DE1591210A1 - Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges eines Oszillators - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges eines OszillatorsInfo
- Publication number
- DE1591210A1 DE1591210A1 DE19671591210 DE1591210A DE1591210A1 DE 1591210 A1 DE1591210 A1 DE 1591210A1 DE 19671591210 DE19671591210 DE 19671591210 DE 1591210 A DE1591210 A DE 1591210A DE 1591210 A1 DE1591210 A1 DE 1591210A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- temperature
- dependent
- circuit arrangement
- capacitance
- network
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 206010012335 Dependence Diseases 0.000 description 1
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 1
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 244000144980 herd Species 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/34—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being vacuum tube
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
Dipl.-Ing.Heinz ölaessen
Patentanwalt
7 btuttgart-1, Postfach 3141
JJLJCiT^IU OORiORATIüM, iiew York
"bchaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges
eines Oszillators"
xiie Priorität der Alimeldung Hr,36 536/66 vom 16.8.1966
in ü-roßBritannien wird in Anspruch, genommen.
Die ^,rfindung bezieht sich auf eine ο chal tungs anordnung zur Kom
pensation des Temperaturganges eines Oszillators mit piezoelektrischen
Resonatoren,
für Oszillatoren hohe Frequenzkonstanz gefordert wird, ist es üblich, zur stabilisierung der Frequenz piezoelektrische oder
magnetostriktiv^ Resonatoren einzusetzen. Bei hohen Anforderungen
an die Frequenzkonstanz ist der Temperaturgang, den diese Resonatoren
?;ol"bst aufweisen, nie lit mehr zu vernachlässigen. In solchen
Fällen können z.ii, Korrekturkondensatoren eingesetzt werden,
die einen entgegengesetzten 'i'yinperaturgang aufwöiuen, oder die
Betriebetemperatur des Resonators kann dadurch konstant gehalten
werden, daß man ihn/einen. Thermostaten einbaut. ±]ine Korrektur'
des Temperaturgaxigeß durch lüinstellen von Korrekturkondensatoren
eingogengesetzten 'iiemperatur^unges ist Infolge dea /erlaurea der
Temperaturkurve solcher Resonatoren nur xür einen sehr kleinen
Temperaturbereich zu realisieren» Der üinsatz von Thermostaten
führt zu einem erheblichen zusätzlichun Material- und Leiatungoaufwand,
so daß es wünschenswert erscheint, brauchbare Temperaturgangskorrektionaschaltungen
unter Vermeiden des üJinüatzea von
Thermostaten-einzusetzen.
BAD ORIGINAL
:-7.7.67
"C-W·10 0 09839/0428
ISS/Hego37Ü3 - 2 -
In der. deutschen Auslegeschrift 1 060 922 und in dem Artikel von
L./.Koerner "Methods of reducing frequency variations in crystals
over a wide temperature range" in I.R.ü.Conv.ReC0VoI.4(1956) Part
wird eine kontinuierliche Kompensation des Temperaturganges von Schwingquarzen innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches
beschrieben, die darin besteht, daß Schwingquarze verwendet werden,
bei denen durch den üchnitt die Umkehrpunkte der frequenz
über der Temperatur auf einen außerhalb des benutzten Temperaturbereiches liegenden verlagert werden, dolche Schwingquarze weisen
dann im..Arbeitsbereich einen einheitlichen positiven oder negativen
Temperaturkoeffizienten auf, dessen Einfluß durch Parallel- und/oder
8 eri ens ehalt en von temperaturabhängig en "widerständen zusammen mit
Kapazitäten und/oder Induktivitäten eliminiert oder doch verringert wird.
Solche Schwingquarze sind handelsüblich nicht erhältlich, auch führt das Verlegen der Umkehrpunkte außerhalb des Arbeitsbereiches
zu einer Beeinträchtigung der anderen Parameter, wie Jert des Temperaturkoeffizienten,
Güte, Lage der oerien- und Parallelresonanzen, Oberwellenverhalten uswo und ist deshalb nicht allgemein durchführbar.
JiS ist deshalb erstrebenswert, bei einem handelsüblichen uchwingquarz
den Temperatureinfluß innerhalb eines vorgegebenen Arbeitsbereiches soweit zu verringern, daß die Resonanzfrequenz innerhalb
eines ebenfalls vorgegebenen engen Toleranzbereiches liegt. Es wird deshalb in der älteren Anmeldung DAS·.. (Anmeldung Jt 23 017
IXd/21a4, 8/02) vorgeschlagen, durch Serien- oder Parallelsehalten
von Impedanzen mittels eines Thermoschalters die Frequenz des Ueaonatorkreises
um den lie trag des zugelassenen Toleransbereich.es
bei Unterschreiten der unteren ToPeranzgrenze zu erhöhen und bei
Überschreiten der oberen Toleransgrenze zu erniedrigen. Hierdurch
können zwar praktisch beliebige Verläufe des Temperaturganges bei Einsatz einer genügend großen Anzahl νυη Zusatzimpedanzen nebst
zugeordneten Thermonοhaitern beherrscht werden, jedoch führt diese
Art der Kompensation naturgemäß au unvermeidbaren, wenn auch geringen
jj'röqueriufcipr'iiü^-tin bei den dohalttempoaturen der Thermoschalter·
009839/0428 bad
ISE/lieg.3703 - 3 -
Die Urfindung setzt sich nun zur ..aifgabe, eine Schaltungsanordnung
zur Kompensation des Temperaturganges eines Oszillators mit piezoelektrischen
Resonatoren innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches,
vorzugsweise mit einem in berien-resonanz arbeitenden
^uarzschwinger mit AT-ochnitt, unter Verwendung temperaturabhängiger
Widerstun-e anzugeben, die bei Verwendung handelsüblicher
üchwingcjuarze eine kontinuierliche regelung ermöglicht und dadurch
die liachteile der bekannten .-anordnungen vermeidet.
Die gestellte Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, da!3
eine uit dem öchwingq.uarz in xieihe liegende Kapazität temperaturabhängig
dadurch gesteuert wird, daß diese Kapazität mindestens
zum Teil aus einer Kapazitätsdiode besteht, daß mittels eines temper
aturabhängigen ITetzwerkes die Vorspannung der Kapazitätsdiode
so gesteuert Jird, daß der üe al: tan ζ ve rl auf über der '!Temperatur
der Kapazität invers zu dem neaktaiizverlauf des behwingquarzes
vorläuft.
jjie Erfindung soll nun anhana aer figuren eingehend beschrieben
werden. x,s zeigen dabei:
ü"'ig.1 ]?req.uen5ikurven aufgetragen über dor i'einperatur eines
u ciiv/ingCiU^ .rz es mit iJ2->j chmi11;
i1ig.2 aen itear;.t.vuizvürlaui" über der 'L'emper^tur eines Jcjxv/ing-
i1ig.2 aen itear;.t.vuizvürlaui" über der 'L'emper^tur eines Jcjxv/ing-
cuarzeo mit AT-jjchnitt für eine i'estfrequenz;
Fig.3 zeigt d;_.:^ Blockschaltbild der orfinaungügemäßen Kompens.'itionr;aij.orüjiung
für den temperuturabliiingigen jj*req.uün'z/jaug
eine;; ,u^r:^o;jzillators;
x)lig,4 ii-ls Auufuhrung.ibeispioi oineu wtromlaui" der Anordnung
x)lig,4 ii-ls Auufuhrung.ibeispioi oineu wtromlaui" der Anordnung
jjie irs'i.uenz eiu/jj .uurzouzxilatovr; i;:t t«iui3üri.i-turabiiäuc;it;,.
(jinom jCjiiwiijL:·;'11·!-..,rz i.iit -J -..,clmitt ;i<-yk?A: :;icii dor Teiiiperut
!"ini'jnt -1.Ur; tjlii'm .ι'^ίόΐβϋ !nibiaohuu .il.il ...nd einem linearen
teil y;u/'.i.i;rjj), ,ίί·.,';! d:v linfi.'iru ..utiM-i. von dum .jOhnlt'iviL··^.^
!i.ijh! .n;-J._ i;:'-. In .1,^.1 i;;t aitin .,cJiar ;;<)lch<:r i!T'nquoii"l:urvuJi
üw.y (,yr Ί'μπ'.ι1 .'·,"·· -/'ja .'jiiv/i.ji··;'u-..'':',f!n i,ii I ..':'-,.,cJjnit I i\i>■'.;<■ ί,,
009839/0428 BAD 0BielNM,_
ISi/aeg-3703 - 4 -
Pie Kurven der in Fig.1 dargestellten Kurvenschar liegen angenähert
spiegelMldsymmetriseh zu den Koordinaten, wenn als Koordinatens
ciinittpunkt die Frequenz f und die Temperatur T gewühlt
wird, wobei f die frequenz und T die Temperatur im ; Wendepunkt
der Kurven ist. Die Temperatur T liegt bei einem '.uuarz mit AT-ochnitt^dabei
ungefähr bei +27°0.
Wie schon erwähnt, erhält man die unterschiedlichen Kurven bei
einem ^uarz gleicher ochnittart durch geringe änderungen des
bchnittwinkels, wobei der kubische ^jiteil gleich bleibt und sich
nur der lineare .anteil ändert.
In Fig. 2 ist nun die Reaktanzkurve eines ochwingquarzes mit AI-Schnitt
für einen einzigen Schnittwinkel über der Temperatur für die Frequenz f aufgetragen. Din Reaktanzglied, das mit dem .uarz
in oerie geschaltet, die Frequenz f unabhängig., von der Temperatur
festhält, müßte den gegensirinigeii Vorlauf hierau aufweisen.
Für kleine Frequenzabweichungen, wenn man also die durch eine Heaktanzänderung verursachte Frequenzänderung ala zueinander proportional
gesetzt werden kann, ist die gegensinnige Kurve zu der in Fig. 2 gleich der nach Fiy.1, aus der die Fig.2 abgeleitet wurde.
./enn eine veränderbare Reaktanz z.B. eine Kapazitätsdiode entsprechend
dem „oifbau der Oszillatorschaltung entweder in oerie
oder parallel zu dem schwingquarz mit AT-ocImitt gelegt wird,
und die Reaktanz in der nachher beschriebenen ,/eise gesteuert
wird, so läßt sich innerhalb eines vorgegebenen Arbeitstemperaturbereiches die Frequenz des Quarzoszillators konstant halten.
Fig.3 zeigt nun ein Blockschaltbild einer solchen Steuerschaltung
für eine veränderbare Reaktanz. In diesem Blockschaltbild ist 1 ein netzwerk mit kubischem Temperaturverhalten, 2 ein solches mit
linearem I'emperaturverhalten, 3 ein Differenzverstärker, 4 die
veränderbare Reaktanz, 5 dex* Schwingquarz und 6 die Oszillator-,
schaltung, deren Frequenz durch den Jchwingquarz 5 stabilisiert
wird, i'Js wird aloo hier mittels getrennter Netzwerke mit kubischem
009839/0428 bad original
-1I-
und linearem Temperaturverhalten mittels eines Jifferenzverstärkers
■ der -influß des Temperaturganges des ochwingquarzes auf die Oszillatorfrequenz
kompensiert.
In J1Ig. 4 ist nun der υtromlauf einer praktisch ausgeführten Anordnung
als Beispiel dargestellt, und zwar die Blöcke 1...5 der x'ig.3. -Jas netzwerk mit ku'oischer Temperaturabhängigkeit 1 besteht
aus einer Zener diode x>1, der die Reihenschaltung eines Widerstandes
H1 una '22 mit einem temperatur abhängig en "Widerstand HT mit negativem
Koeffizienten, z.i3. einem Thermistor, parallel geschaltet ist. -jie Kathode der Zenerdiode i)1 liegt übei1 einen Widerstand d.6 an
dem positiven i-ol der Versorgungss^annung ±ffl, wahrend ihre Anode
über einen Widerstand Bl mit dem negativen lol verbunden ist.
.Dieses netzwerk weist einen gewissen linearen Anteil wie auch einen
kubischen ^nteil des Temperaturverhaltens auf.
Das Ifetzv/erk 2 ^it linearem 'i'emperaturverlialten besteht aus einer
Zenerdiode _ü2, der die jieihens ehaltung eines temp era turabiiilngigen
Widerstandes xis mit positivem Koeffizienten, a.jj. eines Jiiiciumwider3tanues,
mit einem „ideratand -d3 parallel liegt. Die Katiiode
eier Zenerdiode 1)2 int mit dem rluspol der /ecsorgungsspannung HS Uy
über einen widerstand db verbunden, während ihre .anode direkt am
liegt.
jjer iJifferenzverrjtärker 3 enthält die Translator on VT1, VT2 und
"VT3» iJie emitter der Transistoren VT1 und VT2 sind über ein Potentiometer
J.19 miteinander verbunden, ae3sen Abgriff am Kollektor
des Transistors VT3 liegt. Der Kollektor des Transistors VT1
liegt über einen ./idorstand K1 am j'luapol der Vers or gungs spannung
und ist über einen 'Widerstand R12 mit der Kathode der Kapazitätsdiode D3i die die veränderbare Reaktanz 4 bildet, verbunden. Der
Kollektor des Tranaistors VT2 dagegen liegt über einen Widerstand
RH am-Pluspol der Versorgungsspannung und über die Reihenschaltung
der Widerstände R4 und R5 an ihrem Minuspol. An dem Verbindungspunkt eier beiden Widerstände R4 und R5 ist über einen Widerstand
R13 die Anode der Kapazitätsdiode D3 angeschlossen.
Die Baals des Traneia$q,rä J(Jl ^£,n^liL ilare Vorspannung über einen
BAD ORfGlNAi.
159121O
ISE/Rego3703 - 6 -
aus den "Aiderständen H14 und R15 bestehenden Spannungsteiler,
während in den Emitterkreis ein ,widerstand R1 6 eingeschaltet ist.
Die Basis des Transistors VT1 ist mit dem Verbindungspunkt der
Widerstände R1 und R2, die Bestandteil des kubischen Hetzwerkes
sind, und die Basis des Transistors VT2 mit dem Verbiiidungspunkt
der Widerstände Rü und R3, die Bestandteil des linearen Netzwerkes
sind, verbunden.
Der Schwingquarz mit ^.T-Schnitt, der in beiden figuren das Bezugszeicheii
5 führt, liegt in Reihe mit der Kapazitätsdiode D3» wobei die iierienkapazität allein durch die Kapazitätsdiode 1)3
gebildet werden, aber dieser auch noch eine Pestkapazität parallel geschaltet werden kann.
Der Wert des temperaturabhängiges .Widerstandes RT wird zusammen
mit denen der ,/iderst-inde RI und R2 so ausgewählt, daß an der
Basis des Transistors VT1 eine Jteuerspannung auftritt, die kubisch
von der Temperatur abhängt. Entsprechend werden die ,.erte von RS
und R3 so gewählt, dalJ an der Basis des Transistors VT2 eine
oteuerspannung ansteht, die sich linear mit der Temperatur ändert.
Der Betrag dor über den Differenzverstärker 3 als Differenz die
Kapazitätsdiode D3 steuernden kubisch und linear temperaturabhängigen
,spannung kann durch wahl der V/erte der Zenerdioden DI und
D2 sowie der Widerständo R1u und R11 beeinflußt werden.
Wie schon beschrieben, wird die Kapazitätsdiode D3 vom Ausgang
des Differenzverstärker^ '.->
gesteuert. Ihre Vorspannung ändert sich also entsprechend der Differenz zwischen der Ausgangsspannung
des kubischen und linearen jietzworkes. wenn innerhalb eines vorgegebenen
.Arbeitsbereiches nun die Reaktanz der Kapazitätsdiode umgekehrt
proportional sur angelegten oteuerspannimg ist, hat die
Reaktanz der Kapazitätsdiode D3 den inveröen Temperaturverlauf wie
die des ochwingquurzees ljt oo daJ3 dann die Frequenz des Oszillators
innerhalb des vorgegebenen Bereiches über der Temperatur konstant
gehalten wird.
Die V/erte der Widerstände H6 und H7 werden bo gewählt» daß der
009839/0428
-7-
ISE/äeg.3703 - 7 -
Differenzverstärker bei der Wnd epunkt temperatur T Gleichgewicht,
also Mfferenzspannung Hull aufweist. Dabei werden die ,/erte der
Widerstände R4 undB.5 so gewählt, daß die Kapazitätsdiode D3 "bei
der Temperatur T so vorgespannt wird, daß der Oszillator 6 bei der ϊ1 eraperatür T auf der Frequenz f schwingt.
Bei schwingquarzen mit AT-bchnitt bleibt der kubische Anteil des
Temperaturkoeffiaenten Aveitgeiiend gleich, während sich der lineare
anteil bei unterschiedlichen Schiiittwinkeln ändert, so daß für die
verschiedenen .^chiiittwinkel ein Abgleich des Hetzwerkes mit linearer
i'eruperaturabhängigkeit notwendig ist, um die richtige Änderung
der Kap.'j.zit :'/bsdiodenvorspaniiuiig mit der temperatur zu erzielen.
Dieses kann z...... einfach durch Verändern der ./erte der wider stände
?uJ und 1.0 erfolgen.
.jjiiifluk der i-urallelkapazität des Schwingquarzes und ihre
Streuungen kann durch "/erandern der Verstärkung des Jifferenzverstärfcers
korrigiert herden, wobei Versorgungssijannuiigsschv/ankungen
diese infolge aes iiohen ;iegenkoiJx^lungGgrades praKtiscii nicht beeiiixluosen.
2 j3i.Zoic.ni;:;. , 4 Ji^.
BAD ORIGINAL·; j„
009839/0428
Claims (1)
- ISB/Reg,37O3 - 8 -Pat entansprüche1. Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges eines Oszillators mit piezoelektrischen !Resonatoren innerhalb eines vorgegebenen Temperaturbereiches, vorzugsweise mit einem in Serienresonanz arbeitenden yuarzschwinger mit AT-Schnitt-, unter Verwendung temperaturabhängiger Widerstände, dadurch gekennzeichnet, daß zur Kompensation eine mit dem Schwingquarz (5) in Seihe liegende Kapazität (4) temperaturabhängig dadurch gesteuert wird, daß diese Kapazität (4) mindestens zum Teil aus einer Kapazitätsdiode (D3) besteht, daß mittels eines temperaturabhängigen Netzwerkes die Vorspannung der Kapazitätsdiode (Ώ3) so gesteuert wird, daß der Reaktanzverlauf über der Temperatur der Kapazität (4) invers zu dem Reaktanzverlauf des Schwingquarzes (5) verläuft»2. Schaltungsanordnung nach ijaspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Nachbildung des zum Schwingquarz (5) inversen Reaktanzverlaufes der Kapazität (4) die Vorspannung der Kapazitätsdiode (D3) von zwei temperaturabhängigen Netzwerken (1,2) gesteuert wird, daß hierzu die Differenz der Ausgangsspannung eines ersten temperaturabhängigen Netzwerkes (1) mit gemischt kubischem und linearem Koeffizienten und eines zweiten temperaturabhängigen Netzwerkes (2) mit linearem Koeffizienten gebildet wird.'■}. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Netzwerk (1) mit gemischt kubischem und linearem Koeffizienten aus der Reihenschaltung zweier Widerstände (R1,R2) mit einem Thermistor (RT) besteht, uie von einer Konstantspannung gespeist wird und deren temperaturabhängige Ausgangsspannung dem Verbindungspunkt zwischen dem Thermistor^RT^ und dem zweiten Widerstand (R2) entnommen wird, während das zweite temperaturabhängige Netzwerk aus der Leinens dialtung eines Siliziumwiderstandes(Ru) mit einem Widerstand (r3^ besteht, die von einer Konstantspannung ■ gespeist wird und ei. υ r en temperaturabhängige Ausgangs spannung dem v'cruiiiaungt^ unkt zwischen dem Siliziumwiderstand (RS) und dem ./i(ler.,ti"uiu ( o) entnommen wird.BAD ORIGINAL009839/0428I32/äeg.37O3 - 9 -4. οchaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenzbildung mittels eines Differenzverstärkers mit Konstantstromspeisung erfolgt, von dessen Ausgangsspannung die Kapazitätsdiode (D3) gesteuert wird«5. οchaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Konstantspannung zur dpeisung der Netzwerke (1,2) durch Zeiierdioden (D1 "bzw. D2) erhalten wird.6. οchaltungsanordnung nach Anspruch 4» dadurch gekennzeichnet, daß die G-rundvorspannung der 'diode (D3) über einen Spannungsteiler (R4,Ä5) eingestellt wird, der zwischen dem Kollektor des durch das netzwerk (2) mit linearem Koeffizienten gesteuerten Transistors (VT2) und dem Schaltungsbezugspunkt (-17 ) angeordnet ist.009839/0428LeerseiteCopy
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB36536/66A GB1094768A (en) | 1966-08-16 | 1966-08-16 | Improvements in temperature compensation of crystal oscillators |
GB51816/66A GB1119156A (en) | 1966-08-16 | 1966-11-18 | Improvements in temperature compensation of crystal oscillators |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1591210A1 true DE1591210A1 (de) | 1970-09-24 |
Family
ID=26263146
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671591210 Pending DE1591210A1 (de) | 1966-08-16 | 1967-07-29 | Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges eines Oszillators |
DE19671591227 Pending DE1591227A1 (de) | 1966-08-16 | 1967-11-09 | Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges eines Oszillators |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19671591227 Pending DE1591227A1 (de) | 1966-08-16 | 1967-11-09 | Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges eines Oszillators |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3454903A (de) |
BE (2) | BE702507A (de) |
CH (2) | CH463582A (de) |
DE (2) | DE1591210A1 (de) |
DK (1) | DK113656B (de) |
FR (2) | FR1534232A (de) |
GB (2) | GB1094768A (de) |
NL (2) | NL6711246A (de) |
SE (2) | SE337405B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2436857A1 (de) * | 1973-08-06 | 1975-02-13 | Gen Electric | Temperaturkompensator fuer einen kristalloszillator |
DE2617737A1 (de) * | 1975-04-25 | 1976-11-04 | Motorola Inc | Temperaturkompensationsschaltung fuer einen oszillator |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2513699C3 (de) * | 1975-03-27 | 1985-03-21 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Schaltung zum Gewinnen einer Steuerspannung für eine zur Temperaturkompensation eines Schwingkreises vorgesehene Kapazitätsdiode |
JPS51124355A (en) * | 1975-04-23 | 1976-10-29 | Sony Corp | Crystal oscillation circuit |
JPS52150952U (de) * | 1976-05-13 | 1977-11-16 | ||
US4107629A (en) * | 1977-05-16 | 1978-08-15 | General Electric Company | Temperature compensator for a crystal oscillator |
FR2437731A1 (fr) * | 1978-09-27 | 1980-04-25 | Quartz & Electronique | Oscillateur a cristal compense en temperature |
JPS5574222A (en) * | 1978-11-30 | 1980-06-04 | Nec Corp | Temperature compensation circuit for crystal oscillator |
FR2476934A1 (fr) * | 1980-02-22 | 1981-08-28 | Cepe | Oscillateur a cristal compense en temperature. |
EP0039215B1 (de) * | 1980-04-28 | 1985-08-07 | Fujitsu Limited | Generatorschaltung einer Temperaturkompensationsspannung |
US4456892A (en) * | 1981-11-12 | 1984-06-26 | General Electric Company | Temperature compensating circuit for use with crystal oscillators and the like |
GB2121629B (en) * | 1982-05-18 | 1985-10-23 | Standard Telephones Cables Ltd | Temperature controlled crystal oscillator |
FR2545278B1 (fr) * | 1983-04-29 | 1986-01-10 | Castelletto Jean Paul | Circuit permettant de faire varier la frequence de resonance d'une cavite hyperfrequence dielectrique |
DE4416981A1 (de) * | 1994-05-13 | 1995-11-16 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung mit einer Gesamtübertragungsfunktion |
WO2002019514A1 (fr) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | Citizen Watch Co., Ltd. | Oscillateur a compensation de temperature |
CN110336535A (zh) * | 2019-06-12 | 2019-10-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种晶体振荡器校准方法、装置、终端设备及存储介质 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3054966A (en) * | 1959-07-15 | 1962-09-18 | Gen Electric | Crystal controlled oscillator with temperature compensating means |
US3176244A (en) * | 1961-04-20 | 1965-03-30 | Collins Radio Co | Temperature compensation of quartz crystal by network synthesis means |
US3208007A (en) * | 1961-12-05 | 1965-09-21 | Stanley S Schodowski | Capacitive network for crystal compensation |
FR1352257A (fr) * | 1963-01-04 | 1964-02-14 | Csf | Dispositif de compensation de dérive thermique applicable notamment aux oscillateurs à quartz |
US3200349A (en) * | 1963-02-05 | 1965-08-10 | Bendix Corp | Crystal controlled oscillator with temperature compensation |
US3322981A (en) * | 1964-04-29 | 1967-05-30 | Gen Electric | Crystal temperature compensation |
US3373379A (en) * | 1966-06-17 | 1968-03-12 | Motorola Inc | Crystal oscillator with temperature compensation |
US3397367A (en) * | 1967-01-12 | 1968-08-13 | Motorola Inc | Temperature compensated crystal oscillator |
-
1966
- 1966-08-16 GB GB36536/66A patent/GB1094768A/en not_active Expired
- 1966-11-18 GB GB51816/66A patent/GB1119156A/en not_active Expired
-
1967
- 1967-07-29 DE DE19671591210 patent/DE1591210A1/de active Pending
- 1967-08-03 DK DK395567AA patent/DK113656B/da unknown
- 1967-08-10 BE BE702507D patent/BE702507A/xx unknown
- 1967-08-11 FR FR117691A patent/FR1534232A/fr not_active Expired
- 1967-08-11 CH CH1134367A patent/CH463582A/de unknown
- 1967-08-14 US US660402A patent/US3454903A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-08-15 SE SE11455/67A patent/SE337405B/xx unknown
- 1967-08-16 NL NL6711246A patent/NL6711246A/xx unknown
- 1967-11-09 DE DE19671591227 patent/DE1591227A1/de active Pending
- 1967-11-09 US US681624A patent/US3503010A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-11-14 CH CH1590467A patent/CH477126A/de not_active IP Right Cessation
- 1967-11-17 FR FR128690A patent/FR93330E/fr not_active Expired
- 1967-11-17 SE SE15797/67A patent/SE333396B/xx unknown
- 1967-11-17 NL NL6715696A patent/NL6715696A/xx unknown
- 1967-11-20 BE BE706731D patent/BE706731A/xx unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2436857A1 (de) * | 1973-08-06 | 1975-02-13 | Gen Electric | Temperaturkompensator fuer einen kristalloszillator |
DE2617737A1 (de) * | 1975-04-25 | 1976-11-04 | Motorola Inc | Temperaturkompensationsschaltung fuer einen oszillator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3454903A (en) | 1969-07-08 |
FR1534232A (fr) | 1968-07-26 |
NL6711246A (de) | 1968-02-19 |
DK113656B (da) | 1969-04-14 |
BE702507A (de) | 1968-02-12 |
US3503010A (en) | 1970-03-24 |
CH463582A (de) | 1968-10-15 |
NL6715696A (de) | 1968-05-20 |
GB1094768A (en) | 1967-12-13 |
SE333396B (de) | 1971-03-15 |
DE1591227A1 (de) | 1970-10-22 |
FR93330E (fr) | 1969-03-14 |
SE337405B (de) | 1971-08-09 |
GB1119156A (en) | 1968-07-10 |
BE706731A (de) | 1968-05-20 |
CH477126A (de) | 1969-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1591210A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Kompensation des Temperaturganges eines Oszillators | |
DE69933160T2 (de) | Hochfrequenzverstärker | |
DE3503489A1 (de) | Schaltungsanordnung zur kompensation der temperaturabhaengigkeit von empfindlichkeit und nullpunkt eines piezoresistiven drucksensors | |
DE2846202C3 (de) | PNP-Stromspiegelschaltung | |
DE102009040543A1 (de) | Schaltung und Verfahren zum Trimmen einer Offsetdrift | |
DE2254618B2 (de) | Integrierte spannungsregelschaltung | |
DE102017125831A1 (de) | Temperaturkompensierte Referenzspannungsschaltung | |
DE1812292B2 (de) | Schaltungsanordnung zur verstaerkungsregelung | |
DE1487396A1 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer Steuer- oder Kompensationsspannung | |
DE1110286B (de) | Elektronische, als Zweipol ausgebildete Anordnung zur Konstanthaltung eines Gleichstromes | |
DE2539632A1 (de) | Kristalloszillator | |
EP0466717B1 (de) | Präzisions-referenzspannungsquelle | |
DE2250625A1 (de) | Stromregler | |
DE1904333A1 (de) | Spannungsregelschaltung fuer vorzugsweise monolithisch aufgebaute Spannungsregler | |
DE2650777A1 (de) | Breitbandoszillator mit elektrischer frequenzsteuerung | |
DE2459271C3 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen eines kompensierten Gleichstromes | |
DE2700070A1 (de) | Anordnung zur temperaturstabilisierung einer abstimmbaren schaltung | |
DE102016221413B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2038435C3 (de) | Oszillator | |
DE2751886A1 (de) | Monolithisch integrierte, rueckgekoppelte verstaerkerschaltung | |
DE1274676B (de) | Oszillatorschaltung mit einem Transistor | |
DE2732498A1 (de) | Integrierte kristalloszillatorschaltung | |
DE1930926C3 (de) | Geregelter Verstärker | |
DE102005044630A1 (de) | Spannungsregler | |
DE3013285A1 (de) | Spannungsregler |