DE165971T1 - Verfahren zum herstellen eines bipolartransistors. - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines bipolartransistors.Info
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Claims (10)
- EP Nr. 85900368.3PCT Nr. PCT/US84/01982PatentansprücheVerfahren zum Herstellen eines bipolaren npn-Flächentransistor mit den Schritten: Anordnen eines Halbleitersubstrats (10) mit einem Einkristal1-Si1izium-n-Typ-KoI lektorbereich (13) darin, Ablagern zur Überlagerung des Kollektorbereichs (13) einer Schicht aus polykristallinen oder amorphen Silizium (19) und Wärmebehandeln des abgelagerten Siliziums,
gekennzeichnet durch,
die Schritte: Ablagern des polykristallinen oder amorphen Siliziums, während das gerade abgelagerte Silizium mit Bor in-situ dotiert wird; thermische Wärmebehandlung des abgelagerten Siliziums (19) für ein Rekristal1isienen des über den Kollektorbereich (13) abgelagerten Siliziums zu einem epitaxialen einkristallinen Basisbereich (11); Anordnen von n-dotiertem polykristallinen Silizium, um einen Emitterbreich (51) über dem Basisbereich (11) zu bilden;und Bewirken eines thermischen Pulsiervorgangs, um die Konzentration von aktiven Donatoren in dem Emitterbereich (51) zu erhöhen. - 2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß nach dem Schritt der thermischen Wärmebehandlung der Schritt Implantieren von Borionen in einen Teil des abgelagerten Siliziums (19) durchgeführt wird, um einen Basiskontaktbereich (37) für den Basisbereich (11) zu bilden,und daß der thermische Pulsiervorgang zusätzlich dahingehend wirksam ist, daß der Basiskontaktbereich (37) wärmebehandelt wird. - 3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,daß die thermische Wärmebehandlung durchgefüht wird durch thermisches Pulsieren bei einem Temperaturbereich von annähernd 7000C bis 12000C für weniger als 10 Sekunden derart, daß im wesentlichen keine Interdiffusion von Verunreinigungen zwischen dem Kollektorbreich (13) und dem Basisbereich (11) stattfindet. - 4. Verfahren nach ,Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,daß der Schritt des Ablagerns von Silizium bewirkt wird durch chemische Niederdruck-Dampfablagerung bis zu einer Dicke von etwa 0,02 pm bis 0,5 pm und daß die Konzentration von Bor ionen annähernd 10 bis 10 Ionen/cm ist. - 5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,daß der Schritt des Ablagerns von Silizium bewirkt wird durch Ablagern von polykristallinem Silizium bei einer Temperatur im Bereich von annähernd 6000C bis 7000C. - 6. Verfahren nach Anspruch 1, .,
dadurch gekennzeichnet,daß der Schritt des Ablagerns von Silizium bewirkt durch Ablagern von amorphen Silizium bei einer Temperatur von weniger als etwa 6000C. - 7. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß das η-dotierte, polykristalline Silizium gebildet wird durch chemische Niederdruck-Dampfablagerung bei einer Temperatur im Bereich von annähernd 6000C bis 7000C, um eine abgelagerte Dicke im Bereich von etwa 0,1 pm bis 0,4 pm zu erhalten, während die in-situ-Dotierung mit Phosphor oder Arsen bewirkt wird, bis zultl .320 21einer Konzentration von annähernd 10 bis 5*10Atomen pro cm"
- 8. Verfahren nach Anspruch 7,dadurch gekennzeichnet,daß das η-dotierte polykristalline Silizium zusäztlich gebildet wird, um einen Kollektorkontakt (52) für denKollektorbereich (13) zu bilden, wobei der thermischePulsiervorgang zusätzlich dazu dient, die Konzentrationvon aktiven Donatoren im Kollektorkontakt (52) zu erhöhen.
- 9. Der Anspruch 9 fehlt in der englischen Publikation.
- 10. Verfahren nach Anspruch 1, .dadurch gekennzeichnet,daß der Emitterbereich (51) eine polykristalline Struktur nach dem thermischen Pulsiervorgang behält.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/558,252 US4523370A (en) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | Process for fabricating a bipolar transistor with a thin base and an abrupt base-collector junction |
PCT/US1984/001982 WO1985002714A1 (en) | 1983-12-05 | 1984-12-04 | Method of making a bipolar junction transistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE165971T1 true DE165971T1 (de) | 1986-07-24 |
Family
ID=26770490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1985900368 Pending DE165971T1 (de) | 1983-12-05 | 1984-12-04 | Verfahren zum herstellen eines bipolartransistors. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE165971T1 (de) |
-
1984
- 1984-12-04 DE DE1985900368 patent/DE165971T1/de active Pending
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