DE1639067C3 - Verfahren zum Herstellen von Vierzonen-Halbleiterbauelementen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Vierzonen-HalbleiterbauelementenInfo
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Description
Material durch Niederschlagen aus der Dampfphase aufgebracht. Hierbei kann das Ausmaß des NiederschTagens
dadurch geregelt werden, daß die Lage einer Pille des elektrisch leitenden Materials relativ zu
den Halbleiterkörpern bestimmt wirci Vorzugsweise
wird das Niederschlagen in einer Reihe von Stufen ausgeführt und die Lage der Pill; des elektrisch leitenden
Materials relativ zu den Halbleiterkörpern von Stufe zu Stufe geändert, um das geforderte Ausmaß
der Ablagerung zu erhalten.
Eine Ausführungsform der Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispiefsweise erläutert,
in der ein ^Vierzonen-Halbleiterbauelement im Querschnitt schematisch dargestellt ist.
Wie aus der Zeichnung ersichtlich ist, hat der Halbleiterkörper des Bauelements zwei sich gegenüberliegende
ebene Flächen 1 und 2, zwischen denen sich eine Umfangsfläche3 erstreckt. In dem Halbleiterkörper
sind vier Bereiche P1, N., P* und N, gebildet,
die zwischen sich Übergänge J1, f., und J:i bilden.
Der Bereich P, stellt den Anodenbereich des Bauelementes
dar; es ist ersichtlich, daß der Übergang J{ zwischen diesem Anodehbereich P1 und dem Bereich
N1 an der Umfangsfläche 3 des Halbleiterkörpers
austritt, während die anderen Übergänge J2 und /:1
beide an der ebenen Fläche 1 des Halbleiterkörpers austreten.
Eine Schicht 4 aus Aluminium, die dazu dient, den Übergang /, teilweise kurzzuschließen, erstreckt sich
über die ebene Fläche 2 und einen Teil der Umfangsfläche 3 des Halbleiterkörpers, so daß sie den Übergang
J1 überbrückt.
Es ist zu bemerken, daß der Grad des Kurzschlieals
aucn vuu uu ^""—β—-&-
aanssy über welche er sich erstreckt, abhangt.
* Bel der Herstellung dieses Bauelementes werden
die ν er Bereiche und die zugeordneten Übergange zuerst in dem Halbleite, körper gebildet, welches
dann in eine Partie entsprechender,Bauelemente^msortiert
wird, die eine ähnliche Charakteristik
uanacn wird auf den Halbleiterkörper die Aluminiumschicht
4 aufgebracht, deren Ausdehnung und Dadurch die Lage einer AIumin>ump,ne relativ
zu dem Halbleiterkörper bzw. durch die Zeitdauer, während welcher das Niederschlagen aus der Dampf-
phase erfolat, bestimmt wird. .
P Wenn nach der anfänglichen Stufe des in der
Dampfphase erfolgenden Niederschiagens gefunden wird daß eine unzureichende Menge an Aluminium
ablagert wurde, kann der Halbleiterkörper zur wei-
,o teren Dampfniederschlagung ""er darauffolgenden
Stufe zueeführt werden, in weicher ent weiteres
Niederschlagen über dem gleichen Bereich wie bei
dem ursprünglichen Niederschlagen bewirkt werden kann so daß der endgültige Niederschlag eine gro-
ßere Dicke hat. Stattdessen kann auch durch eine un-Shiedliche
Orientierung bzw. Lage der A umimumpille
relativ zu dem Halbleiterkörper bewirkt werden, daß die Ablagerung über einem anderen leil
des Übereangs J1 stattfindet.
Es ist ersichtlich, daß der Grad des Kurzschließer des Übergangs J1 genau geregelt und das kurzschließen
in einer Stufe nach dem Einsortieren des Bauelementes in seine zugeordnete Partie ausgeführt werden
kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
- ^.«,.»η^η,Λ». m" emem ™» sich gegenüberliegende ebene Flä-Patentanspruche. aufweisenden Halbleiterkörper, der vier Be-1. Verfahren zum Herstellen von Vierzonen- reiche jeweils abwechselnden Leitfähigkeitstyps ent-Halbleiterbauelementen mit einem zwei sich ge- hält, die drei PN-Übergänge bilden, von denen zwei genüberliegende ebene Flächen aufweisenden 5 an einer der ebenen Flächen des Halbieiterkörpers Halbleiterkörper, der vier Bereiche jeweils ab- austreten und der dritte an der Umfangsfläche des wechselnden Lerfähigkeitstyps enthält, die drei Halbleiterkörper austritt, bei denen der dritte Über-PN-Übergänge bilden, von denen zwei an einer gang zwischen einem Anodenbereich und einem beder ebenen Flächen des Halbleiterkörpers austre- nachbarten Bereich entgegengesetzten Leitfähigkeitsten und der dritte an der Umfangsfläche des io typs verläuft und durch eine Schicht elektrisch leiten-Halbleiterkörpers austritt, bei denen der dritte den Materials, welche den Übergang dort überÜbergang zwischen einem Anodenbereich und brückt, wo er an der Umfangsfläche austritt, wenigeinem benachbarten Bereich entgegengesetzten stens teilweise kurzgeschlossen ist, bei dem die Leitfähigkeitstyps verläuft und durch eine Schicht PN-Übergänge in den Halbleiterkörpern gebildet elektrisch leitenden Materials, welche den Über- 15 werden.gang dort überbrückt, wo er an der Umfangs- Derartige Halbleiterbauelemente können insbesonfläche austritt, wenigstens teilweise kurzgsschlos- dere steuerbare Halbleitergleichrichter sein,
sen ist, bei dem die PN-Übergänge in den Halb- Ein solches Halbleiterbauelement ist aus der leiterkörpem gebildet werden, dadurch ge- USA.-Patentschrift 2 993 154 bekannt. Hier ist kennzeichnet, daß die die PN-Übergänge 20 gJeichfalls ein Vierzonen-Halbleiterbauelement darenthaltenden Halbleiterkörper hinsichtlich der er- gestellt, bei dem der PN-Übergang zwischen einem wünschten Charakteristik sortiert werden und Anodenbereich und einem Bereich von entgegengeeine Partie von derartigen Halbleiterkörpern mit setzter Leitfähigkeit durch eine Elektrode, die den außerhalb eines vorbestimmten Wertebereichs PN-Übergang an der Stelle überbrückt, wo er an die liegenden Charakteristiken ausgewählt wird, und 25 Oberfläche tritt, teilweise kurzgeschlossen ist. Hierdaß auf jeden Halbleiterkörper dieser Partie eine durch soll die Strom-Spannungs-Charakteristik des Schicht elektrisch leitenden Materials abgelagert Halbleiterbauelementes beeinflußt werden,
bzw, niedergeschlagen wird, die den PN-Über- In der Praxis will man möglichst viele Halbleitergang zwischen dem Anodenbereich und dem be- bauelemente mit vorgegebenen gleichen Eigenschafnachbarten Bereich überbrückt und die einen sol- 30 ten haben. Die bisherige Arbeitsweise bestand darin, chen Grad des Kurzschlusses des Übergangs eine große AnzaJil Halbleiterbauelemente herzustelschafft, wie er erforderlich ist, um die Charakteri- Ien und dann diejenigen mit den gewünschten Chastiken der Halbleiterkörper in der Partie in den rakteristiken auszusuchen. Die Ausbeute an brauchvorbestimmten Wertebereich zu bringen. baren Halbleiterbauelementen ist hierbei aber gering. - 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 35 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein kennzeichnet, daß die Ablagerung bzw. Nieder- Verfahren zum Herstellen von Vierzonen-Halbleiterschlagung des leitenden Materials in Stufen der- bauelementen zu schaffen, das eine große Ausbeute art durchgeführt wird, daß auf denjenigen Halb-" an Elementen mit gewünschten Charakteristiken leiterkörpern der Partie, deren Charakteristik ermöglicht und dennoch die Fertigungskosten nur nach einer Stufe der Ablagerung bzw. Nieder- 40 unerheblich beeinflußt.schlagung nicht innerhalb des vorbestimmten Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe bei Wertebereichs liegt, in einer nachfolgenden Stufe einem Verfahren eingangs erwähnter Art dadurch geweiteres leitendes Material abgelagert bzw. löst, daß die die PN-Ubergänge enthaltenden Halbniedergeschlagen wird. leiterkörper hinsichtlich der erwünschten Chrakteri-
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch 45 stik sortiert werden und eine Partie von derartigen . gekennzeichnet, daß als elektrisch leitendes Ma- Halbleiterkörpern mit außerhalb eines vorbestimm-terial Aluminium verwendet wird. ten Wertebereichs liegenden Charakteristiken ausge-
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche I wählt wird, und daß auf jeden Halbleiterkörper diebis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch ser Partie eine Schicht elektrisch leitenden Materials leitende Material durch Niederschlagen aus der 50 abgelagert bzw. niedergeschlagen wird, die den Dampfphase aufgebracht wird. PN-Übergang zwischen dem Anodenbereich und
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge- dem benachbarten Bereich überbrückt und die einen kennzeichnet, daß das Ausmaß des Niederschla- solchen Grad des Kurzschlusses des Übergangs gens dadurch geregelt wird, daß die Lage einer schafft, wie er erforderlich ist, um die Charakteristi-Pille des elektrisch leitenden Materials relativ zu 55 ken der Halbleiterkörper in der Partie in den vorbedcn Halbleiterkörpern bestimmt wird. stimmten Wertebereich zu bringen.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch ge- Vorzugsweise wird die Ablagerung bzw. Niederkennzeichnet, daß das Niederschlagen in einer schlagung des leitenden Materials in Stufen derart Reihe von Stufen ausgeführt wird und die Lage durchgeführt, daß auf denjenigen Halbleiterkörpern der Pille des elektrisch leitenden Materials relativ 60 der Partie, deren Charakteristik nach einer Stufe der zu den Halbleiterkörpern von Stufe zu Stufe ge- Ablagerung bzw. Niederschlagung nicht innerhalb ändert wird, um das geforderte Ausmaß der Ab- des vorbestimmten Wertebereichs liegt, in einer lagerung zu erhalten. nachfolgenden Stufe weiteres leitendes Material abgelagert bzw. niedergeschlagen wird.65 Als elektrisch leitendes Material wird zweckmä-ßigenveise Aluminium verwendet.Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung des Verfah-Herstellen von Vierzonen-Halbleiterbauelementen rens nach der Erfindung wird das elektrisch leitende
Applications Claiming Priority (1)
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1968
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Also Published As
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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