JPS63137414A - 半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
半導体薄膜の製造方法Info
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- JPS63137414A JPS63137414A JP28478286A JP28478286A JPS63137414A JP S63137414 A JPS63137414 A JP S63137414A JP 28478286 A JP28478286 A JP 28478286A JP 28478286 A JP28478286 A JP 28478286A JP S63137414 A JPS63137414 A JP S63137414A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体薄膜の成長方法に関する。
（従来の技術）
近年高速バイポーラ素子、マイクロ波用素子あるいは超
格子構造素子などへの応用を目的としてこれまでのシリ
コン薄膜成長技術に比べ、より低温で成長が行なわれ、
従って不純物分布を乱すことがほとんどないという特徴
を有する高真空内でのシリコン分子線成長（ＳｉＭＢＥ
）技術が盛んに研究開発されている。
格子構造素子などへの応用を目的としてこれまでのシリ
コン薄膜成長技術に比べ、より低温で成長が行なわれ、
従って不純物分布を乱すことがほとんどないという特徴
を有する高真空内でのシリコン分子線成長（ＳｉＭＢＥ
）技術が盛んに研究開発されている。
この様なシリコン分子線成長技術においては、ドーピン
グ方法としてシリコンと同時に分子線セルから中性の分
子状もしくは原子状の不純物をとばす方法が一般的に行
われている。しかし、ドーピングのための不純物として
は、分子線セルから容易にとばすことができるアンチモ
ン（ｎ型）、ガリウム（ｐ型）に限られてきた。しかし
、現在の半導体素子製造プロセスにおいては、ｎ型不純
物としてヒ素、リン、ｐ型不純物としてホウ素が使われ
ており、これらの不純物に対する技術の蓄積も多い。
グ方法としてシリコンと同時に分子線セルから中性の分
子状もしくは原子状の不純物をとばす方法が一般的に行
われている。しかし、ドーピングのための不純物として
は、分子線セルから容易にとばすことができるアンチモ
ン（ｎ型）、ガリウム（ｐ型）に限られてきた。しかし
、現在の半導体素子製造プロセスにおいては、ｎ型不純
物としてヒ素、リン、ｐ型不純物としてホウ素が使われ
ており、これらの不純物に対する技術の蓄積も多い。
また、アンチモンでは固溶限は４Ｘ１０１９ｃｍ−３で
あり、現在半導体プロセスにおいてヒ素によってつくら
れている１０２２ｃｍ−３のオーミック接触用高濃度不
純物領域を形成することができない。また、ガリウムは
シリコン酸化膜中での拡散係数が非常に大きく、シリコ
ン酸化膜に接したガリウムドープ層中から酸化膜内へ拡
散してしまうので、通常のシリコン半導体製造プロセス
では、まったく使われていない。また、素子構造をガリ
ウムドープ層が酸化膜と接しないような構造にしたとし
ても、ガリウムの固溶限は１０１８ｃｍ−３程度なので
、ホウ素の様な１０２１ｃｍ−３のｐ型高濃度領域を作
ることができない。
あり、現在半導体プロセスにおいてヒ素によってつくら
れている１０２２ｃｍ−３のオーミック接触用高濃度不
純物領域を形成することができない。また、ガリウムは
シリコン酸化膜中での拡散係数が非常に大きく、シリコ
ン酸化膜に接したガリウムドープ層中から酸化膜内へ拡
散してしまうので、通常のシリコン半導体製造プロセス
では、まったく使われていない。また、素子構造をガリ
ウムドープ層が酸化膜と接しないような構造にしたとし
ても、ガリウムの固溶限は１０１８ｃｍ−３程度なので
、ホウ素の様な１０２１ｃｍ−３のｐ型高濃度領域を作
ることができない。
そこで、アール・ニー・ニー・クビアク（Ｒ，Ａ、Ａ。
Ｋｕｂｉａｋ）等は、アプライド、フィツクス、レター
ズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）４４（９Ｘ１９
８４）８７８に述べられている様に特殊なドーピング用
セル内で単体のホウ素を〜２０００°Ｃに加熱すること
によって、ホウ素によるドーピングを行い、ホウ素のド
ーピング量が７００°Ｃから９００°Ｃの間でシリコン
基板温度に依存しないことを見出した。しかし、セル温
度がまだ低いために、最高濃度は４×１０１７ｃｍ＝に
留まっている。るつぼ材の耐熱性に限度があるためにセ
ル温度をこれ以上あげることはむつかしい。さらに、こ
の方法ではセル温度が非常に高いためにホウ素以外の物
質が混入する危険が高く、また近接するセルとの熱絶縁
をとるのもむつかしい。
ズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）４４（９Ｘ１９
