DE1591388C - Transistoroszillator mit Schwingquarz - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Stabilisierung der Oszillatorfrequenz eines Transistoroszillators mit einem Schwingquarz.

Die relative Frequenzabweichung /IfIf₀ eines Quarzkristalls mit AT-Schnitt beträgt bei einer Temperaturänderung von 20 auf 50⁰C etwa —10 ~⁵. Dabei ist /₀ die Eigenfrequenz des Kristalls und A f die Differenz der Eigenfrequenzen bei 20 und 50° C. Diese an sich sehr hohe Frequenzkonstanz reicht für manche Zwecke jedoch noch nicht aus. So werden beispielsweise bei Sprechfunkgeräten mit einer Trägerfrequenz von 150 MHz kleinere Frequenzabweichungen über einen noch größeren Temperaturbereich hinweg gefordert.

Bekanntlich läßt sich die Frequenzkonstanz eines Quarzoszillators dadurch erhöhen, daß der Quarz mittels eines Thermostaten auf nahezu gleicher Temperatur gehalten wird. Dieses Verfahren ist jedoch sehr aufwendig. Es sind auch schon Quarzoszillatoren vorgeschlagen worden, die mit Hilfe von Kapazitätsdioden auf eine konstante Frequenz gezogen werden. Auch solche Schaltungen sind relativ aufwendig.

In der britischen Patentschrift 817 268 ist bereits vorgeschlagen worden, die Frequenzkonstanz eines Transistoroszillators mit einem LC-Kreis (dessen Eigenfrequenz mit steigender Temperatur abnimmt) durch einen temperaturabhängigen Spannungsteiler am Eingang zu erhöhen. Dabei ist zwischen die Basis und den Batteriepol, der über einen Widerstand mit dem Emitter verbunden ist, ein Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten (NTC-Widerstand) eingeschaltet, während zwischen dem anderen Batteriepol und der Basis ein von der Temperatur nahezu unabhängiger Widerstand liegt. Dadurch ergibt sich die folgende Wirkungsweise: Mit steigender Temperatur sinkt die Eigenfrequenz des LC-Kreises; gleichzeitig nimmt die Größe des NTC-Widerstandes ab, so daß die Basis-Emitter-Vorspannung des Transistors sinkt, was ein Absinken des Emitterstromes und damit eine Verkleinerung der Basis-Emitter-Kapazität mit sich bringt. Da diese aber parallel zum LC-Kreis liegt, wird dieser zu höheren Frequenzen hin verstimmt. Bei geeigneter Dimensionierung läßt sich erreichen, daß sich diese beiden Effekte — Abnähme der Eigenfrequenz des LC-Kreises einerseits, Verkleinerung der Basis-Emitter-Kapazität andererseits — kompensieren, so daß eine verbesserte Frequenzkonstanz über einen großen Temperaturbereich hinweg erzielt wird.

Bei einem Transistoroszillator mit einem Schwingquarz mit AT-Schnitt, der für Hochfrequenz besonders geeignet ist, führt diese Maßnahme nur bedingt zum gewünschten Erfolg. Zwar ist dabei innerhalb eines bestimmten Temperaturbereiches die Oszillatorfrequenz weniger stark von der Temperatur abhängig als die Eigenfrequenz des Quarzkristalls; außerhalb dieses Temperaturbereiches zeigt sich jedoch, daß die Oszillatorfrequenz stärker von der Temperatur abhängt als die Eigenfrequenz.

Nachfolgend wird unter Eigenfrequenz die Frequenz verstanden, bei der der Quarz in (Serien-) Resonanz ist; mit Oszillatorfrequenz wird die Frequenz bezeichnet, mit der die Oszillatorstufe schwingt.

Die Erklärung hierfür Hegt in dem S-förmigen Temperaturgang der Eigenfrequenz eines Quarzes mit AT-Schnitt. Fig. 1 zeigt die Temperaturabhängigkeit der Verstimmung Δ f/f₀ eines solchen Quarzes (ausgezogene Kurve). Man erkennt, daß die Eigenfrequenz zunächst mit der Temperatur ansteigt, bei &_t ein Maximum erreicht, oberhalb dieser Temperatur abnimmt, um dann nach Durchlaufen eines Minimums bei #₃ wieder anzusteigen. Bei der oben beschriebenen Kompensationsmethode wäre im Bereich von ^₁ bis #₃ die Oszillatorfrequenz weniger temperaturabhängig als die Eigenfrequenz des Quarzkristalls. Für Temperaturen, die höher als #₃ (bzw. niedriger als ^₁) sind, liegen die Verhältnisse jedoch umgekehrt.* Die Eigenfrequenz nimmt dann nämlich wieder ab (zu), und die Basis-Emitter-Vorspannung steigt (sinkt), so daß die Basis-Emitter-Diffusionskapazität infolge des wachsenden (sinkenden) Emitterstromes ebenfalls wächst (sinkt). Dadurch wird außerhalb des Temperaturbereiches ^₁ bis #₃ die Oszillatorfrequenz noch stärker geändert als die Eigenfrequenz.

In vielen Fällen reicht der Bereich ^₁ bis #₃, innerhalb dessen die temperaturbedingten Frequenzänderungen kompensiert werden, jedoch nicht aus. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die Temperaturabhängigkeit der Oszillatorfrequenz eines Transistoroszillators mit Schwingquarz mit AT-Schnitt auch außerhalb des Temperaturbereiches ^₁ bis &₃ zu verringern.

Aus der USA-Patentschrift 3 322 981, insbesondere F i g. 7, ist bereits eine Lösung dieses Problems bekannt. Dabei sind in Serie zum Schwingquarz und parallel zueinander drei Zweige vorgesehen, die die Serienschaltung eines Kondensators und eines temperaturabhängigen Widerstandes enthalten. Jeder der drei temperaturabhängigen Widerstände ist in einem anderen der drei Temperaturbereiche wirksam und so bemessen, daß er an dem einen Ende des Temperaturbereiches groß und am anderen Ende klein im Vergleich zum Blindwiderstand des in Serie liegenden Kondensators ist. Auf diese Weise werden die Kondensatoren mehr oder weniger wirksam und kompensieren wenigstens teilweise den Temperaturgang der Eigenfrequenz. Nachteilig daran ist, daß außer dem Kondensator auch die Werte der temperaturabhängigen Widerstände von der dynamischen Kapazität des Quarzes abhängen. Dabei kann es vorkommen, daß ein temperaturabhängiger Widerstand mit dem erforderlichen Wert nicht zur Verfügung steht. Weiterhin besteht ein Nachteil darin, daß auch die Dämpfung des Quarzes bzw. die Gegenkopplung stark temperaturabhängig sind, so daß auch die Oszillatoramplituden stark von der Temperatur abhängen — diese Temperaturabhängigkeit besteht zwar auch bei der Erfindung, doch in geringerem Maße — und daß sich auch andere Oberwellen der Schwingquarzfrequenzen erregen können.

Ausgehend von der bekannten Schaltungsanord nung, bei der die Oszillatorfrequenz durch drei temperaturabhängige Widerstände kompensiert wird, von denen jeder in einem anderen Teil der drei Temperaturbereiche wirksam ist, werden diese Nachteile erfindungsgemäß dadurch vermieden, daß die drei Widerstände einen Spannungsteiler für die Basisvorspannung des Transistors bilden und den Emitterstrom gleichsinnig zu den Änderungen der Eigenfrequenz des Schwingquarzes steuern.

Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher er läutert. Es zeigt

Fig. 2 das Prinzipschaltbild eines Oszillators nach der Erfindung,

F i g. 3 den temperaturabhängigen Spannungsteiler im einzelnen und

Fig.4 eine Abwandlung des oberen Spannungs- * teilerzweiges bei einer praktisch ausgeführten Schaltung.

. Fig. 2 zeigt einen Transistoroszillator mit einem Transistor T, zwischen dessen Basis und Kollektor ein Schwingquarz Qu mit AT-Schnitt geschaltet ist. ίο Dieser bildet zusammen mit der Basis-Emitter-Kapazität und der Kapazität zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors Γ ein Rückkopplungsnetzwerk. Der Arbeitspunkt des Transistors Γ wird durch den Emitterwiderstand A₁₀ stabilisiert, der wechselstrommäßig durch den Kondensator C₄ überbrückt ist. Das Ausgangssignal wird vom Kollektorwiderstand R₀ über den Koppelkondensator C₃ abgenommen. Mittels des Trimmkondensators C₂, der zwischen Kollektor und einem Batteriepol eingeschaltet ao ist, kann die Oszillatorfrequenz in einem gewissen Bereich verändert werden; er kann gegebenenfalls auch ganz entfallen. Der Widerstand R_s zwischen der Basis des Transistors und dem Punkte macht den Eingangswiderstand der Stufe so niedrig, daß der as Oszillator nur mit der Frequenz schwingen kann, für die der Quarz die geringste Dämpfung hat (im vorliegenden Fall ist das die dritte Harmonische), während für alle anderen Schwingungsmoden die Selbsterregungsbedingung nicht erfüllt ist. Zwischen den Batterieklemmen liegt ein temperaturabhängiger Spannungsteiler mit den Widerständen R₁', R_s', deren Verbindungspunkt A über A₈ an die Basis des Transistors geschaltet ist, dessen Funktion weiter unten erläutert wird. Damit die Selbsterregungsbedingung von den temperaturabhängigen Widerständen A₁', R₂' unabhängig wird, ist der Spannungsteiler für die Oszillatorschwingung durch den Kondensator C₁, der zwischen dem Punkt A und einer Batterieklemme liegt, kurzgeschlossen.

Die Eigenfrequenz des Quarzes Qu ändert sich, wie in Fig. 1 dargestellt. Die Oszillatorfrequenz ändert sich dann in gleicher Weise (vorausgesetzt, daß der Emitterstrom konstant ist, was bei Siliziumtransistoren stets der Fall ist). Zum Ausgleich der temperaturbedingten Änderung der Eigenfrequenz wird die Basis-Emitter-Diffusionskapazität derart in Abhängigkeit von der Temperatur gesteuert, daß die hierdurch bedingte Verstimmung der Änderung der Eigenfrequenz entgegengerichtet ist. Diese Kapazität steigt mit dem Emitterstrom. Wenn die Temperatur beispielsweise von #₂ nach #₃ steigt, fällt die Eigenfrequenz des Quarzes. Zum Ausgleich wird die Basis-Emitter-Kapazität durch Verringern des Emitterstromes vergrößert, so daß die Oszillatorfrequenz nahezu konstant bleibt. Umgekehrt muß die Basis-Emitter-Kapazität vergrößert werden, wenn sich die Frequenz erhöht. Das bedeutet, daß der Strom im Temperaturbereich von 0, bis Q_x ansteigen muß, daß er im Bereich von O₁ bis #, sinken muß, um dann wieder anzusteigen. Der Emitterwiderstand muß sich also in Abhängigkeit von der Temperatur in der gleichen Richtung ändern wie die Eigenfrequenz.

Der Emitterstrom kann sowohl durch Änderung des SpanmingsteilverhäHaisses als auch durch Ande- rung des Emitterwiderstandes verändert werden. Die beiden Maßnahmen können einzeln oder in Verbindung angewandt werden. Allerdings sind der Ände rung des Emitterwiderstandes Grenzen gesetzt, denn zum einen muß der Widerstand eine ausreichende Größe haben, damit die Arbeitspunktstabilisierung gewährleistet ist, und zum anderen darf der Emitterwiderstand nicht so groß — bzw. der Emitterstrom nicht so klein ·— werden, daß die Selbsterregungsbedingung nicht erfüllt ist.

Zwar ergibt sich auch bei Verwendung von temperaturabhängigen Widerständen im Spannungsteilerzweig eine Grenzbedingung insofern, als immer ein genügend großer Basisstrom fließen muß, doch ist diese Bedingung leichter zu erfüllen.

Es leuchtet ein, daß der durch die temperaturabhängigen Widerstände fließende Strom nur so groß werden darf, daß die Widerstandswerte eine Funktion der Temperatur bleiben. Die Eigenerwärmung durch den Strom muß also vernachlässigbar sein. Die Größe sowie der Temperaturkoeffizient der temperaturabhängigen Widerstände hängen auch davon ab, wie sehr sich die Basis-Emitter-Kapazität des Transistors mit der Temperatur ändert und in welchem Maße die Quarzfrequenz durch die temperaturabhängigen Widerstände beeinflußt wird. Wenn temperaturabhängige Widerstände mit den geforderten Eigenschaften nicht zur Verfügung stehen, kann der am nächsten liegende temperaturabhängige Widerstand durch Kombination mit Festwiderständen an die jeweiligen Erfordernisse angepaßt werden,· wie das in »Technische Informationen«, H. 14, KE, Valvo GmbH, angegeben ist.

Werden temperaturabhängige Widerstände verwendet, deren Wert an keiner Stelle der Temperaturskala ein Maximum aufweist, die also monoton mit der Temperatur steigen oder fallen, wie z. B. NTC-Widerstände und manche Typen von PTC-Widerständen, so sind zur Erzeugung des angegebenen Verlaufs des Emitterstromes in Abhängigkeit von der Temperatur wenigstens drei temperaturabhängige Widerstände erforderlich. Die Widerstände A₁', R₂' lassen sich daher mit den zur Zeit gegebenen Bauelementen noch nicht als Einzelwiderstände realisieren; sie sollen lediglich die Temperaturabhängigkeit der Spannungsteilerzweige symbolisieren.

Ein Ansteigen des Emitterstromes mit der Temperatur (Bereich #₀ bis ö_v #„ bis 0₄) ergibt sich, wenn der untere Spannungsteilerzweig einen positiven Temperaturkoeffizienten hat und/oder wenn der Emitterwiderstand bzw. der obere Spannungsteilerzweig einen negativen Temperaturkoeffizienten hat. Umgekehrt sinkt der Emitterstrom mit steigender Temperatur, wenn der untere Spannungsteilerzweig einen negativen Temperaturkoeffizienten hat und/ oder wenn der Emitterwiderstand bzw. der obere Spannungsteilerzweig einen positiven Temperaturkoeffizienten hat.

Anders ausgedrückt, muß sich der temperaturabhängige Widerstand im unteren Spannungsteilerzweig in dem Temperaturbereich, in dem er den Emitterstrom steuert, im gleichen Sinne mit der Temperatur ändern wie die Eigenfrequenz des Quarzes; ein Widerstand im oberen Spannungsteilerzweig oder im Emitterzweig muß sich gegensinnig zur Eigenfrequenz mit der Temperatur andern.

Es ist zweckmäßig, die Wirkung jedes der drei temperaturabhängigett Widerstände auf den Emitterstrom auf einen Teil des Temperaturbereiches zu beschränken, so daß also der eine Widerstand hauptsächlich im Temperaturbereich von O₀ bis ö_v der

nächste im Bereich von ^₁ bis ^₈ und der dritte im Bereich noch vernachlässigbar klein. Der Emitter-Bereich von #3 bis O₄ die größte temperaturabhängige strom wird also durch den negativen Temperatur-Änderung erfährt. , koeffizienten des unteren Spannungsteilerzweiges be-

Bei Verwendung von mehr als einem NTC-Wider- stimmt, so daß er mit steigender Temperatur abstand läßt sich diese Forderung dadurch erfüllen, 5 nimmt und so der damit einhergehenden Erniedridaß jeweils der NTC-Widerstand mit dem größeren gung der Eigenfrequenz des Quarzes Qu entgegen-Kennwiderständ (das ist der Widerstand bei z.B. wirkt.

20⁰C) dem höheren Temperaturbereich zugeordnet Im Temperaturbereich von d_s bis d₄ ist R₂ bzw.

wird. Damit er nicht auch im niedrigeren Tempe- AR₂ZAd noch kleiner; auch R₄ bzw. ARJAd ist so raturbereich wirksam ist, wird ihm ein im wesent- io klein, daß seine temperaturbedingte Änderung nur liehen temperaturunabhängiger Widerstand parallel noch eine untergeordnete Rolle spielt. Hingegen ist geschaltet, der im niedrigeren Temperaturbereich der PTC-Widerstand R₆, für den zweckmäßigerweise klein gegenüber dem NTC-Widerstand istj so daß eine Type mit ausgeprägtem Knick der Widerstandsdessen Änderung sich kaum auf den Emitterstrom kennlinie im Bereich von d₃ gewählt wird, dann beauswirkt. 15 reits so groß, daß seine temperaturbedingte Ände-

Demgegenüber läßt sich die Aufteilung der Wir- rung den Emitterstrom maßgeblich beeinflußt. Dieser kung der drei Widerstände bei Verwendung von wird also durch einen positiven Temperaturkoeffi-PTC-Widerständen dadurch realisieren, daß jeweils zienten des unteren Spannungsteilerzweiges bestimmt, der PTC-Widerstand mit dem größeren Kennwider- so daß er mit steigender Temperatur ansteigt. Dastand dem niedrigeren Temperaturbereich zugeordnet ao durch wird die temperaturabhängige Erhöhung der wird. Damit dieser Widerstand nicht auch im höheren Eigenfrequenz des Quarzes kompensiert. Der Par-Temperaturbereich wirksam ist, wird ihm ein nahezu allerwiderstandR₇ hat den Zweck, den Widerstands- /. temperaturunabhängiger Widerstand parallel ge- anstieg von R₆ nach hohen Temperaturen hin zu beschaltet, der im oberen Temperaturbereich klein im grenzen.

Vergleich zum PTC-Widerstand ist, so daß sich »5 Der NTC-Widerstand R₂ könnte auch durch einen dessen temperaturabhängige Änderung im oberen PTC-Widerstand im unteren Spannungsteilerzweig Temperaturbereich kaum auf den Emitterstrom aus- ersetzt werden. Dann wären alle temperaturabhängiwirkt. gen Widerstände in einem Zweig vereinigt. Ebenso

Diese Regeln werden am Beispiel eines in F i g. 3 könnte der PTC-Widerstand R₆ durch einen NTC-dargestellten Spannungsteilers gemäß der Erfindung 30 Widerstand im oberen Zweig ersetzt werden, so daß näher erläutert. Dieser Spannungsteiler weist drei ausschließlich temperaturabhängige Widerstände mit temperaturabhängige Widerstände R₂, R₄, R₆ auf, in gleicher Richtung verlaufenden Temperaturkoefdie in Serie geschaltet sind. Die Widerstände R₂ fizienten vorhanden wären.· Es wäre auch möglich, und R₄ haben einen negativen Temperaturkoeffizien- statt eines NTC-Widerstandes im oberen Spannungsten, R₆ hat einen positiven Temperaturkoeffizienten. 35 teilerzweig (bzw. eines PTC-Widerstandes im unteren Jedem der Widerstände R₂, R₄ bzw. R₆ ist ein Fest- Zweig) einen NTC-Widerstand im Emitterzweig vorwiderstand R₃, R₈ bzw. R₇ parallel geschaltet. In zusehen. Diese Möglichkeit ist aber aus den bereits Serie zu diesen drei Parallelkombinationen liegt ein genannten Gründen weniger günstig.
Vonviderstand R₁, der dazu dient, die Vorspannung Bei einer praktisch ausgeführten Schaltung wurde

im Punkt A auf einen geeigneten Wert herabzusetzen 40 in den oberen Spannungsteilerzweig ein PTC-Wider- und für den NTC-Widerstand des Temperatur- standR₁₁ eingefügt (vgl. Fig. 4). Dieser Widerstand bereiches von ϋ₀ bis U₁ den Einsatzpunkt bei ^₁ zu hat keinen Einfluß auf die Größe der resultierenden geben. Frequenzabweichung. Er bewirkt lediglich, daß die

