DE1640683C - Verfahren zum Herstellen koaxialer Hochfrequenz leitungen kleiner Querschnittsabmessungen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen koaxialer Hochfrequenz leitungen kleiner QuerschnittsabmessungenInfo
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Description
dung geben. Uei tlioHom bekannten Vorfahren wird
ein Drnht mit einer Umhllllung versehen, die aus einem Material mit einem hühoren Schmelzpunkt als
dem des Drahtes, beispielsweise aus Glas, besteht. S Die Umhllllung und der Drnht werden Über die für
die Werkstollo übliche Warmverarbeltungstemperatur
hinaus erwürmt und wUhrend der ErwUrmung wird
das aus Draht und Umhllllung bestehende Gebilde zur Erzielung kleinerer Durchmesser ausgezogen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren aim Herstellen
von koaxialen Hochfrequenzleitungen kleiner Querschnittsabmessungen, welche aus einem Innenleiter
und einem durch ein Dielektrikum von diesem getrennten, konzentrischen Außenleiter bestehen.
Zur zentrischen Halterung des Innenleiters im Außenleiter -einer Koaxialleitung ist bekanntlich ein
Feststoffdielektrikum erforderlich. Das Einbringen
dieses Feststoitdieiektrikums wtihrend des Herstell- „„. „
Prozesses in den Außenleiter der Koaxialleitung be- to Mit Hilfe dieses bekannten Verfahrens, bei dem die
reitet bei großen und mittleren Querschnittsabmes- Umhüllung praktisch die gesainten Zugspannungen
sunken von Koaxialleitungen keino Schwierigkeiten. aufnimmt, da die Erwllrmungstcmperatur meist m
So werden beispielsweise wendeiförmige und schei- der Nähe der Schmelztemperatur des Drahtes liegt,
benförmige Feststoffdielektrika auf den Innenleiter ist es gelungen, Drähte mit einem Durchmesser von
aufgebracht und danach diese Gebilde in den lUngs- 15 einigen tausendstel Millimetern herzustellen. Die
geschlitzten Außenleiter eingeführt. Auch kann ein Verwendung von Glas mit einem hohen Gehalt an
aufgeschäumter Kunststoff in nicht aufgeschäumtem SiO., ist in der Patentschrift nicht erwähnt und auch
Zustand auf den Innen- und/oder Außenleiter aufge- nicht nahegelegt, da ihr keinerlei Hinweis zur Ausbracht
und nach Einführen des Innenleiters in den . nutzung des bekannten Verfahrens zur Herstellung
tängsgesehiitzten Außenleiter nach Verschließen des 20 koaxialer Hochfrequenzleitungen zu entnehmen ist.
Schlitzes aufgeschäumt werden. Bei der Auswahl des Materials für das Dielektri-
Bei der Herstellung von Koaxialleitungen kleiner kum war darauf zu achten, daß sowohl die verfah-Querschnittsabmessungen
sind diese Verfahren zum renstechnischen als auch die elektrotechnischen GeEinbringen
des Feststofrdielektrikums jedoch nicht Sichtspunkte berücksichtigt wurden. So sollte das
mehr geeignet. So können beispielsweise bei einem 25 Material beim Ausziehvorgang möglichst zähflüssig
Innenleiterdurchmesser von einigen zehntel oder hun- sein, während bei dieser dazu erforderlichen Tempedertstel
Millimetern auf den Innenleiter keine Wen- ratur der Draht — beispielsweise ein Kupferdraht —
del und auch keine Scheiben mehr aufgebracht wer- bereits den Schmelzpunkt, jedoch noch nicht den
den, da die Gefahr eines Innenleiterbruchs groß ist Siedepunkt erreicht haben sollte, da sonst die Gefahr
und auch eine exakte Führung eines solch dünnen 30 bestand, daß das Dielektrikum aufplatzt.
Leiters konzentrisch zum Außenleiter mit diesen Mit- Von der elektrischen Seite her wird die Bedingung
Leiters konzentrisch zum Außenleiter mit diesen Mit- Von der elektrischen Seite her wird die Bedingung
teln nicht gewährleistet werden kann. Die mangelnde gestellt, daß die Koaxialleitung eine möglichst geringe
Steifigkeit eines solchen Innenleiters verbietet aber Übertragungsdämpfung aufweisen soll. Aus diesem
auch die Verwendung eines aufschäumbaren Kunst- Grunde sollte für die Umhüllung ein Material mit
stoffes als Dielektrikum, da keine Möglichkeit vor- 35 einer kfcinen Dielektrizitätskonstante und/oder
handen ist, den Innenleiter während des Aufschäum- einem kleinen dielektrischen Verlustwinkel verwenprozesses
im Außenleiter zentrisch zu halten. det werden.
