DE1790139A1 - Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen Metallfilmwiderstaenden - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen MetallfilmwiderstaendenInfo
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- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/26—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by converting resistive material
- H01C17/265—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by converting resistive material by chemical or thermal treatment, e.g. oxydation, reduction, annealing
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Description
Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen Metallfilmwi der stand en -
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen
von stabilen elektrischen Metallfilmwiderständen, insbesondere von Tantal-Dünnschicht-Widerständen.
Es ist bekannt, daß sich Ventilmetalle anodisch oxydieren
lassen. Die Dicke der Oxidschicht ist dabei abhängig von der
Anodisierungsspannung und der Zeitdauer, während der diese Spannung angewendet wird.
Bit/Rl
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Diese Tatsache hat man u.a. beim Herstellen von elektrischen
Dünnschicht-Schaltungen und -widerständen ausgenützt, bei welchen auf ein nichtleitendes Substrat eine Ventilmetallschicht,
insbesondere. Tantal, in geeigneter Konfiguration aufgebracht ist. Zum Abgleich z.B. des Widerstandswortes
von Tantal-Y/iderstünden wird die Tantalschicht an
den positiven Pol einer Gleichspannungsquelle gelegt und in eine geeignete Elektrolytflüssigkeit getaucht, in die
ebenfalls der negative Pol der Spannungsquelle eintaucht. Unter abwechselndem Anodisieren und Messen wird der Abgleichvorgang
so lange fortgesetzt, d.h. die Tantalschicht so tief in z.B. Tantalpentoxid übergeführt, bis der gewünschte
Widerstandswert erreicht ist.
Es hat sich jedoch gezeigt, daß sich die elektrischen Daten solcher durch anodischen Abgleich eingestellter Widerstände
während der Lagerzeit und vor allem während des Betriebes ändern können, was insbesondere für Präzisionswiderstände
nicht erwünscht ist.
Es wurde deshalb anschließend an den Anodisierungsproseß
ein- Temperprozeß eingeführt, der z.B. bei 250 G während einer Dauer von 2,5 Stunden eine künstliche Alterung hervorruft.
Diese künstlich gealterten Widerstände zeigen zwar eine ausreichende Langzeitkonstanz, jedoch wird das Herstellungsverfahren
beträchtlich verlängert. Der anodische Abgleich nimmt eine Zeit von wenigen Sekunden bis höchstens Minuten
in Anspruch, während die Nachbehandlung mehrere Stunden dauert.
Die Erfindung hat sich deshalb die Aufgabe gestellt, ein Verfahren zum Herstollen von stabilen elektrischen Metall-
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filmv/iderstünden z.B. innerhalb von Bünnschicht-Schaltimgon,
das wesentlich weniger Zeit beansprucht als die bisher bekannten Verfahren,anzugeben; Außerdem soll der Gebrauch der gegebenenfalls ätzenden Elektrolytflüssigkeit eingeschränkt
oder ganz vermieden v/erden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemUß dadurch gelöst, daß die
Oberfläche der Metallschicht durch thermische Behandlung
in reaktiver Atmosphäre in eine elektrisch nichtleitende Verbindung übergeführt xtXrü.
Damit werden die Vorteile erzielt, daß die Widerstände ohne
künstliche Alterung die gewünschte Langzeitkonstanz zeigen, daß keine gegebenenfalls ätzenden Flüssigkeiten verwendet werden und daß keine Abdeckmasken erforderlich sind,
υπ s.D. die Kontaktschichten aus CrHi und/oder Gold vor dem
Zutritt des Elektrolyten zu schützen.
Vorzugsweise arbeitet das erfindungsgemäßo Verfahren bei
Temperaturen zwischen 350° und 800° C. Je nach Ausgangswert
und Temperatur bildet sieh die nötige elektrisch nichtleitende Metallverbindung in der kurzen Zeit von fünf Sekunden bis fünf Minuten.
Zur Bildung von Oxidschichten wird die thermische Behandlung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre vorgenommen,
z.B. in Luft. Zur Bildung von Metallnitriden dagegen wird die thermische Behandlung in einer sauorstofffreien, stickstoffhaltigen
Atmosphäre vorgenommen.
Will man die Vorteile der Oxidschicht mit den Vorteilen der •Nitridschicht vereinen, so wird man die sauerstoffhaltige
Atmosphäre mit der stickstoffhaltigen in geeigneter Weise
kombinieren. Die günstigste Kombination laßt sich dabei durch einfache Versuche ermitteln.
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Sollte die durch die einmalige thermische Behandlung erreichte
Zielgenauigkeit beim Erreichen dos Endv/ertes nicht genügen, so wird anschließend ein Fcinabgleich vorgenommen.
Hierzu eignet sich daa herkömmliche Anodisieren.. Es sind Verfahren und Vorrichtungen bekannt oder vorgeschlagen,
die ohne schützende Oberflächenmasken arbeiten und die befriedigende Ergebnisse liefern, zumal es sich
nur um einen Feinabgloich in der Größe von maximal 1 bis
2$ handelt.
Vorzugsweise wird aber auch zum Feinabgloich die erfindungsgenüße
thermische Behandlung angewendet. Um jedoch zu vermeiden, daß beim Erhitzen der ganzen Schaltung infolge
der Wärmeträgheit des Substrates der Widerstandswert über
den gewünschten Wert ansteigt, wird vorteilhaft der Feinabgloich durch lokales Erhitzen der Metallschicht vorge-
; nommen. Um zu große Spannungen im Substrat zu vermeiden,
f kann man hierbei den Schichtträger zuvor leicht anwärmen.
; Besonders einfach und handlich gestaltet sich der Feinf
abgleich, wenn als Wärmequelle eine fokussierte elektrof
magnetische Strahlung verwendet wird. Als Quelle kommt
ein Laser in Betracht, aber auch Glühlampen oder Gasentladungslampen
mit geeignetem Spektrum sind brauchbar, eben- : so die bekannte HF-Erwiirmung mit Mikrowellen. Die in Brenn-,
flock konzentrierte Iiichtenergio muß dabei so geregelt
werden, daß sich die obenerwähnten Temperaturen auf der : Metallschicht einstellen. Das Metall soll dabei nicht wegdampfen,
sondern in eine thermisch ..%·:ν..: : r stabile
und elektrisch nichtleitende Verbindung übergeführt werden.
Besonders vorteilhaft wird das erfindungsgemäße Verfahren laufend messend verfolgt. Die Verfahrensparameter, wie
Temperatur, Zeit und Konzentration und Art der reaktiven
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Atmosphäre, lassen sich danach in günstiger Weise verändern
und einstellen.
Bei einem Ausführungsbeispiol war auf einen G-lastruger
ein mäanderfürmiger Widerstand mit einem Ausgangswert
von 150 Kiloohm "bis auf ca, 2c/o angenähert erreicht worden.
Beim folgenden Peinabgleich v/urde das Licht einer
Halogenlampe auf die V/iderstandsschicht fokussiert und
so lange unter laufendem Messen des Widerstandsanstieges
über der Schicht bewegt, bis der'Endwert erreicht war. Während des Feinabgleichs war das Substrat auf
ca. 4-00 C erwärmt worden. Der so erhaltene Widerstand
änderte wahrend einer Beobachtungszeit von ca. 1000 Stunden seinen elektrischen Wert nur um 2 Promille.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich nicht
nur stabile Widerstände herstellen und abgleichen; bei Dünnschicht-Kondonsatoren kann das Dielektrikum so erzeugt
werden. Hierbei macht sich ebenfalls die vorbesserte
Langzeitkonstanz vorteilhaft bemerkbar.
Da das erfindungsgemäßo Verfahren ohne Abdeckschablonen
arbeitet, reicht die oxidbedeckte Widerstandsschicht bis unmittelbar an die Kontaktflächen heran. Beim Anodiöierungsverfahren
dagegen müssen die Kontaktflächen abgedeckt werden. Dabei wird aus Sicherheitsgründen die Abdeckschablone
größer gehalten als die'eigentliche Kontaktfläche, so daß zwischen der Kontaktfläche und der
nichtleitenden Oberfläche der Widerstandsschicht ein nicht oder nur schwach mit an Luft gebildetem Oxid bedeckter
Streifen des Widerstandsmaterials sichtbar ist.
Bei Tantalcchichten worden die Kontaktflächen z.B. aus Gold
hergestellt, unter dem sich als Haftschicht eine Ghrom-
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"r:"^'::i\T/bad
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Nickel-Schicht befindet* Unter der Kontaktflache wird die
Tantalschicht nicht oxidiert oder nitriert, so daß der
elektrische Kontakt nicht beeinträchtigt wird, Beim thermischen Abgleichen kann es vorkommen, daß einzelne Nickolatome
in die Goldschicht eindiffundieren und an der Oberfläche
z.B. oxydieren, insbesondere vienn der erfindungsgemäße Abgleich an der oberen Temperaturgrenze vorgenommen
wird. Diese dünne Oxidschicht wird dann durch ein entsprechendes !lötmittel wieder völlig beseitigt. Die
Nickolatome bleiben zwar in der Goldschicht; sie beeinträchtigen
deren Lötbarkeit jedoch nicht und bilden ein weiteres Unterscheidungsmerkmal der erfindungsgemäß hergestellten
Bauelemente. ""■
Die Zeichnung zeigt einen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
hergestellten Widerstand. Auf ein Glassubstrat 1 ist eine Tantal-Schicht 2 aufgestäubt. An den Schichtenden
befinden sich die Kontaktflächen 3,4, die aus einer Chrom-Nickel-Haftzwischenschicht 3 und einer darüber aufgebrachten
Goldcchicht 4 bestehen. Die freiliegende Oberfläche der Tantal-Widerstandsschicht ist mit einer durch
thermische Oxydation an luft gebildeten Oxidschicht 5 bedeckt. Durch die Bildung dieser Oxidschicht wird der
stromführende Widerstandsquerschnitt bis auf den gewünschten Wert verringert.
9 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
&if ORIGINAL
Claims (9)
- P a t c η ΐ a η s ρ r ü c h e1, Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen Metal Ifiliriv/iderstUnden, wobei auf einen isolierenden Träger eine dünne Schicht eines Metalls, insbesondere Tantal, in einer solchen Form, Länge und Dicke aufgebracht wird, daß der elektrische Widerstand zunächst unter den gewünschten Endwert liegt, und wobei der Endwert durch Verringern des stromführenden Querschnitts der Metallschicht zunächst angenähert, in einem zweiten Schritt bei Bedarf auch fein eingestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Metallschicht durch thermische Behandlung in reaktiver Atmosphäre in eine elektrisch nichtleitende Verbindung übergeführt wird»
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Behandlung bei Temperaturen zwischen 35O0O und 80Q0C erfolgt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als reaktive Atmosphäre eine sauerstoffhaltige Atmosphäreangewendet wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als reaktive Atmosphäre eine stickstoffhaltige Atmosphäre angewendet wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine sauerstoff- und stickstoffhaltige Atmosphäre angewendet wird. '-8-109884/0493ΡΛ 9/491/1256 - 8 -
- 6. Verfahren nach einen der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Feinabgleich durch herkömmliche anodische Oxydation vorgenommen wird.
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Peinabgleich dec Widerstandswertec durch lokales Erhitzen der Metallschicht vorgenommen wird.
- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß fokussierto elektromagnetische Energie verwendet wird.
- 9. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Abgleich messend verfolgt und gesteuert wird.109884/0493BAD ORiGlNAL
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19681790139 DE1790139A1 (de) | 1968-09-17 | 1968-09-17 | Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen Metallfilmwiderstaenden |
NL6913655A NL6913655A (de) | 1968-09-17 | 1969-09-08 | |
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BE738989D BE738989A (de) | 1968-09-17 | 1969-09-17 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1790139A1 true DE1790139A1 (de) | 1972-01-20 |
Family
ID=5706904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19681790139 Pending DE1790139A1 (de) | 1968-09-17 | 1968-09-17 | Verfahren zum Herstellen von stabilen elektrischen Metallfilmwiderstaenden |
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Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE738989A (de) |
DE (1) | DE1790139A1 (de) |
FR (1) | FR2018251A1 (de) |
NL (1) | NL6913655A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2819402A1 (de) * | 1977-05-04 | 1978-11-16 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zum trimmen des widerstandswertes polykristalliner silicium- widerstaende, insbesondere fuer die verwendung als halbleiter in integrierten schaltkreisen |
-
1968
- 1968-09-17 DE DE19681790139 patent/DE1790139A1/de active Pending
-
1969
- 1969-09-08 NL NL6913655A patent/NL6913655A/xx unknown
- 1969-09-16 FR FR6931482A patent/FR2018251A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-09-17 BE BE738989D patent/BE738989A/xx unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2819402A1 (de) * | 1977-05-04 | 1978-11-16 | Nippon Telegraph & Telephone | Verfahren zum trimmen des widerstandswertes polykristalliner silicium- widerstaende, insbesondere fuer die verwendung als halbleiter in integrierten schaltkreisen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE738989A (de) | 1970-03-17 |
NL6913655A (de) | 1970-03-19 |
FR2018251A1 (de) | 1970-05-29 |
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