DE1767112U - Halbleiterdiode. - Google Patents

Halbleiterdiode.

Info

Publication number
DE1767112U
DE1767112U DEW17327U DEW0017327U DE1767112U DE 1767112 U DE1767112 U DE 1767112U DE W17327 U DEW17327 U DE W17327U DE W0017327 U DEW0017327 U DE W0017327U DE 1767112 U DE1767112 U DE 1767112U
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
central
foot
ceramic
semiconducting
metallic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEW17327U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WSTERN ELECTRIC Co Inc
Original Assignee
WSTERN ELECTRIC Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WSTERN ELECTRIC Co Inc filed Critical WSTERN ELECTRIC Co Inc
Publication of DE1767112U publication Critical patent/DE1767112U/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01067—Holmium [Ho]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49139—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by inserting component lead or terminal into base aperture
    • Y10T29/4914—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by inserting component lead or terminal into base aperture with deforming of lead or terminal
    • Y10T29/49142—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by inserting component lead or terminal into base aperture with deforming of lead or terminal including metal fusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

  • Halbleiterdiode
    -----------------
    Die Erfindung betrifft Halbleitereinrichtungen, insbesondere eine hermetisch verschlossene Gehäuseanordnung für eine Halbleitereinrichtung.
  • Die Erfindung richtet sich in einem ihrer Aspekte auf das Problem der Montage der Umhüllung und der Herstellung von Anschlüssen an Halbleitereinrichtung@@, insbesondere an Einrichtungen derart, die allgemein mit Verbindungseinrichtungen bezeichnet werden. Halbleitereinrichtungen des Verbindungstype sind in der Technik bekannt und werden für verschiedene Zwecke auf zahlreiche Weise hergestellt, die ebenso allgemein bekannt sind und als gewachsen, diffundierte
    und legi rte Verbindungen bezeichnet werden.
    In einem speziellen Aspekt bezieht sich die Erfindung
    auf eine Anordnung zur Unterbringun «
    einerZweipol-Verbindungs-Halbleitereinriohtung &ie
    in Nachrichtenscnaltsystemen Verwendun findet. Zu
    ist bei einrichtungen dieser Art erwünscht, das halbleitende Element in einem hermetisch verschlossenen Gehäuse zu montieren, das extrem kleine Abmessungen besitzt und bei dem elektrische Anschlüsse nun halbleitenden Körper leicht hergestellt werden können.
  • Es ist ferner erwünscht, eine Gehäuseanordnung vorzusehen, die sich zur Verwendung von automatischen oder halbautomatischen Zusammenbaumitteln signet, um den P eis dieser Einheiten herabzusetzen.
  • Daher besteht ein Gegenstand dieser Erfindung in einer verbesserten Gehäuseanordnung für eine Halbleiter-Verbindungseinrichtung.
  • Insbesondere ist ein Gegenstand der Erfindung ein Halbleitergehäus mit extrem kleinen Abmessungen.
  • Mit der kleinen Größe zusammenhängend besteht die ein weiterer gegenstand in einer Anordnung mit geringem Preis, der infolge automatischer oder halbautomatischer Zusammenbauverfahren erreicht werden kann.
  • Ein anderer Gegenstand der Erfindung ist ein Herstellungsverfahren, durch das niederohmige Kontakte am halbleitenden Körper hergestellt werden und der endgültige Zusammenbau des Gehäuses durchgeführt wird und zwar bei Temperaturen, die so niedrig sind, daß gewährleistet ist, daß die Verbindung des halbleitenden Korpers nicht schädlich beeinflußt wird.
  • In einem speziellen Aspekt vereinigt die Erfindung vorteilhafte Ve-bindunsverfahren mit einer neuartigen Anordnung von Elementen, um den hier beschriebenen vorteilhaften Gehäusezusammenbau su erhalten. Insbesondere wird ein zwischen einem etallischen Unterteil und einem Deckel liegender keramischer Ring zu einer einheitlichen Anordnung verbunden, bei der der Deckel selbst in Bezug auf seine Zusammensetzung und seine Form so au" ; gebildet ist, daS ein gleichzeitiges Verschließen des Gehäuses und Verbinden der Kontakte mit dem halbleitenden Körper ermöglicht wird.
  • Ein Merkmal der erfindungsgemäßen Halbleitereinriohtun besteht in der Ausgestaltung des metallischen Unterteils, die eine leichte automatische Anordnung der halbleitenden Scheibe auf den Unterteil ermöglicht.
  • Ein weiteres Merkmal bestcht in der neuartigen Form des Deckels, der einen vorstehenden zentralen Teil enthält, welcher die halbleitende Scheibe trägt, ferner einen membranartigen elastischen Teil, der den auf den Umfang des Deckels ausgeübten Druck auf den vorstehenden zentralen Teil überträgt.
  • Ein weiteres Merkmal der erfin@ungsgemäßen einrichtung ist die antisymmetrische Anordnung, die ihre leichte Verwendung in Systemen ermöglicht, bei denen Chassis mit gedruckten Schaltungen benutzt werden.
  • Die Erfindung und ihre anderen Gegenstände und Merkmale werden an Hand der folgenden Erläuterung und der beigefügten Zeichnung vollständiger Verständlich.
  • Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer erfindung gmäßen speziellen Ausführung in aus@inandergenommenem Zustand; Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der Einrichtung der Fig. 1, die erfindungsgemäß zusammengebaut ist und zwar in einem Teil eines typischen Chassis mit gedruckter Schaltung eingebaut ; Fig. 3A ist-inne schematische Dar tellung der
    mechanischen Belastung des Deckels der
    Ausführung der Fig. 1 und'"
    Fig. 3B ist eine graphische Darstellung, welche
    die Beziehung zwischen der Belastung und
    der Durchbiegung des Deckels zeigt.
    In Fig. l ist ein halbleitender Körper 11 in Form
    C>
    einer Scheibe vorgesehen, die eine oder mehrere p-n-Verbindungen enthält. Bei einer speziellen Anwendung kann die Scheibe 11 aus einem Kristall-Silizium bestehen, und eine Fläche von 0,51 mm mal 0,51 mm sowie eine Dicke von 0,10 mm besitzen. Der untere Anschlußteil besteht aus einem metallischen Unterteil 12, das z. B. aue Nickel bestehen kann. Da.
  • Unterteil besitzt einen zentralen Fuß 26 mit einem erhöhten Rund 18 und einem zentralen abgerundeten vorstehenden Teil 19.
  • Mit dem Unterteil ist mit Hilde einer Lötscheibe 14 eine isolierende Lochscheibe 13 verlötet. Das isolierende Teil 13 umgibt den Fuß 26 und bildet mit dem Unterteil 12 @inen Hohlraum. dieses isolierende Teil 13 besaht vorteilhaft@rweise aus einem keramisuchen Stoff, z. B. Steatit oder Aluminiumoxyd (Al20,).
  • Im allgemeinen ist es wichtig, daß dieses isolierende Teil dicht und frei von Hohlräumen ist, um eine hermetische Begrenzung zu erhalten. Die Druckfestigkeit des keramischen Teils muß ausreichen, um den für die Hers ellung der Verbindungen benutzten Drücken zu Ivid rst@hen, mit denen das Gehäuse endgültig verschlossen wird.
  • Die verlötenden Metallscheiben 14 und 15 liegen zwischen dem keramischen Teil 13 und den metallischen Anschlußteilen 12 und 16. Vorteilhafterweise ind diese Teile 14 und 15 aus sogenannten aktiven Metallen zusammengesetzt, z. B. Titan in Verbindung mit lötenden Materialien wie Silber-Kupfer-eutetikum, Silber, Kupfer oder Nickel. Die obere Metallscheibe 16 ist als Unterlage vorgesehen, mit der der Deckel 17 verbunden werden kann. Sowohl die Scheibe 16 ala auch der Deckel 17 kann aus Nickel oder einem ähnlichen Material bestehen. Wie man sieht, besitzt der Deckel 17 einen abg rundeten vorstehenden Teil 20 und einen Umfangsflansch 21. Wie am besten aus Fig. 2 ersichtlich ist, liegt der vorstehende Teil 20 an der oberen SeiLe der halbleitenden Scheibe an und ergibt einen ausreichanden Druck, um einen niederohmigen Kontakt z. visch'n der halbleitenden Scheibe und dem Unterteil 12 und dem Deckel 17 zu gewährleisten.
  • Der Vorteil dieser Gehäuseanordnung wird durch eine Erläuterung des zum Zusammenbau der endgültigen Anordnung benutzten Verfahrens klar. Das Unterteil 12 kann durch Ziehen und Fräsen hergestellt werden, ao daß der erhöhte zentrale Fuß 26 mit dem erhöhten Rand 18 und dem zentralen vorstehenden Teil 19 entsteht.
  • Dann wird ein Teilzu ammenbau herg stellt, der aue dem Unterteil 12, der keramischen Scheibe 13 und der Metallscheibe 16 besteht. Diese Teile werden einzeln mechanisch ulld chemisch gereinigt und in der angegebenen Form zusammengesetzt. Die Metall-Kermaik-Verschmelzunjen werd n gebildet, indem dieser Teilzusammenbau auf eine momentane Spitzentemperatur von etwa 19800 0 erhitzt wird und darm schnell in einer indifferenten Atmosphäre, z. B. in Argongas, abgekühlt wird.
  • DcuS Gebiet innerhalb des erhöhten Randes kann durch Vergolden oder durch Aufbringung von Gold mit einer dünnen goldschicht bedeckt werden, um die Kontaktgabe zu erleichtern. Die halbleitende Scheibe 11, die mit der gewünschten inneren Verbindung versehen und mechanisch und chemisch durch bekannte Verfahren gereinigt worden ist, wird auf den Montagefuß 26 niedergelegt. Dies kann durch automatische oder halbautomatische Geräte vorgenommen werden. Bei dieser speziellen Ausführung, bei der die Scheibe 11 eine Seitenlänge von 0, 51 mm hat, beträgt der Durchmesser innerhalb des erhöhten Rands 18 0,81 mm.
  • Damit legt sich die Scheibe, die eine Diagonale von 0, 71 mm hat, selbst in den erhöhten Rand und auf den vorstehenden Teil 19. Die Scheibe 11 kann in eine geneigte Lage kommen, die jedoch korrigiert wird, wenn die endgültige Verbindung des Deckels durchgeführt wird.
  • Nachdem die halbleitende Scheibe 11 auf den Fuß 26 des Unterteils 12 gelegt ist, wird der Deckel 17 auf die Anordnung gebracht. Von dem endgültigen Zusammenbau kann auf die innere Fläche des Deckels eine Goldschicht durch Vergolden oder durch Aufbringen von Gold aufgebracht werden ; in ähnlicher Weise wie bei der Montagefläche des Fußes 26. Es ist notwendig, daß die letzte Herstellungsstufe bei einer Temperatur durchgeführt wird, die nicht oberhalb etwa 33000 liegt, damit keine Diffusion von Gold innerhalb der halbleitenden Scheibe auftritt, welche den inneren Aufbau und die Wirkungsweise der Einrichtung verschlechtern würde. Es ist ferner wünschenswert, daß an den gegenüberliegenden Flächen des halbleitenden Körpers gute niederohmige ohmsche Kontakte vorgesehen werden.
  • Diese Forderungen werden erfüllt, indem der Deckel 17 mit der Metallscheibe 16 bei einem Druck von etwa 42,66kg/m und einer Temperatur zwischen 310 und 32500 verbunden wird und zwar für eine kurze Zeitdauer ; im typischen Fall 30 sec. bis 5 min. Unter diesen Bedingungen und bei Verwendung der angegebenen Materialien wird ein Druck von etwa 14,22 kg/m2 durch den-orstehenden Teil 20 auf den halbleitenden Körper 11 ausgeübt. Dieser Druck und eine niedrige Wärme ergeben eine Thermokompressionsverbindung des Halbleiterkörpcrs sowohl mit dem vorstehenden Teil 19 und dem Unterteil 12 als auch mit dem vorstehenden Teil 20 und dem Deckel 1 Wenn auch bei dieser speziellen Ausführung die endgültige hermetische Verschließung durch das Thermokompressionsverbindungsverfahren durchgeführt wird, können doch zur Verbindung dieser Teile auch andere Verfahren verwendet werden, z. B. elektrische Widerstandsschweißung oder Kaltschweißung. Es ist ferner durch Verwendung einiger dieser Verfahren möglich, eine endgültige Anordnung zu erhalten, bei der die An chlußteile mit der Scheibe nicht tatsächlich verbunden sind, sondern ein niederohmiger Kontakt durch
    den Druck dor Halteteile erreicht wird.
    .,
    Bei der Auswahl des Materials für ; ien Deckel 17 und
    der Ausbildung seiner Gestalt ist es wichtig, für
    eine plastische und nicht eine elastische Verformung des Teils 17 zu sorgen. Um einen im wesentlichen konstanten Kontaktdruck für den Gesamtbereich der Abmessungstoleranzen der Einrichtung sicherzustellen, ist es erwünscht, ein Material zu verwenden, bei dem die elastische Grenze überschritten wird, wenn der Deckel 17 verformt und mit der Scheibe 16 verbunden wird. Dieses Merkmal wird bei Betrachtung der Figuren 3A und 3B leicht verständlich.
  • Fig. 3A ist ein abgeändertes Kraftdiagramm des Deckels.
  • Fig. 3B zeigt die Beziehung zwischen der Belastung (P)
    und der Durchbiegung (/ für einen Deckel bei pla-
    und der Durchbiegung (
    stischer oder elastischer Verformung. Die gestrichelte Kurve A zeigt die Kennlinie für ein Material bei elastischer Verformung. Es ist offensichtlich, daß b. ; i größer werdender Durchbiegung, wie sie durch grBßere Abmessungstoleranzen der Einrichtung dargestellt ist, die Belastung P, welche die an die Scheibe 11 angelegte Kraft ist, sich direkt proportional ändert. Die aufgezogene Kurve B zeigt dagegen die Kennlinie für Nickel oder ähnliche weiche Materialien. Wie durch den horizontalen Teil dieser Kennlinie dargestellt ist, bleibt die Belastung in einem Bezieh der Abmessungen der Einrichtung, der mit Arboitsbereich bezeichnet ist,
    im wesentlichen konstant. Insbesondere läßt ich leicht
    erkennen, daß die Stapelnordnung der Teile des Gehäusezusammenbaus, die vom Standpunkt der autom@tischen Zu-: ammenbauverfahren am vorteilhaftesten ist, beträchtliche Verschiedenheiten in den endgültigen Abmessungen ergeben kann, d. h. es treten Verschiedenheiten in den Abmessungen der einzelnen Elemente auf, nämlich des Unterteils der isolierenden und Deckelteile, wie auch der lötverbindungen. Infolgedessen kann von einem Teilaufbau zum anderen die Abmessung zwischen der oberen Fläche der Metallssheibe 16 und der oberen Flach) der halbleitenden Scheibe 11 verschieden sein. Weiterhin können einzelne Deckel verschiedene Dicke auf@eisen.
  • Trotz dieser Toleranzen in den Abmessungen des Gesamtaufbaus sit de auf die halbleitende Scheibe nach der endgültigen Verbindung ausgeübte Druck im wesentlichen von Einrichtung zu Einrichtung der gleiche und zwar infolge der Zusammensetzung und der Ausbildung des Deckels 17.
  • Typischerweise kann eine Einrichtung mit dem Aufbau der Fig. 2 eine Gesamtausdehnung an der Deckelplatte von 5,08 mm und an dem Unterteil von 3,57 mm-ufweisen.
  • Die Gesamtdicke der Anordnung kann 1,96 mm betragen.
    Unter gewissen Bedingungen können diese Abmessungen
    Unter gewissen Bedino
    durch die Verwendung d, s-rfindungsgemäßen Aufbaus so-
    gar herabgesetzt werden. Bei Betrachtung der obigen
    beispielhaftenWerte läßt sich erkennen, daß autom'-
    tische oder halbautomatische Zusmmenbauvcrfahren, für die diese Anordnung besonders geeignet ist, zur H rstellung einer Einrichtung mit niedrigem Preis wesentlich sind.
  • Diese Einrichtung, die eine antisymmetrissche Anordnung aufweist, eignet @ich gut zum Einbau in Schaltaufbauten, z. B. in Chassis mit gedruckten Schaltungen.
    Wie in Fig. 2 dargestellt ist, befindet sich die Diode
    c) ci
    in einer Paßbohrung in einem Teil eines Chassis 23 mit gedruckter Schaltung. An die Einrichtung können leicht durch gedruckte Verdrahtungsstreifen 24 und 25 Anschlüsse angebracht perlen.

Claims (1)

  1. Schutzansprüche Schutzansprüohe 1.) Hermetisch abgeschlossene Halbleitereinrichtung, cli
    dadurch gekennzeichnet, daß eine keramische isolierende Lochscheibe zwischen zwei metallischen Anschlußteilen liegt und mit diesen einen Hohlraum bildet, und daß ein halbleitender Körper mit wenigstens einer p-n-Verbindung im Hohlraum angeordnet ist und mit den Anschlußteilen infolge des Drucks zwischen den Teilen verbunden ist. ,. t 2.) Hermetisch abgeschlossene Halbleiterdiode
    nach Anspruch 1, bei der eins der Anschlußteile ein Unterteil ist, das einen zentralen Fuß aufweist, der den halbleitenden Körper trägt und die keramische Lochscheibe den Fuß umgibt, wobei der andere Anschlußteil ein Deckel ist, der auf der keramischen Lochscheibe aufgesetzt ist und ein vorstehendes zentrales Gebiet aufweist, das am halbleitenden Körper anliegt. ./ 3.) Hermetisch abgeschlossene Halbleiterdiode nach Anspruh 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem zentralen
    Fuß ein erhöter kreisförmiger Teil umgibt und auf dem Fuß ein zentraler vorstehender Teil vorhanden ict, wobei der vorstehende Teil an dem halbleitenden Körper anliegt, daß ferner eine metallische Lochscheibe mit der keramischen Lochscheibe verschmolzen ist, und daß schließlich der Deckel eine elastische Membrane ist, deren vorstehendes zentrales Gebiet an dorn halbleitenden Körper mit einem Druck anliegt, der unabhängig von der Durchbiegung des Deckels ist, wenn die letztere mit der metallischen Lochscheibe verschmolzen wird. ... 4.) Hermetisch abgeschlossene Halbleiterdiode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die keramische
    Lochscheibe aus Aluminiumoxyd oder Steatit begeh, und daß die Anschlußteile und die metalli : che Loihscheibe aus Nickel bestehen.
DEW17327U 1957-03-01 1957-04-17 Halbleiterdiode. Expired DE1767112U (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US643209A US2897419A (en) 1957-03-01 1957-03-01 Semiconductor diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1767112U true DE1767112U (de) 1958-05-22

Family

ID=24579822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW17327U Expired DE1767112U (de) 1957-03-01 1957-04-17 Halbleiterdiode.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US2897419A (de)
BE (1) BE564064A (de)
CH (1) CH356539A (de)
DE (1) DE1767112U (de)
FR (1) FR1191310A (de)
GB (1) GB881833A (de)
NL (2) NL111799C (de)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3030558A (en) * 1959-02-24 1962-04-17 Fansteel Metallurgical Corp Semiconductor diode assembly and housing therefor
US3018425A (en) * 1959-09-25 1962-01-23 Westinghouse Electric Corp Current rectifier assembly
US3030557A (en) * 1960-11-01 1962-04-17 Gen Telephone & Elect High frequency tunnel diode
NL274434A (de) * 1961-02-06 1900-01-01
BE620118A (de) * 1961-07-14
US3484660A (en) * 1963-09-20 1969-12-16 Gen Electric Sealed electrical device
US3286340A (en) * 1964-02-28 1966-11-22 Philco Corp Fabrication of semiconductor units
US3333324A (en) * 1964-09-28 1967-08-01 Rca Corp Method of manufacturing semiconductor devices
US3514849A (en) * 1964-12-31 1970-06-02 Texas Instruments Inc Method for making a glass-to-metal seal
GB1132847A (en) * 1965-04-27 1968-11-06 Lucas Industries Ltd Full wave rectifier assemblies
US3460002A (en) * 1965-09-29 1969-08-05 Microwave Ass Semiconductor diode construction and mounting
DE1614364C3 (de) * 1966-06-01 1979-04-05 Rca Corp., New York, N.Y. (V.St.A.) Verfahren zur Montage eines Halbleiter-Kristallelementes
US3457472A (en) * 1966-10-10 1969-07-22 Gen Electric Semiconductor devices adapted for pressure mounting
US3686540A (en) * 1970-08-03 1972-08-22 Gen Motors Corp Cold welded-ceramic semiconductor package
US3772764A (en) * 1970-08-03 1973-11-20 Gen Motors Corp Method of making enclosure for a semiconductor device
US3688163A (en) * 1970-08-04 1972-08-29 Gen Motors Corp Cold welded semiconductor package having integral cold welding oil
US3751800A (en) * 1970-08-04 1973-08-14 Gen Motors Corp Method of fabricating a semiconductor enclosure
NL7203094A (de) * 1971-03-11 1972-09-13
US3823468A (en) * 1972-05-26 1974-07-16 N Hascoe Method of fabricating an hermetically sealed container
US4021839A (en) * 1975-10-16 1977-05-03 Rca Corporation Diode package
US4190176A (en) * 1979-01-23 1980-02-26 Semi-Alloys, Inc. Sealing cover unit for a container for a semiconductor device
US4346396A (en) * 1979-03-12 1982-08-24 Western Electric Co., Inc. Electronic device assembly and methods of making same
US4439918A (en) * 1979-03-12 1984-04-03 Western Electric Co., Inc. Methods of packaging an electronic device
US4611238A (en) * 1982-05-05 1986-09-09 Burroughs Corporation Integrated circuit package incorporating low-stress omnidirectional heat sink
CA1209719A (en) * 1982-05-05 1986-08-12 Terrence E. Lewis Low-stress-inducing omnidirectional heat sink
US5347160A (en) * 1992-09-28 1994-09-13 Sundstrand Corporation Power semiconductor integrated circuit package
US6622786B1 (en) 2002-04-17 2003-09-23 International Business Machines Corporation Heat sink structure with pyramidic and base-plate cut-outs

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL94441C (de) * 1951-09-15
US2751528A (en) * 1954-12-01 1956-06-19 Gen Electric Rectifier cell mounting
NL100659C (de) * 1954-12-27

Also Published As

Publication number Publication date
NL225331A (de) 1900-01-01
FR1191310A (fr) 1959-10-19
CH356539A (de) 1961-08-31
US2897419A (en) 1959-07-28
BE564064A (de) 1900-01-01
GB881833A (en) 1961-11-08
NL111799C (de) 1900-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1767112U (de) Halbleiterdiode.
DE10066442B4 (de) Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur
DE10152203B4 (de) Elektrolytkondensator und Herstellung desselben
DE4414729A1 (de) Werkstoff für einen Leitungsrahmen und Leitungsrahmen für Halbleiterbauelemente
DE19709295A1 (de) Halbleiterbaugruppe
DE3913221A1 (de) Halbleiteranordnung
DE10223035A1 (de) Elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul
DE102009039948A1 (de) Temperaturabhängiger Schalter
EP0193127A1 (de) Filmmontierter Schaltkreis und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2644283B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrische!! Bausteins
DE1817434A1 (de) Leitungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1956501A1 (de) Gehaeuse fuer integrierte Halbleiter-Schaltungen
DE1696069A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer zusammengesetzten Glas-Metall-Abdichtung und gemaess dem Verfahren hergestellter Artikel
DE3243689C2 (de)
DE2037630A1 (de) Elektrisches Verbindungstell und Ver fahren zur Herstellung solcher Verbindungs teile, insbesondere fur Mikroschahungen
DE2252833A1 (de) Zusammengesetzte halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE2318736A1 (de) Verfahren zum abdichten von umhuellungen fuer elektrische teile
DE3740773A1 (de) Verfahren zum herstellen elektrisch leitender verbindungen
AT203550B (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2249209A1 (de) Leiterrahmen zur verwendung in gehaeusen fuer halbleiterbauelemente
DE1816199A1 (de) Verfahren zur Befestigung von Anschlussleitern an einem Halbleiterbauelement
DE69315533T2 (de) Elektrische Verbinder
DE102007020290A1 (de) Gehäuse für elektrische Bauelemente und Verfahren zur Herstellung
DE69611596T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für elektronischen Bauteil
DE2513859C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks