DE1646752C - Halbleiterbauelement aus Metalloxyden und einem glasartigen Bindemittel - Google Patents
Halbleiterbauelement aus Metalloxyden und einem glasartigen BindemittelInfo
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Description
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gezeichnet,
daß der Mischung zusätzlich ein Oxyd- löst, daß Pulverteilchen des halbleitenden Metallpulver
(104) zugesetzt wird, dessen spezifischer oxydes, und zwar SnO2, TiO2, Sb2O6, WO3, Cr2O3,
Widerstand höher ist als der des halbleitenden 40 Fe2O3, V2O6 und/oder Bi2O3, in dem glasartigen
Metalloxyds (103). Bindemittel dispergiert sind und daß die Korngröße
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn- des Pulverteilchens der Metalloxyde größer ist als die
zeichnet, daß es sich bei dem Oxyd um BaTiO3, Korngröße des Glaspulvers. Gegebenenfalls kann auch
Al2O3 und/oder SiO2 handelt. ein weiteres Oxydpulver vorgesehen werden, dessen
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, 'dadurch 45 Korngröße ebenfalls größer ist als diejenige des Glasgekennzeichnet, daß ein Glaspulver mit Pulver- pulvers. Durch die angegebenen Korngrößenbeziehunteilchen
eines halbleitenden Metalloxyds und mit gen und durch die Dispergierung der Pulverteilchen
einem Oxydpulver, dessen spezifischer Widerstand des Metalloxydes in dem glasartigen Bindemittel, was
höher ist als der des halbleitenden Metalloxyds und bedeutet, daß eine kleine Menge Metalloxyd mit einer
dessen Korngröße größer ist als die des Glaspulvers, so größeren Bindemittelmenge gemischt ist, erhält man
jedoch kleiner als 5 Mikron, vermischt wird und ein Halbleiterbauelement, bei dem relativ große Metalldie
Pulverteilchen des Metalloxyds und des Oxyd- oxyd-Pulverteilchen in ein homogenes Gerüst des glaspulvers
in dem Glaspulver gut dispergiert werden, artigen Bindemittels eingebettet sind. Auf diese Weise
worauf das Gemenge erhitzt wird. erhält man gute mechanische Eigenschaften des HaIb-
55 leiterbauelementes und dennoch einen guten Kontakt
zwischen den einzelnen Pulverteilchen, so daß das
Halbleiterbauelement gleichmäßige und gut reproduzierbare Eigenschaften erhält. Ein spezifischer Widerstand
im Halbleiterbereich, nämlich 105 bis IO8 0hm-
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement aus 60 Zentimeter, kann so sicher erreicht und auch seinem
Letalloxyden und einem glasartigen Bindemittel. Wert nach angewählt werden. Überdies bieten sich
Es ist bekannt (»Technische Keramik«, VEB-Verlag herstellungsmäßig keine Schwierigkeiten, da Metalljchnik
Berlin, 1954, S. 109), bei der Herstellung von oxyd leicht zu den feinen Pulvergrößen gebracht
ailbleiterwiderständen anorganische Plastifizierungs- werden kann, die hier im Bereich von weniger als
ittel zu verwenden. 65 5 Mikron liegen. Die Glaspulverteilchen sollen eine
Weiter ist es bekannt (deutsche Auslegeschrift Körnung von etwa 1 Mikron haben. Der Anteil des
062401), zur Herstellung von vielseitig verwendbaren Metalloxydes beläuft sich auf etwa 10 bis 35 Volum-
:rbundkörpern Glaspulver und Metalloxydpulver prozent. Man erhält also ein einfach herstellbares
Halbleiterbauelement mit guten Eigenschaften hinsichtlich seines spezifischen Widerstandes und seiner
Lebensdauer.
Die Erfindung soll nun an Hand der Zeichnungen eingehend erläutert werden; in diesen zeigt
F i g. 1 eine Schnittansicht eines die Erfindung verkörpernden
halbleitenden Bauelements,
F i g. 2 ein Diagramm der Strom-Spannungs-Kennlinie des in F i g. 1 wiedergegebenen halbleitenden
Bauelements,
F i g. 3 eine Schnittansicht einer weiteren, die Erfindung v:rkörpernden Anordnung,
F i g. 4 eine Oberansicht einer weiteren, die Erfindung verkörpernden Anordnung,
F i g. 5 eine Schnittansicht noch einer weiteren, die Erfindung verkörpernden Anordnung,
F i g. 6 ein Diagramm der Strom-Spannungs-Kenn-Iinie
des in F i g. 5 wiedergegebenen Bauelements,
I- ι g. 7 eine Schnittansicht einer weiteren, die Erfindung
verkörpernden Anordnung und
i' i g. 8 eine Oberansicht einer weiteren, die Erfindung
verkörpernden Anordnung.
Ls sei zunächst auf F i g. 1 Bezug genommen. P.mikeln einer Substanz 103, bei der es sich um
gepulvertes Zinndioxyd (SnO8) handelt, sind als halblciiendes
Material in ein glasartiges Bindemittel 102 eingebettet. Diese halbleitende Schicht wiM in der
Weise ausgeformt, daß man das Gemenge des halbierenden
Materials 103 mit dem aus einem glasartigen Pulver bestehenden Material auf die Oberfläche einer
Eisenblechplatte 104 aufbringt und dann durch Erhii/en trocknet. Die glasierbare bisenblechplatte 104
dient gleichzeitig als Elektrode und als hitzebeständige Substratfläche. Eine aus einem elektrisch leitenden
Überzug bestehende Elektrode 101 ist auf die vorerwähnte halbleitende Schicht aufgebracht.
Im nachfolgenden soll beispielsartig der Herstellungsgang
für die vorbeschriebene, die Erfindung verkörpernde Anordnung erläutert werden. Die Zusammensetzung
des aus einem pulverisierten Frittenmaterial (nachstehend mit A bezeichnet) als Bindemittel sowie
aus gepulvertem Zinndioxyd (nachstehend mit B bezeichnet) als dem halbleitenden Material bestehenden
Gemenges geht aus der folgenden Aufstellung hervor:
Material
Volumprozent
Gepulvertes Frittenmaterial: A
Gepulvertes SnO4: B
Gepulvertes SnO4: B
85
15
15
Der Prozentanteil des Metalloxyds kann je nach dem erwünschten Wert des spezifischen Widerstands
in dem Bereich von 10 bis 35°/o schwanken. Die durchschnittliche Korngröße von A beläuft sich vorzugsweise
auf etwa 1 Mikron und die von B auf höchstens etwa 5 Mikron. Eine Korngröße, die darüber
hinausgeht, beeinträchtigt die Dispersionsfähigkeit der Partikeln und führt zu Schwierigkeiten in der Ausbildung
der Schicht, da die Schicht in diesem Fall porös wird. Andererseits ist eine geringere Korngröße erwünscht,
da hierdurch die Dispersionsfähigkeit verbessert, ein stabileres elektrisches Widerstandsverhalten
erzielt und die Ausformung erleichtert wird. Es ist jedoch darauf zu achten, daß die Bedingung eingehalten
wird, die Korngröße von A kleiner zu wählen als die von B. Falls nämlich die Korngröße von A größer
ist als die von B, so bedecken sich die Partikeln des Frittenmaterials mit Metalloxydpartikeln und können
sich nicht mehr gegenseitig berühren. Es kommt daher
beim Erhitzen dann nicht zur Bildung einer zusammenhängenden Schicht
Als nächstes werden die in diesem Verhältnis zusammengebrachten Pulver A ur»d B in einem geeigneten
Misch- oder Rührgerät gründlich durchgemischt. Im Rahmen dieses Ausführungsbeispiels wurde das
Gemenge von A und B, dem noch eine flüchtige Flüs-
sigkeit wie beispielsweise Diacetonalkohol oder eine äquivalente Menge Octylalkohol zugesetzt war, in
einer Kugelmühle 12 Stunden durchgemengt. Als geeignete Zeitspanne für diesen Durchmengungsvorgang
kommt ein halber bis ein voller Tag in Betracht. Bei einer kürzeren Zeitdauer sind die Partikeln nicht genügend
dispergiert, während sich bei einer längeren Zeitspanne die Unterschiede zwischen der Korngröße
von A und der von B verwischen, so daß dann die Bedingung nicht mehr eingehalten ist, daß die Korngröße
der Substanz A größer sei als die von B. Das in dieser Weise durchgemengte und dispergierte Pulver
befindet sich im wesentlichen in einem molartigen Zustand, wobei die Flüssigkeit als Dispersionsmittel
dient Das Gemenge wird nach dem Seidenrasterverfahren
auf die Oberfläche des hitzebeständigen Substrats aufgebracht, wobei diese Verfahrensweise zwar
eine bevorzugte Methode des Aufbringens der Substanz darstellt, dieser Umstand jedoch nicht in einem
die Erfindung einschränkenden Sinn aufzufassen ist.
Zweck des Erhitzens ist es, die Teilchen des glasartigen Bindemittels miteinander zu verschmelzen, ohne dabei
aber die Partikeln des Metalloxyds in dem glasartigen Material zu lösen, und ferner zu bewirken, daß das
Bindemittel unter Ausbildung einer Schicht mit glatter Oberfläche an dem Substrat festhaftet. In dieser Weise
gehen die Metalloxydpartikeln immerhin wenigstens an ihrer Oberfläche in eine feste Lösung in dem glasartigen
Bindemittel ein, wodurch die Randschichtwirkung der Oberflächen der Metalloxydpartikeln ver-
ringe« wird. Dies verbessert den elektrischen Kontakt
zwischen dem Bindemittel und dem halbleitenden Material und verleiht der Schicht einen einheitlichen
spezifischen ohmschen Widerstand. Eine möglichst niedrige Erhitzungstemperatur wird bevorzugt. Demgemäß
ist ein Frittenmaterial zu wählen, das schon bei einer niedrigen Temperatur minder zähflüssig ist,
d. h. also ein Frittenmaterial, das einen niedrigen Erweichungspunkt besitzt. Aus der nachstehenden
Tabelle 1 geht die Zusammensetzung des im Rahmen
dieses Ausführungsbeispiels benutzten glasartigen Materials hervor.
Bestandteil
SiO2 .
B2O3.
ZnO .
BaO .
CaO .
MgO
Na2O
K2O .
TiO2 .
Al2O3
Fe2O3
PbO .
B2O3.
ZnO .
BaO .
CaO .
MgO
Na2O
K2O .
TiO2 .
Al2O3
Fe2O3
PbO .
Gewichtsprozent
20,01
28,58
18,33
14,34
0,74
0,016
10,84
4,05
2,31
0,41
0,009
0,012
28,58
18,33
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10,84
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0,012
Herstellung dieses Bauelements und die Erfordernisse hinsichtlich der Korngröße sind die gleichen wie bei
• der voraufgegangenen Ausführungsform. Was das Substrat anlangt, so kommen als Materialien
5 hierfür bei dem erstbeschriebenen Ausführungsbeispiel
nur Eisenblechplatten, keramische oder ähnliche Materialien in Betracht, während im Rahmen des
letzten Ausführungsbeispiels auch Glas verwendbar ist. Zwei Voraussetzungen müssen erfüllt sein, damit
Der Erweichungspunkt dieses Frittenmaterials lag bei etwa 600 bis 6400C. Als Substrat wurde eine
Eisenblechplatte von annähernd dem gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das glasartige Bindemittel
benutzt. Das Erhitzen konnte ohne Schwierigkeiten in einem elektrischen Ofen vorgenommen
werden. Dies bedeutet also, daß der Aufheizvorgang in normaler Raumatmosphäre stattfinden kann, ohne
daß besondere Maßnahmen erforderlich wären, da das
als halbleitendes Material benutzte Zinndioxyd (SnO2) io ein Glas als Substrat Verwendung finden kann. Die
bei Temperaturen um 6400C an der Luft sehr bestän- eine davon ist die, daß der Erweichungspunkt des
dig ist und da das verwendete Substrat den gleichen Bindemittels niedriger sei als der des Substrats. Dies
Wärmeausdehnungskoeffizienten hat wie das glas- ist eine wesentliche Vorbedingung, da die Ausformung
artige Material. Das solartige Gemenge von A und B unmöglich ist, falls das Substrat beim Erhitzen eher
wird auf das Substrat aufgebracht und binnen einer 15 erweicht als das Bindemittel. Die andere Voraus-Zeitspanne
von etwa 20 Minuten nach dem Einlegen selzung betrifft den kubischen Ausdehnungskoefin
einen elektrischen Ofen auf 6500C erhitzt, wobei fizienten des Substrats, der annähernd gleich dem des
die flüssige Komponente verdampft und das Pulver- glasartigen Bindemittels sein muß. Falls nämlich die
gemenge auf dem Substrat zurückbleibt. Das auf das Ausdehnungskoeffizienten bei derMaterialien wesent-Substrat
aufgebrachte Gemenge wird etwa 5 Minuten 20 lieh voneinander differieren, so bilden sich in dem
auf dieser Temperatur (6500C) gehalten, woran eine Substrat infolge der beim Abkühlen auftretenden
Kühlzeit von etwa 20 Minuten Dauer anschließt, nach Spannungskräfte Risse oder zumindest verlieren die
welcher der gesamte Arbeitsgang beendet ist. Falls Elektroden 303 und 304 infolge der verformenden
zum Aussieben des Pulvers mit einer Korngröße von mechanischen Spannung ihre Leitfähigkeit. lnTabelle2
etwa 1 Mikron ein Seidenraster mit 130 Maschen je 25 sind die kubischen Ausdehnungskoeffizienten und die
Zoll (130 mesh) benutzt wird, kann eine Schicht mit Erweichungspunkte des im Rahmen dieses Auseiner
Stärke von etwa 20 Mikron innerhalb eines führungsbeispiels verwendeten Bindemittels und Sub-Aufheizarbeitsgangs