Im Temperaturbereich d_Q bis ^₁ ist vor allem die Kurve AfZf₀ = F (ϋ) symmetrisch zur Temperaturtemperaturabhängige Änderung AR/A d des Wider- 45 achse liegt. Bei dieser Schaltung wurden die folgenstandes der Parallelkombination R₂|| R₈ für den Ver- den Bauelemente verwendet:
lauf des Emitterstromes maßgebend; in diesem Temperaturbereich ist der Widerstand A₄ so groß im Ver- R₂ ntc 1,5 Kiloohm E 213 BB/P 1 K 5
gleich zu seinem Parallelwiderstand R₅, daß eine R^ NTC 4,7 Kiloohm E 213 BB/P 4 K 7
Temperaturänderung den Gesamtwiderstand der 50 R PTC 50 Ohm E 220 ZZ/12

Parallelkombination Ä₄|| R₅ kaum beeinflußt. Die R_n pjc 2· 60 Ohm E220ZZ/11
Parallelkombination A₆]Ju₇ ist klein im Vergleich zu

.R₄H R₅. Folglich wird der Emitterstrom im Tempera- R₁ 12 Kiloohm

turbereich von ϋ₀ bis O₁ durch einen negativen Tem- R₃ 18 Kiloohm

peraturkoeffizienten im oberen Spannungsteilerzweig 55 R₅ 7,5 Kiloohm

bestimmt, so daß er, wie oben gezeigt, mit der Tem- R₇ 2,2 Kiloohm

peratur ansteigt. Der Festwiderstand R₃ begrenzt den R₈ 2,7 Kiloohm

NTC-Widerstand R₂ in seinem exponentiellen Verlauf; ohne Rj würde die Schaltung überkompensiert. Der Transistor war vom Typ BF 115. Der Tempe-.

Im Bereich von Q₁ bis U₃ ist die Kombination 60 raturgang der Eigenfrequenz des Quarzes ist in A₂IIR₃ zwar auch noch wirksam, bei diesen Tempe- Fig. 1 dargestellt (ausgezogene Kurve); der Temperaturen ist ihr Widerstand aber bereits sehr klein. raturgang der Oszillatorfrequenz ist in F i g. 1 (ge-R₄ ist schon in der Größenordnung des Festwider- strichelte Kurve) angegeben. d₀ entspricht einer Temstandes R₅ oder sogar noch kleiner. Da der Kenn- peratur von —22° C und d₄ entspricht einer Tempewiderstand von R₄ nach den oben angegebenen Re- 65 ratur von 75° C.

geln größer ist als der von R₂, ist die Änderung Neben der Temperaturkonstanz hat die Schaltung

ARZAd der Parallelkombination A₄II-R₅ für den Emit- noch den Vorteil, daß sie sehr klein aufgebaut werterstrom maßgeblich, denn R₆||R₇ ist auch in diesem den kann, daß keine Induktivitäten verwendet wer-

den und daß ihr Stromverbrauch nicht größer als der einer Schaltung ohne Temperaturkompensation ist. Die Erfindung läßt sich mit Erfolg bei allen Transitoroszillaloren mit Schwingquarz anwenden, da bei allen Oszillatortypen wenigstens eine der drei Transistor-Kapazitäten die Oszillatorfrcquenz beeinflußt. Durch die Steuerung des Emitterstromes wird nämlich nicht nur die Basis-Emitter-Kapazität verändert, sondern auch die Kollektor-Basis-Spannung und damit die KoIIcktor-Basis-Kapazität; ebenso wird die Kollcktor-Emittcr-Kapazität beeinflußt. Die beiden letztgenannten Kapazitäten spielen beim Ausführungsbeispiel nur eine untergeordnete Rolle, weil die KoIIcktor-Basis-Kapazität parallel zu dem nahe der Scrienresonanz (induktiv) betriebenen Schwingquarz liegt bzw. weil parallel zur Kollektor-Emitter-Kapazität der Trimm-Kondensator C₂ liegt, der größer ist als diese Kapazität.

Claims (10)

Patentansprüche: ao

1. Schaltungsanordnung zur Stabilisierung der Oszillatorfrequcnz eines Transistoroszillators mit einem Schwingquarz, dessen Eigenfrequenz bei niedrigen Temperaturen einen positiven, bei mittleren Temperaturen einen negativen und bei höheren Temperaturen wiederum einen positiven Tcmpcraturkocffizienten hat, mittels dreier tempcraturabhängiger, die Oszillatorfrequenz beeinflussender Widerstände, von denen jeder in einem anderen der drei Temperaturbereiche wirksam ist, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Widerstände (A₂, R₄, R₆) einen Spannungsteiler für die Basisvorspannung des Transistors (T) bilden und den Emitterstrom dieses Transistors gleichsinnig mit der Änderung der Eigenfrequenz des Schwingquarzes (Qu) steuern.

2. Schallungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von wenigstens zwei Widerständen mit negativen Temperaturkoeffizienten (R.,, R₄) derjenige mit dem kleineren Kennwiderstand (R.,) dem niedrigeren Temperaturbereich (O₀ bis (V₁) zugeordnet wird.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem NTC-Widerstand (K₄) mit dem größeren Kennwiderstand ein Festwiderstand (RS) parallel geschaltet ist. der so bemessen ist. daß sich im niedrigeren Temperaturbereich (O₀ bis O₁) die Widerstandsänderung 5< > der Kombination (R₄ RS) nur unwesentlich auf den Emitterstrom auswirkt.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von wenigstens zwei Widerständen mit positiven Temperaturkoeffizienten derjenige mit dem größeren Kennwiderstand dem niedrigeren Temperaturbereich zugeordnet wird.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem PTC-Widerstand mit dem größeren Kennwiderstand ein Festwiderstand parallel geschaltet ist, der so bemessen ist, daß sich im oberen Temperaturbereich die Widerstandsänderung dieses PTC-Widerstandes nur unwesentlich auf den Emitterstrom auswirkt.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im oberen Spannungs-, teilerzweig (R₁') und/oder im Emitterzweig Widerstände verwendet werden, die in dem Temperaturbereich, in dem sie den Emitterstrom steuern, einen entgegengesetzten Temperaturkoeffizienten haben wie die Eigenfrequenz.

7. Schaltungsanordnung nac!¹ Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im unteren Spannungsteilerzweig (R.,') temperaturabhängige Widerstände verwendet werden, die in dem Temperaturbereich, in dem sie den Emitterstrom steuern, den gleichen Temperaturkoeffizienten haben wie die Eigenfrequenz.

8. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in dem unteren Spannungsteilerzweig ein Widerstand mit positivem Temperaturkoeffizienten (RS) in Serie zu einem Widerstand (RS) mit negativem Temperaturkoeffizienten liegt und daß im oberen Spannungsteilerzweig ein Widerstand (R₂) mit negativem Temperaturkoeffizienten und kleincrem Kennwiderstand liegt.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Wirksamkeit der temperaturabhängigen Widerstände (R.,, R₄, R₀) durch Parallclschalten eines Festwiderstandes (A₃, R-, RS) auf jeweils einen Teil des Temperaturbereiches (O₀ bis 1V₁, O₁ bis i7₃, O₃ bis O₄) beschränkt ist.

10. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Basis des Transistors (T) und den Spannungsteilerabgriff (A) ein Widerstand (RS) geschaltet ist. der so bemessen ist, daß unerwünschte Schwingungsformen des Oszillators unterdrückt werden, ohne daß die Basis-Emitter-Gleichspannung beeinflußt wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen