DE1621286C - Verfahren zur Abscheidung von SiIiciumdioxidfilmen - Google Patents

Description

bisher ausgeführten Verfahren zum Niederschlagen von Siliciumdioxidfilmen weisen jedoch verschiedene, im folgenden beschriebene Nachteile auf und eignen sich nicht immer für die industrielle Herstellung von Halbleiterbauelementen: Zur Bildung von Siliciumdioxidfilmen mit entsprechender Dichte für diffusionsmaskierende Filme zur selektiven Diffusion während des Herstellungsverfahrens von Halbleiterbauelementen oder als Passivierungsfilme für die Bauelemente mußten die Halbleiterplättchen bei den bekannten Verfahren unter Verwendung eines Mischgases aus Siliciumtetrachlorid oder Siliciumtetrabromid mit Wasserstoff und Kohlendioxid, bei Verwendung von Siliciumtetrachlorid auf 1150° C oder darüber und bei Verwendung von Siliciumtetrabromid auf 800° C oder darüber erhitzt werden. Dieses durch Disproportionierungsreaktion ausgeführte Verfahren erfordert nicht nur umständliche Verfahrensvorgänge und Vorkehrungen mechanischer Art, sondern besitzt auch noch den Nachteil, daß der erhaltene Siliciumdioxidfilm leicht verunreinigt werden kann; dieses Verfahren eignet sich also nicht zur technischen Ausführung.

Es wurde nun gefunden, daß ein Mischgas aus Siliciumtetrafluorid, Wasserdampf und einem Trägergas, wie Stickstoff, Argon, Sauerstoff, Kohlendioxid oder Wasserstoff, auf Grund eines Fließverfahrens auf die Oberfläche eines auf 500° C oder darüber erhitzten Halbleiters aufgebracht werden kann, wobei das Siliciumtetrafluorid hydrolisiert und alle Nachteile der bekannten Verfahren vermieden werden; der hierbei erhaltene Siliciumdioxidfilm ist ebenso dicht und rein wie der durch thermische Oxydation von Silicium erhaltene Film und kann mit so großer Niederschlagsgeschwindigkeit niedergeschlagen werden, daß sich dieses Verfahren zur technischen Herstellung von Halbleiterbauelementen eignet. Dieses Verfahren hat die Eigenschaft, daß die Niederschlagsgeschwindigkeit des Siliciumdioxidfilms mit steigender Temperatur der Halbleiteroberfläche und der Wasserdampfkonzentration des Mischgases steigt. Andererseits besitzt dieses Verfahren jedoch den folgenden Nachteil:

Erhöht man die Temperatur der Halbleiteroberfläche oder die Wasserdampfkonzentration, falls ein Siliciumdioxidfilm auf der Oberfläche eines verhältnismäßig leicht oxydierbaren Halbleitermaterials, wie Germanium oder Galliumarsenid, aufgebracht werden soll, so erhöht sich auch die durch den Wasserdampf bewirkte Oxydation der Halbleiteroberfläche, wodurch das Wachstum eines reinen Siliciumdioxidnlms beeinträchtigt und eine niedrigere Niederschlagsgeschwindigkeit erreicht wird, als wenn ein Siliciumdioxidfilm auf der Oberfläche eines verhältnismäßig schwer zu oxydierenden Materials, wie Silicium, aufgebracht wird. Aus diesem Grund ist die Auswahl der bei diesen Verfahren technisch verwendbaren Halbleitermaterialien, bei denen ein Siliciumdioxidfilm durch Hydrolyse des Siliciumtetrafluorids mit Wasserdampf auf die Oberfläche aufgebracht wird, beschränkt.

Verwendet man bei dem obigen Verfahren ein Mischgas aus Wasserstoff und Kohlendioxid, so braucht man nur eine äußerst geringe Menge Wasserdampf zur Hydrolyse des Siliciumtetrafluorids zuzugeben; da kein überschüssiger Wasserdampf vorhanden ist, tritt auch bei einem leicht bei einer Temperatur von 850° C oder darunter oxydierbaren Halbleitermaterial, wie Germanium oder Galliumarsenid, kaum eine Oxydation ein. Es wurde gefunden, daß man das Hydrolyseverfahren von Siliciumtetrafluorid weiter verbessern kann, wenn man ein Mischgas aus Siliciumtetrafluorid, Wasserstoff und Kohlendioxid über eine auf 730° C oder darüber erhitzte Halbleiteroberfläche leitet, wobei man einen dichten und reinen Siliciumdioxidfilm gemäß den folgenden Formelgleichungen erhält:

H₂ + CO₂ = H₂O + CO (2)

SiF₄ + 2 H₂O = SiO₂ + 4 HF (3)

Falls man einen Siliciumdioxidfilm mit der für einen Diffusionsmarkierungsfilm bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements oder eines Passivierungsfilms für das Bauelement erforderlichen Dichte und Reinheit gemäß den bekannten Verfahren auf die Oberfläche eines Halbleiterplättchens unter Verwendung eines Mischgases aus Siliciumtetrachlorid oder Siliciumtetrabromid mit Wasserstoff und Kohlendioxid aufbringen wollte, mußte man das Halbleiterplättchen bei den bekannten Verfahren auf 1150° C

as oder höher bzw. 800° C oder höher erhitzen. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird Siliciumtetrafluorid verwendet, wobei weder die Reinheit oder die Dichte des erhaltenen Siliciumdioxids verlorengeht, selbst wenn die Temperatur des Halbleiterplättchens auf 730° C gesenkt wird. Schlägt man beispielsweise einen Siliciumdioxidfilm unter Verwendung von Siliciumtetrabromid auf ein auf 800° C erhitztes Halbleiterplättchen nieder, so beträgt die Niederschlagsgeschwindigkeit etwa 0,5 Mikron pro Stunde; bei dem erfindungsgemäßen Verfahren unter Verwendung von Siliciumtetrafluorid kann man dagegen eine Niederschlagsgeschwindigkeit von 1,2 Mikron pro Stunde, also über die zweifache Niederschlagsgeschwindigkeit gegenüber dem herkömmlichen Verfahren erzielen. Daher ist die Niederschlagsgeschwindigkeit des Siliciumdioxidfilms bei dem erfindungsgemäßen Verfahren sehr hoch, so daß sich dieses Verfahren sehr gut zur technischen Anwendung eignet.

Erfindungsgemäß läßt sich ein ebenso dichter und reiner Siliciumdioxidfilm wie bei dem thermischen Oxydationsverfahren von Silicium mit einer technisch brauchbaren Niederschlagsgeschwindigkeit erzielen. Die Besonderheit dieses Verfahrens besteht darin, daß ein Mischgas mit einem Gehalt von 0,005 bis 0,1 Volumprozent Siliciumtetrafluorid und einem Gehalt von 8 bis 92 Volumprozent Kohlendioxid über die Oberfläche von auf 730 bis 800° C erhitzten Festkörpern geleitet wird. Die Prozentangaben beziehen sich hier und im folgenden auf das Volumen.

Als festes Substrat eignen sich beispielsweise ein aus Silicium, Germanium, Galliumarsenid oder Galliumphosphit bestehendes Halbleitermaterial, hochschmelzendes Aluminiumoxid oder Magnesiumoxid, metallisches Nickel oder Molybdän.

Die Erfindung wird nun an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es bedeuten

F i g. 1 und 2 eine schematische Darstellung der zur Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendeten Vorrichtung.

Gemäß dem in F i g. 1 dargestellten Schema werden Kohlendioxid durch eine Strömungsuhr 1, Wasserstoff durch eine Strömungsuhr 2 und mit SiIi-

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ciumtetrafluoriddampf gesättigter Wasserstoff zu Dichte und Reinheit wie einen durch thermische einem Reaktionsgas vermischt; die Darstellung des Oxydation von Silicium erhaltenen Film in technisch mit Siliciumtetrafiuorid gesättigten Wasserstoffs er- brauchbarer Geschwindigkeit niederzuschlagen, muß folgt, indem Wasserstoff durch eine Strömungsuhr 3 die Reaktionstemperatur 730° C oder höher sein und und dann durch einen aus Quarz hergestellten und 5 die Siliciumtetrafluoridkonzentration des Reaktionsauf die gewünschte Temperatur erhitzten Silicium- gases 0,005 bis 0,1 °/o und die Kohlendioxidkonzentetrafluoridverdampfer 4 geleitet wird. Dieses Reak- tration des Reaktionsgases 8 bis 92% betragen, tionsgas wird über ein Halbeiterplättchen 6 geleitet, Falls Siliciumtetrafiuorid hergestellt wird, indem man das in einer aus Quarzglas bestehenden Reaktions- Fluorwasserstoff durch ein Bett mit Siliciumteilchen kammer 5 auf eine bestimmte Temperatur erhitzt io leitet und dann einen Siliciumdioxidfilm niederschlägt, wird; dabei schlägt sich ein Siliciumdioxidfilm auf bildet sich ein Mol Siliciumtetrafiuorid pro 4 Mol der Oberfläche des Plättchens nieder. Fluorwasserstoff. Daher kann man den Silicium-

In F i g. 2 ist eine andere Ausführungsform des dioxidfilm wie bei der Verwendung von fertigen SiIierfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt; bei diesem ciumtetrafluorid erzielen, wenn man Fluorwasserstoff Verfahren wird Siliciumtetrafluorid hergestellt, indem 15 entsprechend einer Menge von 0,02 bis 0,4% des man den durch die Strömungsuhr 3' fließenden Reaktionsgases durchleitet und die Kohlendioxid-Wasserstoff in einen Fluorwasserstoffverdampfer 4' konzentration bei 8 bis 92 % und die Reaktionstemleitet und so ein Mischglas mit bestimmtem Fluor- peratur über 730° C hält.

wasserstoffpartialdruck herstellt; anschließend wird Die Erfindung wird nun an Hand der folgenden

dieses Mischgas durch ein mit einem elektrischen 20 Beispiele erläutert.
Ofen 9 auf 100 bis 200° C erhitztes Bett 8 mit SiIi-

ciumstückchen geleitet. Das auf diese Weise gebildete Beispiell
Siliciumtetrafiuorid wird mit Kohlendioxid gemischt,

durch eine Strömungsuhr 1 geleitet und mit dem von Polierte Siliciumstückchen mit einem Durchmesser der Strömungsuhr 2 kommenden Wasserstoff ge- 25 von 23 mm und einer Stärke von 0,2 mm wurden auf mischt; das entstehende Mischgas wird dann über ein den Boden eines Quarzreaktors mit einem Durchauf 730° C oder darüber erhitztes Halbleiterplätt- messer von 48 mm und einer Höhe von 400 mm chen 6 geleitet, das sich in einer Reaktionskammer 5 gebracht. Der Reaktor wurde von außen mit einer befindet. In diesem Fall erhält man ebenfalls den Wolframdrahtheizvorrichtung auf 800° C erhitzt, gleichen Siliciumdioxidfilm wie bei Fig. 1. Gemäß 30 Ein Mischgas mit einer Siliciumtetrafluoridkonzenden obigen Verfahren lassen sich dichte und reine tration von 0,06% und einer Kohlendioxidkonzen-Siliciumdioxidfilme nicht nur auf Halbleiterober- tration von 40 % wurde gemäß dem in F i g. 1 darflächen, sondern auch auf den Oberflächen von be- gestellten Schema hergestellt, indem Wasserstoff mit liebigen, bei 730° C oder darüber stabilen Festsub- einer Geschwindigkeit von 20 ml/Min, in einen mit stanzen niederschlagen. 35 festem Siliciumtetrafluorid bei —135° C beschickten

Weitere Untersuchungen über die chemische Siliciumtetrafluoridverdampfer geleitet wurde, wo-Kinetik der Reaktionen bei Niederschlagen von SiIi- durch der Wasserstoff mit Siliciumtetrafluorid geciumdioxidfilmen aus einem Mischgas aus Wasser- sättigt wurde; dann wurde der siliciumtetrafluoridstoff, Kohlendioxid und Siliciumtetrafluorid führten gesättigte Wasserstoff mit einer Wasserstoffbeschikzu den folgenden Ergebnissen hinsichtlich der Be- 40 kung mit einer Fließgeschwmdigkeit von 100 ml/Min, ziehung zwischen Reaktionstemperatur, Zusammen- und Kohlendioxidbeschickung mit einer Fließsetzung des Reaktionsgases und Eigenschaften des geschwindigkeit von 80 ml/Min, vermischt. Das auf erhaltenen Siliciumdioxidfilmes: diese Weise hergestellte Mischgas wurde 1 Stunde

Die Niederschlagsgeschwindigkeit des Silicium- lang durch ein Quarzrohr mit einem Durchmesser

dioxidfilms erhöht sich mit zunehmender Reaktions- 45 von 10 mm über die auf 800° C erhitzten Silicium-

temperatur und zunehmendem Siliciumtetrafluorid- Stückchen geleitet, wobei sich ein Siliciumdioxidfilm

gehalt und je näher die Kohlendioxidkonzentration mit einer Stärke von 1,2 Mikron niederschlug. Der

des Reaktionsgases bei 50% liegt. Um eine für tech- auf diese Weise niedergeschlagene Film besaß einen

nische Zwecke ausreichende Niederschlagsgeschwin- Brechungsindex von 1,453, eine Dichte von

digkeit zu erhalten, muß die Reaktionstemperatur 50 2,23 g/cm², eine Ätzgeschwindigkeit von 2 A/sec in

730° C oder mehr betragen, und der Gehalt an SiIi- 1,8-molarer Flußsäure und eine dielektrische Festig-

ciumtetrafluorid in dem Reaktionsgas soll 0,005 bis keit von 5 ■ 10⁶V/cm². Der Film war so dicht und

0,1% und der Gehalt an Kohlendioxidgas 8 bis 92% rein wie ein durch thermische Oxydation von Silicium

betragen. Falls die Siliciumtetrafluoridkonzentration hergestellter Oxidfilm,
des Reaktionsgases über 0,1% und die Kohlendioxid- 55

konzentration weniger als 8 % oder über 92 % beträgt Beispiel 2
oder die Reaktionstemperatur unter 730° C liegt,

machen sich Nebenreaktionen neben der Reaktion Wasserstoff wurde mit einer Fließgeschwindigkeit gemäß der obigen Formel V bemerkbar, so daß die von 40 ml/Min, in einen mit flüssigem Fluorwasser-Niederschlagsgeschwindigkeit des Siliciumdioxidfilms 60 stoff beschickten und bei —75° C gehaltenen Fluorbeträchtlich vermindert wird und der entstehende Wasserstoffverdampfer geleitet, wobei sich eine Gas-Film nicht die erforderliche Dichte und Reinheit auf- mischung mit einem Gehalt von 0,12 % Fluorwasserweist. Falls die Siliciumtetrafluoridkonzentration des stoff bildete. Dieses Mischgas aus Fluorwasserstoff Reaktionsgases weniger als 0,005% beträgt, vermin- und Wasserstoff wurde durch ein mit Siliciumstückdert sich die Niederschlagsgeschwindigkeit des SiIi- 65 chen beschicktes und mit einem elektrischen Ofen ciumdioxidfilms und eignet sich nicht mehr für tech- auf 150° C erhitztes Teflonrohr mit einem Durchnische Zwecke. messer von 20 mm und einer Höhe von 400 mm ge-

Um daher einen Siliciumdioxidfilm mit ähnlicher leitet, wobei ein siliciumtetrafluoridhaltiges Gas er-

halten wurde. Dieses Gas wurde mit Wasserstoff mit einer Fließgeschwindigkeit von 120 ml/Min, und Kohlendioxid mit einer Fließgeschwindigkeit von 40 ml/Min, gemischt, wobei ein Reaktionsgas mit einem SiliciumtetrafLuoridgehalt von 0,03% und einem Kohlendioxidgehalt von 20% erhalten wurde. Das Reaktionsgas wurde 1 Stunde über Germaniumstückchen in einem auf 800° C erhitzten Quarzreaktor geleitet, wobei sich ein Siliciumdioxidfilm von etwa 0,9 Mikron Stärke auf diesem Stückchen niederschlug. Dieser Film besaß den gleichen Brechungsindex, die gleiche Dichte, Ätzgeschwindigkeit in 1,8-molarer Flußsäure und dielektrische Festigkeit wie der gemäß Beispiel 1 erhaltene Film.

Ferner wurde ein Reaktionsgas der gleichen Zusammensetzung wie oben 3 Stunden über auf 730° C erhitzte Germaniumstückchen geleitet, wobei sich ein Siliciumdioxidfilm von etwa 0,6 Mikron Stärke niederschlug. Dieser Film besaß praktisch die gleichen Eigenschaften wie der bei einer Reaktionstemperatur über 800° C erhaltene Film.

Beispiel 3

Ein Reaktionsgas mit einer Siliciumtetrafluoridkonzentration von 0,005% und einer Kohlendioxidkonzentration von 8°/o wurde auf gleiche Weise wie im Beispiel 2 hergestellt. Dieses Reaktionsgas wurde 4 Stunden über auf 800° C erhitzte Siliciumplättchen geleitet, wobei sich ein Siliciumdioxidfilm von etwa 6000 Ä Stärke bildete. Dieser Film besaß denselben

ίο Brechungsindex, dieselbe Dichte, Ätzgeschwindigkeit in 8,1-molarer Flußsäure und dielektrische Festigkeit wie die gemäß Beispiel 1 erhaltenen Filme.

An Stelle der in den Beispielen 1, 2 und 3 verwendeten Silicium- und Germaniumplättchen wurde ein Siliciumdioxidfilm auf anderen Halbleitermaterialien, wie Galliumarsenid und Galliumphosphid, schwer schmelzbaren Oxidkristallen, wie Aluminiumoxid und Magnesiumoxid, sowie auf metallischem Nickel und Molybdän niedergeschlagen. Diese Filme besaßen die gleichen Eigenschaften wie die gemäß den obigen Beispielen niedergeschlagenen Filme!

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Abscheidung von Siliciumdioxidfilmen aus einem aus Wasserstoff, Kohlendioxid und Siliciumtetrafluorid bestehenden Mischgas, dadurch gekennzeichnet, daß ein Mischgas mit einem Gehalt von 0,005 bis 0,1 Volumprozent Siliciumtetrafluorid und einem Gehalt von 8 bis 92 Volumprozent Kohlendioxid über die Oberfläche von auf 730 bis 800° C erhitzten Festkörpern geleitet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als festes Substrat ein aus Silicium, Germanium, Galliumarsenid oder Galliumphosphid bestehendes Halbleitermaterial verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als festes Substrat hochschmelzendes Aluminiumoxid oder Magnesiumoxid verwendet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als festes Substrat metallisches Nickel oder Molybdän verwendet wird.

5. Verfahren zur Herstellung eines Mischgases nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Wasserstoff durch einen mit Siliciumtetrafluorid beschickten und bei —135° C gehaltenen Verdampfer geleitet und dann der mit Siliciumtetrafluorid gesättigte Wasserstoff mit Wasserstoff und Kohlendioxid vermischt wird, wobei die Gaskonzentrationen von Siliciumtetrafluorid auf 0,06 Volumprozent und von Kohlendioxid auf 40 Volumprozent eingestellt werden, und daß das so erhaltene Mischgas über die Oberfläche eines auf 800⁰C erhitzten Festkörper geleitet wird.

6. Verfahren zur Herstellung eines Mischgases nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Wasserstoff durch einen auf -75⁰C gehaltenen Fluorwasserstoffverdampfer geleitet, dann der 0,12 Volumprozent Fluorwasserstoff enthaltende Wasserstoff durch ein auf 150° C erhitztes und mit Siliciumstückchen beschicktes Rohr geleitet und dieses Gasgemisch mit Wasserstoff und Kohlendioxid in einem solchen Mengenverhältnis vermischt wird, daß der Siliciumtetrafluoridgehalt 0,03 Volumprozent und der Kohlendioxidgehalt 20 Volumprozent beträgt, und daß die Gasmischung über die Oberfläche eines auf 800⁰C erhitzten Festkörpers geleitet wird.

7. Verfahren zur Herstellung eines Mischgases nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Wasserstoff durch einen auf -75⁰C gehaltenen Fluorwasserstoffverdampfer geleitet, anschließend das einen Fluorwasserstoffgehalt von 0,12 Volumprozent aufweisende Mischgas durch ein mit Siliciumstückchen beschicktes und auf 150⁰C erhitztes Rohr geschickt und dann mit Wasserstoff und Kohlendioxid zu einem Reaktionsgas mit einem Siliciumtetrafluoridgehalt von 0,005 Volumprozent und einem Kohlendioxidgehalt von 8 Volumprozent vermischt wird, und daß die erhaltene Reaktionsgasmischung über die Oberfläche eines auf 800⁰C erhitzten Festkörpers geleitet wird.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von Siliciumdioxidfilmen aus einem aus Wasserstoff, Kohlendioxid und Siliciumtetrafluorid bestehenden Mischgas. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zum Herstellen von Halbleitersubstraten für Halbleiterbauelemente.

Die Abscheidung von Siliciumdioxid-Filmen aus einem Wasserstoff, Kohlendioxid und Siliciumtetrahalogenid bestehenden Gemisch ist bereits bekannt;

ίο vgl. hierzu »Vapor Plating«, CF. Powell et al. 1955, New York, S. 137, letzter, bis S. 138, erster Absatz sowie S. 140, 2. Absatz von unten.

Bei Halbleiterbauelementen müssen dichte Siliciumdioxidfilme auf die Oberfläche des Halbleiters als diffusionsmaskierende Filme für selektive Diffusion während des Herstellungsverfahrens oder als passivierende Filme für die Bauelemente aufgebracht werden. Bei Halbleiterbauelementen, bei denen Siliciumplättchen als Substrate verwendet werden, wurden

ao diese Filme bisher auf Grund des sogenannten »thermischen Oxydationsverfahrens« aufgebracht, bei dem Siliciumfilme auf 1000° C oder darüber in einer Sauerstoff oder Wasserdampf enthaltenden Atmosphäre erhitzt wurden, wodurch die Oberfläche der Siliciumplättchen oxydiert wurde. In neuerer Zeit wurden jedoch Halbleiterbauelemente entwickelt, die eine komplizierte Struktur und großen Wirkungsgrad sowie stabile Eigenschaften aufweisen, bei denen Silicium und andere Halbleitermaterialien verwendet wurden. Bei diesen Halbleiterbauelementen müssen Siliciumdioxidfilme mit ähnlichen Eigenschaften wie die thermischen Oxidationsfilme, ζ. Β. Dichte und Reinheit, auf der Oberfläche des Siliciums oder anderer Halbleitermaterialien bei weit niedrigeren Temperaturen als bei der Bildung von thermischen Oxidationsfilmen, ζ. B. Temperaturen unter 800° C, aufgebracht werden.

Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen von Siliciumdioxidfihnen auf Halbleiterbauelementen, das die obigen Anforderungen erfüllt.

Grundsätzlich beruht das erfindungsgemäße Verfahren auf der bekannten chemischen Reaktion der Bildung von Siliciumdioxid durch Hydrolyse eines Siliciumhalogenids.

Es ist bekannt, daß man durch Überleiten eines Mischgases, das durch Beimischen von Siliciumtetrachlorid oder Siliciumtetrabromid zu Wasserstoff und Kohlendioxid hergestellt wurde, über ein auf geeignete Temperatur erhitztes Silicium- oder Germaniumplättchen einen dichten Siliciumdioxidfilm auf den Plättchen niederschlagen kann. Es ist ferner bekannt, daß man gemäß dem obigen Prinzip eine Disproportionierungsreaktion gemäß der folgenden Formelgleichung 1 ausführen kann, indem man ein Siliciumplättchen und konzentrierte Fluorwasserstoffsäure im Vakuum in einem Quarzrohr einschmilzt und das Rohr in einem elektrischen Ofen mit einer geeigneten Temperaturverteilung erhitzt; dabei erfolgte eine Umsetzung gemäß der folgenden Formel

SiO₂ + 4HF ^l SiF₄ + 2H₂O (1)

Die Reaktion verläuft von links nach rechts in dem niedrigeren Temperaturbereich und von rechts nach links im höheren Temperaturbereich des Quarzrohrs, wodurch sich ein Siliciumdioxidfilm auf dem im höhren Temperaturbereich befindlichen Siliciumplättchen niederschlägt. Die gemäß dieser Umsetzung