８４）８７８に述べられている様に特殊なドーピング用
セル内で単体のホウ素を〜２０００°Ｃに加熱すること
によって、ホウ素によるドーピングを行い、ホウ素のド
ーピング量が７００°Ｃから９００°Ｃの間でシリコン
基板温度に依存しないことを見出した。しかし、セル温
度がまだ低いために、最高濃度は４×１０１７ｃｍ＝に
留まっている。るつぼ材の耐熱性に限度があるためにセ
ル温度をこれ以上あげることはむつかしい。さらに、こ
の方法ではセル温度が非常に高いためにホウ素以外の物
質が混入する危険が高く、また近接するセルとの熱絶縁
をとるのもむつかしい。
相崎、辰已は、第１７回置体素子・材料コンファレンス
のアブストラクトの３０１ページ（ＥｘｔｅｎｄｅｄＡ
ｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １７ｔｈ Ｃｏｎｆ
ｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅＤｅｖｉ
ｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、
１９８５．ｐｐ、３０１−３０４）に述べられている様
に、拡散原料であるＢ２Ｏ３及びＢＮの混合物を通常の
に一セル内で加熱することによって、ホウ素によるドー
ピングを行い、最高濃度７×１０１９ｃｍ−３の高濃度
ドーピングを達成している。
のアブストラクトの３０１ページ（ＥｘｔｅｎｄｅｄＡ
ｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １７ｔｈ Ｃｏｎｆ
ｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅＤｅｖｉ
ｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔｏｋｙｏ、
１９８５．ｐｐ、３０１−３０４）に述べられている様
に、拡散原料であるＢ２Ｏ３及びＢＮの混合物を通常の
に一セル内で加熱することによって、ホウ素によるドー
ピングを行い、最高濃度７×１０１９ｃｍ−３の高濃度
ドーピングを達成している。
しかし、７×１０１９ｃｍ−３はにセルの耐熱限度１３
５０°Ｃでしかも成長速度を下げて達成されたものであ
り、これ以上の高濃度ドーピングは期待できない。
５０°Ｃでしかも成長速度を下げて達成されたものであ
り、これ以上の高濃度ドーピングは期待できない。
さらに、辰已、相崎は、第１８回国体素子・材料コンフ
ァレンスのアブストラクトの７１１ページ（Ｅｘｔｅｎ
ｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄＳｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔ
ｏｋｙｏ、１９８６．ｐｐ、７１１−７１２）に述べら
れている様に、ドーピング源として蒸気圧の高いＨＢＯ
２を使い、通常のにセル（クヌーセンセル）を用いて、
ホウ素によるドーピングを行い、成長温度７５０°Ｃで
、ホウ素の固溶限７Ｘ１０１９ｃｍ＝をはるかに越える
、６×１０２０ｃｍ−３の高濃度ドーピングを達成した
。
ァレンスのアブストラクトの７１１ページ（Ｅｘｔｅｎ
ｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄＳｔａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、 Ｔ
ｏｋｙｏ、１９８６．ｐｐ、７１１−７１２）に述べら
れている様に、ドーピング源として蒸気圧の高いＨＢＯ
２を使い、通常のにセル（クヌーセンセル）を用いて、
ホウ素によるドーピングを行い、成長温度７５０°Ｃで
、ホウ素の固溶限７Ｘ１０１９ｃｍ＝をはるかに越える
、６×１０２０ｃｍ−３の高濃度ドーピングを達成した
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、前記のＨＢＯ２を使う方法で高濃度ドーピング
を行うとエピタキシャル膜の結晶性が悪化することが問
題となっている。
を行うとエピタキシャル膜の結晶性が悪化することが問
題となっている。
本発明の目的は、この様な従来の欠点を除去して、シリ
コン分子線成長技術において、通常のクヌーセンセルを
用いてホウ素を制御性良く、固溶限を越えて高濃度にド
ーピングでき、しかも結晶性の良い半導体薄膜の製造方
法を提供することにある。
コン分子線成長技術において、通常のクヌーセンセルを
用いてホウ素を制御性良く、固溶限を越えて高濃度にド
ーピングでき、しかも結晶性の良い半導体薄膜の製造方
法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、シリコン分子線成長法におけるホウ素ドーピ
ングにおいて、ホウ素量より多い量のゲルマニウムをも
基板に照射することを特徴とする。