ausgeformt werden. Zusätzlich strats aufgeführt, kann noch eine weitere Schicht auf die bereits ausgeformte
Schicht aufgebracht werden, falls dies für 30
bestimmte Zwecke erwünscht sein sollte. Da das Glas
von beträchtlicher Zähflüssigkeit ist, steht nicht zu
befürchten, daß dabei die erste Schicht des Glases bei
der Temperatur von 650° C während der kurzen Zeit-
bestimmte Zwecke erwünscht sein sollte. Da das Glas
von beträchtlicher Zähflüssigkeit ist, steht nicht zu
befürchten, daß dabei die erste Schicht des Glases bei
der Temperatur von 650° C während der kurzen Zeit-
Ausdehnungskoeffizient
270
(270 bis 300) · ΙΟ"7
Erweichungspunkt
annähernd 58O0C
650 bis 700° C
Bei diesem Ausführungsbeispiel wurde auf 630" C erhitzt. Die transparenten Elektroden (Nesa-Elektroden)
303 und 304 verlieren beim Erhitzen ihre Leitfähigkeit nicht.
F i g. 4 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der das Bauelement eine Form hat,
wie sie sich für ein Potentiometer eignet. Transparente Elektroden 401 und 402 sind auf einem
hitzebeständigen (aus Glas oder Keramikmaterial
spanne von 5 Minuten zerfließen oder ihre Stärke 35 Bindemittel ändern könnte. F i g. 2 gibt die Strom-Spannungs- Tafelglas
Kennlinie der so gebildeten halbleitenden Schicht (Substrat) wieder, wobei die Gleichspannung über die Elektroden 101 und 104 angelegt ist. Aus der ausgezeichneten
Geradlinigkeit der Kennlinie ist zu ersehen, daß die 40
Schicht einen spezifischen ohmschen Widerstand aufweist. Diese Schicht hat eine Strombelastbarkeit von
beträchtlicher Höhe und ist ohne weiteres hitzebeständig.
Kennlinie der so gebildeten halbleitenden Schicht (Substrat) wieder, wobei die Gleichspannung über die Elektroden 101 und 104 angelegt ist. Aus der ausgezeichneten
Geradlinigkeit der Kennlinie ist zu ersehen, daß die 40
Schicht einen spezifischen ohmschen Widerstand aufweist. Diese Schicht hat eine Strombelastbarkeit von
beträchtlicher Höhe und ist ohne weiteres hitzebeständig.
F i g. 3 zeigt eine andere, die Erfindung verkörpernde 45
Anordnung, bei der statt des Zinndioxyds des voraufgegangenen Ausführungsbeispiels Titandioxyd
(TiO8) Verwendung findet. In der Darstellung der
F i g. 3 handelt es sich bei dem Bindemittel 301
um ein glasartiges Material mit einem Erweichungs- 50 bestehenden) Substrat 403 ausgeformt. Die halbpunkt von 550 bis 58O°C, in dem das gepulverte leitende Schicht 404, die aus einem ein gepulvertes TiO2 dispergiert ist. Transparente Elektroden 303 Metalloxyd enthaltenden Bindemittel besteht, ist und 304 sind voneinander getrennt auf einem Glas- auf das Substrat und auf Elektroden aufgebracht, substrat 305 vorgesehen, dessen Erweichungspunkt In den die Erfindung verkörpernden Anordnungen
Anordnung, bei der statt des Zinndioxyds des voraufgegangenen Ausführungsbeispiels Titandioxyd
(TiO8) Verwendung findet. In der Darstellung der
F i g. 3 handelt es sich bei dem Bindemittel 301
um ein glasartiges Material mit einem Erweichungs- 50 bestehenden) Substrat 403 ausgeformt. Die halbpunkt von 550 bis 58O°C, in dem das gepulverte leitende Schicht 404, die aus einem ein gepulvertes TiO2 dispergiert ist. Transparente Elektroden 303 Metalloxyd enthaltenden Bindemittel besteht, ist und 304 sind voneinander getrennt auf einem Glas- auf das Substrat und auf Elektroden aufgebracht, substrat 305 vorgesehen, dessen Erweichungspunkt In den die Erfindung verkörpernden Anordnungen
sich auf 680 bis 700° C beläuft. Eine aus dem Binde- 55 kommt als halbleitendes Material nicht etwa nur
mittel 301 und den Partikeln der halbleitenden Zinndioxyd (SnO8) oder Titandioxyd (TiO2) in BeSubstanz
302 bestehende halbleitende Schicht ist tracht, wie es in den obigen Ausführungsformen
über den Elektroden und über dem Substrat ein- Verwendung fand, sondern es kann sich hierbei
schließlich des Zwischenraums zwischen den beiden auch um ein anderes halbleitendes Metalloxyd
Elektroden ausgeformt. Die in F i g. 1 dargestellte 60 handeln, so beispielsweise um WO», Sb2O5, Cr2O8,
Ausführungsform ist als Widerstand in Richtung der Fe2O3, V2O3 sowie um Mischungen zweier beliebiger
Schichtstärke gedacht, wohingegen bei der Aus- oder mehrerer dieser Oxyde.
führungsform gemäß F i g. 3 der elektrische Strom Es bedarf keiner besonderen Hervorhebung, daß
in der Betrachtungsrichtung der Figur in seitlicher die Erfindung nicht auf die vorbeschriebenen Aus-Richtung
fließen soll. Ein weiteres Merkmal dieser 65 führungsformen beschränkt ist, sondern gleichfalls auch
Ausführungsform ist es, daß die glasartige Schicht in mannigfaltig abgeänderten Anordnungen verauf
der Oberfläche eines Glases oder eines glasartigen körpert sein kann, wie sie der jeweilige Verwendungs-Substrats
ausgeformt ist. Die Verfahrensweise bei der zweck erfordert.
Wie im obigen bereits dargelegt wurde, werden durSi die Erfindung halbleitende Bauelemente gebei
denen die Teilchen eines halbleitenden in eTnglasartiges Bindemittel eingebettet
Jm folgenden soll im Rahmenweiterei^Ausführungsbeispiele
auf einen anderen Aspekt der-Erfindung eingegangen werden.
Gemäß diesem Aspekt der Erfindung werden dem
sehen Widerstand dem ea
einem unvollständigen Dispergieren oder einer Fehl-
dem
* ieicht
einzelne ein
mit einer als 1^
Korn-
Auf eine kurze Formel gebracht,
erfindungsgemäßen ' "-
nach einem Verfahren
Verfahrensschritte die
fahrensschritt, bei dem ein _ _
durchschnittlichen Korngröße von krön mit einem gepulverten 1 '
Verfahrensschritte die
fahrensschritt, bei dem ein _ _
durchschnittlichen Korngröße von krön mit einem gepulverten 1 '
oxyd gemischt wird, dessen du
größe weniger als 5 Mikron beträgt, jedoch größer ist als die des Glases, wobei der Mengenanteil des
Metalloxyds sich auf 10 bis 35 Volumprozent beläuft und wobei die Mischung zusammen mit einem Zusatz
in Form einer flüchtigen Flüssigkeit bis zum Erreichen eines solartigen Zustandes durchgerührt wird;
'-'η Verfahrensschritt, bei dem diese Mischung in
1 'Tm einer Schicht auf die Oberfläche eines hitzebeständigen
Substrats aufgebracht wird, dessen Schmelz- oder Erweichungspunkt höher liegt als der
' rweichungspunkt des Glases; und ein Verfahrens-M^hritt,
bei dem diese Schicht der Mischung auf eine Temperatur erhitzt wird, die höher liegt als der Er-•eichungspunkt
des Glases, jedoch niedriger als der Vhmelz- oder Erweichungspunkt des hitzebeständigen
' ibstrats. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren 1 mn das Erhitzen in Raumatmosphäre vorgenommen
werden, ohne daß besondere Vorsichtsmaßnahmen hinsichtlich der äußeren Bedingungen zu treffen
wären. Auch wird, bewirkt durch die Tatsache, daß die Korngröße des Glaspulvers kleiner gewählt ist
als die des Metalloxydpulvers, eine glatte und fest abgebundene Schicht erhalten. Der Umstand, daß die
des Glases und des Metalloxydpulvers 1 bzw. 5 Mikron ist, verhinder" A~n Α'·°
scnicni porös wird, und gewährleistet ein r
des Dispergieren der Metalloxydpartikeln in dem als Bindemittel dienenden Glas, wodurch also die Herstellung
von Widerständen mit einheitlichen und gleichbleibenden Eigenschaften ermöglicht und gleichzeitig
die Schichtausbildung sehr erleichtert wird. Mithin können in sehr einfacher Weise halbleitende Bauelemente
mit einem spezifischen Widerstand im Halbleiterbereich (106 bis 108 Ohmzentimeter) hergestellt
werden.
Die erfindungsgemäßen halbleitenden Bauelemente sind selbst bei Temperaturen von beträchtlicher Höhe
beständig und gegen Feuchtigkeit und sonstige äußere Einflüsse sehr widerstandsfähig.
pulvers und auch als die des Isoliermaterials. Beim Durchmengen, Aufbringen und Erhitzen des Pulvers
geht man im wesentlichen in gleicher Weise vor, wie »5 dies im voraufgegangenen im Zusammenhang anderer
Ausführungsformen der Erfindung beschrieben wurde. Eine Ausführungsform einer solchen, die Erfindung
verkörpernden Anordnung soll nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert werden.
In der Darstellung der F i g. 5 enthält ein mit der Bezugszahl 102 bezeichnetes glasartiges Bindemittel
als halbleitendes Material Partikeln einer gepulverten Masse 103 von Zinndioxyd (SnO2) sowie Partikeln
einer gepulverten Masse 104, bei der es sich um BaTiQ3 handelt und die beigemischt wird, um das
Dispergieren und Verteilen des halbleitenden Materials 103 zu erleichtern und um die dielektrische
Festigkeit des Bauelements zu erhöhen. Das aus den Pulvern 102. 103 und 104 bestehende Gemenge wird
in Form einer Schicht auf die Oberfläche einer Eisenplatte 105 aufgetragen und durch Erhitzen getrocknet.
Die glasierbare Eisenplatte 105 dient als Elektrode und gleichzeitig als hitzebeständiges Substrat. Eine aus
einem elektrisch leitenden Überzug bestehende Elektrode 101 ist auf die vorerwähnte halbleitende Schicht
aufgebracht. Die Znsammensetzung des aus dem gepulverten
Fittenmaterial (nachstehend mit A bezeichnet), aus dem gepulverten Zinndioxyd (im folgenden
mit B bezeichnet) und aus dem gepulverten BaTiO8 (im folgenden mit C bezeichnet) bestehenden Gemenges
geht aus der anschließenden Aufstellung hervor.
ι- GepuiVertes
Frittenmatenal
Gepulvertes SnOE: B
GeJulvertes BaTiO3: C
Gepulvertes SnOE: B
GeJulvertes BaTiO3: C
65 15 20
Der Prozentanteil SnO8 kann je nach dem an
eeStxdAm Wert des spezifischen Widerstands zu
β q^ ^ ^^ ^ Prozentantefls des Fritten
B^.^ .n dem Bereich yon 1Q bjs y5% schwan1cer
65 Hinsichtlich der Korngrößen von B und C im Vei
hältnis zu der von A sind die gleichen Vorbedmgunge ^ ^m&n ^ bej den voraufgegangenen Ausführungs
beispielen. Auch die Verfahrensweise beim Mische
und Durchmengen des Gemenges, die Bestandteile des Frittenmaterials und der Erhitzungsvorgang sind
hierbei im wesentlichen die gleichen wie im Rahmen der voraufgegangenen Ausführungsbeispiele. F i g. 6
zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinie der so ausgeformten halbleitenden Schicht, wobei die Gleichspannung
über die Elektroden 101 und 105 angelegt ist. Die Geradlinigkeit der Kennlinie zeigt an, daß
die Schicht einen ohmschen Widerstand aufweist. Diese Schicht hat gleichfalls auch eine Slrombelastbarkeit
von beträchtlicher Höhe.
F i g. 7 zeigt eine weitere Ausführungsform, die im wesentlichen der Anordnung der F i g. 3 gleicht,
wobei allerdings zur Erleichterung des Dispergieren der TiO2-Partikeln noch gepulvertes Al2O3 hinzugegeben
ist. Im einzelnen handelt es sich in diesem Fall bei dem Bindemittel 301 um ein glasartiges
Material mit einem Erweichungspunkt von 550 bis 580°C, das als halbleilendes Material 302 gepulvertes
TiO2 sowie als Dispersionsmittel 303 gepulvertes Al2O3 enthält. Aus SnO2 bestehende Elektroden 304
und 305 sind in getrennter Anordnung auf der Oberfläche des Glassubstrats 306 ausgeformt, dessen Erweichungspunkt
bei 680 bis 700° C liegt. Die aus den Pulvern 301, 302 und 303 bestehende halbleitende
Schicht füllt auch den Zwischenraum zwischen den beiden Elektroden aus. In seinen übrigen baulichen
Merkmalen gleicht diese Ausführungsform im wesentlichen
der unter Bezugnahme auf F i g. 3 beschriebenen.
In F i g. 8 ist eine weitere, die Erfindung verkörpernde Anordnung dargestellt. Diese Anordnung
gleicht im wesentlichen der Ausführungsform der F i g. 4, wobei jedoch dem Gemenge ein Dispersionsmittel
zugesetzt ist. In der Darstellung der F i g. 8 sind auf dem hitzebeständigen Substrat 403 (bei dem
es sich um keramisches Material oder um Glas handeln kann) transparente Elektroden 401 und 402
vorgesehen. Über dem Substrat und den Elektroden ist dann die halbleitende Schicht ausgeformt, die mit
der Bezugszahl 404 bezeichnet ist.
Auch bei diesen Ausführungsformen kommt als halbierendes Materia! nicht nur Zinndioxyd (SnO2)
oder Titandioxyd (TiO2) in Betracht, sondern es kann sich hierbei, wie im obigen bereits ausgeführt wurde,
auch um ein halbleitendes Metalloxyd wie etwa WO3, Sb2O3, Cr2O3, Fe2O3, V2O5 oder Bi2O3 sowie um
beliebige Mischungen solcher Metalloxyde handeln. Ferner beschränkt sich auch die Auswahl des Isolieroder
Dispersionsmittels keineswegs nur auf BaTiO3 oder Al2O3, sondern kann auch beliebige andere
Stoffe (so beispielsweise SiO2) einbeziehen, die einen bedeutend höheren Wert des elektrischen Widerstands
als die vorbezeichneten Metalloxyde und einen höheren Schmelzpunkt als das glasartige Bindemittel
aufweisen.
Wie im obigen erläutert wurde, wer den gemäß dem zweiten Aspekt der Erfindung halbleiten.de Bauelemente
geschaffen, bei denen Teilchen eines halbleitenden Metalloxyds und Teilchen eines Oxyds mit
einem höheren spezifischen Widerstand als dem jenes Metalloxyds in einem glasartigen Bindemittel enthalten
sind. Diese Bauelemente weisen außer den im Rahmen des ersten Aspekts der Erfindung im Zusammenhang
mit den voraufgegangenen Ausführungsformen beschriebenen Merkmalen eine erhöhte dielektrische
Festigkeit und einen noch einheitlicheren spezifischen Widerstand auf, was auf die hinreichend
feine Dispersion der halbleitenden Partikeln zurückzuführen ist.
Halbleitende Bauelemente dieser Art lassen sich ohne Schwierigkeiten nach einem Verfahren herstellen,
dessen einzelne Verfahrensschritte die folgenden sind: ein Verfahrensschritt, bei dem ein gepulvertes Glas
mit einer durchschnittlichen Korngröße von weniger als 1 Mikron mit einem gepulverten halbleitenden
Metalloxyd und mit einem gepulverten, einen höheren spezifischen Widerstand als das Metalloxyd aufweisenden
Oxyd gemischt wird, wobei die durchschnittlichen Korngrößen des Metalloxyds und jenes
einen höheren spezifischen Widerstand als das Metalloxyd aufweisenden Oxyds kleiner als 5 Mikron,
jedoch größer als die des Glases sind, wobei der Anteil des Metalloxyds sich auf 10 bis 35 Volumprozent
beläuft und wobei die Mischung zusammen mit einem * Zusatz in Form einer flüchtigen Flüssigkeit bis zum
Erreichen eines solartigen Zustandes durchgerührt wird; ein Verfahrensschritt, bei dem diese Mischung
in Form einer Schicht auf die Oberfläche eines hitzebeständigen Substrats aufgebracht wird, dessen
Schmelz- oder Erweichungspunkt höher liegt als der Erweichungspunkt des Glases; und ein Verfahrensschritt, bei dem diese Schicht der Mischung auf eine
Temperatur erhitzt wird, die höher liegt als der Erweichungspunkt
des Glases, jedoch niedriger ah der Schmelz- oder Erweichungspunkt des hitzebeständigen
Substrats. Die durch dieses Verfahrer erzielbaren Vorteile sind bereits im Rahmen des ersten
Aspekts der Erfindung erläutert worden und seier deshalb hier nicht wiederholt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Halbleiterbauelement aus Metalloxyden und die gleiche oder eine größere Korngröße als die Puivereinem
glasartigen Bindemittel, dadurch ge- S teilchen des Metalloxydes aufweist Verwendet wird
kennzeichnet, daß Pulverteilchen (103) des beispielsweise Kupferoxyd, und es laut sich durch
halbleitenden Metalloxydes, und zwar SnO* TiO2, Sintern ein Verbundkörper herstellen, dessen spezi-Sb2O5,
WO3, Cr2O3, Fe2Oj, V2O5 und/oder Bi2O8, fischer Widerstand mehrere Zehnerpotenzen unter der
in dem glasartigen Bindemittel(102) dispergiert sind Einheit liegt.
und daß die Korngröße des Pulverteilchens (103) io Bei der Herstellung der bekannten halbleitenden
der Metalloxyde größer ist als die Korngröße des Gläser .müssen überdies umständliche Vorkehrungen
Glaspulvers. getroffen werden, um eine geeignete Atmosphäre zu
2. Verfahren zum Herstellen des in Anspruch 1 gewährleisten, damit ein Oxydieren der Metallpulverbeanspruchten
Halbleiterbauelementes, gekenn- teilchen nicht erfolgt und durch die hohen Brennzeichcet
durch einen Verfahrensschritt, bei dem 15 temperaturen beim Sintern bedingten Abbauerscheiein
Glaspulver mit einer durchschnittlichen Korn- nungen vorgebeugt werden kann. Außerdem sind
größe von weniger als I Mikron mit Pulverteilchen Metalle in hohem Maße mechanisch widerstandsfähig
eines halbleitenden Metalloxydes gemischt wird, und lassen sich deshalb beim gegenwärtigen Stand dei
dessen durchschnittliche Korngröße weniger als Zerkleinerungs- oder Körnungsiechnik nur schwer
5 Mikron beträgt, jedoch größer ist als die Korn- 20 übet eine gewisse Grenze hinaus pulverisieren Uhergröße
des Glaspulvers, wobei der Anteil der Metall- dies bereitet es bei den bekannten leitenden Gläsern
oxyde sich auf 10 bis 35 Volumprozent beläuft und große Schwierigkeit, einen vorbestimmten Wert des
wobei die Mischung zusammen mit einem Zusatz spezifischen Widerslandes präzise einzuhalten.
einer flüchtigen Flüssigkeit bis zum Erreichen eines Bekannt ist es auch schon, elektrisch leitfähige
solartigen Zustandes durchgeführt wird, einen 25 Pulverteilchen in ein organisches Harz oder einen
Verfahrensschritt, bei dem diese Mischung in Form Kunststoff einzubetten, das als Bindemittel für die
einer Schicht auf die Oberfläche eines hitzebestän- Pulverleilchen dient. Diese haben jedoch entweder,
digen Substrats aufgebracht wird, dessen Schmelz- wenn sie voll in das Bindemittel eingebettet sind, unter-
oder Erweichungspunkt höher liegt als der Er- einander einen unvollkommenen Kontakt, was zu
weichungspunkt des Glaspulvers, und einen Ver- 30 einer nichtlinearen Spannungs-Strom-Kennlinie führt,
fahrensschritt, bei dem diese Schicht der Mischung oder, wenn weniger Bindemittel verwendet wird, eine
auf eine Temperatur erhitzt wird, die höher liegt unzureichende Festigkeit und Lebensdauer,
als der Erweichungspunkt des Glaspulvers, jedoch Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauniedriger als der Schmelz- oder Erweichungspunkt element der eingangs genannten Art mit einem spezides hitzebeständigen Substrats, wobei die Schicht 35 fischen Widerstand von 106 bis 10« Ohmzentimeter zu mit dem Substrat verbunden wird. schaffen.
als der Erweichungspunkt des Glaspulvers, jedoch Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauniedriger als der Schmelz- oder Erweichungspunkt element der eingangs genannten Art mit einem spezides hitzebeständigen Substrats, wobei die Schicht 35 fischen Widerstand von 106 bis 10« Ohmzentimeter zu mit dem Substrat verbunden wird. schaffen.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8069666 | 1966-12-07 | ||
JP8069766 | 1966-12-07 | ||
JP8069666 | 1966-12-07 | ||
JP8069766 | 1966-12-07 | ||
DEM0076507 | 1967-12-07 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1646752A1 DE1646752A1 (de) | 1971-04-08 |
DE1646752B2 DE1646752B2 (de) | 1972-06-15 |
DE1646752C true DE1646752C (de) | 1973-01-18 |
Family
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