DE1765914A1 - Negative Temperaturkoeffizient-Widerstaende in Form duenner Schichten und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents
Negative Temperaturkoeffizient-Widerstaende in Form duenner Schichten und Verfahren zur Herstellung derselbenInfo
- Publication number
- DE1765914A1 DE1765914A1 DE19681765914 DE1765914A DE1765914A1 DE 1765914 A1 DE1765914 A1 DE 1765914A1 DE 19681765914 DE19681765914 DE 19681765914 DE 1765914 A DE1765914 A DE 1765914A DE 1765914 A1 DE1765914 A1 DE 1765914A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cathode
- resistance
- layer
- aluminum
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/041—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49085—Thermally variable
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
mi. 2766
Patentes nwalf
Anmelder: N. V. Pfl.ü.-j1 üLOEiLAMPENFABRIEKEN
Akt3: PHlT- 2766
Akt3: PHlT- 2766
Anmeldung vom« 5 . Aug. 1968
"Negative Temperaturkoeffizient-Widerstände in For« dunner
Schichten und Verfahren zur Herstellung derselben,11
Es ist bekannt) dass unter den sogenannten passiven, elektronischen Einzelteilen die WiierstSnde mit negativem oder positivem
Temperaturkoeffizienten hohen Wertes eine besondere Stelle zwischen aktiven und passiven Elementen einnehmen, Im Zusammenhang mit Änderungen
der Uragebungstemperatur oder vieiraehr mit Snderungen ihrer eignen Temperatur
in Abhängigkeit von der Umgebungstemperatur und mit der auftretenden
Wärmediesipation sind Widerstand· mit hohem Temperaturkoeffizienten
bei» Detektieren der Temperaturänderung bestrebt, DtrSme oder Spannungen
su stabilisieren oder diese als Funktion der Zeit in bestimmten Sinne au ändern.
Widerstände mit negativem Temperaturkoeffizienten, kur»
HTC-Wideret in de genannt, wurden bisher durch Techniken hergestellt,
1098^4/0429
BAD ORIGINAL
-2- HOI. 2?66
die aus der speziellen Keraaikhersteilung bekannt sind« Der erwttneohte
negative Temperaturkoeffizient wurde la allgemeinen daduroh erhalten,
dass halbleitende Oxyde verwendet wurden, deren spezifischer Widerstand
mit der Temperatur abnimmt, Von den vielen sua Brsielen von NTC-Viderständen verwendeten Bestandteilen seien beispielsweise erwihnti
a) feste Lösungen von Fe.>0. 1^4 Materialien alt Spinellstruktux wie
Zr2TiO. und MgCr3O.,
b) feste Lösungen von Fe2O., Mn2O-, 1^1* RlO9
o) feste Lösungen von ?·20, und TiO29
d) feste Lösungen von ITiO und/oder CoO alt kleinen Zusltsen von Li2O,
Die verwendeten Rohstoff· «erden sehr fein gemahlen und innig unter Zusats eines Bindemittels sua Erleichtern des Kahlvorgangs
oder zum Extrudieren des erhaltenen Breis veralsoht»
ITaoh. Trocknen werden di· gefomten oder extrudierten Körper
bei hoher Temperatur gesintert, ua die verwendeten Oxyde garne oder teilweise ineinander zu Ibsen* Me erforderliohen elektrischen Kontakte
werden darauf mittels örtlicher Verkleidungen, s«B, alt einea Silber—
oxydbrei angebracht, der durch Erhltsung auf hinrelohend hone Temperatur
reduziert wird·
Die so erhaltenen NTC-Widerstlnde eignen sich sua Einbau
und zur Durchführung von Teohniken ents-preohend denen der bekannten
Widerstände in Form von Körpern oder Schichten, aber sie eignen sieh
nicht zur Integration in Miniatursohaltungen, die aus dtktnen Schichten
bestehen, in denen die anderen passiven Eleaente wie Widerstand· und
Kondensatoren durch dünne, nacheinander auf elnea geeigneten Substrat
arg^br^ohte Sohiohten gebildet werden«
17659U
-3- PHH, 2766
ohn* gross« Verengerung den TemperaturSnderungen des unterliegenden
KBrpers su folgen, wenn sie «um Ausgleichen der TemperaturHnderungen
der Vorrichtung dienen in der sie benutzt «erden.
