DE1644043A1 - Hydrothermale Zuechtung magnetischer Granate und derart hergestellte Werkstoffe - Google Patents

Hydrothermale Zuechtung magnetischer Granate und derart hergestellte Werkstoffe

Info

Publication number
DE1644043A1
DE1644043A1 DE19671644043 DE1644043A DE1644043A1 DE 1644043 A1 DE1644043 A1 DE 1644043A1 DE 19671644043 DE19671644043 DE 19671644043 DE 1644043 A DE1644043 A DE 1644043A DE 1644043 A1 DE1644043 A1 DE 1644043A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mentioned
crystal
composition
solution
electromagnetic wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19671644043
Other languages
English (en)
Other versions
DE1644043B2 (de
Inventor
Laudise Robert Alfred
Kolb Ernest Denicke
Spencer Edward Guerrant
Wood Darwin Lewis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Publication of DE1644043A1 publication Critical patent/DE1644043A1/de
Publication of DE1644043B2 publication Critical patent/DE1644043B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
    • H01F41/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/26Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
    • C04B35/2675Other ferrites containing rare earth metals, e.g. rare earth ferrite garnets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/28Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/34Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
    • H01F1/342Oxides
    • H01F1/344Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
    • H01F1/346[(TO4) 3] with T= Si, Al, Fe, Ga
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/901Levitation, reduced gravity, microgravity, space
    • Y10S117/902Specified orientation, shape, crystallography, or size of seed or substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/918Single-crystal waveguide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1096Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state including pressurized crystallization means [e.g., hydrothermal]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Western Electric Company, Incorporated Kolb-Laudiae-Speneer-Wood 4-7-7-5
olegexemplIF]
f icht geändert werden j
Hydrothermale Züchtung magnetischer Granate und derart hergestellte Werkstoffe
Gegenstand amr Erfindung ist die Herstellung von Einkristallen aus ferrimagnetischem Material mit Granatstruktur. Solche Kristalle interessieren für 1.) Mikrowellen-Geräte wie Isolatoren, Rotoren usw., die in allgemeinen auf gyromagnetisohen Eigenschaften beruhen, 2.) für Versögerungsstreoken und andere Geräte mit elastischen Wellen, wo sie als ihre eigenen Transduktor·» arbeiten und auf ein angelegtes Magnetfeld mit Magnetorestriktion antworten und 3·) für Laser, Lichtmodulatoren und verwandte Geräte, die bei Wellenlängen im Bereich von annähernd 1 bis 5 Mikron arbeiten. Die physikalischen Abmessungen, die gute Kristall-Ausbildung und die elektrischen, magnetischen und optischen Eigenschaften der gemäsB Erfindung gesuchtsten Kristalle empfehlen ihre Verwendung in dieser gansen Geräte-Klasse.
Die für die Verwendung in Geräten des beschriebenen Typs geeigneten Kristalle sind fttüher nur mittels Sehmelsfluss-Teohniken gezüchtet worden. Im allgemeinen umfassen diese Techniken eine spontane Keimbildung aus einen bleiexydenthaltenden äohmelsfluss. Die entstehenden Kristalle sind gewöhnlich recht klein, d.h. von der Grössenordnung eines Zentimeters eder weniger in der grossten Abmessung. Obwohl gewisse Züchtungsverfabren regelmässig Kristalle mit ausgeseichneten Geräte-Eigenschaften ergeben, sind1 sie dach recht kostspielig, und bestimmte Anwendungen, besonders in Versögcmagsstrecken, werden ihrem Wesen naeh duroh die praktische Unmöglichkeit verhindert, die geforderten Längen su erhalten. Ein kurslieh beschriebenes Verfahren, das die Verwendung kleiner tillieittm-Zusätse versieht, ergibt eine
Ö0983Ö/1679 Tereesserte lafraret-Derthlässigkeit (Journal ef Applied Physics, 22, 1333, Mars 1966).
fts ist wohlbekannt, das· di· hydrothermal· Züchtung mit Keim-Kristallen ie allg·»·in«η die wirtschaftlich· Herstellung grosser, praktisch fehlerloser Kristalle ergeben kann. Angesichts des weit verbreiteten Interesses an Geräten mit Yttrium-Jüisen-Ctranaten und der bekannten Unzulänglichkeit der Züchtung aus dem Schmelzfluss ergab sich eine ausgedehnte Untersuchung zur Entwicklung eines Verfahrene der hydrothermalen Züchtung. Die untersuchten Lösungsmittel-System· umfassen wässerige Lösungen von Natriumkarbonat (Journal of Physics Cham., 6£ , 359, Februar 1961) wie auch von Natriumhydroxyd (American Ceramic Society, 4j£, 51, Februar 1962). Solch© Versuche endeten mit einem allgemeinen Fehlschlag, weil entweder die Kristallisation der richtigen ίhase nicht eintrat, oder weil die gebildeten Kristalle schlechte elektrische Eigenschaften hatten, insbesondere groese Linienbreiten in der Uröeaenordnung von JQ Oersted (annehmbare, aus dem Schmelztluss gesüchtcte Kristalle haben Linienbreiten in der (iröasenordnung von 1 O«rst«d oder weniger). Demzufolge gab es wenig oder keine Aktivität auf diesem Gebiet während der letzten drei oder vier Jahre, und es wurde allgemein angenommen, dass die technische Herstellung von Xttrium-Uieen-uranat und verwandten Verbindungen weiterhin Schmelzfluss-Taehnikcn anwenden wurden,
ttit der Erfindung wurde festgestellt, dass gesunde Einkristalle von Xttrium-Kiseii-ßranat und partiell substituiertem ^trium-fiiaen-Granat hydrothermal an eingesenkten Kristall-Keimen unter Verwendung einer Kaliumhyiroxyd-Lösung als Überträger-Medium gezüchtet werden können. Ks wurden Linienbreiten ferrimagnetisoher ttesenans von 1 U«rst«d und weniger gemessen, und die magnetischen und
elektrischen eigenschaften sind allgemein mit denen von aus dem Schmelzfluss gezüchteten Kristallen vergleichbar. Während für die meisten Verwendungszwecke eine wässerige LüsuBg ve» Kaliumhydroxyd geeignet ist, ergibt sieh eine bemerkenswerte Verbesserung der Infraret-Durehlässigkeit
009839/1679
-3-
durch den Ersatz von Wasser durch Deuteriumoxyd. Si« erlaubte Zusammensetzung umfasst den partiellen Ersatz von 10 Atonprozent einer oder mehrerer der dreiwertigen seltenen lirden für Yttrium und ebenso den partiellen Ersatz von bis zu 25 Atomprozent Gallium oder Aluminium für Eisen. Dementsprechend kann eine allgemeine Formel wie folgt ausgedrückt werden:
in der Y - Yttrium ist» Fe- Eisen, 0 - Sauerstoff, M1 wenigstens ein element au» der Uruppe der dreiwertigen seltenen £rden Nummer 57 bis 71, M" ■ Gallium und/oder Aluminium, χ « 0 bis 0,3 und y - 0 bis 1,25 ist.
Die aus der Anwendung des erfindungsgemässen Verfahrens erhaltenen Kristalle werden geeigneterweise in Geräte eingesetzt, die für ihre Arbeitsweise von den elektrischen, magnetischen oder akustischen Eigenschaften des Werkstoffs abhängen. Solche Kristalle und Geräte bilden einen feil der Lrfindung.
Fig. 1 ist eine perspektivische, teilweise im Querschnitt gezeigte Ansicht einer Apparatur, die zur Ausübung der erfindungsgemässen Verfahren geeignet ist}
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Granat-Kristalls, der nach einem hier beschriebenen Verfahren gesuchtet ist;
Fig. 3 ist eine Aufsicht auf eine Verzögerungsstrecke aus
° einem gemäss Erfindung hydrothermal gezüchteten
<£> Kristall;
«*» Fig. 4 ist eine diagrammatisohe Wiedergabe einer Licht- ^. drehungs-Vorriohtung, die einen Granat-Kristall
CT gemäss verliegener Erfindung verwendet}
•o Fig. 5 ist eine perspektivische, teilweise geschnittene Ansicht eines Mikrowellen-Bauteils mit einen Kristall-Material, das genuine Erfindung gesüelitet ist,
In Fig. 1 ist di# bekannt», Kodifizierte Apparatur nach Bridgemau für hydrothermale Züchtung abgebildet. Der einzige bedeutsame Unterschied von der sur Quarz-Züchtung benutsten Apparatur ist der Einbau einer Ldelmetall-Auekleidung, beispielsweise Platin, die wegen der erhöhten iieaktionsfähigkeit de« Systems erwünschtermaeeen eingebaut wird. Der Hauptkörper 10 enthält eine fcdelmetall-Büchse 11, die die Kammer 12 bildet. line Verechlusamutter wird in den oberen Teil der Kammer eilige schraubt. Kin Kolben 14 ist in die bohrung \2 eingepasst und bewegt sich frei unter dem Einfluss des drucke in der Kanuner, Kenn der Kolben aufsteigt, berührt er einen üichtungering 15 aus Stahl und wird sohlieselich beim Abstützen gegen die Verschlussfflutter 13 durch den dichtungsring aufgehalten. Dieser Vorgang liefert eine wirksame Abdichtung für die Züchtungskararaer. Die Kammer wird zu Beginn vorübergehend mittels der Druckschrauben 16 verschlossen, welche eine federnde Unterlage 19 gegen den Schaft des Kolbens pressen. i>er Baum awiechen der Büchse 11 und der Innenwand des Körpers Ij) wird mit Hasser in solchen MaQe gefüllt, als notwendig ist, um den Üiff eren*-i>ruck awiechen Innenseite und Auesenseite der iiüehse 11 au vermindern.
Für den Zuchtungsvorgang wird die Kammer 12 mit Nährmaterial gefüllt. 4>ie Kaliumhydroxydlösung wird in der erforderlichen Menge zugegeben, um den notwendigen ^ruck bei der gewünschten Arbeitetemperatur au erzeugen. Keim-Kristalle 17 werden, wie gegeigt, aufgehängt. Ein Siebblech 18 kann !wischen Nähraas β a «and Keim-Kristallen eingesetzt werden, um die Kanner in »wei Thermalsonen su teilen« i>ae äiebbleoh hält suverlässig einen Temperatur-Unterschied «wischen der Nährraasse und der Kristallisations-Zone auirecht und fördert die gleichseitige Züchtung an awei oder mehr Keim-Kristallen.
Chemisch sollte die Nährraasse derart beschaffen sein, dass sie die gewünschte Granat-Zusammensetcung ergibt« Um
009839/1679
-5-
Yttrium-Lisen-Granat zu erzeugen, werden die Oxyde Xo0-* und Fe0O- in angenäherten stöOkiometrischen Verhältnis von 3 ι 5 Mol eingesetzt, obwohl eine Abweichung von diesem Verhältnis bis zu -10 tfolprosent gestaettet ist. Pas i-bertragungsaedium ist eine Lösung von Kaliumhydroxyd in Hasser oder Deuteriumoxyd und der erlaubte Konzentrat tionsbereioh lümolar bis 2?molar. Die untere Grenze wird 1.) «lurch die Tatsache bestimmt, dass bei merklich niedrigeren Konzentrationen andere Phasen erscheinen, und dass 2.) bei geringeren Konsentrationen eine Verkleinerung der Zuchtungsgeschwindigkeit bis auf unbeträchtliche tVerte erfolgt. Wenn die Xonsentration der Base höher als 25molar ist, wird der Angriff auf die Edelmetall-Auskleidung ein Problem, lter bevorzugte KonzeArationsbereiCh ist 20 bis 25molar; die bevorzugte untere Grenze wird weitgehend auf der Basis der 2üohtungagesohwindi,<?keit gewählt.
Die Füllung beträgt wünsehenswerterweise von 70 Ji bis 95 f des Volums, obwohl diese Grenzen nicht absolut sind. Für den erlaubten Temperaturbereich von 3500C bis 425°G sind die entstandenen Drucke derart, dass oberhalb 95 f> sin mechanisches Problem auftritt. Die untere L1 iill grenze beruht allein auf der Züchtungsgeschwindigkeit, wobei die Geschwindigkeiten unter ein passendes Niveau bei geringerer füllung fallen. Die Temperaturen sind mit den Geschwindigkeiten verknüpft, so dass Temperaturen oberhalb der angegebeneu Werte drucke erseugen, die für die gewöhnlichen Autoklaven-Uauarten iibermässig hoch sind, während die Züehtungsgeschwindigkeit unterhalb der angegebenen unteren Temperaturen unangemessen abfällt. Während allgemein nesh hoher· Temperaturen bei geringeren i'Ullungsgraden unterhalb des angegebeinen Minimums gestattet sind, ergeben sieh einige Nachteile bei diesem Verfahren dadurch, dass andere Phasen als Granat sieh su bilden neigen. Meoh niedrigere Temperaturen, die neck heberen Fiillungsgraden entsprechen, ergehen im allgemeinen keine annehmbarem Züshtnngegesehwindigkelt. irtruske, die diesem Temperatarbereieh
009*30/im -*-
entsprechen, liegen bei 562,5 kg/cm" bei 35O°C und 70 Füllung bis 2461 kg/cm2 für 425*C und 95 ^ Füllung.
Wie bei Jedem hydrothermalen Züehtungsvorgang ist der l'emperaturuntersehied zwischen KeIb-Ktistall und Nährstoff-Anordnung eine bedeutsame Grosse. Die Anwendung kleinerer Unterschiede Terringert die Züchtungsgeschwindigkeit, ergibt aber in Übereinstimmung mit der Wahl anderer Parameter, die die Geschwindigkeit vermindert, eine grössere Vollkommenheit dank der Tatsache, dass den Atomen mehr Zeit für die Neuanordnung auf der Oberfläche des wachsenden Kristalls geboten wird. Ein minimaler Gradient von etwa 5 C soll genannt werden. Dieser Wert ergibt sich aus der Berücksichtigung der erlaubten geringen Züohtungsgesehwindigkeit und aus der Tatsache, dass die Temperatur-Kontrolle kleinerer Gradienten mit den technisch verfügbaren Apparaten im allgemeinen schwierig ist. Jüin bevorsugtes Minimum von 10 C wird empfohlen. Der maximal ertragbare Gradient liegt bei etwa 50 C, dass für bemerkenswert höhere Werte die spontane Keimbildung ein Problem wird. Ein bevorsugtes Maximum liegt bei etwa 300C.
Sine bevorsugte Keim-Kristallorientierung ist (lOü). Das Wachstum findet auch auf den Flächen (211), (ill) und (llO) statt, obwohl bei etwas geringerer Geschwindigkeit. Waehs-
-2 tumsgesohwindigkeiten bis su 3 ζ 10 em je Tag wurden für eine 20molare KOH-Lb'suag, 80 $ FUllungsgrad, 390*C Kristall!. sations-Temperatur und einer Temperatur-Differens von 109C bei 562,5 kg/em2 beobachtet. Wie bei aaderen hydrothermalen Züehtungsverfahren wird Temperatur-Gradient weitgehend durch ein Siebfcleeh wie das bei Ziffer 18 in Fig. 1 gesteuert. KIm passende Freifläche für das Ue hbleeh ist etwa 5 J. Mehr als 10 $ freier Fläch· neigt sur Verminderung dta Temperatur-Gradienten auf Werte, Ai* unterhalb 4er im UbIIehon Apparaturen erlaubten Werten liefen·
098 3 9/1679
"7" 16UCU3
Die Spanne der Üestinuaungegröeeen iet eingehend an Hand der Kristall-Ausbildung und »Ausbeute besprochen worden. In einer bevorzugten Avsführungeform der Erfindung werden die Parameter ao festgesetzt, daaa sich ein Optimum an Durchlässigkeit für Frequenzen im Infrarot ergibt. Aue gewissen iSinaehlüesen von Verunreinigungen und aus anderen Abweichungen von der Stöehiometrie ergehen sich verschiedene Mechanismen, die gewöhnlich für eine erhöhte Absorption bei Wellenlängen in der Nähe der 1 Mikron-Kante des Infrarot-Fensters verantwortlieh aind. Im oben erwähnten Journal of Applied Physios ist angegeben, dass Abweichungen vom dreiwertigen Zustand des Eisens eine erhöhte Absorption ergeben. Bei der hydrothermalen Züchtung wird jedoch im Gegensatz zur Züchtung aus Schmelfluas an dand experimenteller Information die Ursache für vermehrte Absorption einen anderen Uechuniamus zugeschrieben, wenn auch die Unerwünscbtheit zweiwertiger oder vierwertiger Verunreinigungen angedeutet wird.
Im allgemeinen haben hydrothermal gezüchtete &raaa4»Krietalle keine bedeutsame Absorption infolg· von zwei-, wertigem oder vierwertigem bisen gezeigt, sondern vielmehr infolge des Einschlusses eines Proton·, d.h. infolge Anwesenheit einer OH-üruppe oder von H^O. Di« Hauptalisorption für diesen Einschluss tritt bei etwa 2,8 Mikron auf und der Schwans dieser Absorption oder überlagert· Absorption der OH-Gruppe reichen aus, tut für Infxarot-uellenlängen von Bedeutung zu sein, die weit unterhalb der Iiaupt-Absorption liegen. Siez soll nloht bedeuten, dass der Gehalt an zwei- und vierwertigen Ionen nicht vermindert werden sollte, da es scheint, dass die •rsteren von irotonen ladungskompensiert werden und die letzteren zur Verminderung der rfaehstumsgeschwindigkeit neigen, im allgemeinen wird di· dem l'rotonen-Einsohlues zugesehrieben· Absorption bei 2,8 Mikron dadurch vermindert, dass man den Gehalt an zweiwertigen Ionen auf
009839/1679
-8-
einen Wert unterhalb 100 ppm hält, indem man 1.) hochreines Fo2O-, Y^O, und EOB verwendet, und 2.) indem man HO im Übertragnngs-Medium ganz entfernt.
Der iireatz des Wassers durch lieuteriamoxyd bewirkt eine Absorption nicht bei 2,8 Mikron, sondern bei 3,8 Mikron. Während OD-Schwingungen, die den OII-L'ber lagerung β-Absorptionen entsprechen, wahrscheinlich über dieser fundaraental-Fr«quenz liegen, werden auch si ie gegen gröesere Wellenlängen i'reqnensverachobeu. Aus JU„O an Stelle von IKO-Löeung gesüchtete Granate zeigen bemerkenswert bessere Durchlässigkeit bei Hellenlüngen von etwa 1 bis 2 Mikron. Für optische Zwecke bei entsprechenden Inf rarot-rirenuenzen gezüchtete Granat-Kristalle werden daher bevorzugt aus DyO an Stelle von Η,,Ο-Löeungen von Kaliuiohydroxyd gesuchtet. Für solche Zwecke bestimmte Kristalle werden vorsugsweise gleichfalls aus hochreinem Ausgangsmaterial gezüchtet, wie oben angegeben.
Die Anwendung von KOU, auf dessen Anwendung sich die Erfindung - allgemein gesagt - weitgehend stützt, wird nicht nur gefordert, um niedrige Absorptions-Werte bei 2,8 Mikron su erhalten, sondern auch um enge Linien-Breiten der ferrimagnetischen iiesonans su sichern. Linien-Breiten in der Grössenordnung Ten 1 Oersted und weniger werden regelmässig erreicht. Ans nooh nicht bestimmten Gründen scheint eine Besiehung »wischen niedriger Absorption bei 2,8 Mikron und enger Linienbreite zu bestehen, für engste Linienbreiten ist es wünschenswert, den Pretonen-ttinsohluss auf ein Minimum an verminderen, beispielsweise duroh Anwendung verh&ltnismässig niedriger Drucke und Temperaturen.
Die folgenden bevorzugten Beispiele besehreiben spesifisehe lieBtimmungegrisaen und ZusasstensetsuBgen, die zur Krseugttug einiger Kristalle verwendet wurden, die beschrieben worden sind.
009839/1679
-9.
Beispiel 1
£s wurde ein· der in fig. 1 gezeigt· ähnliche Apparatur verwendet alt den annähernden Innenabaessungen von 19,05 ca Länge and 2,%5 ca Durchmesser. Insgesamt 20 g X^O und ^e2O3 χμ Molverhftltnis 3 : 5 wurden auf den Boden des AutoklaTen gebracht. J>aa Üiebblech, vie da· als Bauteil 18 gezeigte, ward· dann ia Stellung gebracht. Krietall-Keiae mit dar Fläche (löö), wie bei Ziffer 17, wurden in die gezeigt« Stellung gebracht. Der Autoklav,« wurde dann zn 80 )6 seine* freien VoIuns alt 2Ui*olarer wässeriger .Kalilauge gefüllt· Uer Autoklav wurde versehlossen and in einen Ofen eingesetzt, wo ev auf eis« Temperatur von 373°£ la Höhe dar Kristall-Keime in eine« Zeitabschnitt von etwa 5 Stunden gebracht ward«. Der Boden de« inneren tiefässes, dar dar Lage des Nähratoffs entspricht, war an dieser Stall« auf einer Temperatur von etwa 4DU0C, somit eine Temperatur-Differenx von etwa 23*ίλ. Der Druck unter diesen Bedingungen war etwa 562,5 kg/cm . Autoklav und Inhalt wurden unter diesen Bedingungen während einer Zeitspanne von lagen gehalten, wonaoh der Autoklav aus de« Ofea entfernt und dar Abkühlung uuf Kaumteaperatur für eine Zait van etwa 10 Stunden überlassen wurde, we»aah er geöffnet und die Keie-Iir is tall« susanman «it der neuen Züohtung entfernt wurden.
entstandene iachetu» lag in 4er UrbVsaenordnung van 1,62 an inegesasit, «as eiaea Aachstum von etwa 2,5 x ca je tag entsprieht. i>ie geaasseae ferriaagactlsohe liaienbreite war etwa 0,3 Oersted« Die iafrarat-Abserptie« war etwa 1,0 für <* ^^ «i %#ö für Oi ^ { ^ ^ »1« Ixtiaetloas-Keefflsieat aefialert mad ist gleich l/t Log (I0/'I)), wer la T die uieke i» ser i>mrehgaag·- «lehtung «es gea«·««»·» Lichtstrahls ist, I0 all· fctrahl-Utemsitit bei abweseaeea Kristall «■* X aie Str«al*Iai·»- sltlt, aie aae· caa Aastritt aas aea Kristall g«aessea wiri.
00SS3S/18ft
Beispiel 2
X>ae Tor stehende Beispiel wards wie Beschrieben wiederholt, jedoch HqO durch D„0 ersetzt. i>as *aehstu*i war etwa dasselbe wie angegeben, Die Mnienbreite war praktisch unverändert. Die Durchs-lässigkeit wurde auf rterte von Ü,3 für OC - .. und 1,0 für (X1, „ verbessert.
Beiapi β JL 3
Me Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde wiederholt, jedoch eine gebrannte und gesinterte Masse dsr Zusammensetzung
als Nährstoff verwendet. Der schüssel ich erhaltene, hydro-r thermal gezüchtete Kristall hatte dieselbe iuaautaeasetsuQg. Die filgenechaften waren etwa dieselben wie in Ββίβχιΐβΐ 1 angegeben, jedoch zeigte der Kristall dia niedrigere Sättigunga-Uharakteriatik eines Granats, bei de α diese Substitutionen erfolgt sind.
Beispiele stellen nur eine geringo Anzahl der tatsächlich durchgeführten dar, Wahrend der Einfachheit halser die ersten beiden Beispiele an Hand der Aasgangs— Materialisn ^y0I ^**1 '·ο0^ beeprochen werden, sind gesinterte Nähreteffe, wie die in Beispiel 3 beechriebenen oder durch hydrethermale ^kristallisation hergestellten Granate allgenein versusiehen, Um hydrothernal gestiehtete Kristalle hersuetellen, Ils als Nährstoff rerwendet werden sollen, 1st es swesksiässig, die Arheitsgrhssen auf Maximales Wachs tun abaus teilen. i>ie unter solshen üedingangen dMreh spontane K*iB»ild«ng entstandenen Kristalle sind als Nährstoff durchaus brauchbar.
Der in *"ig. S geseigte kristall wurde dureh Züchtung auf einer (lüO)-Flaeke ersenft, Man sieht, dass das *aohe4n« ssakreeht an» I«isH>Kristall erfelgt, und das· dar sieh
ÖQ9839/1S7S -11-
16U043
bildende Kristall fa»t sofort abrundet. Der speziell abgebildete kristall seigt noch die rohe thermodynamisch instabile Oberfläche parallel zu der schnell wachsenden Keim-iüiatal 1-i lache.
Vorrichtung nach Fig. 3 ist ο im. Verzögerungsstrecke Mit einem ferriiuagnotischen Granat, i-ieae Vorrichtung besteht auu deu Stab 23 aus Ytttium-Lisen-ürunat und verwandtem Material und den umgebenden i>rahtwicklungen und 27. Die Eingabe eines elektrischen Signals durch die Zuiuhruujten 28 und 29 der Wicklung 26 durch eine (nicht gezeigte) Vorrichtung ruft eine elastische Welle wegen der luagnetostriktiTen reaktion des Stabs 25 hervor, ^iese Welle läuft am ist ab 25 entlang und bewirkt beim Erreichen der aufgebrachten Wicklung 27 «in elektrisches Signal, da« au den Anschlüssen 30 und 51 mit Hilfe einer (nicht gezeigten) tmplunge-Apparatur abgelesen wird.
Die Vorrichtung der Fig. 4 erläutert eine Konstruktion, die zur ttodulierung eines infraroten Lichtstrahl« durch magneto-optische Einwirkung bestimmt ist. in dieser Vorrichtung wird der Körper 41 als dünne ticheibe eines „ Xttrium-Maen-branats oder substituierten Granats gemäss Erfindung gezeigt. i>ie Stirnfläche der Scheibe 41 wird in senkrechter »Heilung zu einer mit ε bezeichneten Achse gezeigt. Die Scheibe liegt in der Ebene der orthogonalen x- und yWlohse, die gegenseitig orthogonal auf der B-Achse stehen. Zu beiden Seiten des) Körpers 41 sind das Polarisationsprisma 42 und das Analysator-Prisua 43 angebracht. Prisma 42 ist ausgerichtet, um planpelarisiertee Lieht senkreoht zur x-Aohse durchzulassen und Prisma 43 ist - wie gezeigt - ausgerichtet, um nur einen teil des Lichtes bsi Abwesenheit eines modulierenden leides durchzulassen. Di· zu beiden Seiten des (irttcat-Körpers 41 und längs dar y-Aehse angebrachten Spulen 44 errichten ein Gleichstrom-Magnetfeld, das mit U^ bezeichnet 1st. Das Feld hat
009Ö3&/167I ~"" ~12~
ausreichende Stärkt, um <Um ferrimagnetischen Körper 3SU sättigen. Die Magnet ie ie rung dee Granatkb'rpers 41 in eine» solchen Gleichstrom-Feld wie H ist mit der üichtung dee Feldes auegeriehtet. Die Spule 46 wird erregt, um ein Gleichstrom-Magnetfeld H in paralleler ilich-
ttPP tung zur i'Ortpf lanzungs-ilichtung des Lichtstrahls 45 zu
schaffen. Wegen der Gegenwart des magnetischen Feldes
U hat die Magnetisierung des ferrimagnetischen Körapp
pers 41 eine Komponente in der F ortpflanaungs-Riehtung des Lichtetrahle 45· Eine drehung dee Strahls 45 erfolgt bein "urchgang durch den Körper 41 und das Analysator-Prisma 43 lässt nun eine grössere oder kleinere Lichtraenge in Abhängigkeit τοη dichtung und Grosse der Drehung durch. Die Vorrichtung kann einen (nicht gezeigten) ampIituden-empfindliohen Licht-Detektor enthalten. Für die Zwecke dieser Abbildung wird die Rotation als Drehung im Uhrzeiger-Sinn vom Analysetor-Prisna 41 aus gesehen gezeigt.
Die Konstruktion nach Fig. 4 ist natürlich nur im besonderen beispielhaft und für eine Violzahl von Geräten, die dem Fachmann wohlbekannt eiud, repräsentativ. Jede dieser Vorrichtungen kann mit Vorteil einen Kristall-Körper irgendeines der hier beschriebenen Materialien in einem den Infrarot naheliegenden Lichtsystem verwenden.
Fig* 5 stellt eine Vorrichtung für Faraday*sehe notation dar und soll beispielhaft für einen weiten Bereich von Mikrowellen sein, in denen Kristalle vorliegender Erfindung passend verwendet worden können. Die Vorrichtung nach Fig. 5 enthält Element 91, das aus einem der Kristalle genäse Erfindung besteht und in einer runden Wollonführung 32 angeordnet ist. Zwei rechtwinkelige ttellenfuhrungen 93 und 54 sind «it dor runden Wellenführung 52 - wie gosoigt — verbunden* Der Teil der
-13-
009839/1679
runden Wellenführung 52t der das Element 51 enthält, welches seinerseits an die verjüngten Enden 55 und 56 aaatöaat, die aus einem dielektrischen Material wie Polystyrol bestehen, wird von der Konstruktion 57 «it der elektrischen Wicklung 38 und der Kühlapule 59 nmeehloasen. Die elektrische Wicklung 58 wird von einer (nicht gezeigten) Stromquelle erregt und bringt ein horizontales Magnetfeld im Bereich des Elements 51 hervor, wobei besagtes Feld ausreichen nuss, um fclement nahe an die magnetische* Sättigung zu bringen. Radiale Fahnen 60 und 61 werden zur Absorbieren^ von Reflexionen eingesetzt. Für die gezeigte Vorrichtung ist die Fahne ao angeordnet, daaa sie horizontal polarisierte Wellen absorbiert, während die radiale Fahne 61 so angeordnet iat, dass aie vertikal polarisierte Wellen absorbiert· Die verjüngten Teile 55 and 56 sollen so absorbierte Heflexionen vermindern.
Aus Heiueialiohkeitsgriinden iat die Erfindung an Hand einer begrenzten Anzahl von Ausführungsfermen beschrieben wordeu. '.feist sind die Zuchtungeverfahren in der Atiwendung auf J/ttrium-iMsen-Granat besprochen werden« Jedech iat dea öfteren festgestellt worden, daaa diese Verfahren modifiziert werden können, um ittrium uud/oder £isen Jurci) festgesetzte «lengen verschiedener Ionen zu substituieren, de ζ JgIi eh der Pachtung beruht die JSrf indan·; auf der Entdeckung, das» für Geräte brauchbare Kristalle solcher Uranate in der !i'«t hydrothermal gezUchtet werden können« vorausgesetzt, daaa Kaliumhydroxyd als übertragend·· ilediiua verwendet wird. Uiβ Kenttgre*sa«n für die Arbeitsweise *nd die Zueammensatxung der Übertrager-Medien, dis apesiell z»r Optimierung beatlwater Eigeatsvhaiten braue ti »ar aiftd, wurden niedergelegt ntiA »ildea beverxagte A»afilir*Bgsferateii 4er Erfindung.
-U-
Die abgebildeten Geräte «teilen natürlich nur eine kleine repräsentative Gruppe rer und sind lediglich al· &rläuteruagea gedacht.
009839/1679

Claims (1)

16U043
nrrr
Patentansprüche
1. Verfahren car Züchtung kristallinen Materials, da· im wesentlichen die Zusammensetzung
3-x χ 5-y y 12
hat, in der U1 wenigstens ein Element der dreiwertigen seltenen Lrden, M" wenigstens ein £1erneut aus Gallium und Alumini tut umfassenden Stoff gruppe, χ «■ 0 bis 0,3 und Y » 0 bis 1,25 ist, bestehend in der Anordnung eines Kristalls, der im wesentlichen die erwähnte Zusammensetzung hat und einer Nährstoff-Masse, die in der Lage ist, eine solche Zusammensetzung in alkalischer Lösung innerhalb eines geschlossenen GefÜsaea su ergeben, ferner in der Erhitzung der erwähnten Lösung auf eine Temperatur von wenigstens 330 C unter eines ^ruek, der ihren kritischen !»ruck überschreitet und der Aufrechter hai tuug einer Temperatur-Oifferens zwischen Keim-Kristall und Nährstoff-Masse τοη wenigstens 5°C bis ein wesentlicher Zuwachs in der Grosse des erwähnten Kristalls erreicht ist, dadurch gekennseiehnet, dass die Lösung'im wesentlichen aus einer 10 bis &5aolaren Lösung von Kaiiumhydroxyd in einem Lösungsmittel besteht, das aua der Stoffgruppe Wasser und Deuteriumoxyd ausgewählt ist.
2» Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennseiehnet, dass die lempcratur-Diffcrens im Bereich Tem 10 bis 30* C liegt.
009839/1679
3. Verfahren nach Ansprach 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, dass das Gefäss zu 70 bis 95 P seines Volume vor dem Erhitzen gefüllt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3 dadurch gekennzeichnet, dass die erwähnte Lösung im wesentlichen aus einer 20-bis 23molaren Lösung Ton ftaliumhydroxyd besteht.
5. Verfahren nach -Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, dass das Lösungsmittel im wesuutlichen i;euteriuraoxyd ist.
(«. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die erwähnte Nährstoff-Masse •ine gesinterte Masse der gewünschten Zusammensetzung ist.
7. Verfahren nach einen der vorangegangenen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die i'iihretoii'-Maeee hydrothermal gezüchtetes Material ist.
8. Kristallines Material, dasa geraaas Verfahren des Anspruchs 1 gezüchtet ist.
9. Vorrichtung aus einem körper eines kristallinen Materials und Hilfseitteln zur Erzeugung eines Magnetfeldes längs* wenigstens eines Teils des erwähnten Körpers, dadurch gekennzeichnet, dass das kristalline Material in wesentlichen der Zusammensetzung
entspricht, in der M* wenigstens eines der Plenente aus der Gruppe der dreiwertigen seltenen firden, M* wenigstens ein Element ans der äteff-Uruppe Gallium und Alemini am, χ m (J eis 0,3 *»t y - 0 bie 1,25 ist and das kristallin· Material naeh dem Verfahr·» gemass einem der Ansprüche 1 bis 7 gezüchtet wird.
009839/1679 -1?-
-17- 16U043
10. Vorrichtung nach Anspruch 9 dadurch («kennzeichnet, da·· da· erwähnt« Feld auareieht, im einen Teil magnetisch au sättigen.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10 dadurch gekennzeichnet, da·· HilfsKittel but Übermittlung elektromagnetischer Wellenenergie durch den erwähnten Körper vorgesehen •ind.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11 dadurch gekennzeichnet, da·· die erwähnte elektromagnetische Wellenenergie im Mikrowellenbereich liegt.
IJ. Vorrichtung nach Anspruch 11 oder 12 dadurch gekenn·
zeichnet, da·· die erwähnte elektromagnetische Wellenenergie im Wellenlängenbereioh τοη 1,0 bis 5»Ö Mikron liegt.
14. Vorrichtung nach A*aprueh 11, 12 «der 13 dadurch gekennseichnet, dass die erwähnte elektromagnetische Wellenenergie planpelarisiert ist, und dass das angelegt· Feld eine Komponente parallel sur Ubermittlungs dichtung hat.
15. Vorrichtung nach A«aprueh 14, gekennseiohnet durch Hilfsmittel aur Entdeckung einer Änderung in der FeIarisatlena-fcbene der erwähnten elektromagnetischen Energie, die bei Kirchgang dureh den Korper auftreten.
16. Verrichtung nach einem der Torangegangenen Ansprüche dadureh gekennselehnet, dass da· erwähnt· Feld auf eine« elektrischen btrem w««haelnder Amplitude auifri«ht ansammem mit Verrichtungen sur ÜBtd««kung einer wandernden elastischen Welle an einem Funkt im dem erwähnten EBrper, der ven dem erregten Teil entfernt let.
00 9 8 39/167Θ
DE19671644043 1966-11-15 1967-09-21 Verfahren zur hydrothermalen zuechtung von ferrimagnetischen granat einkristallen Withdrawn DE1644043B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US59461266A 1966-11-15 1966-11-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1644043A1 true DE1644043A1 (de) 1970-09-24
DE1644043B2 DE1644043B2 (de) 1971-03-11

Family

ID=24379638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671644043 Withdrawn DE1644043B2 (de) 1966-11-15 1967-09-21 Verfahren zur hydrothermalen zuechtung von ferrimagnetischen granat einkristallen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3496108A (de)
BE (1) BE706521A (de)
DE (1) DE1644043B2 (de)
GB (1) GB1203973A (de)
NL (1) NL6711918A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3613056A (en) * 1970-04-20 1971-10-12 Bell Telephone Labor Inc Magnetic devices utilizing garnet compositions
US3873463A (en) * 1972-02-23 1975-03-25 Philips Corp Method of and device for manufacturing substituted single crystals
US4263374A (en) * 1978-06-22 1981-04-21 Rockwell International Corporation Temperature-stabilized low-loss ferrite films
US4579622A (en) * 1983-10-17 1986-04-01 At&T Bell Laboratories Hydrothermal crystal growth processes
KR920010085B1 (ko) * 1988-07-30 1992-11-14 소니 가부시기가이샤 이트륨 · 알루미늄 · 가넷미립자의 제조방법
JP3772933B2 (ja) * 1996-03-22 2006-05-10 株式会社村田製作所 3価のセリウムを含む磁性ガーネット単結晶の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2938183A (en) * 1956-11-09 1960-05-24 Bell Telephone Labor Inc Single crystal inductor core of magnetizable garnet
US3156651A (en) * 1962-03-28 1964-11-10 Bell Telephone Labor Inc Light transparent ferrimagnetic garnets

Also Published As

Publication number Publication date
NL6711918A (de) 1968-05-16
DE1644043B2 (de) 1971-03-11
GB1203973A (en) 1970-09-03
BE706521A (de) 1968-03-18
US3496108A (en) 1970-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016003688B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Seltenerddauermagneten
DE2347065A1 (de) Vorrichtung mit einem magnetooptischen modulator
DE1134761B (de) Leuchtstoff fuer induzierte Floureszenz als kohaerente Lichtquelle bzw. Lichtverstaerker, in Form eines Einkristalls als Medium íÀnegativerí Temperatu
DE1183598B (de) Optischer Sender oder Verstaerker mit kristallinem selektiv fluoreszentem Medium
DE1644043A1 (de) Hydrothermale Zuechtung magnetischer Granate und derart hergestellte Werkstoffe
DE1614997A1 (de) Optischer Sender oder Verstaerker(Laser)
DE1639022A1 (de) Licht-Modulator
DE2434251C2 (de) Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat
DE2245810A1 (de) Polykristallines chalkogenidspinellelement und verfahren zu seiner herstellung
EP0033990A2 (de) Magnetische Anordnung
DE1592308C3 (de) Verfahren zur synthetischen Herstellung von Quarzkristallen
DE2134413A1 (de) Nichtlineare Vorrichtung
DE3111657A1 (de) Verfahren zur herstellung von magnetfilmsubstrat-zusammensetzungen
DE2118264A1 (de) Magnetische Einrichtung
DE2006454B2 (de) Gesinterter kernbrennstoff und verfahren zur herstellung desselben
DE2447509A1 (de) Magnetischer blasenspeicher und granatschichten fuer blasenspeicher
DE2726744A1 (de) Einkristall aus calcium-gallium- granat sowie substrat hergestellt aus einem derartigen einkristall mit einer epitaxial gezuechteten blasendomaenenschicht
DE1619968A1 (de) Verfahren zum Herstellen einkristalliner Ferritfilme
DE60005999T2 (de) Verfahren zur herstellung von seltenerdboraten und verwendung der hergestellten boraten in lumineszenz
DE1940640A1 (de) Verfahren zur Herstellung duenner epitaktischer Granatfilme
DE1471539A1 (de) Ferrimagnetische Verbindungen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2118250A1 (de) Magnetische Einrichtung
DE1769969A1 (de) Hydrothermale Zuechtung von Seltene-Erde-Orthoferriten
DE3048701A1 (de) &#34;magnetblasenvorrichtung auf granatbasis&#34;
DE2735440C3 (de) Mangan-Zink-Ferrit

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee