch Fokussieren
des Laserstrahls als Strichfokus. Diese Massnahme kann als eine Alternative zur Reduzierung der Vorschubgeschwindigkeit verwendet
werden.
Man sieht, dass das erfindungsgemässe Verfahren das gesteuerte
Zerteilen einer Unterlage ermöglicht, ohne dass hierzu entweder eine direkte Berührung der Unterlage oder ein nachfolgendes Verspannen
der Unterlage zum Zerbrechen derselben erforderlich wäre. Ausserdem kann diese gesteuerte Zerteilung bewerkstelligt werden
ohne schädliche Beeinträchtigung der Unterlage oder der hierauf befindlichen Schaltungen und/oder Komponenten. Wenn die Unterlagen
durch Messerschneiden 44-44 gehaltert werden, ist es in manchen
Fällen möglich, die Unterlagen 16 umzudrehen, so dass die Schaltungen und/oder Komponenten, beispielsweise die dargestellten Schaltungen
42 und 43 zum Schlitten 18 hinweisen, ohne dadurch beschädigt zu werden. Dieses ermöglicht die Verwendung relativ hoher
Strahlleistungen, ohne auf eine Verdampfung sonderlich Rücksicht nehmen zu müssen, wenn relativ hohe Vor schub ge schwindigkeiten
gewünscht sind.
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Das erfindungsgemässe Verfahren kann zur Zerteilung zahlreicher verschiedener Materialien verwendet werden. Beispielsweise konnten
Quarz, Saphir und Silizium erfolgreich zerteilt werden. Eine 0, 08 cm dicke, 0, 9 cm breite und 2, 5 cm lange Quarzunterlage kann
in der gleichen, oben beschriebenen Weise zerteilt werden durch Beaufschlagen der Quarzunterlage mit dem Laserstrahl 12 bei einer
Strahlleistung von 9, 6 Watt und bei einer Vorschubgesehwindigkeit
der Unterlage von 152,4 cm pro Minute. Eine 0,12 cm dicke, 1, 35 cm
breite und 2, 54 cm lange Saphirunterlage kann in der gleichen Weise zerteilt werden durch Beaufschlagen derselben mit dem Laserstrahl
bei einer Strahlleistung von 12 Watt und bei einer Vorschubgesehwindigkeit
der Unt^rlage von 7, 6 cm pro Minute. Eine 0, 015 cm dicke
kreisförmige Siliziumscheibe mit einem Durchmesser von 3, 2 cm kann in der vorstehend beschriebenen Weise zerteilt werden durch
Beaufschlagen der Scheibe mit dem Laserstrahl bei einer Strahlleistung von 24 Watt und bei einer Vorschubgesehwindigkeit der Unterlage
von 61 cm pro Minute.
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Claims (7)
1. Verfahren zum Trennen eines ersten Teiles einer Unterlage von
einem zweiten Teil derselben durch Erzeugen eines Wärmeschockes hierin, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Oberfläche der Unterlage
ein Laserstrahl (12, 13) gerichtet wird, dessen Strahlleistung für die Erzeugung eines lokalisierten Bruches (27) durch die ganze
Dicke der Unterlage hindurch bemessen wird, und dass eine Relativbewegung zwischen Unterlage und Strahl erzeugt wird, so dass sich
der Bruch längs der Grenze zwischen dem ersten und zweiten Teil ausbreitet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlleistung im wesentlichen auf dem Minimalwert gehalten wird,
mit dem noch der lokalisierte Bruch erzeugt werden kann.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass der Strahl zur Steuerung der Strahlabmessungen an der Oberfläche der Unterlage durch eine Fokussieranordnung (14) hindurchgeschickt,
wir d.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass mit einer einen Strichfokus erzeugenden Fokussieranordnung gearbeitet
wird.