Der Erfindung liegt die" Aufgabe zugrunde, ein Leiden Forderungen wird das verwendete Glas mit
Verfahren anzugeben, mittels dessen auch Koaxial- hohem Gehalt an SiC)., gerecht, das bei der Schmelzleitungen
kleiner Querschnittsabmessungen ohne die 40 temperatur von Kupfer — ungefähr 1090° C — noch
Gefahr des Innenleiterbruchs hergestellt werden kön- zähflüssig ist. Als Glassorte eignet sich am besten
nen und durch welches die Konzentrizität von Innen- ein Glas mit ungefähr 91°/o SiO., und ungefähr 9 0/0
und Außenleiter gewährleistet ist. NaCl. Für eine damit ausgerüstete HF-Leitung ergibt
Diese Aufgabe wird für ein Verfahren der eingangs sich bei einer Frequenz von 1 MHz eine relative Digeschilderten
Art gemäß der Erfindung dadurch ge- 45 elektrizitätskonstante von tr --= 5,4 und ein Verlustlöst,
daß für das Dielektrikum ein Glas mit einem winkel von land- 13· l()~:l, während eine Glassorte
hohen Gehalt an SiO2 verwendet wird, daß ein als
Innenleiter dienender Draht in an sich bekannter
. Weise mit dem Glas umhüllt und danach in erwärmtem Zustand zusammen mit dem Glas ausgezogen 50
und auf einen kleineren Durchmesser gebracht wird,
und daß nach dem Vorgang des Ausziehens auf die
gewünschten Querschnittsabmessungen der Außenleiter auf das Dielektrikum aufgebracht wird.
Innenleiter dienender Draht in an sich bekannter
. Weise mit dem Glas umhüllt und danach in erwärmtem Zustand zusammen mit dem Glas ausgezogen 50
und auf einen kleineren Durchmesser gebracht wird,
und daß nach dem Vorgang des Ausziehens auf die
gewünschten Querschnittsabmessungen der Außenleiter auf das Dielektrikum aufgebracht wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet erstmals 55 zen jedoch eineiwelativ hohen" Längswiderstand, so
die Herstellung von koaxialen Hochfrequenzleitun- daß ein solches Verfahren nur bei der Herstellung
gen kleiner und kleinster Querschnittsabmessungen dünner Leitungsstücke gedacht werden sollte. Ein
für die Zwecke der Datenverarbeitung, der Raum- galvanisches Aufbringen des Außenleiters hat den
fahrt und anderer Gebiete der Technik. Die mit dem Nachteil, daß es keine hohen Fertigungsgeschwindigerfindungsgemäßen
Verfahren hergestellten Leitun- fio keiten erlaubt. Die Koaxialleitung kann schließlich
gen zeichnen sich nicht nur durch gute Flexibilität, noch mit einem Mantel versehen werden, was am
sondern auch durch relativ gute Übertragungseigenschaften aus.
Durch die deutsche Patentschrift 977 307 ist zwar bereits ein Verfahren zum Herstellen sehr dünner 65
Drähte bekanntgeworden, jedoch kann dieses bekannte Verfahren keine Anregung zur Herstellung
koaxialer Hochfrequenzleitungcn gemäß der Erfin-
mit ungefähr 7()°/o SiO2 und ungefähr 30°/o NaCl bei
derselben Frequenz " die Werte rt — 8,5 und
tand---40· 10"» ergibt.
Der Außenleiter wird am zweckmäßigsten durch Aufdampfen einer Metallschicht auf das Dielektrikum
erzeugt. Ebenso ist auch das Aufsprühen einer Metaliösung auf die Umhüllung zur Herstellung eines
Außenleiters geeignet; so erzeugte Außenleiter besit-
zweckmäßigsten durch Aufspülen einer Kunststoffmischung
vorgenommen wird.
Claims (2)
- Patentansprüche:I, Verfahren zum Herstellen von koaxialen Hochfrequenzleitungen kleiner Querschnittsabmessungen, bestehend aus einem Innenleiter undeinem durch ein Dielektrikum vom diesem getrennten konzentrischen Außenleiter, dadurch gekennzeichnet, daß fUr das Dielektrikum ein Glas mit einem hohen Gehalt an SiOo verwendet wird, UuU ein als Inncnleiter dienender Draht in un sich bekannter Weise mit dem Glas umhüllt und danach in erwürmtem Zustand zusammen mit dom Glas ausgesogen und auf einen kleineren Durchmesser gebracht wird und daß nach dom Vorgang des Ausziehens tiuf die gewünschten Querschnittsubmessungen der Außenleiter auf (lus Dielektrikum aufgebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Außenleiter durch Aufdampfen einer Metallschicht auf das Dielektrikum erzeugt wird.
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