DE1614803B1 - Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1614803B1
DE1614803B1 DE1967T0033682 DET0033682A DE1614803B1 DE 1614803 B1 DE1614803 B1 DE 1614803B1 DE 1967T0033682 DE1967T0033682 DE 1967T0033682 DE T0033682 A DET0033682 A DE T0033682A DE 1614803 B1 DE1614803 B1 DE 1614803B1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
conductivity type
semiconductor body
foreign atoms
diffused
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE1967T0033682
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Raymond Chen-Chiu Wang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of DE1614803B1 publication Critical patent/DE1614803B1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/38—Devices controlled only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P10/00—Bonding of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
DE1967T0033682 1966-04-29 1967-04-19 Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung Withdrawn DE1614803B1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US54642866A 1966-04-29 1966-04-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1614803B1 true DE1614803B1 (de) 1971-06-09

Family

ID=24180383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1967T0033682 Withdrawn DE1614803B1 (de) 1966-04-29 1967-04-19 Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE1614803B1 (https=)
GB (1) GB1180754A (https=)
NL (1) NL6705415A (https=)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1018558B (de) * 1954-07-15 1957-10-31 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter
DE1080697B (de) * 1957-08-07 1960-04-28 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern einer Halbleiteranordnung
GB853029A (en) * 1957-03-08 1960-11-02 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to semi-conductor devices
GB854757A (en) * 1956-05-19 1960-11-23 Intermetall Ges Fur Metallurg A process for the production of n-p-n or p-n-p-junctions in semiconductors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1018558B (de) * 1954-07-15 1957-10-31 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Richtleitern, Transistoren u. dgl. aus einem Halbleiter
GB854757A (en) * 1956-05-19 1960-11-23 Intermetall Ges Fur Metallurg A process for the production of n-p-n or p-n-p-junctions in semiconductors
GB853029A (en) * 1957-03-08 1960-11-02 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to semi-conductor devices
DE1080697B (de) * 1957-08-07 1960-04-28 Western Electric Co Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern einer Halbleiteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
GB1180754A (en) 1970-02-11
NL6705415A (https=) 1967-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2317577C2 (de) Verfahren zur Herstellung dielektrisch isolierter Halbleiteranordnungen
DE1056747C2 (de) Verfahren zur Herstellung von mehreren p-n-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern fuer Transistoren durch Diffusion
EP0001550A1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung für eine Bauelementstruktur mit kleinen Abmessungen und zugehöriges Herstellungsvefahren
DE2711562A1 (de) Halbleiteranordnung und deren herstellung
DE1764464C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines lateralen Transistors
EP0001574B1 (de) Halbleiteranordnung für Widerstandsstrukturen in hochintegrierten Schaltkreisen und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung
DE2823967C2 (https=)
DE3788453T2 (de) Komplementäres vertikales bipolares Transistorpaar mit flachem Übergang.
DE69223670T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem Heteroübergang-Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2031333C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE2612667A1 (de) Verfahren zur herstellung dielektrisch isolierter halbleiterbereiche
DE1207014C2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltungsanordnung
DE2718449C2 (https=)
DE2517690A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauteils
DE3884665T2 (de) Hochleistungstransistor mit Seitenwandemitter.
DE1087704B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem p-n-UEbergang
DE1259469B (de) Verfahren zur Herstellung von inversionsschichtfreien Halbleiteruebergaengen
DE19615324A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines vertikalen bipolaren Transistors
DE1296263B (de) Verfahren zur Herstellung eines Transistors und nach diesem Verfahren hergestellter Transistor
DE3100839A1 (de) Integrierte schaltungsanordnung
DE69229927T2 (de) Integrierte Struktur einer bipolaren Leistungsanordnung mit hoher Stromdichte und einer schnellen Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2558925C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Injektions-Schaltungsanordnung
DE2926785C2 (de) Bipolarer Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69231272T2 (de) Verbesserte Struktur einer Schotty-Diode und Herstellungsprozeß dafür
DE1564170C3 (de) Halbleiterbauelement hoher Schaltgeschwindigkeit und Verfahren zu seiner Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee