DE1614223A1 - Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung - Google Patents

Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung

Info

Publication number
DE1614223A1
DE1614223A1 DE19671614223 DE1614223A DE1614223A1 DE 1614223 A1 DE1614223 A1 DE 1614223A1 DE 19671614223 DE19671614223 DE 19671614223 DE 1614223 A DE1614223 A DE 1614223A DE 1614223 A1 DE1614223 A1 DE 1614223A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrodes
semiconductor device
nature
disk
disc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671614223
Other languages
English (en)
Inventor
Erwin Kok
Oosthoek Dirk Pieter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1614223A1 publication Critical patent/DE1614223A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
    • H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
    • G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/115—Orientation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Kessen von Strahlung, insbesondere Strahlung geladener Teilchen, welche Vorrichtung aus einer Einkristallscheibe eines halbleitenden Materials besteht, wobei eine der beiden einander gegenüber liegenden Hauptflfichen dieser Scheibe mit einer Elektrode gleichrichtender Art und die andere Fläche mit einer Elektrode. ohnKscher Art versehen ist. Eine solche Vorrichtung, weiter unten Strahlungsdetektor genannt, dient im allgemeinen dazu, durch die Elektroden mit einer solchen Spannung verbunden zu werden, dass die eich an der Gleichrichtelektrode bildende Verarmungsschicht nahezu den ganzen Kaum zwischen den Elektroden beansprucht, welche
009822/0578
T 6 142.23 - MB 2275
Vorrichtung so in die Bahn(en) der zu detektierenden Strahlung eingebracht wird, dass die Strahlung annähernd senkrecht zur Scheibe einfällt. Wenn der Detektor z.B. von einem Teilchen.getroffen wird, gibt dieses eine bestimmte Energie ab, wobei die in Form von Elektronen und Löchern ausgelöste Ladung als Impuls in dem mit der Elektrode verbundenen Kreis gemessen werden kann.
Ein Detektor der beschriebenen Art ermöglicht nicht, die Orientierung von an verschiedenen Stellen des Detektors einfallenden Teilchen nachzuweisen. Soll die Orientierung der zu detektierenden Strahlung festgestellt werden, so muss eine Anzahl von Betektoren dieser Art nebeneinander angeordnet werden. Dann kann die Orientierung eines Teilchens bestimmt werden, indem untersucht wird, «elcher Detektor ein Signal abgegeben hat. Eine solche Vorrichtung zum lie tek tier en von Strahlung mittels einer Anzahl gesonderter Detektoren ist jedoch kompliziert.
Die Erfindung bezweckt, einen einfachen .Detektor der beschriebenen Art zu schaffen, mit dem auch die Orientierung der zu detektierenden Strahlung gemessen- werden kann.
Der Erfindung liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass einfach durch Teilung der Elektroden eines Detektors der beschriebenen Art eirie Anzahl von Detektoren mit einem gemeinsamen Halbleiterkörper erhalten werden kann, wobei in Betrieb die elektrische Isolierung zwischen diesen Detektoren durch die Verarmungsschicht herbeigeführt wird.
Nach der Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung zum
Detektieren und/oder Messen von Strahlung eingangs es-^MknteT Art dadurch gekennzeichnet! dass die beiden grasen, einander gegenüber liegenden Flächen aer Scheibe mit je einer Anzahl paralIeIert"streifeafSmiger* gegeneinander isolierter Elektroden versehen SiEi8 »©bei öl® Streifen auf
00 9 8 227 0578 BADORiGiNAL
einer Seite der Scheibe die Streifen auf der anderen Seite der Scheibe kreuzen. An jedem Kreuzungspunkt der streifenfö'rniigen Elektroden befindet"
sich/ein Detektor-der "bekannten Art und im Betrieb werden diese Detektoren elektrisch gegeneinander isoliert, indem zwischen den Elektroden dieser Detektoren eine für solche Detektoren übliche Spannung gelegt wird, so dass eine Verarmungsschicht entsteht, die nahezu den ganzen Raum zwischen den Elektroden beansprucht und dabei die streifenfö'rmigen ohmschen Elektroden gegeneinander isoliert. Die gleichrichtenden Elektroden _
- sind naturgetsäse gegeneinander isoliert. Die Vorrichtung nach der Erfindung Kann anzeigen, an welcher Stelle z.B. ein Teilchen auf die Scheibeauftrifft* da der bei diesem Auftreffen erzeugte Impuls lediglich in den sich am Auftreffpunkt kreuzenden, streifenfo'rmigen Elektroden auftritt. . . .- "'-.-_ Ί .. ; . . ■ "■■■;■'"'.■"'·""
Die Haltleiterscheibe kann z.B. aus η-Typ Silicium, die gleichrichtende Elektrode kann aus Gold zur Bildung eines Ueberganges des ijchottky-Typs mit der Scheibe und die Elektrode ohm-scher Natur kann aus auf der Scheibe niedergeschlagenem Aluminium bestehen.
Die Erfindung betrifft weiter eine Schaltungsanordnung mit einer Kalbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung, jiie dadurch gekennzeichnet ist," dass zwischen den Elektroden gleichrichtender ' Katur und denen ohnwscher Hatur eine Spannung angelegt wird, wobei die erzeugte Verarmungsschicht nahezu den* ganzen Raum zwischen den Elektroden beansprucht. '
Die Erfindung wird nachstehend anHand einer Äusführungsform näher erläutert, die in der Zeichnung veranschaulicht ist,
Fig. 1 zeigt schematisch einen Schnitt durch einen Teilchenzähler bekannter Art mit einem damit zu verbindenden elektrischen Kreis.
009822/0578
Fig. 2 zeigt perspektivisch einen Teilchendetektor nach der Erfindung.
Der Teilchendetektor nach Fig. 1 enthält eine Einkristallscheibe, die vorzugsweise aus einem Halbleitermaterial mit Diamantetruktur wie Germanium und Silicium besteht. Es sei bemerkt, dass "Diamantstruktur" in diesem Falle nicht nur Kristalle mit nur einer Atom,art sondern auch Kristalle mit zwei Atom arten wie bei der Zinkblendestruktur, oder mehr als zwei Atomarten andeuten soll. Im vorliegenden Falle besteht die Scheibe aus η-Typ Silicium mit einem spezifischen Widerstand der Gro'ssenordnung von j?000 Ohm.cm. Die Scheibe kann einen Durchmesser von etwa 25 mm und eine Dicke von z.B. 25 bis JOO/um haben. Auf der Oberseite ist eine aus reinem Gold bestehende Elektrode 2 durch Aufdampfung angebracht, die gestrichelt angegeb&n ist, während auf die Unterseite eine aus reinem Aluminium bestehende Elektrode 3 aufgedampft ist, die auch gestrichelt dargestellt ist. Auf dem sehr hochohmigen Silicium bildet die aus Gold bestehende Elektrode einen Uebergang des Schottky-Typs, während die Elektrode 3 ohm>scher Natur ist. Mit diesen Elektroden ist ein Kreis mit einer Spannungsquelle 4 verbunden, deren Spannung derart geregelt wird, dass die an der Elektrode 2 erzeugte Verarmungsschicht nahezu den ganzen Raum zwischen den Elektroden beansprucht. In den Kreis ist weiter eine Messvorrichtung 5 aufgenommen, durch welche die Impulse gezählt und/oder analysiert werden können, die beim Einstrahlen geladener Teilchen z.B. Oi-Teilchen, Deutronen und Protonen erzeugt werden, die in diesem Falle die Elektrode 2 in Richtung des Pfeiles 6 treffen und in die Scheibe 1 eindringen. ·
Nach der Erfindung sind die Elektroden 2 und 3 in eine Anzahl paralleler Streifen 12 bzw. 13 (siehe Fig. 2) geteilt, wobei die Streifen
0098 2 2/0 57 8
-5-' ■.;■■■'.■;■" . ■■'.■■■-.■.
die Streifen 15 kreuzen. Die Halbleiterscheibe ist in Fig. 2 mit 11 bezeichnet. Die Streifen 12 und 13 sind durch nicht bedeckte Bahnen gegeneinander isoliert.
Die streifenartigen Elektroden lassen sich durch Aufdampfen anbringen, wobei während der Aufdampfung ein Raster paralleler Metalldrähte auf die Scheibe gestellt und als quelle des zu verdampfenden Metalles ein Draht parallel zu den Hasterdrähten und in einem gewissen Abstand ober diesen gespannt.benutzt wird.
Die Streifen 12 bestehen aus Gold und die Streifen IJ aus Aluminium.
Zwischen den Streifen 12 und 13 kann eine Spannung angelegt werden, so dass die Verarmungsschicht den Kaum zwischen den Elektroden nahezu vollständig beansprucht. Die verschiedenen Streifen der Ober- und der Unterseite lassen sich weiter an ein nicht dargestelltes Messwerk anechliessen. '
Das Messwerk kann ausser anderen Information auch registrieren, an welcher Stelle ein Teilchen die Scheibe trifft, da der bei diesem Auftreffen erzeugte Impuls ledig-lich in den Streifen 12 bzw; IJ auftritt, dieaich am Auftrefipunkt kreuzen»
Es wird einleuchten, dass ausser- Korpuskularstrahlung auch elektromagnetlach· Strahlung detektiert werden kann, wobei ein Detektor nach der Erfindung z.B. zum "Lesen11 von Buchstaben benutzt werden kann·

Claims (1)

  1. PHM 2275
    614223 V-
    PATEKTANSfRUECHEt
    1. Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung, insbesondere Strahlung geladener Teilchen, welche Vorrichtung aus einer einkristallscheibe eines Halbleitermaterials besteht, von der eine der beiden einander gegenüber liegenden Eauptfiäctoen eine Elektrode gleichrichtender Natur und die andere Fläche eine Elektrode ohm-scher Natur trägt , dadurch gekennzeichnet, dass die beiden einander gegenüber liegenden Hauptflächen der Scheibe mit Je einer Anzahl paralleler, streifenartiger, gegeneinander isolierter Elekxroden versehen sind, wobei die Streifen auf einer Seite der Scheibe die Greifen auf der anderen Seite der Scheibe kreuzen.
    2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Scheibe aus Silicium besteht.
    5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Scheibe n-Tyρ Leitfähigkeit aufweist.
    4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden gleichrichtender Natur aus Gold bestehen und mit der Scheibe einen üebergang des Schottky-Typs bilden, während die Elektroden ohmischer Natur aus auf der Scheibe niedergeschlagenem Aluminium bestehen.
    5. Schaltungeanordnung mit einer Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Elektroden gleichrichtender Natur und denen ohmischer Natur eine Spannung angelegt -wird, so dass die erhaltene Verarmungsschicht nahezu den ganzen üaum zw^scnen den Elektroden beansprucht.
    - 009822/0578 ; . -
DE19671614223 1966-03-01 1967-02-28 Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung Pending DE1614223A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL666602606A NL154329B (nl) 1966-03-01 1966-03-01 Inrichting voor het detecteren en/of meten van straling.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1614223A1 true DE1614223A1 (de) 1970-05-27

Family

ID=19795864

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1967N0030065 Granted DE1614222B2 (de) 1966-03-01 1967-02-25 Halbleitervorrichtung zum detektieren und/oder messen von strahlung
DE19671614223 Pending DE1614223A1 (de) 1966-03-01 1967-02-28 Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1967N0030065 Granted DE1614222B2 (de) 1966-03-01 1967-02-25 Halbleitervorrichtung zum detektieren und/oder messen von strahlung

Country Status (9)

Country Link
US (2) US3529159A (de)
JP (2) JPS4415502B1 (de)
BE (2) BE694727A (de)
CH (2) CH460962A (de)
DE (2) DE1614222B2 (de)
FR (2) FR1512887A (de)
GB (2) GB1171395A (de)
NL (1) NL154329B (de)
SE (2) SE333613B (de)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3824680A (en) * 1968-03-28 1974-07-23 Levina Fizichesky I I Lebedeva Nuclear radiation detector and method of manufacturing same
FR1593679A (de) * 1968-11-27 1970-06-01
US3622844A (en) * 1969-08-18 1971-11-23 Texas Instruments Inc Avalanche photodiode utilizing schottky-barrier configurations
US3715590A (en) * 1971-03-26 1973-02-06 Nasa Micrometeoroid analyzer
GB1431053A (en) * 1972-05-18 1976-04-07 Nat Res Dev Radiation detectors
DE2239953A1 (de) * 1972-08-14 1974-02-28 Siemens Ag Detektoranordnung
DE2255095C2 (de) * 1972-11-10 1986-04-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Detektor für ionisierende Strahlung
US3790794A (en) * 1972-12-21 1974-02-05 Us Navy Absolute calorimetric dosimeter
US3859521A (en) * 1973-01-23 1975-01-07 Mc Donnell Douglas Corp Grid lateral photodetector
US3842276A (en) * 1973-06-15 1974-10-15 Rca Corp Thermal radiation detector
US3870887A (en) * 1973-10-10 1975-03-11 Mc Donnell Douglas Corp Optical image position indicator means using time and phase delay sensing
DE2442276A1 (de) * 1974-09-04 1976-03-25 Siemens Ag Elektrooptischer wandler
JPS52105856A (en) * 1976-03-03 1977-09-05 Toyo Glass Co Ltd Detector for eccentricity of opening of bottle
US4070578A (en) * 1976-07-30 1978-01-24 Timothy John G Detector array and method
FR2375602A1 (fr) * 1976-12-23 1978-07-21 Thomson Csf Dispositif de detection du signal de deviation du faisceau electronique d'un canon a electrons, notamment pour oscillographe cathodique, et oscillographe comportant un tel dispositif
US4472728A (en) * 1982-02-19 1984-09-18 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Imaging X-ray spectrometer
GB2125217B (en) * 1982-08-06 1986-01-02 Secr Defence Infra red detector arrays
US4513201A (en) * 1983-07-21 1985-04-23 Ball Corporation Thermocouple detector
US5125016B1 (en) * 1983-09-22 1998-02-24 Outokumpu Oy Procedure and measuring apparatus based on x-ray diffraction for measuring stresses
US4688067A (en) * 1984-02-24 1987-08-18 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Carrier transport and collection in fully depleted semiconductors by a combined action of the space charge field and the field due to electrode voltages
JPH01315231A (ja) * 1988-06-14 1989-12-20 Fanuc Ltd 交流モータのコイル巻設構造
US5028971A (en) * 1990-06-04 1991-07-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army High power photoconductor bulk GaAs switch
US5592523A (en) * 1994-12-06 1997-01-07 Picker International, Inc. Two dimensional detector array for CT scanners
US5930330A (en) * 1995-09-29 1999-07-27 New Mexico Biophysics Method and apparatus for multitaxis scanning system
US6332590B1 (en) * 1998-12-23 2001-12-25 Space Systems/Loral, Inc. Photoemission based spacecraft charging sensor
US6455858B1 (en) 2000-08-13 2002-09-24 Photon Imaging, Inc. Semiconductor radiation detector
FR2939968B1 (fr) * 2008-12-17 2013-06-07 Eads Europ Aeronautic Defence Generateur electrique excite par rayonnements cosmiques.
FR2948200B1 (fr) * 2009-07-16 2013-02-08 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection de rayonnement a agencement ameliore
GB2475063A (en) * 2009-11-04 2011-05-11 Univ Leicester Charge detector for photons or particles.
US11677040B2 (en) * 2019-11-21 2023-06-13 Raytheon Company Method and apparatus for enhanced photoconductivity of semiconductor
US11927616B2 (en) 2021-03-30 2024-03-12 International Business Machines Corporation Evaluation of wafer carcass alpha particle emission

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3207902A (en) * 1963-06-20 1965-09-21 Nuclear Diodes Inc Radiation position detector
US3415992A (en) * 1965-12-28 1968-12-10 Nasa Extended area semiconductor radiation detectors and a novel readout arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5512746B1 (de) 1980-04-03
NL6602606A (de) 1967-09-04
NL154329B (nl) 1977-08-15
CH460962A (de) 1968-08-15
BE694727A (de) 1967-08-28
DE1614222B2 (de) 1977-02-10
FR1524189A (fr) 1968-05-10
US3529161A (en) 1970-09-15
US3529159A (en) 1970-09-15
GB1171395A (en) 1969-11-19
CH471440A (de) 1969-04-15
JPS4415502B1 (de) 1968-07-09
FR1512887A (fr) 1968-02-09
SE327478B (de) 1970-08-24
GB1173507A (en) 1969-12-10
DE1614222A1 (de) 1970-02-26
SE333613B (de) 1971-03-22
BE694869A (de) 1967-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1614223A1 (de) Halbleitervorrichtung zum Detektieren und/oder Messen von Strahlung
DE19616545B4 (de) Schneller Strahlungsdetektor
DE2719930C2 (de) Röntgenstrahlendetektor
DE2806858A1 (de) Halbleiter-strahlungsdetektor
DE3222442A1 (de) Grossflaechiger mehrzellen-elektronenzaehler und werkstor- bzw. portal-neutronenmonitor
DE1914569A1 (de) Radioaktives Zeitnormal
DE2460686C2 (de) Proportionalzählrohr zur Messung der räumlichen Intensitätsverteilung ionisierender Strahlung
DE1919824A1 (de) Neutronendetektor
DE2949862A1 (de) Festkoerperstrahlungsdetektor und anordnungen derselben
EP0465797A2 (de) Vorrichtung zum Messen des Eisengehaltes in Zinkschichten
DE2255095C2 (de) Detektor für ionisierende Strahlung
DE2455054A1 (de) Modularer neutronendetektor
DE2458025A1 (de) Vorrichtung fuer massenanalyse und strukturanalyse einer oberflaechenschicht durch ionenstreuung
DE3002950A1 (de) Ortungsempfindliches proportionalzaehlrohr hoher aufloesung mit kodierung durch verzoegerungsleitung zur messung der flaechenverteilung ionisierender strahlung
DE1950060C3 (de) Kernstrahlungs-Nachweiseinrichtung mit einem von einer Diamantplatte gebildeten Detektor
DE2721694A1 (de) Detektor zum nachweis ionisierender strahlung
DE1073032B (de) Einrichtung zum Abfuhlen von Magnetfeldern
DE2703324A1 (de) Ionisationsstrahlungs-festkoerperdetektor
DE889956C (de) Ionisationskammer
DE19821293C2 (de) Halbleiter-Detektionsvorrichtung für radioaktive Strahlung
DE2532573C3 (de) Einrichtung für die Messung der Neutronenflußdichteverteilung
DE1800578B2 (de) Strahlungsdetektor
DE3001760A1 (de) Nachweiseinrichtung fuer ionen
DE19931772A1 (de) Gaskammerdetektor mit Gas-Elektronenvervielfacher
DE2128530C3 (de) Detektor für Röntgen- und !"strahlen sowie Kernteilchen

Legal Events

Date Code Title Description
OHW Rejection