DE1665275A1 - Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten zur Verwendung bei hohen Temperaturen - Google Patents

Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten zur Verwendung bei hohen Temperaturen

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DE1665275A1
DE1665275A1 DE19681665275 DE1665275A DE1665275A1 DE 1665275 A1 DE1665275 A1 DE 1665275A1 DE 19681665275 DE19681665275 DE 19681665275 DE 1665275 A DE1665275 A DE 1665275A DE 1665275 A1 DE1665275 A1 DE 1665275A1
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DE
Germany
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silicon carbide
resistor
resistance
temperature coefficient
negative temperature
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DE19681665275
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German (de)
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Inventor
Gerrit Bosch
Knippenberg Wilhelm Franciscus
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
    • H01C7/048—Carbon or carbides

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3038375A1 (de) * 1979-10-11 1981-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Verfahren zur herstellung eines karbid-duennschicht-thermistors
DE3216045A1 (de) * 1981-04-30 1982-12-30 Hitachi, Ltd., Tokyo Hochtemperaturthermistor

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3038375A1 (de) * 1979-10-11 1981-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka Verfahren zur herstellung eines karbid-duennschicht-thermistors
DE3216045A1 (de) * 1981-04-30 1982-12-30 Hitachi, Ltd., Tokyo Hochtemperaturthermistor

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