ングにおいて、ホウ素量より多い量のゲルマニウムをも
基板に照射することを特徴とする。
（作用）
本発明の方法は、以下に述べる原理に基づいて実現され
る。ホウ素の原子半径は０．９８人であり、シリコンの
原子半径１３２人に比べて小さい。このため、シリコン
結晶中にホウ素を単独で高濃度ドープした場合には格子
が縮む形で歪が生じ、結晶性の良い膜が得られない。ホ
ウ素ドーピングによるシリコン結晶の歪を緩和するため
には、ホウ素やシリコンよりも原子半径の大きい■族元
素のゲルマニウムを、ホウ素ドーピングによる歪を緩和
する形で適当量、同時にドーピングすれば良い。原子半
径の比だけから考えればホウ素とゲルマニウムのドーピ
ング量の比が１：４の時平均した原子半径として見掛は
上シリコンの原子半径と等しくなる。実際にはホウ素の
ドーピング量を ２×１０２０ｃｍ−３とした場合にはこのドーピング量
に対して２倍ないし８倍のゲルマニウムをドーピングす
ることにより、ホウ素を高濃度ドーピングしたエピタキ
シャル膜の結晶性は改善され、ホウ素の固溶限を越える
ドーピングが可能となり、しかも高い活性化率が得られ
る。ホウ素と共に飛来すると考えられる酸素はＳＩＭＳ
測定の結果、成長温度が７００°／Ｃ以上ではエピタキ
シャル膜内には取込まれないことがわかった。
る。ホウ素の原子半径は０．９８人であり、シリコンの
原子半径１３２人に比べて小さい。このため、シリコン
結晶中にホウ素を単独で高濃度ドープした場合には格子
が縮む形で歪が生じ、結晶性の良い膜が得られない。ホ
ウ素ドーピングによるシリコン結晶の歪を緩和するため
には、ホウ素やシリコンよりも原子半径の大きい■族元
素のゲルマニウムを、ホウ素ドーピングによる歪を緩和
する形で適当量、同時にドーピングすれば良い。原子半
径の比だけから考えればホウ素とゲルマニウムのドーピ
ング量の比が１：４の時平均した原子半径として見掛は
上シリコンの原子半径と等しくなる。実際にはホウ素の
ドーピング量を ２×１０２０ｃｍ−３とした場合にはこのドーピング量
に対して２倍ないし８倍のゲルマニウムをドーピングす
ることにより、ホウ素を高濃度ドーピングしたエピタキ
シャル膜の結晶性は改善され、ホウ素の固溶限を越える
ドーピングが可能となり、しかも高い活性化率が得られ
る。ホウ素と共に飛来すると考えられる酸素はＳＩＭＳ
測定の結果、成長温度が７００°／Ｃ以上ではエピタキ
シャル膜内には取込まれないことがわかった。
（実施例）
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
ＨＢＯ２はホウ素の拡散源として極めて高純度のものが
得られる。市販のものは粉末でありホウ素のドーピング
源にはこれをに一セルに入れて用いた。
得られる。市販のものは粉末でありホウ素のドーピング
源にはこれをに一セルに入れて用いた。
試料シリコン基板は、Ｎ型（１１１）面を用いた。ゲル
マニウムのドーピングは高純度のゲルマニウムロッドを
に一セルより蒸発させることによって行った。試料シリ
コン基板は、２８％アンモニア水と３０％過酸化水素水
と水とを１：４：２０の比率で混合し沸騰させた溶液中
で１０分間洗浄し、シリコン基板表面に薄い酸化シリコ
ン膜を形成し、次いで高真空中にて短時間６００°Ｃな
いし８００°Ｃに加熱し、その後高真空中７３０°Ｃ以
下にて電子ビーム蒸着法により、基板表面の薄い酸化シ
リコン膜の上にこの薄い酸化シリコン膜の膜厚の４０％
ないし８０％の膜厚のシリコン薄膜を形成し、しかる後
に高真空中にて７３０°Ｃ以上で短時間加熱することに
よって表面清浄を行った。ドーピング濃度は四探針によ
る抵抗値測定及びホール測定により求めた。結晶欠陥密
度は、通常用いられているジルトルエツチングを行い、
光学顕微鏡を用いてエッチピットを数えることによって
求めた。
マニウムのドーピングは高純度のゲルマニウムロッドを
に一セルより蒸発させることによって行った。試料シリ
コン基板は、２８％アンモニア水と３０％過酸化水素水
と水とを１：４：２０の比率で混合し沸騰させた溶液中
で１０分間洗浄し、シリコン基板表面に薄い酸化シリコ
ン膜を形成し、次いで高真空中にて短時間６００°Ｃな
いし８００°Ｃに加熱し、その後高真空中７３０°Ｃ以
下にて電子ビーム蒸着法により、基板表面の薄い酸化シ
リコン膜の上にこの薄い酸化シリコン膜の膜厚の４０％
ないし８０％の膜厚のシリコン薄膜を形成し、しかる後
に高真空中にて７３０°Ｃ以上で短時間加熱することに
よって表面清浄を行った。ドーピング濃度は四探針によ
る抵抗値測定及びホール測定により求めた。結晶欠陥密
度は、通常用いられているジルトルエツチングを行い、
光学顕微鏡を用いてエッチピットを数えることによって
求めた。
第１図はＳｉ−ＭＢＥ成長時にホウ素のドーピング量を
２Ｘ１０２０ｃｍ−３固定し、これに対して同時にゲル
マニウムのドーピングを行った時のエピタキシル膜内の
欠陥密度とゲルマニウムのドーピング量との関係をプロ
ットしたものである。ゲルマニウムのドーピング量は、
ホウ素のドーピング量の０ないし１０倍の範囲で変化さ
せた。成長温度は７５０°Ｃ１成長速度は７ｈｓ、成長
膜厚はｌｐｍである。第１図から明らかなようにＭＢＥ
成長時、ホウ素のドーピング量の２倍ないし８倍のゲル
マニウムをドーピングすると欠陥密度は特に小さくなり
デバイス作製等に支障が少なくなった。４倍にしたとき
が最も欠陥密度が低かった。
２Ｘ１０２０ｃｍ−３固定し、これに対して同時にゲル
マニウムのドーピングを行った時のエピタキシル膜内の
欠陥密度とゲルマニウムのドーピング量との関係をプロ
ットしたものである。ゲルマニウムのドーピング量は、
ホウ素のドーピング量の０ないし１０倍の範囲で変化さ
せた。成長温度は７５０°Ｃ１成長速度は７ｈｓ、成長
膜厚はｌｐｍである。第１図から明らかなようにＭＢＥ
成長時、ホウ素のドーピング量の２倍ないし８倍のゲル
マニウムをドーピングすると欠陥密度は特に小さくなり
デバイス作製等に支障が少なくなった。４倍にしたとき
が最も欠陥密度が低かった。
第２図は、第１図と同様な方法で得られたＭＢＥ膜中の
キャリア濃度とゲルマニウムのドーピング量との関係を
プロットしたものである。第１図から明らからなように
ＭＢＥ成長時、ホウ素のドーピング量の２倍ないし８倍
のゲルマニウムをドーピングするとキャリア濃度は増大
し、固溶限を越えたホウ素ドーピングが可能となる。
キャリア濃度とゲルマニウムのドーピング量との関係を
プロットしたものである。第１図から明らからなように
ＭＢＥ成長時、ホウ素のドーピング量の２倍ないし８倍
のゲルマニウムをドーピングするとキャリア濃度は増大
し、固溶限を越えたホウ素ドーピングが可能となる。
以上述べた様に、ＨＢＯ２をドーピングソースとして用
い、ホウ素のドーピング量に対して２倍ないし８倍のゲ
ルマニウムをドーピングすることにより、ホウ素を高濃
度ドーピングでき、しかもエピタキシャル膜の結晶性は
良好であり、ホウ素の固溶限を越えるドーピングが可能
となり、しかも高い活性化率が得られる効果があること
は明らかである。
い、ホウ素のドーピング量に対して２倍ないし８倍のゲ
ルマニウムをドーピングすることにより、ホウ素を高濃
度ドーピングでき、しかもエピタキシャル膜の結晶性は
良好であり、ホウ素の固溶限を越えるドーピングが可能
となり、しかも高い活性化率が得られる効果があること
は明らかである。
なお、本実施例ではシリコンウェハ一対象としたが、本
発明の方法は表面にのみシリコンが存在する５Ｏ８（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）基板や更に一
般に５ＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏ
ｒ）基板等にも当然適用できる。
発明の方法は表面にのみシリコンが存在する５Ｏ８（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）基板や更に一
般に５ＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏ
ｒ）基板等にも当然適用できる。
さらに、本実施例ではエピタキシャル成長の場合につい
て述べたが多結晶へのドーピングの場合にも当然適用で
きる。
て述べたが多結晶へのドーピングの場合にも当然適用で
きる。
（発明の効果）
以上、詳細に述べた通り本発明によれば、シリコン分子
線成長技術において、ホウ素を制御性良く、固溶限を越
えて高濃度にドーピングて；き、しかも結晶性の良い半
導体薄膜の製造方法が得られる。
線成長技術において、ホウ素を制御性良く、固溶限を越
えて高濃度にドーピングて；き、しかも結晶性の良い半
導体薄膜の製造方法が得られる。
第１図は、Ｓｉ−ＭＢＥ成長時にホウ素のドーピング量
を２Ｘ１０２０ｃｍ−３に固定し、これに対して同時に
ゲルマニウムのドーピングを行った時のエピタキシャル
膜内の欠陥密度とゲルマニウムのドーピング量との関係
をプロットした図である。 第２図は、Ｓｉ−ＭＢＥ成長時にホウ素のドーピング量
を２Ｘ１０２０ｃｍ＝に固定し、これに対して同時にゲ
ルマニウムのドーピングを行った時のエピタキシャル膜
内のキャリア濃度とゲルマニウムのド−オ １ 口 ０ ５ １
゜ゲルマニウムドーピング量とホウ素ドーピング量の比
オ ２ 図
を２Ｘ１０２０ｃｍ−３に固定し、これに対して同時に
ゲルマニウムのドーピングを行った時のエピタキシャル
膜内の欠陥密度とゲルマニウムのドーピング量との関係
をプロットした図である。 第２図は、Ｓｉ−ＭＢＥ成長時にホウ素のドーピング量
を２Ｘ１０２０ｃｍ＝に固定し、これに対して同時にゲ
ルマニウムのドーピングを行った時のエピタキシャル膜
内のキャリア濃度とゲルマニウムのド−オ １ 口 ０ ５ １
゜ゲルマニウムドーピング量とホウ素ドーピング量の比
オ ２ 図
Claims (1)
- １、シリコン分子線成長法におけるホウ素ドーピングに
おいて、ホウ素量より多い量のゲルマニウムをも基板に
照射することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28478286A JPS63137414A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28478286A JPS63137414A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137414A true JPS63137414A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17682944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28478286A Pending JPS63137414A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63137414A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296797A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-07 | Nec Corp | 選択的ボロンドープ層の形成方法 |
| EP0459122A2 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-04 | International Business Machines Corporation | Epitaxial silicon layer and method to deposit such |
| US5137838A (en) * | 1991-06-05 | 1992-08-11 | National Semiconductor Corporation | Method of fabricating P-buried layers for PNP devices |
| WO2001035466A3 (de) * | 1999-11-09 | 2001-11-22 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor mit einer bodyzone |
| KR20190042758A (ko) * | 2016-09-19 | 2019-04-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 도핑된 게르마늄 형성 방법 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP28478286A patent/JPS63137414A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXTENDED ABSTRACTS OF THE 18TH=1986 * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296797A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-07 | Nec Corp | 選択的ボロンドープ層の形成方法 |
| EP0459122A2 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-04 | International Business Machines Corporation | Epitaxial silicon layer and method to deposit such |
| EP0459122A3 (ja) * | 1990-05-31 | 1994-08-03 | Ibm | |
| US5137838A (en) * | 1991-06-05 | 1992-08-11 | National Semiconductor Corporation | Method of fabricating P-buried layers for PNP devices |
| WO2001035466A3 (de) * | 1999-11-09 | 2001-11-22 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor mit einer bodyzone |
| KR20190042758A (ko) * | 2016-09-19 | 2019-04-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 도핑된 게르마늄 형성 방법 |
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