DE165971T1 - Verfahren zum herstellen eines bipolartransistors. - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines bipolartransistors.

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DE165971T1
DE165971T1 DE1985900368 DE85900368T DE165971T1 DE 165971 T1 DE165971 T1 DE 165971T1 DE 1985900368 DE1985900368 DE 1985900368 DE 85900368 T DE85900368 T DE 85900368T DE 165971 T1 DE165971 T1 DE 165971T1
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silicon
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thermal
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Application number
DE1985900368
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English (en)
Inventor
Joseph George Fort Collins Co 80523 Collins
Andrew Paul Fort Collins Co 80525 Sullivan
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NCR Voyix Corp
Original Assignee
NCR Corp
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  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Claims (10)

  1. EP Nr. 85900368.3
    PCT Nr. PCT/US84/01982
    Patentansprüche
    Verfahren zum Herstellen eines bipolaren npn-Flächentransistor mit den Schritten: Anordnen eines Halbleitersubstrats (10) mit einem Einkristal1-Si1izium-n-Typ-KoI lektorbereich (13) darin, Ablagern zur Überlagerung des Kollektorbereichs (13) einer Schicht aus polykristallinen oder amorphen Silizium (19) und Wärmebehandeln des abgelagerten Siliziums,
    gekennzeichnet durch,
    die Schritte: Ablagern des polykristallinen oder amorphen Siliziums, während das gerade abgelagerte Silizium mit Bor in-situ dotiert wird; thermische Wärmebehandlung des abgelagerten Siliziums (19) für ein Rekristal1isienen des über den Kollektorbereich (13) abgelagerten Siliziums zu einem epitaxialen einkristallinen Basisbereich (11); Anordnen von n-dotiertem polykristallinen Silizium, um einen Emitterbreich (51) über dem Basisbereich (11) zu bilden;und Bewirken eines thermischen Pulsiervorgangs, um die Konzentration von aktiven Donatoren in dem Emitterbereich (51) zu erhöhen.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß nach dem Schritt der thermischen Wärmebehandlung der Schritt Implantieren von Borionen in einen Teil des abgelagerten Siliziums (19) durchgeführt wird, um einen Basiskontaktbereich (37) für den Basisbereich (11) zu bilden,und daß der thermische Pulsiervorgang zusätzlich dahingehend wirksam ist, daß der Basiskontaktbereich (37) wärmebehandelt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die thermische Wärmebehandlung durchgefüht wird durch thermisches Pulsieren bei einem Temperaturbereich von annähernd 7000C bis 12000C für weniger als 10 Sekunden derart, daß im wesentlichen keine Interdiffusion von Verunreinigungen zwischen dem Kollektorbreich (13) und dem Basisbereich (11) stattfindet.
  4. 4. Verfahren nach ,Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Schritt des Ablagerns von Silizium bewirkt wird durch chemische Niederdruck-Dampfablagerung bis zu einer Dicke von etwa 0,02 pm bis 0,5 pm und daß die Konzentration von Bor ionen annähernd 10 bis 10 Ionen/cm ist.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Schritt des Ablagerns von Silizium bewirkt wird durch Ablagern von polykristallinem Silizium bei einer Temperatur im Bereich von annähernd 6000C bis 7000C.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 1, .,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Schritt des Ablagerns von Silizium bewirkt durch Ablagern von amorphen Silizium bei einer Temperatur von weniger als etwa 6000C.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß das η-dotierte, polykristalline Silizium gebildet wird durch chemische Niederdruck-Dampfablagerung bei einer Temperatur im Bereich von annähernd 6000C bis 7000C, um eine abgelagerte Dicke im Bereich von etwa 0,1 pm bis 0,4 pm zu erhalten, während die in-situ-Dotierung mit Phosphor oder Arsen bewirkt wird, bis zu
    ltl .3
    20 21
    einer Konzentration von annähernd 10 bis 5*10
    Atomen pro cm"
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß das η-dotierte polykristalline Silizium zusäztlich gebildet wird, um einen Kollektorkontakt (52) für den
    Kollektorbereich (13) zu bilden, wobei der thermische
    Pulsiervorgang zusätzlich dazu dient, die Konzentration
    von aktiven Donatoren im Kollektorkontakt (52) zu erhöhen.
  9. 9. Der Anspruch 9 fehlt in der englischen Publikation.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 1, .
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Emitterbereich (51) eine polykristalline Struktur nach dem thermischen Pulsiervorgang behält.
DE1985900368 1983-12-05 1984-12-04 Verfahren zum herstellen eines bipolartransistors. Pending DE165971T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/558,252 US4523370A (en) 1983-12-05 1983-12-05 Process for fabricating a bipolar transistor with a thin base and an abrupt base-collector junction
PCT/US1984/001982 WO1985002714A1 (en) 1983-12-05 1984-12-04 Method of making a bipolar junction transistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE165971T1 true DE165971T1 (de) 1986-07-24

Family

ID=26770490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1985900368 Pending DE165971T1 (de) 1983-12-05 1984-12-04 Verfahren zum herstellen eines bipolartransistors.

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