Die vorliegende Erfindung verringert die Nachteile der bekennten Wideretltede und ermöglicht NTC-WiderstSnde in Form von dünnen
Sohiohten auf eine» Substrat anzubringen das ferner mit Teilen »ehr
oder veniger hoher Leitfähigkeit sur gegenseitigen Verbindung! mit
Widerständen ohne Temperaturkoeffisienten und Elektroden fester Kondensatoren versehen «erden kann.
Die NTC-WiderstSnde in Form dünner Schiohten werden dadurch
gekenn«eiohnet, dass die duroh eine dünne Silioiumnitridsohioht mit
ei&er Verunreinigung,wodurch die dielektrischen Eigenschaften ver-•ohwinden und die Sohicht halbleitend wird, gebildet werden. Kaoh einem
weiteren Merkmal der Erfindung wird die Silioiuanitridsohioht duroh
!««aktive KathodenaerstEubung erhalten, während das Dotierungselement
duroh Aluminium gebildet wird.
Di« NTC- Widerstände nach der Erfindung lassen sich auf
Isolierenden Unterlagen verschiedener Art wie Glas, Glimmer, keramisohem
und im allgemeinen auf Isoliermaterial anbringen, das in einem
von 10"** T«rr bei einer Temperatur von etwa 100° C kein« hinderliohe Oas«ntwi«kluog aufweist.
Auas«T de* Technik sum Anbringen der dttnnen Schicht werden
d&t H«retell«»iet«ohniken von Mikrosohaltungen in dünnen Schiohten für
dt·«· Her«t«llvne benutzt, d.h. Maskierung, lltsung, etwaige Justierung,
Jlctivi«rung und Oberfllohenabsohirmung.
Der negative Temperaturkoeffizient der angebrachten Schicht
von der Verunreinigungskonsentration der Schicht ab, die innerhalb
. 109844/CU 2 9
-4- PHK. 2766
sehr weiter Qrenzen veränderlich ist« Da duroh dl· Wider· tand· verringerung
▼on 1 % pro Grad Ceieius diese Widerstände !■ Hinbliok auf ihr« Anwendung
interessant sind, kann ein Bereich von Temperaturkoeffi*ienten von -1 %
bis -8 $ pro Orad Celsius eraielt werden.
Der spezifische Widerstand der angebrachten Sohioht, der
gewöhnlich in Oha pro Quadrat ausgedrückt wird und alt de« Symbol R ρ
beseichnet wird, hangt sowohl von der Verunreinigung*kon««otration al·
auch von der Schiohtdioke ab. Ein Wideret and in Oha pro Quadrat einer
Sohioht ist bekanntlich der konstante Widerstand In d«r Ubtgsriohtung
einer homogenen Schicht bei· Stroadurohgang dureh einen quadratischen
Schichtenteil beliebiger Länge der von des Qbrigen Sohiohtenteil getrennten Seite, wobei auf swel einander gegenüber liegenden Selten de·
Quadrats eine Kontaktelektrode vorgesehen ist, so dass alt dl···· Quadrat
der Schicht Ohm1 β ehe Kontakte mit vernaohltseigea* niedrig··! Siganviaerstand erhalten werden.
Ba innerhalb bestimmter dr«unwi die Dloke der tnsetaraohtwi
Schicht regelbar ist, lassen sich der epeiifieohe Widerstand und der
negative Temperaturkoeffizient der Sohioht in bestia»te« KtWM frei
wählen.
Hit Rüoksioht auf die epe«ifisohen Kathodemetettubungsmeohanismen wird lediglioh Aluminium als Dotierungeeleeent fttr da«
Siliciumnitrid verwendet.
Der duroh eine hohe Dotierung erhaltene spviifitMh· Widerstand wird von verh<nlsmftssig niedrigen negativen
sienten begleitet· ' ' 7" · ''■*'&, · .'' '
'■"■■■ .■■■-■■ v c
'
.■■
1 . , - ■"■-'ι f
"OÄIQH^L INSPECTED
109844/0A29 \
PHN. 2766
Sehiahten ait einer Mittleren Dioke als Funktion des spezifischen Widerstandes pro Quadrat sind weiter unten angegeben!
| E | O | 100 | Q | 1 | KQ | 10 KD | 1 | 00 κς | 1 | MQ | 10 MC | 100 MQ |
| N.T. | C | |||||||||||
| 0,3 | 1 | 3 | 10 | 25 | 50 | 100 | ||||||
| pro | Grad |
109844/0479
17659U
-6- PBf, 2766
Die Dotierung wird experimentell eingestellt, was dadurch
ermöglicht wird, dass diese in veeentliohen 4Um Wideretand pro Quadrat
bedingt. Die Minimal» und Maxiraaldioke der effektiv veWendeten Schichten
ändern sioh praktisoh nur in einem Verhältnis im nieht mehr als 1 ι 5·
/ ■■■„■■
Die Üblichen Anwendungen der NTC-Widerstand· gelten auch
für die Widerstände naoh der Erfindung und durch ihre Eisender« Struktur
bringen sie besondere Vorteile mit eich s.B, die Möglichkeit des Einbaue
in einer Mikroschaltung dünner Schichten, die HSgllohkeit de· Anbringen·
auf der HUIe eine· elektronischen Sinselteilcs (Transistor, thermisch
kompensierter Quaraossillator) der theralsoh stabilisiert «erden soll*
Wichtig let auoh die MSgliohkeit, den Tesperatursehwsnfcungen de» Substrats
ohne erhebeliohe themieohe VeriSgerung su folgen·
Die Erfindung wird nachstehend an Hand beillegender Zeichnung
näher erltutert«
Die Pig. IA und IB sind Draufsiebten auf einen Teil der
Oberfläche eines Substrats, auf de» ein HTC-Widefatand naeh am* Erfindung
und die »ugehörenden Verbindungaeleeenten angebrsjftht sied·
Fig. 2 ist teilweise ein« Ansieht und teilweise ein Schnitt
einer AuefÜhrungsfo» eine« Vorrichtung St* Benrfcllen dlf Widerstlnde
naoh der Erfindung durch reaktive Kathodeae#r#tiMb«ig* \
Die Fig. 3 und 4 sind insioht wft s«ei Tersohiedenen Auefth·
runfjsformen der aktiven Oberflgohe von Kathoden, die sieh IUT ferwenduÄf
in der Vorrichtung naoh Fig. 2,eignen·
FIg, 3 aeigt eine Kurv« dor BetiM«Bg;t«^ohen de« Widerstand
eines Quadrats der Schioht und de· rremperaturkoeffi*ienten des Wideret
bei. eij.^r konstanten Sohiohtdicke.
09844/0*2 9 «öwal inspected
17659U
-7- PIß'. 2766
Substrats durch ein Quadrat 11 begrenzt, das durch gestrichelte Linien
angedeutet ist« Innerhalb des Elementes 10 wird nach geeigneter Abschirmung die Silioiumnitridschicht mit der Dotierung z.B, in quadratischer Fora derart angebracht, dass die Oberfläche 12 bei diesen Abaessungen und der vorgesehenen Dotierung und bei der vorliegenden Dicke
' einen Widerstand aufweist, der niedriger ist als der endgültig erwünschte
Widerstand, Haoh der Feststellung des Widerstandes eines als Muster
dienenden Quadrate der Schicht wird die Verringerung der nützlichen Dicke
der Schicht "bestimmt; diese Verringerung kann durch Ätzen mittels einer
PhotomaekierungBBohicht oder durch Kikrosandstrahlen der Ränder der
Sohicht in der Längsrichtung der quadratischen Oberfläche 12 durchgeführt werden.
Die effektive Breite des Widerstandsstreifens wird nach dieser Eichung durch die gestrichelte Linien 13 angedeutet«
Darauf wird im Vakuum eine sehr dünne Hetallschicht aufgedampft, die gut an dem Siliciumnitrid und dem Substrat haftet« Zu diesem
•in· geeignete Maskierung angebracht werden kann«
Darauf kann auf der Nickel«Chromsohicht z.B. eine Goldsohicht angebracht
ϊ, us den elektrischen Widerstand der so erhaltenen Verbindungen zu
1· Di·«· Ooldsohlcht kann mittels der gleichen Maskierung nieder-0«iHdtlag«n werft·»ι die zum Anbringen der Nickel-Chrom Schicht verwendet
ii* tilt» We «raal-Urten Verbindungen, die gleichseitig die Kontakte mit dem
. dotierten Siliciumnitrid bilden, sind bei 14 und 15 in Fig« IB angedeutet.
Die Vorrichtung nach Yig, Z enthält einen luftdichten Raum
20, In d«m dtiroh reaktive Kathodenzerstäubung eine aluminium-dotierte
BAD ORiGlNAU
-8- PHN, 2766
Siliciuwiitridschicht auf einem Substrat angebracht werden kann»
Der luftdichte Raum 20 wird durch eine Seitenwand 21 auf
einem Fuse 22 gebildet, der mit Mitteln zum Verbinden des Raums 20 mit
einer nicht dargestellten Hochvakuumpumpe versehen ist. Auf der Oberseite
wird der Raum 20 durch eine Metallplatte 23 geschlossen und die Seitenwand 21 ist mit Penstern mit einer durchsichtigen Scheibe 24 geeigneter
Dicke versehen. Die Fenster sind derart eingerichtet, dass sie sich hinreichend schnell und bequem öffnen und sohlieseen lassen. Die
elektrischen Entladungen zwischen den Elektroden im Raum 20 im verdünnten Gas können durch die Fenster 24 beobachtet werden und nach den
Offnen können die Fenster zum Einfuhren der Substrate in die Vorrichtung
und zum Herausnehmen nach dem Anbringen der Siliciumnitridsohiohten verwendet werden. Einfachheitshalber sind die luftdichten Verschlösse zwischen
den verschiedenen Teilen des Räume 20 und die Montagemittel für diese Teile nicht dargestellt.
Die obere Platte 23 ist mit einem Rohr 25 versehen, durch
welches das Gasgemisch in den Raum 20 zur Bildung der verdummten Gas—
atmosphäre für die reaktive Kathodenzerstäubung eingeführt werden kann·
In diesen Ausführungsformen werden die Mittel zu» Verbinden des Rauns
mit der nicht dargestellten Hochvakuumpumpe durch zwei Rohre 26 gebildet,
die in einen Fangraum 27 ausmünden, der mit der IIoohvakuuBpumpe duroh
nicht dargestellte Hegelklappen für die Pumpt^schwindigkeit in Verbindung
steht.
Die beispielsweise dargestellte Vorrichtung enthält eine Kathode 28 mit einer zusammenceeetaten, aktiven Oberfläche 29. Die
Kathode 2d wird von ein-.:m Schutzring 30 umgeben, der direkt an der
Platte 23 befectirt ur:d comit mit Marse verbunden ist. Die Kathode 28
1098U/(H?9 BAD ORIGINAL
17659H
-9- HET. 2766
ist an der Platte 23 durch ein Paar isolierender Glieder 31 und 32 ■befestigt»
cLie z,3» aus keramischem Material mit einem hohen Gehalt an Aluminium-Oxyd
bestehen. Die Kathode 28 ist mit einem Befestigungsstift 33 verhältnismassig
grosser Länge versehen, dessen oberer Teil 33a mit Gewinde versehen ist, um die Kontage mittels einer Mutter oder eines mit Gewinde
versehenen Rings 35 und einer Unterlegscheibe 36 zu erleichtern. Das
Ganae wird durch zwei Verbindungen 37 und 38 luftdicht verschlossen.
Die Kathode 23 hat ein inneres Flüssigkeitsuinlaufsystem zur Abkühlung
dieser Slektrode. Die Kühlflüssigkeit wird durch Kanäle 39 und 40 au-
und abgeführt, die an dem oberen Teil des Befestigungsstiftes 33 angebracht
sind.
Der untere Teil des Elektrodensystems wird durch eine drehbare Anode 4I auf einer Achse 42 gebildet, die am unteren Aussenende
mit einem Treibritzel 43 versehen ist« Die Achse 42 ist in einer Führung
44 drehbar, die ein Lager und eine luftdichte Durchführung bildet, wobei die luftdichte Packung durch zwei Verbindungsglieder 45 und. 46 erhalten
wird« Die H$he der Anode 4I und der Abstand zwisohen der Kathode 2δ und
der Anode 4I lassen sich durch einen Stossring 47 einstellen, der auf
der Achse 42 angebracht ist. Die Elemente, auf denen die aluminium—
dotierten. Silicium!tridechiohten angebracht werden, werden durch Substrate 48 gebildet, die teilweise durch die Konfigurationen der die
Schichten bestimmenden Masken abgedeckt werden. Aussere, nicht dargestellte
mechanisch· Mittel, die mit dem Ritzel 43 In Verbindung stehen,
dienen zum Drehen der Anode 4I am Anfang de» Niedersohlagens des Silicium«»
nitride auf den auf der Anode ruhenden. Substraten.
Bei Kathodenzerstäubung wurde bisher Aluminium wie eines der
»eltenen Metalle betrachtet, das keine besondere Kathodezerstäubunge-
17859U
-10- HJH. 2766
wirkung bei der Diodenkonfiguration unter Betriebsverhlltnissen,&rgab,
die denen des vorliegenden Beispiels entsprechen, v&hrend normaler Bat·?-
ladungen, d.h. bei einer Kombination von Druok, Elektrodenabständen und
Stromdichten in der Weise, dass der Raum zwisohen den Elektroden,
wo.die Entladung erfolgt, annähernd die Halfte des Raues «wischen Kathode
und Anode betragt»
Erfindung geführt haben, haben gezeigt, dass diese eiperiaentelle Feststellung nur in erster Annäherung richtig ist und dass tatsächlich Aluminius
sich leicht und in hinreichendem Masse zerstäuben lasst, vm in einstellbarer Weise eine iSiliciuanitridschicht zu dotieren, die durch reaktive
Kathodenzerstäubung erhalten ist, wobei der Dotierungeprozentsat« in
Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen der Alueiniueoberflache und der
durch Zerstäubung erhaltenen SiliciunoberflSohe sich Ändert.
Die Fig. 3 und 4 zeigen zwei mögliche AusfQhrungsforaen der
zusammengesetzten aktiven Oberfläche 29 der Kathode 28 der Fig* 2. Di«
Ausftthrungsform nach Fig· 3 liefert ein konstantes Verhältnis «wischen
der Aluniniumoberflache und der Silioiumoberflaohe und die Aueführung·-
form naoh Fig* 4 ermöglicht eine Snderung dieses Verhältnisses.
Lach Fig. 3 wird die den Innern jedes Quadrat· «.B. 51 entsprechende Oberfläche durch Silicium gebildet, wfthrend die vertikalen
und horizontalen, ein regelaäsaiges Netzwerk bildenden Linien 52 ein··
Aluainiuanetzwerk mit quadratischen Maschen bilden, da« von eines
Aluminiunring 53 abgestützt wird, der die Kathode 28 «seiet· Der Ab-Bohirmring 30 verhütet, dass der Ring 53 des Hinfluee de» Bstla&uag
«wischen Kathode und Anode ausgesetzt wird. Da» Verhlltnl« »wieohen der
aktiven Aluminiumoberfllohe und der aktiven bilioiueoberflaohe Kittet
109844/0429
17659H
- a -11- PIDi. 2766
von dem Verhältnis zwischen dem Durchmesser der verwendeten Alurainiumdrähte
und dem Stich der !laschen des lietzwerkes ab. Diesee Verhältnis
kann durch änderung eines der Faktoren oder beider ?aktoren eingestellt werden.
Die Silicitanoberfläche kann aus einer poly- oder monokristallinischen
Siliciumplatte oder auch aus aufeinander angebrachten gesonderten Platten bestehen? sechseckige Platten am; einem nahezu runden
Stab ermöglichen, die Sonderplatten bequem zu stapeln.
In Pig. 4 ist cLie Siliciumoberflache der Kathode in Form
einer bestimmten in.:ahl gleicher Kreissektoren 61 dargestellt, zwischen denen Kreissektoren 62 und o3 aus Aluminium angeordnet sind, Die Sektoren
62 £;ind nicht ganz sichtbar, da sie teilweise durch die Sektoren 63 abgedeckt
werdenj die Ifinkel in der Mitte der Sektoren 62 und 63 sind einander
gleich. Die Sektoren 62 sind auf der Aussenseite nit einem King 64 verbunden,
der den körper der 'kathode 28 umgibt und die Sektoren 63 Bind
mit einem Hing 65 verbunden, der mit leichter Reibung um den Hing 64
drehbar ist,
Durch Winkelverdrehung des Ringes 65 in bezug auf den Hing
64 kann die zur Zerat&ütrung notwendige Aluminiuraoberfläche verdoppelt
werien und in gleicher Weise kann der Docierungsprozentsatz der Siliciumnitridschicht
verdoppelt werien. Es ist besonders vorteilhaft, wenn lie
susamnongesetzte aktive Oberfläche 29 der !Cathode nach Pig, 4 ausgebildet
wird. Die Anode 4I kann man während des Aufdampfvorgangs drehen lassen,
so dace eine gute Gleichmäscigkeit der Eigenschaften der auf den verschiedenen Substraten angebrachten Schichten erhalten wird.
3eim Prüfen der Eigenschaften der angebrachten Schichten u-ind
Verhältnisse zwischen «lor Cilicimnoberfläcl.e und 'Ur Aluniniunobei'i'läche
109844/(U?9 BAD ORIGINAL
M 659 H
-12- FHN. 2766
von Ι/Ίο und l/l verwendet.
Das durch, den Kanal 25 in den Raum 20 eingeführte Gasgemisch,
"besteht vorzugsweise aus Argon mit einem Zusatz von 7,5 Volumenprozent
Stickstoff. Dieses Gemisch gelangt in den kreisförmigen Raun 49, eo
dass das Gas homogen um die Kathode 28 verteilt wird»
Die beispielsweise dargestellte Vorrichtung lässt sich auf verschiedene Weise abändern z.B. durch Anwendung einer Kathode mit
einem kleineren Durchmesser als die Anode, wobei die Achse der Anode in bezug auf die Kathode verschoben und die Anode gesondert drehbar ist,
um einen gleichm&ssigen Niederschlag auf der ganzen Oberfläche zu erzielen.
Eine entfernbare Maske ermöglicht, die Kathode für die Zerstäubung durch eine Vorentladung in reinem Argon vorzubereiten) in
welchem Falle die Anode abgeschirmt wird.
Ss ist auch möglich, den Widerstand der dotierten Siliciuianitridschicht
dadurch zu regeln, dass die Achse 42 mit einem isolierten
Ring zwischen dem Ring 47 und dem Körper der Anode 4I versehen wird.
Es wird eine Frobeplatte auf der Anode angebraoht, wobei eines der
Kontaktorgane mit Kasse und dae andere mit dem isolierten Ring mittela
eines durch Isolierperlen geführten Drahts verbunden wird. Eine Anzapfung
mit isoliertem Ausgang der Leitung 44 dient zum !!essen des Widerstandes
der JTobefläche, wodurch die Dicke der Schicht in Abhängigkeit von dem
iiiderstand von Beendif-ung der Behandlung und vor der Neuverbindung des
Raums mit der Umgebung genau eingestellt werden kann.
Wie bereits bemerkt sind bei einer bestimmten Sohichtdicke der Widerstand pro Quadrat der angebrachten Schicht und der Temperatur—
koeffieient voneinander abhängig, so dass die Möglichkeit der Änderung
BAD ORIGINAL 109844/0479
17659H
-13- Rflf. dl66
der Schichtdicke zum Beschränken dieser gegenseitigen Abhängigkeit beitragen
kann,
i^iu· 5 zeigt logarithmisch ein Beispiel einer Kurve, die
bei einer konstanten Schichtdicke die Beziehung zwischen dem Widerstand
pro Quadrat der angebrachten Schicht und dem negativen Temperaturkoeffizienten
derselben andeutet; als Abszisse sind die .ierte des Widerstands
pro Quadrat und als Ordinate sind die '.ierte des negativen Temperaturkoeffizienten
in 1/1000° C aufgetragen.
Selbstverständlich lassen sich die vorstehend beschriebenen
Ausftihrungsformen durch Anwendung anderer äquivalenter technischer Mittel
innerhalb des liahmens der Erfindung abändern.
Γ 1098A4/n4?9
Claims (7)
1. Widerstand mit negative« Teeperaturkoeffizienten in Pona einer
dünnen Schicht auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, dass der
Widerstand aus Siliciumnitrid mit einer Dotierung eines lementes (Verunreinigung),
das die dielektrischen Eigenschaften des Siliciumnitrid behebt und dieses halbleitend macht, besteht·
<:.
Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das:
Dotierungselement Aluminium ist.
3t Verfahren zur Herstellung des Wideretandes nach Ansprüchen
1 und 2 dadurch gekennzeichnet, dass in einer verdünnten Stickstoff enthaltenden
Gasatmosphäre eine Schicht auf einen in erwünschter Weis·
maskierten Substrat auf einer Anode durch kathodenzerstäubung von einer
Kathode her angebracht wird, die Silicium und ein Dotierungsmetall enthalt.
4. Verfahren nach Anspruch 3 dadurch gekennzeichnet, dass die
Kathode auf der der Anode zugewandten Oberfläche mit von Aluminium umgebenen SiliciumflSchen versehen ist.
5. Verfahren nach Ansprüchen 3 und 4 dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der Aluminiumschichten auf der Kathode veränderlich
ist.
6. Verfahren nach Ansprüchen 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand einer ProbeflSohe auf dem Substrat wahrend der
Kathodenzerstäubung gemessen wird.
7. Elektrisches Element mit mindestens einem Widerstand, der aus einer Siliciumnitridschicht mit einer Verunreinigung, die diese Sohioht
leitend macht, besteht,
BAD ORiCiINAL 109844/0429
fs
Lee rseite
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR117409A FR1543297A (fr) | 1967-08-09 | 1967-08-09 | Résistances en couche mince à coefficient de température négatif et leur procédé de fabrication |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1765914A1 true DE1765914A1 (de) | 1971-10-28 |
Family
ID=8636643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19681765914 Pending DE1765914A1 (de) | 1967-08-09 | 1968-08-06 | Negative Temperaturkoeffizient-Widerstaende in Form duenner Schichten und Verfahren zur Herstellung derselben |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3622901A (de) |
| AT (1) | AT283512B (de) |
| BE (1) | BE719309A (de) |
| DE (1) | DE1765914A1 (de) |
| FR (1) | FR1543297A (de) |
| GB (1) | GB1212114A (de) |
| NL (1) | NL6811250A (de) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4276535A (en) * | 1977-08-23 | 1981-06-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermistor |
| US4392992A (en) * | 1981-06-30 | 1983-07-12 | Motorola, Inc. | Chromium-silicon-nitrogen resistor material |
| US4510178A (en) * | 1981-06-30 | 1985-04-09 | Motorola, Inc. | Thin film resistor material and method |
| US4531110A (en) * | 1981-09-14 | 1985-07-23 | At&T Bell Laboratories | Negative temperature coefficient thermistors |
| US4614024A (en) * | 1981-11-02 | 1986-09-30 | Xco International, Inc. | Method of manufacturing heat sensitive cable |
| US4491822A (en) * | 1981-11-02 | 1985-01-01 | Xco International, Inc. | Heat sensitive cable |
| US4540972A (en) * | 1981-11-02 | 1985-09-10 | Xco International, Inc. | Heat sensitive cable |
| US4647710A (en) * | 1982-02-26 | 1987-03-03 | Xco International, Inc. | Heat sensitive cable and method of making same |
| US4638107A (en) * | 1983-10-14 | 1987-01-20 | Xco International, Inc. | Heat sensitive tape and method of making same |
| FR2571538A1 (fr) * | 1984-10-09 | 1986-04-11 | Thomson Csf | Procede de realisation de resistance en couche mince, et resistance obtenue par ce procede |
| JPS62245602A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-26 | 鐘淵化学工業株式会社 | 温度検出器 |
| DE3709201A1 (de) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Bosch Gmbh Robert | Waermestrahlungssensor |
| CN1127750C (zh) * | 1996-12-27 | 2003-11-12 | 佳能株式会社 | 减少电荷的薄膜,图象形成装置及其制造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2860219A (en) * | 1954-09-07 | 1958-11-11 | Gen Electric | Silicon current controlling devices |
| US3395089A (en) * | 1964-12-14 | 1968-07-30 | Bell Telephone Labor Inc | Method of depositing films of controlled specific resistivity and temperature coefficient of resistance using cathode sputtering |
| US3435399A (en) * | 1966-04-19 | 1969-03-25 | Gen Electric | Thermistor device and method of producing said device |
| US3472074A (en) * | 1966-12-29 | 1969-10-14 | Ibm | Maximum thermometer for surface temperature measurements |
-
1967
- 1967-08-09 FR FR117409A patent/FR1543297A/fr not_active Expired
-
1968
- 1968-08-06 US US117409A patent/US3622901A/en not_active Expired - Lifetime
- 1968-08-06 GB GB37463/68A patent/GB1212114A/en not_active Expired
- 1968-08-06 DE DE19681765914 patent/DE1765914A1/de active Pending
- 1968-08-07 AT AT770468A patent/AT283512B/de not_active IP Right Cessation
- 1968-08-08 NL NL6811250A patent/NL6811250A/xx unknown
- 1968-08-09 BE BE719309D patent/BE719309A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BE719309A (de) | 1969-02-10 |
| FR1543297A (fr) | 1968-10-25 |
| NL6811250A (de) | 1969-02-11 |
| US3622901A (en) | 1971-11-23 |
| GB1212114A (en) | 1970-11-11 |
| AT283512B (de) | 1970-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1765914A1 (de) | Negative Temperaturkoeffizient-Widerstaende in Form duenner Schichten und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE2823904C2 (de) | Dichtungsglas des Systems B&darr;2&darr;0&darr;3&darr;-Pb0-Bi&darr;2&darr;0&darr;3&darr; sowie Si0&darr;2&darr; und/oder Al&darr;2&darr;0&darr;3&darr;, insbesondere für Flüssigkristallanzeigen bei Verwendung von handelsüblichen Na&darr;2&darr;0-Ca0-Si0&darr;2&darr;-Gläsern | |
| DE2536363B2 (de) | Dünnschicht-Feldelektronenemissionsquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE102011051845B3 (de) | Messwiderstand mit Schutzrahmen | |
| CH678579A5 (de) | ||
| EP0043001B1 (de) | Feuchtigkeitsfühler und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE3785946T2 (de) | Halbleiterbauelement aus positiver keramik. | |
| DE2817258A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer isolierschicht-feldeffekttransistorstruktur | |
| DE2627441C2 (de) | Fühler zur Feststellung von kondensierter Feuchtigkeit | |
| EP0002703B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von dünnen metallisch leitenden Streifen auf Halbleitersubstraten und damit hergestellte metallisch leitende Streifen | |
| DE2029013A1 (de) | Vorrichtung zum Aussprühen von Material aus einem Substrat durch Ionenbeschuß | |
| DE69630556T2 (de) | Halbleiteranordnung und Verdrahtungsverfahren | |
| DE1640524A1 (de) | Elektrischer Widerstand | |
| EP0207486B1 (de) | Integrierte MOS-Transistoren enthaltende Schaltung mit einer aus einem Metall oder Metallsilizid der Elemente Tantal oder Niob bestehenden Gatemetallisierung sowie Verfahren zur Herstellung dieser Gatemetallisierung | |
| DE19951595A1 (de) | Massenflusssensor mit verbesserter Membranstabilität und einstellbarer Wärmeleitfähigkeit der Membran | |
| DE69422559T2 (de) | Ohmische Elektrode und Verfahren für ihre Herstellung | |
| DE3112739C2 (de) | ||
| DE102005040055A1 (de) | Feuchtigkeitssensor | |
| DE10061689A1 (de) | Kondensator | |
| DE1765003B2 (de) | Verfahren zum herstellen von bezueglich des rauschens und des uebergangswiderstandes verbesserten integrierten duennfilmschaltungen | |
| DE69829631T2 (de) | Abdichtungsanordnung einer Röhrenlampe | |
| DE2230252A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines supraleiters und anwendung des verfahrens | |
| DE3922989A1 (de) | Abgassensor und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE1514072B2 (de) | Ohmsche Kontaktierung für Halbleiterbauelemente | |
| DE2743641A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von amorphen halbleitervorrichtungen |