DE1639352A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB5717/67A GB1214151A (en) | 1967-02-07 | 1967-02-07 | Improvements in and relating to semiconductor devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1639352A1 true DE1639352A1 (de) | 1971-02-04 |
Family
ID=9801315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19681639352 Pending DE1639352A1 (de) | 1967-02-07 | 1968-02-02 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT280352B (enExample) |
| BE (1) | BE710354A (enExample) |
| CH (1) | CH474860A (enExample) |
| DE (1) | DE1639352A1 (enExample) |
| ES (1) | ES350146A1 (enExample) |
| FR (1) | FR1554230A (enExample) |
| GB (1) | GB1214151A (enExample) |
| NL (1) | NL6801503A (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3017313A1 (de) * | 1980-05-06 | 1981-11-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Thyristor mit hoher blockierspannung und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3030564A1 (de) * | 1980-08-13 | 1982-03-11 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiterbauelement fuer hohe sperrspannungen |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8703405D0 (en) * | 1987-02-13 | 1987-03-18 | Marconi Electronic Devices | Power semi-conductor device |
| CN113178385B (zh) * | 2021-03-31 | 2022-12-23 | 青岛惠科微电子有限公司 | 一种芯片的制造方法、制造设备和芯片 |
| CN114400254B (zh) * | 2022-02-17 | 2025-09-05 | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 | 一种旁路晶闸管及其制造方法 |
-
1967
- 1967-02-07 GB GB5717/67A patent/GB1214151A/en not_active Expired
-
1968
- 1968-02-01 NL NL6801503A patent/NL6801503A/xx unknown
- 1968-02-02 DE DE19681639352 patent/DE1639352A1/de active Pending
- 1968-02-05 ES ES350146A patent/ES350146A1/es not_active Expired
- 1968-02-05 BE BE710354D patent/BE710354A/xx unknown
- 1968-02-05 CH CH166168A patent/CH474860A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-02-06 FR FR1554230D patent/FR1554230A/fr not_active Expired
- 1968-02-06 AT AT112068A patent/AT280352B/de not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3030564A1 (de) * | 1980-08-13 | 1982-03-11 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiterbauelement fuer hohe sperrspannungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1554230A (enExample) | 1969-01-17 |
| BE710354A (enExample) | 1968-08-05 |
| NL6801503A (enExample) | 1968-08-02 |
| ES350146A1 (es) | 1969-04-16 |
| CH474860A (de) | 1969-06-30 |
| GB1214151A (en) | 1970-12-02 |
| AT280352B (de) | 1970-04-10 |
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