DE1809847B2 - Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines kristallinen stabes, insbesondere halbleiterstabes - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines kristallinen stabes, insbesondere halbleiterstabes

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DE1809847B2 DE19681809847 DE1809847A DE1809847B2 DE 1809847 B2 DE1809847 B2 DE 1809847B2 DE 19681809847 DE19681809847 DE 19681809847 DE 1809847 A DE1809847 A DE 1809847A DE 1809847 B2 DE1809847 B2 DE 1809847B2
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/20Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique

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Description

5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge- as dung;
kennzeichnet, daß zum Herstellen eines kristallinen F i g. 2 zeigt die Induktionsheizspule nach F 1 g. 1
States mit -^genüber dem Ausgangsstab · ver- in der Draufsicht;
größ:rtem Durchmesser der Querschnitt (5) der F i g. 3 zeigt eine abgewandelte Ausfuhrungsform
Induktionsheizspule (11 eine in Richtung der einer Induktionsheizspule gemäß der Erfindung.
Schwerkraft sich erstreckende Fnveiterung (6) auf- 30 In F i g. 1 ist eine Induktionsheizspule gemäß der
weist. Erfindung mit 1 bezeichnet. Sie erzeugt in einem
6. Vorrichtung nach Anspruchs, dadurch ge- Halbleiterstab, bestehend aus einem Vorratsstab2 kennzeichnet, daß die Querschnittserweiterung (6) und einem auskristallisierenden Stabteil 3 eine Schmelzder Form der Schmelzzone (4) angepaßt ist. zone 4. Der Querschnitt der Induktionsheizspule 1 ist
35 langgestreckt, d. h., die Breite J des Windungsquerschnittes ist größer als seine Höhe h. Bei einer Spule
mit sich nach außen erweiterndem Windungsquerschnitt ist die Höhe A1 am inneren Spulenrand maßgebend. Das Verhältnis Außendurchmesser/Innen-
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum tiegel- 40 durchmesse: dajdi der Induktionsheizspule 1 ist minfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, ins- destens 1,5. Besonders günstige Bedingungen sind besondere Halbleiterstabes, mit einer den Stab ring- gegeben, wenn das Verhältnis Außendurchmesser/ förmig umgebenden Induktionsheizspule mit einer Innendurchmesser da/dt etwa 2,0 ist. Durch Versuche Windung. wurde festgestellt, daß hierbei die Induktivität der
Beim tiegelfreien Zonenschmelzen werden als Ener- 45 Induktionsheizspule gemäß der Erfindung nur etwa V« giequellen vielfach Flachspulen mit einer oder mehre- der Induktivität einer Induktionsheizspule mit einer ren Windungen verwendet. Flachspulen haben gegen- Windung mit kreisförmigem Querschnitt und gleicher über Zylinderspulen den Vorteil einer wesentlich Spulendicke beträgt. Der Hohlquerschnitt 5 der Ingeringeren axialen Erstreckung der Schmelzzone, was duktionsheizspule 1 kann rechteckig sein, er kann aber eine Erhöhung der Stabilität der Schmelzzone bedeu- 50 auch mit zunehmender Entfernung von der Stabachse tet. Dies ist insbesondere bei großen Stabquerschnitten erweitert sein. Eine Spule mit nach außen erweitertem wichtig. Hohlquerschnitt bringt den Vorteil einer schmalen
Um den Spannungsabfall an der Induktionsheiz- Schnielzzone bei gleichzeitig intensiver Kühlung der
sp:le und damit auch die Überschlagsneigung herab- Spule mit sich. Die Erweiterung des Hohlquerschnittes
zusetzen, ist es günstig, beim Zonenschmelzen in einem ss kann, wie in F i g. 1 dargestellt, stetig sein. Es sind
Rezipienten mit einer Schutzgasatmosphäre, beispiels- jedoch auch andere Querschnittsformen, insbesondere
weise aus Wasserstoff, eine Flachspule mit kreis- solche mit stufenförmigen Absätzen, möglich,
förmigem Querschnitt und nur einer einzigen Windung Zum Herstellen eines kristallinen Stabes mit gegen-
zu verwenden. über dem Ausgangsstab vergrößertem Durchmesser
Es wurde gefunden, daß die Überschlagsneigung βο kann, wie aus F i g. 3 ersichtlich, der Querschnitt, zwischen der Induktionsheizspule und dem Halbleiter- insbesondere auch der Hohlquerschnitt 5, der Indukstab noch verringert werden kann, wenn erfindungs- tionsheizspule 1 eine in Richtung der Schwerkraft sich gemäß die Windungsteile der Induktionsspule in einem erstreckende Erweiterung 6 aufweisen. Damit wird die durch die Stabachse gehenden Querschnitt in der Stützwirkung der Induktionsheizspule auf die Schmelzsenkrecht zur Stabachse verlaufenden Richtung länger 6s zone 4 noch erhöht. Mit Vorteil ist die Querschnitts· sind, als in der parallel zur Stabachse verlaufenden erweiterung 6 der Form der Schmelzzone 4 angepaßt. Kichtung. Zur weiteren Erläuterung der Erfindung sei ein Aus-
bine derartige Induktionsheizspule hat gegenüber führungsbeispiel amgeführt:
3 4
Durchmesser des Halbleiterstabes Schutzgasatmosphäre," beispielsweise WasserstoiT,
(Vorratsstab) 27 mm einem Edelgas oder einer Mischung aus Wasserstoff
Innendurchmesser der Induktions- und einem Ede!gas verwendel: so"dern "1J,1 ähnliche»
heizspule* ... 09 mm Vorteilen auch beim t.egclfreien Zonenschmelzen im
. -J mm 5 Vakuum verwendet werden. Mit besonderem Vorteil
Außendurchmesser der Induktions- I4311n die Vorrichtung gemäß der Erfindung auch bei
hcizspule^a 60 mm Zonenschmelz\erfahren angewendet werden, wie sie
Höhe der Induktionsheizspule an in den deutschen Patentschriften 1128 413 - Ver-
ihrem inneren Rand /i, 3 mm fahren zur Herstellung von versetzungsfreiem, cm-
HKh* ί r ι L·*- κ · . 10 kristallinem Silizium durch tiegelfreies Zonenschmel-
Hohe der Induktionsheizspule an zen (mU fiaschenhalsförmiger Dünnstelle) - und
ihrem auüeren Rand Zi2 6 mm. 1 21g 4Ö4 _ Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiter-
Die Induktionsheizspule gemäß der Erfindung kann Stabes (tr.it seitlicher Verschiebung des wieder-
iit nur beim tiegelfreien Zonenschmelzen in einer 15 erstarrenden Stabteiles) — beschrieben sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. einer Ringspule mit kreisförmigem Querschnitt und
    Patentansnrüche- gleicher Spulenhöhe in Achsrichtung des Halbleiter-
    i-atentansprutne. B^ ^^ eine vermindene Induktmtät, die bei
    1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen gleicher Schmelzleistung einen geringeren Spannungs-
    eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiter- 5 abfall und damit eine kleinere Überschlagsneigung;;.J,-
    stabes, mit einer den Stab ringförmig umgebenden weist. Gegenüber einer Flachspule mit mehreren W1n-
    Induktionsheizspule mit einer Windung, da- «Jungen und gleichem Außen und Innendurchmesser
    durch gekennzeichnet, daß die Win- weist die Induktionsheizspule nach der vorliegenden
    dungsteile der induktionsspule in einem durch die Erfindung den Vorte.l e.ner gleichmäßigeren leId-
    Staoachse gehenden Querschnitt in der senkrecht io verteilung una einer erhöhten Stutzwirkung der
    zur Stabachse verlaufenden Richtung länger sind, Schmelzzone auf. Drs .st insbesondere beim soge-
    als in der parallel zur Stabachse verlaufenden Rieh- nannten Aufstauchen, d. h. bei einem Verfahren bei
    tung dem der auskristallisierende Stabteil einen größeren
    !.Vorrichtung nach Anspruch 1, dadu;>-h ge- Durchmesser als der der Schmelzzone zugeführte
    kennzeichnet, daß das Verhältnis Außendurch- 15 Stabteil (Vorratsstab) aufweist, wichtig. M.t Vurteil
    messer/Innendurchmesser der Induktionsheiz- beträgt das Verhältnis Außendurchmesscr/Innendureh-
    spule(l) mindestens 1,5 beträgt. messer der Induktionsheizspule mindestens^1,5. Ein
    3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge- Durchmesserverhältnis von etwa 2,0 ist besonders kennzeichnet, daß das Verhältnis Außendurch- vorteilhaft.
    messer/Innendurchmesser etwa 2,0 beträgt. »0 Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung
    4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge- werden an Ausführungsbeispielen an Hand der /eichkennzeichnet, daß der Hohlquerschnitt (5) der nung näher erläutert.
    Induktionsheizspule (1) mit zunehmender Entfer- F i g. 1 zeigt in der Seitenans-cht, teilweise im
    nung von der Stabachse erweitert ist. Schnitt, eine Induktionsheizspule gemäß der hrfin-
DE19681809847 1968-05-30 1968-11-15 Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines kristallinen stabes, insbesondere halbleiterstabes Granted DE1809847B2 (de)

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RO6152769A RO55736A (de) 1968-11-15 1969-11-10

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Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1809847A1 DE1809847A1 (de) 1969-12-11
DE1809847B2 true DE1809847B2 (de) 1973-09-06
DE1809847C3 DE1809847C3 (de) 1974-04-18

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BE (1) BE733780A (de)
CH (1) CH472236A (de)
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ES (1) ES367833A1 (de)
FR (1) FR2009656A1 (de)
GB (1) GB1230726A (de)
NL (1) NL6905939A (de)
SE (1) SE359753B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3625669A1 (de) * 1986-07-29 1988-02-04 Siemens Ag Induktionsheizer zum tiegelfreien zonenschmelzen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0292920B1 (de) * 1987-05-25 1992-07-29 Shin-Etsu Handotai Company Limited Vorrichtung für HF-Induktionsheizung
DE3805118A1 (de) * 1988-02-18 1989-08-24 Wacker Chemitronic Verfahren zum tiegelfreien zonenziehen von halbleiterstaeben und induktionsheizspule zu seiner durchfuehrung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3625669A1 (de) * 1986-07-29 1988-02-04 Siemens Ag Induktionsheizer zum tiegelfreien zonenschmelzen

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FR2009656A1 (de) 1970-02-06
ES367833A1 (es) 1971-04-16
NL6905939A (de) 1969-12-02
SE359753B (de) 1973-09-10
DE1809847A1 (de) 1969-12-11
DK120434B (da) 1971-06-01
CH472236A (de) 1969-05-15

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