DE1639311C2 - Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung

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Description

So wird z.B. in der deutschen Auslegeschrift das Herstellen mehrerer Stanzformen und kompli-1 194 063 eine in solcher Weise aufgebaute Halb- zierter Stanzwerkzeuge sowie mehrere Arbeitsschritte leiteranordnung beschrieben, bei der die Kontaktie- bsi der Formgebung durch das Stanzen selbst, entrung von konzentrischen Elektroden eines Halb- 60 fallen bei diesem Verfahren, weil die Lotplättchen leiterkörpers mit der Stromzuführung in der Weise irs einem einzigen Schritt mit einer einzigen einfachen erfolgt, daß auf den ringförmigen Emitter ein Stanzform hergestellt werden. Die Arbeitsersparnis Zylinder entsprechender Form gesetzt wird, der aus insgesamt ist erheblich.
einem Material besteht, das von dem Elektroden- An Hand eines Beispiels und den nicht maßstäb-
metall nach dessen Aufschmelzen gut benetzt wird. 65 liehen, schematischen F i g. 1 und 2 soll das Ver-Nach einem anderen Verfahren werden die fahren nach der Erfindung näher beschrieben werden. Abnahmeelektroden unit einem Lot versehen. Dies ist Eine Halbleiterscheibe 1 aus Silizium — beispielsaber ebenfalls nur durch einen zusätzlichen Arbeits- weise die Halbleiterscheibe eines Thyristors — be-
i 639 311
sitzt an ihrer Oberfläche eine Struktur mit kammartig angeordneten Elektrodenbereichen 2 und 3, die Kathode und die Steuerelektrode. Die Oberfläche der Siliziumscheibe wird nun mit einom scheibenförmigen Lotplättchen4, wie in Fig. 1 dargestellt, bedeckt, das etwa aus einem Blei-lndium-Silber-Lot mit einem Schmelzpunkt von 290° C besteht. Auf diese Anordnung wird ein Lötförmchen 5 gelegt, das dem freien Fließen des geschmolzenen Lotes 4 kein Hindernis entgegensetzt. In das Lötförmchen werden z. B. zwei Silberdrähte 6 geführt, die als Abnahmeelektroden dienen sollen. Sobald das Lot geschmolzen ist, trennt es sich selbst auf (4 in Fi g. 2) und benetzt die metallischen Elektrodenbereiche 2 und 3, während die dazwischenliegenden Bereiche, an denen das Silizium an die Oberfläche tritt, vom geschmolzenen Lot frei bleiben. Nach dem Erstarren des Lotes sind die Zuleitungsdrähte 6, die durch das Lötförmchen 5 an den entsprechenden 5!tellen gehalten wurden, mit den Elektrodenbereichen 2 und 3 leitend verbunden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

schritt möglich. Außerdem ist es schwierig, die Menge Patentansprüche: des benötigten Lotes richtig zu bemessen Dies ist z. B. durch die britische Patentschrift
1. Verfahren zum Kontaktieren einer Halb- 927 380 bekanntgeworden nach der d«^ Beneteung leiteranordnung mit einer Siliziumscheibe, bei 5 einer Halbleiterscheibe z. B. aus Induamantimonid, dem eine oder mehrere drahtförmige Zuleitungen durch das L°< ™* Hllfe. eme.r ÄST durch Lötung mit metallischen, nicht die gesamte Kupfer, Gold oder Platin bestehenden Metallschicht Oberfläche der Siliziumscheibe bedeckenden verbessert wird, wobei sicn das Lot an den als Elektrodenbereichen verbunden werden, wobei Stromzuführung vorgesehenen Platindrahten bei die Elektrodenbereiche von dem Lot bevorzugt lo Erwärmung der ganzen Vorrichtung sammelt
benetzt werden, dadurch gekennzeich- Weiterhin ist die Verwendung von Lotformchen
met, daß auf die Oberfläche der Siliziumscheibe bekannt. Wird die Lotmenge in einem getrennten (1) vor dem Aufsetzen der Zuleitungsdrähte (6) Arbeitsschritt auf die Sihziumscneibe aufgebracht, ein Lotplättchen (4) aufgelegt wird, das der Form haftet für gewöhnlich — bedingt durch die Oberder Elektrodenbereiche (2, 3) nur ungefähr ange- ,5 flächenspannung — eine zu große Lotmenge am paßt ist und aus einem Material besteht, das bei Silizium und ist zuden noch oft ungleichmäßig verseincr Schmelztemperatur die Oberfläche der teilt. Es ist daher schwierig, passende Lotförmchen Siliziumscheibe nicht benetzt zu verwenden. Dies ist jedoch besonders bei Bau-
2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch ge- elementen mit mehreren Abnahmeelektroden oft notkennzeichnet, daß das Lotplättchen aus einem ao wendig.
Blei-Indium-Silber-Lot mit einer Schmelz- Schließlich ist aus den deutschen Auslegeschriften
temperatur von etwa 290° C besteht. 1042 131 und 1210 088 bekanntgeworden, zum
Löten von einem Halbleiterkörper aus Silizium zinnfreie, vorzugsweise Blei enthaltende Lote mit einer
as Schmelztemperatur zwischen 150 und 300c C oder
Lote, die Indium und Silber enthalten, zu verwenden. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren anzu-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum geben, das auch bei komplizierten Strukturen eine Kontaktieren einer Halbleiteranordnung mit einer rasche und saubere Lötung ohne zusätzliche Arbeits-Siliziumscheibe, bei dem eine oder mehrere draht- 30 schritte ermöglicht.
förmige Zuleitungen durch Lötung mit metallischen, Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum
nicht die gesamte Oberfläche der Siliziumscheibe be- Kontaktieren einer Halbleiteranordnung mit einer deckenden Elektrodenbereichen verbunden werden, Siliziumscheibe, bei dem eine oder mehrere drahtwobei die Elektrodenbereiche von dem Lot bevorzugt förmige Zuleitungen durch Lötung mit metallischen, benetzt werden. 3·; nicht die gesamte Oberfläche der Siliziumscheibe be-
Die Erfindung ist besonders für Halbleiterscheiben " deckenden Elektrodenbereichen verbunden werden, aus Silizium geeignet, die als Bauelement in Dioden, wobei dii Elektrodenbereiche von dem Lot bevorzugt Thyristoren, Triacs und ähnlichen Geräten weite benetzt werden, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß Verbreitung gefunden haben, auf die Oberfläche der Siliziumscheibe vor dem Auf-
Allgemein ist bekannt, daß Halbleiterscheiben, 40 setzen der Zuleitungsdrähte ein Lotplättchen aufgeinsbesondere Siliziumscheiben, durch Lotung mit legt wird, das der Form der Elektrodenbereiche nur Weichloten mit den Stromzuführungen verbunden ungefähr angepaßt ist und aus einem Material bewerden. Derartige Verfahren zur Kontaktierung wer- steht, das bei seiner Schmelztemperatur die Ober- aer mit Vorteil dort angewandt, wo größere Flächen fläche der Siliziumscheibe nicht benetzt,
einfacher geometrischer Form vom Lot bedeckt 45 Man erreicht durch das erfindungsgemäße Verwerden. Handelt es sich aber darum, komplizierte fahren, daß auf ganz einfache Weise die Menge des Strukturen zu kontaktieren, bereitet es Schwierig- benötigten Lotes dosiert werden kann und dementkeiten, das Lot lückenlos und ohne Brückenbildung sprechend durch die richtig bemessene Menge die auf den Halbleiterkörper aufzubringen. Man kann Kontaktierung zwar ausreichend ist, andererseits aber zwar diese Schwierigkeiten umgehen, indem man dem 50 auf die Stellen, an denen eine Lötung vorgesehen ist, Lot eine Form gibt, die der Form der zu verlötenden beschränkt bleibt. So werden unerwünschte Neben-Oberfläche angepaßt ist. Aber dieses Verfahren ist Schlüsse, die gegebenenfalls durch eine zu große Lotteuer und umständlich. Denn es erfordert für die menge entstehen können, in gleicher Weise vermieden Zubereitung des Lotes mehrere komplizierte Stanz- wie schlechte Kontakte, die auf eine zu geringe Lotformen und dementsprechend mehrere Arbeite- 55 menge zurückzuführen sind.
schritte beim Stanzen. Zusätzliche Kosten anderer Verfahren, etwa durch
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BE565109A (de) * 1957-02-27 1900-01-01
DE1194063B (de) * 1960-11-21 1965-06-03 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit mehreren konzentrischen anlegierten Elektroden
GB927380A (en) * 1962-03-21 1963-05-29 Mullard Ltd Improvements in or relating to solders

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