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5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass mit
einer einen Punktfokus erzeugenden Fokussieranordnung gearbeitet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass man mit etwas von der Oberfläche der Unterlage entfernter
Brennebene des optischen Systems arbeitet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
dass die Unterlage auf Messerschneiden (44) gelagert wird.
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Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3828159A (en) * | 1970-01-19 | 1974-08-06 | Hughes Aircraft Co | Laser cutting surface |
US3610871A (en) * | 1970-02-19 | 1971-10-05 | Western Electric Co | Initiation of a controlled fracture |
US4020317A (en) * | 1971-12-10 | 1977-04-26 | New Mexico Tech Research Foundation | Method of mining rock with an electron beam |
US4328411A (en) * | 1980-04-28 | 1982-05-04 | General Electric Company | Cutting amorphous metal by crystallization with a laser or electron beam |
US4401876A (en) | 1980-05-20 | 1983-08-30 | Martin Cooper | Working gemstones |
FR2557732B1 (fr) * | 1983-12-28 | 1986-04-11 | Lefevre Rene | Procede de realisation de dispositifs piezoelectriques miniatures utilisant un usinage par laser et dispositifs obtenus par ce procede |
NL8800334A (nl) * | 1988-02-11 | 1989-09-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het in tweeen delen van een voorwerp vervaardigd van een bros materiaal in het bijzonder een ringkern van ferromagnetisch materiaal voor een afbuigeenheid voor een beeldbuis en afbuigeenheid voor een beeldbuis voorzien van een ringkern gedeeld volgens zulk een werkwijze. |
BG46808A1 (en) * | 1988-05-27 | 1990-03-15 | Univ Plovdivski | Device for laser engraving |
US5132505A (en) * | 1990-03-21 | 1992-07-21 | U.S. Philips Corporation | Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method |
RU2024441C1 (ru) * | 1992-04-02 | 1994-12-15 | Владимир Степанович Кондратенко | Способ резки неметаллических материалов |
US5387776A (en) * | 1993-05-11 | 1995-02-07 | General Electric Company | Method of separation of pieces from super hard material by partial laser cut and pressure cleavage |
US5871134A (en) * | 1994-12-27 | 1999-02-16 | Asahi Glass Company Ltd. | Method and apparatus for breaking and cutting a glass ribbon |
KR970008386A (ko) * | 1995-07-07 | 1997-02-24 | 하라 세이지 | 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치 |
US5641416A (en) * | 1995-10-25 | 1997-06-24 | Micron Display Technology, Inc. | Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies |
US5932119A (en) | 1996-01-05 | 1999-08-03 | Lazare Kaplan International, Inc. | Laser marking system |
JPH10128567A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-19 | Nec Kansai Ltd | レーザ割断方法 |
US6413839B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Emcore Corporation | Semiconductor device separation using a patterned laser projection |
US6259058B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-07-10 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus for separating non-metallic substrates |
US6252197B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-06-26 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator |
US6420678B1 (en) | 1998-12-01 | 2002-07-16 | Brian L. Hoekstra | Method for separating non-metallic substrates |
AU1227501A (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-14 | P.T.G. Precision Technology Center Llc | Laser driven glass cut-initiation |
CN1413136A (zh) | 1999-11-24 | 2003-04-23 | 应用光子学公司 | 非金属材料的分离方法和装置 |
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
FR2819505B1 (fr) † | 2001-01-12 | 2003-02-28 | Saint Gobain | Procede de decoupe des bords d'un ruban continu de verre, dispositif de mise en oeuvre, plateau de verre decoupe selon ce procede |
DE60313900T2 (de) | 2002-03-12 | 2008-01-17 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Methode zur Trennung von Substraten |
ES2356817T3 (es) | 2002-03-12 | 2011-04-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Método de corte de un objeto procesado. |
TWI326626B (en) * | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
US6919531B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-07-19 | Agilent Technologies, Inc. | Methods for producing glass substrates for use in biopolymeric microarrays |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
TWI248244B (en) * | 2003-02-19 | 2006-01-21 | J P Sercel Associates Inc | System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot |
FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
DE60315515T2 (de) | 2003-03-12 | 2007-12-13 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Laserstrahlbearbeitungsverfahren |
KR101119387B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2012-03-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 절단방법 |
JP4563097B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4598407B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
KR101043674B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2011-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스크라이빙 장치 및 방법 |
US7087463B2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-08-08 | Gelcore, Llc | Laser separation of encapsulated submount |
WO2006025994A2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Gyrotron Technology, Inc. | A method of separating non-metallic material using microwave radiation |
JP2006108428A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
US20080236199A1 (en) * | 2005-07-28 | 2008-10-02 | Vladislav Sklyarevich | Method of Separating Non-Metallic Material Using Microwave Radiation |
SG171947A1 (en) | 2008-12-05 | 2011-07-28 | Agency Science Tech & Res | A wafer cutting method and a system thereof |
US8269138B2 (en) | 2009-05-21 | 2012-09-18 | Corning Incorporated | Method for separating a sheet of brittle material |
US8932510B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-01-13 | Corning Incorporated | Methods for laser cutting glass substrates |
US8426767B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-04-23 | Corning Incorporated | Methods for laser scribing and breaking thin glass |
US8946590B2 (en) * | 2009-11-30 | 2015-02-03 | Corning Incorporated | Methods for laser scribing and separating glass substrates |
TW201143947A (en) * | 2009-12-07 | 2011-12-16 | J P Sercel Associates Inc | Laser machining and scribing systems and methods |
US20130256286A1 (en) * | 2009-12-07 | 2013-10-03 | Ipg Microsystems Llc | Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths |
TWI513670B (zh) | 2010-08-31 | 2015-12-21 | Corning Inc | 分離強化玻璃基板之方法 |
JP2012089709A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
US8584490B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-11-19 | Corning Incorporated | Laser cutting method |
US9034458B2 (en) | 2011-05-27 | 2015-05-19 | Corning Incorporated | Edge-protected product and finishing method |
US9938180B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-04-10 | Corning Incorporated | Methods of cutting glass using a laser |
US9610653B2 (en) | 2012-09-21 | 2017-04-04 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby |
DE102012111698A1 (de) * | 2012-12-03 | 2014-03-20 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten mindestens eines kristallinen Silizium-Wafers oder eines Solarzellen-Wafers |
EP3050890A1 (de) | 2015-01-27 | 2016-08-03 | LANXESS Deutschland GmbH | Hydroxylgruppen-haltige Poly(alkylenphosphate) |
CN109732198B (zh) * | 2019-01-31 | 2020-05-19 | 华中科技大学 | 一种硬脆材料双光束热裂加工装置及方法 |
CN111844478B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-03-18 | 深圳市鸿昇自动化设备有限公司 | 一种手机屏幕切割加工设备及手机屏幕切割加工方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL299821A (de) * | 1962-10-31 | 1900-01-01 | ||
US3293652A (en) * | 1964-02-20 | 1966-12-20 | Ibm | Selective piercing of sheet material |
US3369101A (en) * | 1964-04-30 | 1968-02-13 | United Aircraft Corp | Laser micro-processer |
US3410979A (en) * | 1964-05-28 | 1968-11-12 | Burroughs Corp | Method and apparatus for drilling holes by means of a focused laser beam |
DE1244346B (de) * | 1964-10-19 | 1967-07-13 | Menzel Gerhard Glasbearbeitung | Verfahren zum Schneiden von Glas |
-
1967
- 1967-12-19 US US691883A patent/US3629545A/en not_active Expired - Lifetime
-
1968
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NL157455B (nl) | 1978-07-17 |
GB1254120A (en) | 1971-11-17 |
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FR1598452A (de) | 1970-07-06 |
SE350921B (de) | 1972-11-13 |
BE725595A (de) | 1969-05-29 |
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