DE1614023A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von HalbleitervorrichtungenInfo
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Description
Kabel- und Metallwerke 2 018
Gutehoffnungshütte -Aktiengesellschaft 12*9*1967
Bekannt sind Halbleitervorrichtungen, die aus einem. Träger aus
Kupfer öder einer Kupferlegierung bestehen, auf dessen Oberseite ein Halbleiterelement angeordnet ist, das von einem Abdeckteil,
etwa einer Verschlußkappe, überdeckt und nach außen
dicht abgeschlossen wird. Auf der dem halbleiterelement abgekehrten
Seite des Trägers ist ein im allgemeinen mit einem Gewinde versehener Schaft vorgesehen, mit dessen Hilfe diese
Halbleitervorrichtung, z. B. auf einem Schaltbrett,: befestigt werden kann.
Zur Befestigung der Verschlußkappe für das Halbleiterelement an
dem Träger aus Kupfer oder einer Kupferlegierung ging man bisher
so vor, daß zunächst ein sog. Schweißring aus nickelplattier
tem Stahl oder sonstigem geeigneten Material mit Hilfe von SiI-"
berlot an der Oberseite des Kupferträgers aufgelötet wird, so
daß er den Halbleiter umgibt und eine Stahlobergelte bildet, auf
der anschließend die Verschlußkappe durch Widerstandsschweißung^
befestigt wird. Ein solches Verfahren hat jedoch den Nachteil,
daß der Träger auf eine Temperatur vom 65O0G und darüber erwärmt
Yrerden muß, wodurch der Träger weich wird und seine Festigkeit
verliert.
TJm das zu vermeiden, hat man.bereits vorgeschlagen,^zunächst
einen Metallro'hling mit einer Ober·* und einer Unterseite herzustellen
und danach ein Metall-Bauteil in Form eines Kupferringes auf die Oberfläche des ebenfalls aus Kupfer oder einer
Kupferlegierung be stehenden Metallrohlings aufzuschmelzen.
An diese weichen Kupferringe.können dann die napfförraigen
Verschlußkappen durch Kalt- oder Druckschweißeh angeschweißt
werden.
0 α9819/1074
16 UO 2
Die Erfindung, geht zur Vermeidung der obengenannten Schwierigkeiten
bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, die aus einem vorzugsweise einen Schaft aufweisenden Träger
für das Halbleiterelement und einer das Halbleiterelement überdeckenden und mit dem Träger über ein gesondertes metallisches
Bauelement verbundenen Verschlußkappe bestehen, einen anderen ./eg. Gemäß der Erfindung wird das metallische Bauelement
mittels Kaltschweißung auf den Träger aufgebracht. Hierdurch
ist eine Erweichung des bei der Herstellung des Trägers verfestigten 'i'rägerwerKstoffes, der aus Kupfer, einer Kupferlegierung
oder auch Eisen sein kann, vermieden. Ohne weitere Glühbehandlungen lassen sich durch die Erfindung Halbleitervorrichtungen
herstellen, deren Träger eine hone mechanische Festigkeit aufweisen. Diese höh': mechanische Festigkeit läßt sich
in vorteilhafter Weise dann noch steigern, wenn de · Vorgang
der Kaltschweißung mit einer Kaltverfestigung des Trägerwerkstoffes
kombiniert wird.
Je nach Wahl des Trägerwerkstoffes und des Materials für das metallische Bauelement, das zweckmäßig ein -ii-ng, z.B. aus
Stahl, sein wird, kann es von Vorteil sein, zwischen der Trägeroberfläche und dem metallischen Bauelement eine die KaItschweißung
günstig beeinflussende metallische Zwischenschicht, etwa in Form einer Silberfolie, durch eile eine Herabsetzung
des Fließdruekes erreich-bar ist, anzuordnen.
Die Erfindung sei anhand der in der ]?igur als Ausführungsbeispiel dargestellten Halbleiterdiode näher erläutert.
Der aus Kupfer bestehende TrägerKörper 1 weist an seinem einen ι
Ende den gegebenenfalls mit einem Gewinde versehenen Schaft 2 zur Befestigung der Halbleiterdiode auf einer nicht dargesteU.-ten
Trägerplatte auf. Auf dem an der dem Schaft 2 abgekehrten Seite des Trägerkörpers 1 angeordneten erhöhten Mittelteil 3
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ist z.B. mit Hilfe eines Silberlotes eine dünne Scheibe 4 aus
TuOlybdän aufgebracht, auf der wiederum unmittelbar ein aus
Germanium» Silteium oder ähnlichem geeig-neten Material gebildeter
Halbleiter 5 weich aufgelötet ist. Die Molybdänscheibe 4 bildet hierbei eine leitende Schicht zwischen.dem
Halbleiter 5 und dem IrägerkÖrpcr 1 mit praktisch demselben
Ausdehnungskoeffizienten wie der halbleiter, so daß die. lotverbindung
zwischen dem Halbleiter und der darunter liegenden
l'rägerf lache durch thermische Ausdehnung und " Zusammenziehung
während des Betriebes nicht zerstört wird.«'"·--
Zur Befestigung der Verschlußkappe 6 auf dem 'Prägerkörper 1
dient der Schweißring 7 aus einem -Stahl, der an dem l'rägerkörper
1 durch Kaltschweißen befestigt is't und mit dem die Verschlußkappe 6 verbunden wird»
Zur Herstellung einer; solchen Halbleiterdiode kann man beispielsweise
so vOrgeheh, daß zunächst derfrägerkörper 1 mit
dem Schaft 2 und dea erhöhten Kittelteii 3 in bekannter Weise,
z.B. durch Pressen aus einen üohling,:durch Ausstanzen aus el—
nem iCupferbleeh und -dgl., geformt wird/Anschließend erfolgt
das Auflöten der !."olybdänscheibe 4 auf dem erhöhten Mittelteil
3 und das Aufbringen des Halbleiters 5 auf diese Molybdänscheibe.
Bann v/ird der Stahlring % filttels" Kailischweißen
unter Druck auf die dem Schaft 2 abgekehrte Seite des Trägerkörpers
1 aufgebracht, wobei zweckmäßig eine weitere Verfestivgtmg
des Trägerma'erials erfolgt. Schlieölich wird diese Anordnung
nach deru Auf bringen einer Gegenelektrode mittels der
Verschlußkappe 6 nach au^en gasdicht abgeschlossen.
Berücksichtigter Stand der Technik:US Patentschrift 3 199 000.
Bm
009819/ 1
Claims (1)
- Kabel- und Metallwerke; ' 2 018Gutehoffnungshütte Aktiengesellschaft 12,9·67Patentansprüche .1« Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, die aus einem vorzugsweise einen Schaft aufweisenden ,!Träger für das Halbleiterelement und einer das Halbleiterelement überdeckenden und. mit dem Träger Über ein gesondertes metallisches Bauelement verbundenen Verschlußkappe bestehen* dadurch gekennzeichnet» daß das metallische Bauelement mittels Kaltschweißung auf den Träger aufgebracht wird*■ ■■ ■■-,' ■ ί" <?-
2· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Bauelement als Stahlring ausgebildet ist.5« Verfahren nach Anspruch. 1, dadurch gekennzeichnet, daß sirischen dem metallischen Bauelement und dem frager eine die Kalteohweißung begünstigende metallische Zwiechenschicht vorgesehen wird*4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet* daß zwischen dem metallischen Bauelement und dem Träger eine die KaltschwelBung begünstigende.Metallfolie, e.B. aue Silber^ angeordnet :-«firdV-5. !fach dem Verfahren nach einem oder mehreren der Anejßrtlche bis 4: hergestellte ^[albleiliervoirriehtung, dadurch gelcennzeichnet, daß die Verschlußkappe an dem Träger au« Kupfer oüftr einer Kupfer-Legierung durch einen mit dem Träger durch Kaltschweißen feiet veirbundenen Stahlring befestigt009819/1074
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19671614023 DE1614023A1 (de) | 1967-09-14 | 1967-09-14 | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen |
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Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1614023A1 true DE1614023A1 (de) | 1970-05-06 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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1967
- 1967-09-14 DE DE19671614023 patent/DE1614023A1/de active Pending
-
1968
- 1968-08-14 FR FR1577648D patent/FR1577648A/fr not_active Expired
- 1968-08-29 BE BE720104D patent/BE720104A/xx unknown
- 1968-09-12 NL NL6813056A patent/NL6813056A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE720104A (de) | 1969-02-03 |
NL6813056A (de) | 1969-03-18 |
FR1577648A (de) | 1969-08-08 |
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