DE1645567B2

DE1645567B2 - Verfahren zur umwandlung von praktisch unloeslichen p-xylylenpolymeren in deren loesliche derivate

Info

Publication number: DE1645567B2
Application number: DE1965U0012312
Authority: DE
Inventors: William Erickson Martinsville N.Y. Loeb (V-StA.)
Original assignee: Union Carbide Corp
Current assignee: Union Carbide Corp
Priority date: 1964-12-24
Filing date: 1965-12-24
Publication date: 1977-03-24
Also published as: GB1141496A; FR1461859A; NL6516915A; JPS4321763B1; NL140626B; US3395016A; DE1645567A1; JPS4525911B1; BE674241A

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Umwandlung von praktisch unlöslichen p-Xylylenpolymeren in deren lösliche Derivate. Es ermöglicht die Herstellung lichtempfindlicher Isolationen, insbesondere ultradünner, polymerer, lichtempfindlicher Isolationen, die auch ein neuartiges positives Fotomaskierungsiverfahren ermöglichen, das eine bessere Auflösung und Reproduktion gewährleistet, als es bisher der Fall war.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Umwandlung von praktisch unlöslichen p-Xylylenpolymeren mit der •ich wiederholenden Einheit

-Ar-CH₂-CH₂-

fci der Ar- einen Phenylenrest bedeutet, in deren lösliche Derivate, ist dadurch gekennzeichnet, daß das tenannte, gegebenenfalls teilweise maskierte Polymer 1 Gegenwart von Sauerstoff ultraviolettem Licht Ausgesetzt wird und die löslichen Teile gegebenenfalls tntfernt werden.

Die löslichen Teile des Polymeres sind in basischen lösungsmitteln löslich.

Für das Auftragen der p-Xylylenpolymeren auf Unterlageflächen sind bereits verschiedene Verfahren fco bekannt Diese Polymeren können durch Pyrolyse von 1,4-Dimethylarylenen wie p-Xylol bei sehr hohen Temperaturen, wie beispielsweise 800- 1000⁰C, hergestellt werden. (M. Swarc, Nature, 160, 403 [1947]; Faraday Society Discussions 2,46 [1947]; J. Chem. Phys. fts 16,128 [1948]; und besonders J. Pol. Sei. 6,319[195I].)

Derartige Polymere sind auch schon aus p-Xylylen-Dihalogeniden hergestellt worden (Jacobson, J.

Am. Chem. Soc. 54,1513 [1932]; C. J. B r ο w η and A. C. Farthing, Nature, 164,915[1949J.

Ähnliche Polymere sind auch schon durch Pyrolyse von p-Methylbenzyl-quaternären Ammoniumhydroxyden hergestellt worden (F. S. F a w c e 11; US-Patentschrift 27 57 146).

Von T. E Young wird in der US-Patentschrift 29 99 820 noch ein anderes Verfahren zur Herstellung von p-Xylylenpolymeren beschrieben. Dieses Verfahren betrifft die Zersetzung von quaternären Ammoniumverbindungen, wie Trimethyl-(p-methylbenzyl)-ammoniumhydroxyd, durch Erhitzen dieser Verbindungen in wäßrigen Alkalihydroxyd-Lösungen auf Temperaturen von wenigstens 100° C.

Während die durch viele der obigen Verfahren und insbesondere die pyrolytischen Verfahren hergestellten p-Xylylen-Polymeren weitgehend vernetzt und von Natur hochkristallin sind, ist durch neuere Arbeiten auch die Herstellung von echten linearen p-Xylylenpolymeren, die frei von Vernetzungen sind, in technischen Ausbeuten gelungen. Insbesondere wird von W. F. G ο r h a η in den kanadischen Patentschriften 6 37 507 und 6 38 335 die Herstellung von unsubstituierten und ringsubstituierten p-Xylylenpoiymeren und Copolymeren durch Pyrolyse eines cyclischen Di-p-Xylylens der allgemeinen Formel

H₂C-Ai-CK₂
H₂C-Ar-CH₂

(II)

beschrieben, in der Ar— einen nachstehend noch näher definierten Phenylenrest darstellt Die Pyrolyse erfolgt hierbei bei Temperaturen zwischen 450 und 700⁰C und bei Drücken im Bereich von 0,0001 —10 mm Hg.

Da die Kupplung und Polymerisation der bei dem oben beschriebenen Verfahren gebildeten reaktionsfähigen Di-Radikale den aromatischen Ring nicht einbezieht, sondern nur die freien Radiakalstellungen, i->ann jedes unsubstituierte oder substituierte p-Xylylenpolymer hergestellt werden, da die Kernsubstituenten-G nippen im wesentlichen als inerte Gruppen wirken. Dtr Phenylenrest Ar- kann somit aus irgendeinem Benzolring bestehen, der unsubstituiert oder auch durch beliebige einwertige anorganische oder organische Gruppen, wie sie normalerweise an einen aromatischen Kern angefügt werden können, substituiert sein kann.

Derartige inerte Substituenten des aromatischen Kernes der genannten p-Xylylenpolymeren sind außer Wasserstoff insbesondere die Halogene Chlor, Brom, Jod und Fluor, Alkylgruppen, wie Methyl-, Äthyl-, Propyl-, η-Butyl-, sec-Butyl-, tert-Butyl-, Amyl- und Hexyl-, Cyan-, Phenyl-, Hydroxy-, Alkoxy-, Acetoxy-, Amino-, Nitro-, Carboxy- und Benzylgruppen. Obgleich einige der obigen Gruppe unter gewissen Bedinungen potentiell oder mit gewissen reaktionsfähigen Stoffen reaktiv sind, so sind sie doch unter den Bedingungen der vorliegenden Erfindung nicht reaktiv und somit völlig neutral.

Ein besonderer Vorteil dieses Dampfablagerungsverfahrens besteht darin, daß ultradünne polymere Filme der p-Xylylenpolymeren erhalten werden, und auf diese Weise sind zusammenhängende Filme einer Dicke von 1000 A und darunter erhalten worden. Außerdem besitzen die in der genannten Weise erhaltenen p-Xylylenpolymeren ausgezeichnete dielektrische Eigenschaften und werden daher bevorzugt zur Verwendung als lichtempfindliche Isolation benutzt.

Beispielsweise hat das nach dem Gorham-Verfahren hergestellte p-Xylylenpolymer die folgenden elektrischen Eigenschaften:

(1) Dielektrizitätskonstante

(2) Dissipationsfaktor

2,65 von

60 bis 100.000 cps

0,0001 von

60 bis 100,000 cps

Die obigen Werte sind im Vergleich zu anderen Polymeren im Temperaturbereich von -269° C bis 175°C verhältnismäßig konstant

(3) Durchschlagsfestigkeit
(gemessen an Filmen
von 1 Mikron)

(4) Insolationswiderstand

500 Volt/Mikron
10« Ohm Farads
bei 25°C

p-Xylylenpolymere haben bisher in bezug ihrer Unlösiichkeit in allen üblichen Lösungsmitteln bei Zimmertemperatur Unterschiede aufgewiesen. Es wurde nun gefunden, daß p-Xylylenpolymere in verdünnten basischen Lösungen völlig löslich werden, wenn sie ultraviolettem Licht mit Wellenlängen im ultravioletten Bereich unter 300 Millimikron und vorzugsweise unterhalb 250 Millimikron in Gegenwart von praktisch stöchiometrischen Mengen von Sauerstoff ausgesetzt werden. Es wird als wichtig angesehen, daß während der Belichtung Sauerstoff vorhanden ist, da p-Xylylenpolymere bei Abwesenheit von Sauerstoff lichtbeständig sind. Obgleich die Belichtungszeit von der Verfügbarkeit von Sauerstoff, der Intensität und Aufstellung der benutzten Lichtquelle und der Dicke des Polymerüberzuges abhängig ist, so muß diese doch wenigstens so lange durchgeführt werden, daß das Polymer vollkommen löslich wird. Die richtige Belichtungszeit kann jedoch leicht ermittelt werden. So wurde beispielsweise gefunden, daß eine Belichtungszeit von etwa 1 Minute für einen Film einer Dicke von je etwa 500 A ausreichend ist, um die belichteten Teile vollständig löslich zu machen, wenn eine 500-Watt-Hochdruck-Queeksilberdampflampe in einem Abstand von etwa 20 cm von der beschichteten Unterlage benutzt wird. Die Belichtungszeit kann natürlich auch verlängert oder verkürzt werden, indem einfach der Abstand der Lichtquelle von dem Substrat oder die Intensität der Lichtquelle selbst geändert werden, da die Belichtungszeit direkt vom Quadrat des Abstandes der Lichtquelle vom Substrat und umgekehrt von der Intensität der Lichtquelle abhängig ist.

Obgleich über den Ablauf der Reaktion keine bestimmte Theorie aufgestellt werden soll, so wird doch angenommen, daß bei der Belichtung der p-Xylylenpolymeren in Gegenwart von praktisch störhiometrischen Mengen an Sauerstoff eine Foto-Oxydation auftritt, die zu einer Kettenspaltung und zur Bildung von in Basen löslichen aromatischen Dicarbonsäuren und Polymer-Bruchstücken mit endständigen Carboxylgruppen führt, wie es aus dem nachstehend beispielsweise angeführten Polymer ersichtlich ist.

Licht

-CH₂-CH₂ -< X-CH₂-CH₂-/' VcH₂-CH

Diese Ansicht findet ihre Stütze durch die Tatsache, daß die belichteten Teile des Polymer-Überzuges in Basen löslich sind. Außerdem erfolgt durch Ansäuern der basischen Lösung eine Fällung eines Stoffes, der in verdünntem Natriumbicarbonat unter Gasentwicklung löslich ist Der Niederschlag ist unlöslich in Äther und teilweise löslich in Aceton oder Alkohol. Der Schmelzpunkt des Niederschlages liegt über 260⁰C. Diese Faktoren stimmen alle mit der obigen Theorie überein.

Fotomaskierungsverfahren werden in großem Umfange bei der Herstellung von gedruckten Stromschaltungen, Mikrostromkreisen, Halbleitern und Präzisionswerkzeugen, sowie auch in der Dekorationstechnik und bei anderen lithographischen Arbeiten benutzt. Beispielsweise kann ein kupferplattierter Phenol-Karton zwecks Herstellung einer gedruckten Stromkreisschaltung zunächst unter Anwendung der üblichen Verfah- <ό ren, wie Tauchen, Besprühen oder Bestreichen, mit einem lichtempfindlichen Polymer beschichtet werden. Hierauf wird eine Maske, die einem fotografischen Negativ, das dunkle und helle Stellen enthält, ähnelt, auf die Polymerschicht aufgelegt und das so hergestellte fts mehrschichtige Gebilde dann einer Bestrahlung, und zwar gewöhnlich dem Licht einer Kohlenbogenlampe oder einer anderen ähnlichen Lichtquelle, ausgesetzt.

Das Licht, das die hellen Flächen der Maske durchdringt, bewirkt dann, daß an den Stellen des Polymers, die unter der Maske belichtet werden, eine fotochemische Veränderung erfolgt, und zwar gewöhnlich eine Vernetzung. Nach der Entwicklung wird dann das unbelichtete Polymer weggelöst, wodurch eine Kopie der ursprünglichen Maske oder ein Negativ erhalten wird. Die freigelegte Fläche des Kupfers kann dann geätzt werden, wodurch die gewünschte Stromkreis-Konfiguration erhalten wird. Hierauf wird schließlich noch das zurückgebliebene vernetzte Polymer durch ein starkes Lösungsmittel entfernt. Das vorstehend beschriebene Fotorr.askierungsverfahren ist als »negatives« Maskiemngsverfahren bekannt, d. h., die belichteten Teile des Polymers werden vernetzt; bei einem »positiven« Maskierungsverfahren werden dagegen die belichteten Teile des Polymers, löslich.

Die »positiven« Maskiemngsverfahren besitzen jedoch gegenüber den bisherigen »negativen« Maskiemngsverfahren gewisse Vorteile, da hier die unbelichteten Teile das Maskenbild bilden und die belichteten Teile weggelöst werden können. Die positiven Maskiemngsverfahren ermöglichen somit vielfache Belichtungen ohne die bisher bestehende Notwendigkeil, mehrfache Überzüge aufzutragen.

In jüngster Zeit haben nun schon Hersteller und Verbraucher von Fotomaskierungssystemen nach einem besse^ren Auflösungsvermögen gesucht, d. h. der geringsten Linienbreite oder Linientrennung, die erreicht werden kann, und auch einer besseren Randbestimmung oder Randschärfe, ά. h. der Größenordnung von Unvollkommenheiten, die längs einer angenommenen geraden Kante auftreten.

Bei den z. Zt. zur Verfügung stehenden Fotomaskierungsverfahren können Linienbreiten bis herunter auf 0,000/5 mm und Toleranzen von ±0,00025 mm erhalten werden. Es sind auch schon verschiedene Verfahren angewendet worden in dem Bestreben, eine bessere Auflösung und Liniendefinition zu erreichen, wobei auch der Polymer-Überzug so dünn wie möglich gemacht wurde. Die z. Zt zur Verfügung stehenden Fotomaskierungssysteme sind jedoch auf Polymer-Überzüge einer Dicke von 0,5 μ und höher beschränkt

Bisher sind die Fotomaskierun^SVerfahren in der Anwendung auch insofern beschränkt gewesen, als sie lediglich eine Maßnahme zur Bildreproduktion auf verschiedenen Unterlagen ermöglichen. Nachdem diese Aufgabe erfüllt worden war, mußten die zurückgebliebenen Teile des Maskensystems entfernt werden, ehe die Weiterbehandlung zwecks Herstellung des Endproduktes durchgeführt werden konnte. Es sind daher auch schon viele Versuche durchgeführt worden, ein Fotomaskierungsverfahren unter Verwendung eines lichtempfindlichen Materials zu erhalten, das gleichzeitig eine wirksame Isolation auf denjenigen Teilen des Substrates ermöglicht, welche das Maskenbild umgeben.

Wenn ein Überzug aus einem p-Xylylenpolymer nach irgendeinem geeigneten Verfahren auf eine ätzbare Unterlagefläche, beispielsweise wie oben beschrieben, aufgebracht wird, wird ein ultradünner lichtempfindlicher, polymerer, isolierender Überzug auf der Unterlage erhalten und somit ein Fotornaskierungssystem erzeugt, in welchem der polymere Überzug in Dicken von lOOOÄ oder darunter angewendet werden kann. Obgleich es möglich ist, die p-Xylylenpolymere in irgendeiner gewünschten Dicke einfach durch Einregulierung der Abscheidezeit aufzutragen, so ist es doch von besonderem Vorteil, ultradünne Filme der genannten Polymere abzuscheiden, d. h. Filme in Dicken unter 5000 Ä, wodurch eine bessere Auflösung und Reproduktion erzielt wird, als es bisher möglich war.

Dementsprechend ist es nunmehr möglich, die Substratflächen selektiv zu ätzen, wodurch eine bessere Auflösung und Reproduktion als bisher erhalten wird, indem auf ein ätzbares Substrat, wie Metalle, beispielsweise Kupfer oder Aluminium oder auch Glas, Quarz oder keramische Stoffe, oder auch Halbleiter, wie Silicon und Germanium, ein ultradünner Film, beispielsweise von 5000 Ä oder darunter, aus einem p-Xylylen mit den sich wiederholenden Einheiten

+ Ar CH₂ -CH₂-T-

aufgetragen wird, in denen Ar— einen Phenylenrest bedeutet. Das beschichtete Substrat kann dann mit einem fotografischen Negativ oder einem anderen ähnlichen Gebilde maskiert werden, um selektiv im voraus bestimmte Teile des beschichteten Substrates zu belichten. Das so hergestellte mehrschichtige Gebilde wird dann in Gegenwart von Sauerstoff ultraviolettem Licht so lange ausgesetzt, bis die von der Maske freigelassenen Teile des Polymer-Überzuges löslich gemacht worden sind. Die löslichen Teile des genannten beschichteten Substrates können dann mit einer verdünnten Base, wie Natriumhydroxyd, Kaliumhydroxyd, Natriumcarbonat, Trinatriumphosphat oder Pyridin s gelöst werden. Die Wahl der Base ist nicht entscheidend, da für die genannten Zwecke jede Base geeignet ist; die schwächeren Basen, wie Pyridin, wirken jedoch wesentlich langsamer. Nach dem Lösen der belichteten Teile des Polymers ist die ätzbare Fläche in der

ίο gewünschten Konfiguration bloßgelegt Infolge der ausgezeichneten Widerstandsfähigkeit der p-Xylylen-Polymeren gegenüber chemischen Angriffen kann das beschichtete Gebilde unmittelbar in ein geeignetes Ätzmittel eingetaucht werden, oder das Ätzmittel kann in irgendeiner anderen geeigneten Weise aufgetragen werden, ohne daß befürchtet werden muß, daß die polymere isolierende Filmschutzschicht zerstört wird.

Durch Ätzmittel wie Salpetersäure, konzentrierte Fluorwasserstoffsäure, Gemische aus Fluorwasserstoffsäure mit bis zu 25% konzentrierter Salpetersäure, Königswasser und übliche Eloxierlösungen, wie solche aus Äthylenglykol, Oxalsäure und Wasser in einem Volumenverhältnis von 3:1 : 2, wird der zusammenhängende Film nicht zerstört

Nachdem das ätzbare Substrat geätzt worden ist, kann der zurückgebliebene Polymer-Überzug, falls gewünscht leicht an den Stellen des Substrates entfernt werden, die vorher unbelichtet geblieben sind, und zwar indem die obige Reihenfolge wiederholt wird, d. h. die

τ,α genannten Teile mit ultraviolettem Licht in Gegenwart von Sauerstoff belichtet werden, um sie löslich zu machen, und hierauf die löslichen Teile durch Kontaktbehandlung mit einer Base entfernt werden. Nach dem Entfernen des zurückgebliebenen Folymers wird das Substrat gereinigt und zeigt nun die gewünschte Konfiguration, die in ihm selektiv ausgeätzt ist. Es ist jedoch ein wesentlicher Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß der restliche Polymerüberzug auf dem geätzten Substrat intakt bleibt, wodurch eine Isolation um die gewünschte im Substrat geätzte Konfiguration erhalten wird.

Die Erfindung wird durch die nachstehenden Beispiele näher erläutert. Falls nichts anderes angegeben ist, sind alle Teile und Prozentsätze Gewichtsteile und Gewichtsprozente.

Beispiel 1

101,5 mg Di-p-xylylen wurden in eine aus Borsi'ikatglas bestehende Sublimierkammer eines Durchmessers von 5 cm und einer Länge von 10 cm eingesetzt. Durch ein Thermoelement-Meßgerät wurde der Druck an dem einen Ende der Kammer aufgezeichnet, während das andere Ende der genannten Kammer durch ein übliches konisches Rohrstück an ein Quarz-Pyrolyserohr eines Durchmessers von 3,5 cm und einer Länge von 66 cm angeschlossen wurde. Das Di-p-xylylen wurde bei einer Außentemperatur von 150⁰C und einem Druck von

(10 0,2 mm Hg sublimiert Die Dämpfe wurden durch einen 15 cm langen Abschnitt des Pyrolyserohres (Verdampfungszone) hindurchgeschickt, der auf 200⁰C erhitzt wurde, und dann durch einen 46 cm langen Abschnitt (Spaltzone), der auf einer Temperatur von 665⁰C gehalten wurde. An das Ende des Pyrolyserohres war über einen 12 cm langen, mit Flansch versehenen Dom eine Abscheidekammer angeschlossen, die einen Durchmesser von 7,5 cm und eine Länge von 38 cm besaß. Die

überschüssigen Dämpfe wurden in einer mit Kohlensäureschnee und Aceton gefüllten Falle kondensiert. Durch eine 13-cfm-Vakuumpumpe wurde der Druck auf einen Wert zwischen 5 und 120 Mikron Hg gehalten. In die Abscheidezone wurden Quarzstreifen eingesetzt, die mit verdünnter Ammoniumhydroxydlösung gereinigt worden waren.

Das Di-p-xylylen sublimierte und wurde unter Bildung von p-Xylylen-diradikalen gespalten, die in der auf Zimmertemperatur gehaltenen Abscheidezone kondensierten und polymerisierten, wodurch auf den Quarzstreifen ein Überzug aus Poly-(p-xylylen) gebildet wurde. Während des Versuches, der 13 Minuten dauerte, stieg der Druck von 7 auf 118 Mikron an. Die Dicke des Polymerüberzuges auf den Quarzstreifen betrug 0,28— 0,38 Mikron und wurde durch Wiegen der Quarzstreifen vor und nach der Beschichtung bestimmt.

Die beschichteten Streifen wurden teilweise mit einer Aluminiumfolie maskiert und dann in einem Abstand von 3,7 cm von einer 140-Watt-Hochdruck-Quecksilberdampflampe 5—10 Minuten belichtet Die belichteten Teile des Filmes wurden schnell und vollständig in einer kalten 2%igen wäßrigen Natriumhydroxydlösung löslich.

Beispiel 2

Quarzstreifen wurden unter Verwendung der in Beispiel 1 beschriebenen Vorrichtung und des dort beschriebenen Verfahrens mit Poly-(p-xylylen) beschichtet Die Schichtdicke wurde von 0,4—3,0 Mikron verändert Die beschichteten Streifen wurden dann mit einer 550-Watt-Hochdruclc-Quecksilberdampflampe belichtet die von den genannten Streifen in einem Abstande von 18,7 cm aufgestellt war. Die Belichtungszeit betrug 0,05 Mikron je Minute, d h. ein 1-Mikron-Film erforderte 20 Minuten, um in einer basischen Lösung vollkommen löslich zu werden.

Die Ultraviolett-Analyse des unbelichteten Polymers ergab kräftige Spitzenwerte bei 205 und 232 Millimikron und kleinere Spitzenwerte bei 257, 265 und 275 Millimikron, woraus hervorgeht daß die Belichtung auf Ultraviolettlicht beschränkt ist Eine Belichtung mit sichtbarem Licht d. h. 400—800 Millimikron, würde den polymeren Film nicht löslich machen.

Beispiel 3

Unter Verwendung der in Beispiel 1 beschriebenen Vorrichtung und des dort beschriebenen Verfahrens

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wurden Glasscheiben beschichtet mit dem Unterschied, daß Di-chlor-di-p-xylylen der folgenden Formel:

Cl

H₂C

CH,

CH₂

Cl

pyrolysiert und Poly-(2-chlor-p-xylylen) gebildet wurde. Die Dicke der Überzüge, die durch Gewichtsmessungen bestimmt wurden, wechselte von 0,2—2,4 Mikron.

Die beschichteten Scheiben wurden den ultravioletten Strahlen einer SSO-Watt-Hochdruck-Quecksilberdampflampe, die in einem Abstand von 19 cm von den Scheiben aufgestellt worden war, ausgesetzt und zwai für eine Zeit von 0,05 Mikron je Minute, wodurch der Film vollkommen löslich gemacht wurde.

Die vorliegende Erfindung ist besonders brauchbai für elektronische Anwendungen, da Poly-(p-xylylen) wie oben gezeigt ein ausgezeichnetes dielektrische; Isolationsmaterial darstellt Beispielsweise besteht eine typische Anwendung in der Anfertigung von sehi kleinen Schaltungsanordnungen, bei denen die Isolatior in gewissen Flächen und ein elektrischer Kontakt ir anderen erwünscht ist An den jeweils gewünschter Stellen der Herstellung kann das als Substrat benutzte Material, wie mit Kupfer plattierte Phenolkartone odei Siliconscheiben, nach irgendeinem der oben beschriebe neu Verfahren mit Poly-(p-xylylen) beschichtet werden Darauf kann eine Maske, die die gewünschte Strom kreis-Konfiguration enthält auf das Substrat aufgeleg und das so erhaltene zusammengesetzte Gebilde ii Gegenwart von Sauerstoff eine genügende Zei ultraviolettem Licht ausgesetzt werden, um die belichte ten Teile des aus dem Polymer bestehenden Filmei löslich zu machen. Die Teile des Poly-(p-xy!ylen)-FiIme: unterhalb der lichtdurchlässigen Teile der Mask« werden durch Licht oxydiert und werden schnell un< vollständig in einer basischen Lösung löslich. Auf diesi Weise ist es möglich, die Isolation an den gewünschtei Flächen zu entfernen und elektrischen Kontak herzustellen. Auch könnten infolge der chemischei Trägheit des Poly-{p-xylylen)-Filmes anschließend aucl Ätzungen durchgeführt werden, ohne eine Zerstörunj

so des isolierenden Schutzfilmes befürchten zu müssen.

Ks 512/*

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Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Umwimdlung von praktisch unlöslichen p-Xylylen-Polyineren mit der sich wiederholenden Einheit

-Ar-CH₂-CH,-

in der Ar - einen Phenylenrest bedeutet, in deren lösliche Derivate, dadurch gekenn^eichnet, daß das genannte gegebenenfalls teilweise maskierte Polymer in Gegenwart von Sauerstoff ultraviolettem Licht ausgesetzt wird und die löslichen Teile gegebenenfalls entfernt werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Verwendung einer Lichtquelle, die Wellenlängen im ultravioletten Bereich unterhalb 300 Millimikron ausstrahlt

3. Verfahren nach Anspruch 1 und .2, dadurch gekennzeichnet, daß der Sauerstoff während der Belichtung in etwa stöchiometrischen Mengen vorhanden ist.

4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein p-Xylylenpoiymer in Form einer dünnen Schicht bestrahlt und das löslich gewordene Polymer entfernt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadirch gekennzeichnet, daß man ein auf einem Träger aufgebrachtes p-Xylylenpolymer verwendet.

6. Verwendung der gemäß den Verfahren na^h Anspruch 1 bis 5 erhaltenen Produkte zur Herste¹-lung von Reproduktionsplatten.