DE1813580A1

DE1813580A1 - Schaltungsanordnung fuer ein elektronisches Koppelfeld in Fernmelde-,insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen

Info

Publication number: DE1813580A1
Application number: DE19681813580
Authority: DE
Inventors: Dejean Jacques Henri; Lerouge Claude Paul Henri; Leger Marc Jean Pierre
Original assignee: International Standard Electric Corp
Current assignee: International Standard Electric Corp
Priority date: 1967-12-12
Filing date: 1968-12-10
Publication date: 1969-12-11
Also published as: NL6817801A; US3618024A; AT303829B; NL163938B; FR1555813A; ES361362A1; SE354560B; NL163938C; DE1813580C3; CH507624A; GB1199119A; BE725307A; DE1813580B2

Description

Dipl .Phys. Leo Thul 1 8 1 3 5 8 Oi

Patentanwalt ■

7 Stuttgart-Feuerbach
Kurze Str.8

M.J.P.Leger-CP.H.Lerouge-J.H.Dejean 3-10-16 INTERNATIONAL STiJSBARB ELECTEIG COEPOEATION, NEW YOEK

Schaltungsanordnung für ein elektronisches Koppelfeld in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen.

Die Priorität der Anmeldung Nr.PY I31 905 vom 12.Dez.1967

in Frankreich ist in Anspruch genommen. d

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für·, ein elektronisches Koppelfeld, dessen Koppelpunkte durch Transistoren verkörpert und durch elektronische Mittel verri^elbar sind.

Ein zur Übertragung von Nachrichten über ρ Leitungen entwickelter Kreuzschi eilenwähl er weöä; m vertikale Einstellschienen (Brükken) und η horizontale Einstellschienen (Stangen) mit insgesamt η · χι Kreuz- oder Koppelpunkten auf. Jedem Koppelpunkt ist ein Satz aus ρ Kontaktpaaren zugeordnet, die geschlossen werden, wenn die dem betreffenden Koppelpunkt zugehörige Brücke und die zugehörige Stange nacheinander betätigt werden, und die geschlossen bleiben, auch wenn diese Stange wieder ausgelöst wird.

Da die Betätigung jeder Einsteilschiene durch einen zugeordneten Magneten erfolgt, wird die Koppelpunktverriegelung durch eine elektrische Verriegelung des der Brücke zugeordneten Magneten erreicht.

In der gleichen Weise ist auch das mit MOS-Feldeffekt-Transistoren ausgerüstete Koppelfeld gemäss der Erfindung aufgebaut, obwohl es keine mechanisch bewegten Teile enthält. Jeder Koppel-

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punkt weist zwei solcher Transistoren auf , und zwar je einen Transistor für jede Übertragungsrichtung, d.h. p=2.

Die horizontale Schiene und die"vertikale Schiene werden ebenfalls nacheinander ausgewählt, doch die Verriegelung geschieht elektronisch mittels sogenannter J?lip flop -Schaltung en.

Die Anwendung elektronischer Schaltungen für Koppelpunkte führt zu zahlreichen Vorteilen. Ein Hauptvorteil liegt darin, dass die erforderliche Steuerleistung nur sehr klein und nur in derselben Grössenordnung wie die Leistung der in einer zentralen elektronischen Steuereinrichtung eines Vermittlungssystemes benutzten Signale und der Datensignale zu sein braucht, l'erner werden dank der fehlenden elektro-mechanischen Teile viel ^rössere Schalt-,reschwindigkeiten erreicht.

Die Anwendung von symmetrischen Transistoren oder anderen übliehen Pestkörperelementen als Schalter hat zu keinem zufriedenstellende» Ergebnis geführt, insbesondere weil keiner dieser Elemente solche Eigenschaften aufweist, die denen ::iech.anischer Schalter nahekommen. Diese Elemente haben nicht wie die mechanischen Schalter ein sehr hohes Schaltverhältnis (Verhältnis der Widerstände im offenen und geschlossenem Zustand), und sie weisen auch keinen so hohen Übergangswiderstand zwischen der Steuerschaltung und der SchaltStreckenschaltung auf.

Andererseits v/eisen die MOS-Peldeff ekt-Transist or en, die beispielsweise in der Zeitschrift "Electronic Design" vom IJ.9*1967

S. 81 - 87, beschrieben sind, diese Nachteile nicht au£. Zwischen der Kollektor(drain)-Emitter(Source)-Strecke und der Steuerelektrode (gate) bestehen nämlich fast ideale Isolationsverhältnissej der Widerstand der Kollektor-Emitter-Strecke beträgt im gesperrten Zustand des Transistors etwa 10Ul und im durchgeschalteten Zustand zwischen 100 und 3OOH. Dadurch wird eine

geeignete Arbeitsweise erzielt, wobei allerdings einige Vor- '' siehtsmassnahmen ergriffen werden müssen. Darüberhinaus können

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mit MöS-Feläeffekt-Transistoren aufgebaute Schaltungen als integrierte Schaltungen mit einer sehr hohen Zahl aktiver Komponenten ( einige hundert) ausgebildet werden.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Schaltungsan-5 Ordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der ebenfalls die genannten Vorteile erreicht werden und somit die Einfügungsdämpfung reduziert wird, ohne dass die Nebensprechdämpfung entsprechend ansteigt. Dies wird gemäss der Erfindung dadurch erreicht, dass jeder Koppelpunkt durch die Schaltstrecke eines MOS-Feldeff ekt-Transiaors gebildet wird, der von einer Flipflopschaltung derart gesteuert wird, dass bei Rückstellung der Flipflopschaltung an einem seiner Eingänge in den Ruhezustand mittels eines Durchschaltsignals der Transistor zunächst sperrbar ist und dann bei Ansteuerung eines anderen Eingangs der Flipflopschaltung über eine Verknüpfungsschaltung der Transistor durchschaltbar ist, wobei diere Verknüpf ungEschaltung des die Durchschaltung des Transistors bewirkende Sir;nc-1 abhängig vom gleichzeitigen Empfang eines den Freizustand der zu belegenden Verbindungsleitung kennzeichncnden Signals, eines Auswahlsignals und des verzögerten Durchschaltsignals abgibt.

Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung betreffen die Ausbildung des Koppelfeldes in Form einer Matrix sowie die Art und Folge der Aunwahl eines Koppelpunktes.

Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen näher erläut ert.
Es zeigen:

Fig.l die Ausbildung eines Koppelpunktes in vereinfachter Darstellung,

Fig.2 ein mehrstufiges Koppelfeld in vereinfachter DarstelluiiG für eine erste Koppelmethode,

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Fig.3 ein& mehrstufiges Koppelfeld in vereinfachter Darstellung für eine zweite Koppelmethode,

Fig.4 eine Kopp elmatrJbx mit Teilen der zugehörigen Auswahleinrichtung in vereinfachter Dafcstellung und

Fig.5 eine Schaltungsanordnung für die zu einem Koppelpunkt gehörige Steuer- und Auswahleinrichtung.

Fig.l zeigt einen Koppelpunkt, der durch einen mit seiner Kollektor-Emitterstrecke zwischen Matrixleitungen V und H liegenden MOS-Ph-Feldeffekt-Transistor T (P-P-Typ, h= Anreicherungstyp) gebildet wird. Die Steuerelektrode dieses Transistors erhält ein Signal A.

MOS-Feldeffekt-Transistoren sind fast völlig symmetrisch; die. Kollektorelektrode und die Emitterelektrode können vertrauscht werden, ohne dass die Arbeitsweise in logischen Schaltungen geändert wird. Trotzdem setzt der Hersteller als ein Merkmal des Transistors fest, welche Elektrode die Kollektorelektrode und welche die Emitterelektrode ist. Aus diesem Grund weist das Transistor-Schaltzeichen einen Pfeil am Emitterlauf, wie es für die Emitter der üblichen "bipolaren Transistreuen bekannt

Bei der Beschreibung der Funktion eines MOS-Feldeffekt-Transistors ( im folgenden kurz MOS-Transistor genannt) werden folgende Spannungsbezeichnungen verwendet.: Durchbruchs spannung V^, Ko 11 ekt or spannung Vp, St euer spannung Vq. Diese Spannungen werden gegen das Emitterpotential Vg« 0 gemessen und in Absolutwerten ausgedrückt. Der MOS-Transistor wird gesperrt, wenn Vq <* V^ ist. In diesem Zustand besitzt er einen Kollektor-Emitter-Widerstand Rj₅₀ von fast unbegrenzter Höhe (annähernd 10 MXZ ). Der MOS-Transistor leitet, wenn Yq > V₁ ist. In diesem Zustand arbeitet er als passiver Widerstand mit dem Wert

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wobei E ein Proportionalitätsfaktor ist. In diesem Fall können zwei Sehaltzustände unterschieden werden:

1. der Schaltzustand mit niederohmigem Widerstand, wenn V-Q < "V^-V^ ist; in diesem Zustand hat der Kollektor-Emitter-Widerstand E-pg. Werte zwischen 50 und 300SL J

2. der Schaltzustand mit hochohmigem Widerstand, wenn

Yj) Λ Vß-Vfj, ist, wobei der Kollektor-Emitter-Widerstand R-pg verhältnismäösig hoch liegt.

Bei der vorliegenden Erfindung werden die MOS-Ph-Tr an si stör en als logische Schaltungen durch derartiges Anlegen von Spannungen benutzt, dass sie entweder gesperrt oder geöffnet (leitend) sind. Wenn der Transistor T in Fig. 1 eine Durchbruchsspannung von Vm ^β -4V hat und wenn eine Spannung Vq. » 0 an die Steuerelektrode angelegt wird, dann wird der Transistor gesperrt. Wenn andererseits eine Spannung Vr. ·* -24- V und eine Spannung V₀ zwischen 0 und -20V an die entsprechenden Elektroden angelegt werden, dann gerät der Transistor in den leitenden Zustand. Will man eine gute Linearität des Widerstandes E-QO erreichen, so muss man die kleineren Werte der Spannungen Vp₁ wählen. Der Widerstand R-qq erreicht dann seinen Geringstwert, und der Transistor g ewähr 1 ei st etjdan n. einen doppelt gerichteten Fluss von Analog- oder Digitalsignalen zwischen den Matrixleitungen H und V.

Fig.2 zeigt einen über mehrere solcher, in Eeihe geschalteter Transistoren führenden Verbindungsweg zur Obertiagung von Daten in einer mit beispielsweise drei Koppelstufen a,b und c versehenen Vermittlungsanlage- .In jeder Koppelstufe führt der Verbindungsweg über einen MOS-Ph-Transistor Ta bzw. Tb bzw. Tc j

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zusätzlich führt der Verbindungsweg über an den Enden dieses Verbindungsweges angeordnete bipolare npn-Transi stören Tl und T2. Den MOS-Transistbren werden Steuersignale Aa,Ab und Ac über ensprechend bezeichnerbe Schalter zugeführt. Die zu übertragenden Signale kommen am Eingang Dl an und verlassen das Koppelfeld über den Ausgang D2. Die An- und Auskopplung erfolgt mittels Kondensatoren Kl und K2.

Wenn angenommen wirrd, dass die Schalter Aa₁Ab und Ac geschlossen sind, so ist die statische Arbeitsweise folgendermassen: Transistor Tl ist leitend; es fIiesst ein Kollektorstrom

-j. _ El -E2

■1 El

Zwischen der Steuerelektrode des Transistors Tc und der Basis des Transistors T2 tritt"'⁷ infolge der durch die Kapazität der Elektroden und durch den Eeckwiderstand des Transistors Tc bedingten hohen Impedanz ein Spannungsabfall von 24 V auf. Der Transistor Tc wird somit leitend und veranlasst die Sättigung des Transistors T2. In ähnlicher Weise geraten die Transistoren Tb und Ta in den leitenden Zustand, bei dem ein Strom xton 12 — Il durch beide fIiesst j der Arbeitswiderstand des Transistors Tl beträgt in diesem Pail R2 + 3 ^sds·

Im dynamischen Betrieb werden die Transistoren Tl und T2 in Basisgrundschaltung betrieben, in der sie einen sehr geringen Eingangswiderstand (etwa 1O42) und einen sehr hohen Ausgangswiderstand ( etwa 1 MÄ) haben. Wenn mitoCl und OC" die Stromverstärkungen dieser zwei Transistoren und mit X₁ und ip die Eingangs- und Ausgangswechselströme bezeichnet werden, dann gilt die Beziehung:

Daraus ist zu erkennen, dass bei Benutzung von bipolaren Tran sistoren hoher Verstärkungsfaktoren der Ausgangsstrom sich um nur wenige Prozent vom Eingangsstrom unterscheidet und dass er

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von dem durch die Sättigungswiderstand der in Reihe geschalteten MOS-Transistoren Ta,Tb und Tc gebildeten Gesamtwiderstand unabhängig ist. Da der Transistor Tl einen sehr geringen Eingangswiderstand hat, hängt der Eingangsstrom i-, gänzlich vom Wert des Widerstands RJ ab, der die Leitungsimpedanz darstellt. Am Ausgang ist der Arbeitswiderstand parallel zum Widerstand R2 geschaltet, und der Strom ip teilt sich in zwei über diese Widerstände fliessende Teilströme auf.

Die oben beschriebene Anordnung erlaubt die Übertragung von Signalen in einer Richtung, und zwar vom Eingang Dl zum Ausgang D2. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die Spannungsrückwirkung h 12 der bipolaren Transistoren Tl und T2 sehr Idein ist. Un in beiden Richtungen übertragen zu können,müssen zwei identische Verbindungswege mit 2-Draht-4—Draht-Übertragungen verwendet werden.

zeigt eine solche Schaltunganordnung mit zwei identischen Verbindungswegen, die einen Verkehr zwischen den Anschlüssen Dla/Dlb und D2a/D2b in beiden Richtungen zulässt, da nur PDS-Transistoren verwendet werden. Die Anordnung in Fig. 3 gleicht der in Fig. 2 mit der Ausnahme, dass die Sprachsignale über Übertrager Tl und T2 ein- und ausgekoppelt werden. Die Signale in den beiden Ketten von MOS-Transistoren Ta,Tb, Tc und T'a, T'b,T'C haben entgegengesetzte Phasenlage, wodurch eine ^ymnetrische ^übertragung ohne Nebensprechen erreicht wird.

Fig.4 zeigt eine Korpelmatrix für eine Übertragungsrichtung genäss dor Erfindung. Die vertikalen Matrixleitungen sind mit Vl, V2 ... Vn bezeichnet, während die horizontalen Matri:·:- leituiigen die Bezeichnungen Hl, H2.... Hn tragen. Jeder Koppelrrnnkt weist - wie links oben anhand des Koppelpunktes XIl geseigt ist - einen MOS-Ph-Transistor TIl , eine Verknüpfungs-

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schaltung Pll und eine Flipflopschaltung All auf. Die folgende Tabelle I gibt die Spannungen an bei^den Ausgängen der Flipflopschaltung All abhängig von ihrem Schaltzustand an:

Tabelle I

Schaltzustand des Flipflops Koppeltransistors

Spannung am

1-Ausgang

0-Ausgang

Zustand 1 Zustand 0

leitend gesperrt

-V
0

0 -V

Zur Vereinfachung sind nur die ElemfenteTdes Koppelpunktes XIl vollständig gezeigt; alle anderen Koppelpunkte sind genau so wie der Koppelpunkt XIl aufgebaut. Die erste Ziffer der Bezugs zeichen gibt die Nummer der vertikalen Matrixleitung an, während die zweite Ziffer auf die Hummer der horizontalen Matrixleitung hinweist. Die den vertikalen Matrixleitungen zugeordneten Auswahlleitungen sind --mit Cl,02. ..Cm bezeichnet, während die den horizontalen Matrixleitungen zugeordneten Auswahlleitungen mit Sl, S2 ... Sm bezeichnet sind.

Jede vertikale Auswahlleitung, wie beispielsweise die Auswahlleitung Cl, empfängt ein gleich bezeichnetes Durchsehaltsignal, welches die Rückstellung der der vertikalen Matrixleitung Vl zugehörigen η Flipflopschaltungen All ... AIn in den Zustand 0 veranlasst. Dasselbe Signal wird mittels einer Schaltung Ll verzögert und wird dann als Signal C¹I jeweils einem der Steuereingänge der zugehörigen Verknüpfungsschalungen Pll...Pin zugeführt. Jede dieser Verknüpfungsschaltungen, wie beispielsweise die Verknüpfungsschiltung Pll, weü zwei zusätzliche Ein gänge auf, von denen der eine mit der horizontalen Auswahl-

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leitung Sl und der anderemit einer Verbindungsleitungsader

El verbunden ist. Der Auswahlleitung Sl wird ein Auswahlsignal Sl zugeführt, während der Verbindungsleitungsader El ein den Freizustand der zugehörigen Verbindungsleitung kennzeichnendes Signal El zugeführt wird. Das letztere Signal El kommt von einer ^invertierten ODER-7erknüpfungsschaltung (NOR-Schaltung) Gl, deren m Eingänge mit den m Ausgängen O der Flipflop schaltungen All.. .AmI verbunden sind. Wenn die horizontale Matrixleitung Hl völlig frei ist (Spannung 0 an allen Eingängen der NOR-Schaltung Gl), entsteht am Ausgang der NOR-Schal- f

tung Gl ein Signal El mit der Amplitude -V, während bei Durchschaltung eines Koppelpunktes an diesem Ausgang ein Besetztsignal ET mit der Amplitude 0'auftritt.

Die als UND-Schaltung ausgebildete Verknüpfungsschaltung Pll gibt ein Signal Fl mit der Amplitude 0 an den Eingang 1 der Flipflopschaltung All ab, wenn äin Durchschaltsignal 01, ein Auswahlsignal Sl und ein Freisignal El - alle mit der Amplitude -V - gleichzeitig empfangen werden.

Fig.5 stellt ausführlicher die Schaltungsanordnung für einen !Koppelpunkt dar und enthält einen MOS-Ph-Transistör T, eine Flip flop schaltung A, eine Verknüpfungsschaltung P und eine Verzögerungsschaltung L. Die Flipflopschaltung A weist drei MOS- " Ph-Transistoren 13,14,15 und Widerstände R4- und E5 auf. Die Arbeitsweise der Flipflopschaltung A ist derjenigen ähnlich, die mit bipolaren pnp-Transistoren bestückt ist, und ist allgemein bekannt. Die Flipflopschaltung A soll sich im Schaltzustand 0 befinden, wenn der Transistor T4- gesperrt und der Transistor T3 leitend ist; sie nimmt den Schaltzustand 1 ein, wenn der Transistor T3 gesperrt und der Transistor T4· leitend ist. Die Rückstellung der Flipflop schaltung A wird dadurch bewirkt, dass an die Steuerelektrode des Transistors T5 die Spannung -V angelegt wird. Dadurch werden die Transistoren T5,T3

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Χμ den leitenden Zustand und der Transistor T4- in den gesperrten Zustand vasetzt. Die Flip flop schaltung A wiidin den Schaltzustand 1 dadurch gebracht, dass der Kollektor des Transistors T4 über die UND-Schaltung P geerdet wird.

Die UND-Schaltung P enthält drei MOS-Ph-Transistören T6,T7 und T8, welche beim Vorliegen der logischen Funktion F=C ¹^-S*E leitend sind und dabei die Erdung des Kollektors des Transistors T4 vornehmen.

Schliesslich weist die Verzögerungsschaltung L zwei MOS-Ph-Transistoren T9 und TlO auf. Sie gibt am Ausgang, dem Kollektor des Transistors TlO, ein Signal C ab, dessen Anstiegsund Abfallflanken gegenüber denen des Signals C geringfügig um eine Zeitspanne t verzögert sind, die in der Schaltzeit der Transistoren T9,T10 begründet ist.

Es sei vermerkt, dass bei Ausführung der Koppelpunktschaltung in integrierter Schaltungstechnik die Widerstände R4 bis R7 als MOS-Ph-Transistoren ausgebildet sind, deren Steuerelektroden mit den zugehörigen Kollektoren verbunden sind, so dass alle Schaltungen der Koppelmatrix sich nur &üs Schaltelementen desselben Typs zusammensetzen.

Es wird nun die Arbeitsweise des Koppelfeldes beschrieben. Die folgende Tabelle II gibt die den Signalen C,D,E,S und deren Komplementen zugehörigen Spannungen an:

Tabelle II

Signal	Kopp elpunkt zustand	Sp annung
O ,O 0,0'	Ruhe Auswahl der Vertikalen	0 -V
s S	Ruhe Auswahl der Horizontalen	0 -V
Έ E	Horizontale besetzt HorizonteLe frei	0 -V

au 9ö b U /Vk Tb

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Im Ruhezustand, in dem am Koppelpunkt nichts passiert, treten

an den Auswahl eingängen die Signale TT ,S" und das Signal Έ oder E auf. Das Signal ü bewirkt die Sperrung des Transistors T5 der Flipflop schaltung A, während das Signal S" die Sperrung der UND-Schaltung P übernimmt, wodurch der Schaltzustand der Flipflopschaltung A aufrechterhalten wird.

Wenn die Signale G, H" gleichzeitig auftreten, wird der Koppelpunkt gesperrt. Das Signal C macht den Transistor T5 leitend, wodurch die Flipflopschaltung A in den Schaltzustand 0 zurückgestellt wird, während die UND-Schaltung P durch das Signal S" gesperrt bleibt. Wenn das Signal S zu derjenigen Zeit angelegt wird, in der der Transistor T5 gerade ein Signal "C" empfängt, dann bleibt die UND-Schaltung P durch das Signal TT¹ ge- " sperrt; in diesem Fall kann die Flipflopschaltung A nicht umschalten, ganz gleich, welche Spannung an der Verbindungsleitungsader (Signal E oder Έ ) auftritt.

Die Sperrung eines für eine Verbindung nicht mehr benötigten Koppelpunktes erfolgt immer nur dann, wenn ein anderer, mit derselben vertikalen Matrixleitung verbundener Koppelpunkt für die Herstellung eines neuen Verbindungsweges gebraucht wird. Folgende Vorgänge laufen dann nacheinander ab;

1. Auswahl der horizontalen Auswahl leitung, der der Koppelpunkt T zugeordnet ist, durch Anlegen eines Signals Sj die Flipflop schätung A verbleibt in ihrem Schaltzustand.

2. Auswahl der vertikalen Durchsehaltleitung, der der Koppelpunkt T zugeordnet ist, durch Anlegen eines Signals C. Dies Signal bewirkt die Sperrung aller nicht ausgewählten, dieser Durchschaltleitunf? zugeordneten Koppelpunkte, weil diese Koppelpunkte gleichzeitig die Signale G und B" empfangen. Wenn die ausgewählte Leitung frei ist, wenn also ein Freisignal E vorliegt, befinden sich der Transistor T5 und die UND-Schaltung P des ausgewählten Koppelpunktes im leitenden Zustand, so dass die Kollektoren beider Transistoren T3 und

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Ϊ4- nahezu Erdpotential aufweisen und der Transistor T gesperrt bleibt.

3. Verriegelung: Wenn das Signal G unterdrückt wird und das Signal TT auftritt, so wird der Transistor T5 gesperrt,die Flipflop schaltung in den Schaltzustand-1 und damit der Transistor T in den leitenden Zustand gebracht. Diese Verriegelung, die der Verriegelung eines geschlossenen Kontakts entspricht, kann ohne die Gefahr des Auftretens von Fehlern vorgenommen werden, weil das nach der Unterdrückung des Signals C für die Dauer t an die UND-Schaltung P angelegte Signal C'den Transistor T4 lange genug im leitenden Zustand hält, um die Umschaltung der Flipflopschaltung zu gewährleisten.

4-, Unterdrückung des Signals S¹ (Vorliegen des Signals S ). Die Flipflop schaltung bleibt im Schaltzustand 1, und die Koppelpunkt schaltung empfängt die Signale TT und S", so dass sie den oben definierten Ruhezustand einnimmt.

Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Insbesondere können Transistoren des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps unter Umkehrung der Betriebsspannung spοlarität verwendet werden.

3 Patentansprüche,

2Bl.Zeichnungen,5Figuren. -/-

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Claims

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Pat ent ansp rüche

Schaltungsanordnung für ein elektronisches Koppelfeld, dessen Koppelpunkte durch Transistoren verkörpert und durch elektronische Mittel verriegelbar sind, in Fernmelde-, insbesondereFernsprechvermittlungsanlgen, _da durch gekennzeichnet, dass jeder Koppelpunkt durch die Schaltstrecke eines MOS-Feldeffekt-Transistors (T) gebildet wird, der von einer Flip flop schaltung (A) derart gesteuert wird, dass bei Bückstellung der Flipflopschal- ä

tung an einem seiner Eingänge in den Ruhezustand (O) mittels eines Durchschaltsignals (C) der Transistor zunächst sperrbar ist und dann bei Ansteuerung eines anderen Eingangs der Flipflopschaltung über eine Verknüpfungsschaltung (P) der Transistor durchschaltbar ist, wobei diese Verknüpfungsschaltung das die Durchschaltung des Transistors bewirkende Signal abhängig vom gleichzeitigen Empfang eines den Freizustand der zu belegenden Verbindungsleitung kennzeichnenden Signals (E), eines Auswahlsignals (S) und des verzögerten Durchschaltsignals (C) abgibt.

Schaltiißigsanordnung nach Anspruch 1 in Matrixform, dadurch I

gekennzeichnet, dass m vertikalen und η horizontalen Matrixleitungen gleich viele Steuerleitungen (Cl...Cm, Sl..Sn) zugeordnet siridi, dass die Auswahl einer vertikalen Matrixleitung (j) durch Anlegen eines Durchschaltsignals. (Cq) und die Auswahl einer horizontalen Matrixleitung (k) durch

Anlegen eines Auswahlsignals (Sk) an die zugeordneten Steuerleitungen bewirkt wird, dass den m vertikalen Matrixleitungen ferner m Verzögerungsleitungen (Ll ...Lm) und den η horizontalen Matrixleitungen η Verbindungsleitungsadern (El...En) zugeordnet sind und dass ein Signal (Ek)

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an einer Verbindungsleitungsader (Ek) auftritt, wenn alle · .der betreffenden horizontalen Matrixleitung zugeordneten-Kopp elpunkt e im Ruhestand sind,

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der zwischen einer vertikalen Matrixleitung (j) und einer horizontalen Matrixleitung (k) angeordnete MOS-Koppeltransistor (T) durch folgende aufeinander folgende Vorgänge durchs ehalt "bar ist:

a) die Auswahl der Horizontalen wird durch Anlegen eines Auswahl signal s (Sk) vorgenommen,·

b) die Auswahl der Vertikalen wird durch Anlegen eines Durchschaltsignals (Cg) vorgenommen, wobei alle dieser Vertikalen zugeordneten Koppeltransistoren gesperrt WErden;

c) das Durchschaltsignal (Cg) wird unterdrückt, wonach für eine bestimmte kurze Dauer (t) das vsrzögerte Durchschaltsignal (Cg) die Verknüpfungsschaltung (P) abhängig vom Vorliegen des Frei signals (Eli) der Horizontalen aktiviert und damit die zugehörige Flipflop schaltung und den Koppeltransistor in den Arbeitszustand (l) versetzt;

d) das Auswahlsignal (Sk) wird unterdrückt, v/o bei auch nach Auftreten der Komp lern entwerte (üJ,Sk ) des Durchschalt signals und des Auswahlsignals der Koppeltransistor durchgeschaltet bleibt.