DE1564530C - Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtersäulen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtersäulen mit mehreren aufeinandergestapelten kontaktierten Halbleitergleichrichterelementen, deren seitlich an die Oberfläche tretende PN-Übergänge durch eine elektrisch isolierende Oxidschicht und eine zweite, auf die Oxidschicht aufgebrachte Schicht aus einem anderen Isoliermaterial, insbesondere Glas, gegen äußere Einflüsse geschützt sind.

Es ist bei einzelnen Halbleitergleichrichterelementen bekannt, die am Rand des Halbleiterkristalls heraustretenden PN-Übergänge gegen die Atmosphäre abzuschirmen, um Verschlechterungen der ' Gleichrichtereigenschaften durch Ablagerungen und Überbrückungen am PN-Übergang zu verhindern. So hat man zwischen den Kontaktplatten, zwischen welchen der Halbleiterkristall angeordnet ist, einen den Kristall umgebenden Glasring angeordnet, der den innerhalb befindlichen Halbleiterkristall gegen atmosphärische Einflüsse schützen soll. In ähnlicher Weise hat man den zwischen den Kontaktstücken befindlichen Halbleiterkristall mit einer schützenden Lackschicht umgeben, welche teilweise die Anschlußstücke überdeckt und den Kristall hermetisch abschließt. Ferner ist es bekannt, den Rand des Halbleiterkristalls durch eine schützende Oxidschicht abzudecken, die durch eine zusätzliche Glasschicht verstärkt wird. Einzelne Gleichrichterelemente der vorbeschriebenen Art lassen sich zu Gleichrichtersäulen zusammensetzen, indem sie in eine rohrförmige Umhüllung eingeschoben werden und mit ihren Kontaktstücken aneinander bzw. an den Endkontakten anliegen. Die rohrförmige Umhüllung kann bekannterweise auch als Kunststoffumgießung der zu einer Gleichrichtersäule verlöteten Elemente vorgesehen werden.

Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Vereinfachung des Herstellungsverfahrens für Halbleitergleichrichtersäulen mit wirksam geschützten PN-Übergängen der einzelnen .Gleichrichterelemente. Derartige Gleichrichtersäulen werden insbesondere in Fernsehempfängern für die Hochspannungsversorgung, Strahlfokussierung und zu Dämpfungszwecken benötigt. Das Herstellungsverfahren für derartige Gleichrichtersäulen soll sich besonders· für Groß-Serienherstellungen eignen und eine preiswertere Fertigung der Gleichrichtersäulen ermöglichen.

Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwischen einer unteren und einer oberen Trägerscheibe aus stark dotiertem Halbleitermaterial des N⁺- bzw. P+-Leitungstyps mehrere, an mindestens einer Grundfläche mit einer Schicht aus elektrisch leitendem Material versehene Halbleiterscheiben mit einem zwischen den beiden Grundflächen verlaufenden PN-Übergang aufeinandergestapelt und miteinander verbunden werden, daß der Stapel durch mehrere quer zu den PN-Übergängen verlaufende, den Stapel bis in die untere Trägerscheibe durchsetzende Einschnitte in mehrere, durch die untere Trägerscheibe noch verbundene Säulen unterteilt wird, daß die Oberflächen der Säulen mit der Oxidschicht überzogen werden und die verbleibenden Zwischenräume zwischen den Säulen mit dem zweiten Isoliermaterial ausgefüllt werden, daß das Material der Trägerscheiben so weit entfernt wird, daß die zu kontaktierenden Endflächen der Säulen frei liegen und die Verbindung zwischen den Säulen durch die untere Trägerscheibe aufgelöst wird, und daß schließlich die einzelnen Gleichrichtersäulen durch innerhalb des zweiten Isoliermaterials verlaufende Schnitte voneinander getrennt werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren bringt wesentliche Vereinfachungen bei der Herstellung der Gleichrichtersäulen und führt außerdem zu einem besonderen Schutz der Gleichrichtersäulen gegen Überlastung. Es macht sich die aus der Mesa-Technik bekannten Verfahren in neuartiger Weise für das Zusammenfügen der einzelnen Gleichrichterelemente zu Säulen zunutze und erzielt durch die für die Passivierung dieser Säulen angewandte Technik eine ausgezeichnete Hochspannungsfestigkeit und Sperrstromfestigkeit. Das die Oxidschicht umgebende Isoliermaterial dient gleichzeitig der elektrischen Isolierung und dem mechanischen Schutz, so daß die Gefahr von Beschädigungen bei der Herstellung weitgehend vermieden wird und die Ausschußrate daher klein bleibt.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Patentansprüchen 2 bis 4. Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine fragmentarische Vorderansicht einer Scheibe aus Halbleitermaterial, wie sie in dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung passivierter Gleichrichtersäulen verwendet wird,

Fig. 2 eine fragmentarische Ansicht der Scheibe nach Fig. 1 unter Veranschaulichung eines Verfahrensschrittes bei der Herstellung der Scheibe,

F i g. 3 eine fragmentarische Schnittdarstellung eines Teils eines Induktionsofens, wobei in auseinandergezogener Darstellung eine Anzahl von Scheiben in einem Verfahrensschritt bei der Herstellung des Bauelementes gezeigt sind,

F i g. 4 eine fragmentarische Vorderansicht einer Anzahl von zu einem Stapel zusammengefügten Scheiben, wobei die gestrichelten Linien die vorzunehmenden Einschnitte andeuten,

Fig. 5 eine fragmentarische Grundrißansicht des in F i g. 4 gezeigten Stapels nach der Herstellung der Mesa-Anordnungen,

. F i g. 6 eine fragmentarische Schnittdarstellung des in F i g. 4 gezeigten Stapels entlang der Linie 6-6 nach dem Anbringen der Einschnitte entlang, der gestrichelten Linien in F i g. 4,

F i g. 7 und 8 fragmentarische Schnittdarstellungen ähnlich wie in F i g. 6, wobei verschiedene Schritte des vorliegenden Verfahrens veranschaulicht sind und

F i g. 9 eine Schnittdarstellung einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen passivierten Gleichrichtersäule.

F i g. 1 zeigt einen Teil einer Scheibe 10 aus einkristallinem Halbleitermaterial, beispielsweise Silicium, Germanium oder Galliumarsenid. Die Scheibe 10, die beispielsweise aus N-leitendem Silicium in einer Größe von ungefähr 6,45 cm² und mit einer Dicke von 0,1 bis 0,3 mm bestehen kann, hat eine obere und eine untere Grundfläche 12 bzw. 14. Richtungsangaben wie »obere« und »untere« sind hier relativ zu verstehen und lediglich um des besseren Verständnisses willen, nicht jedoch im einzuschränkenden Sinne gebraucht. Akzeptor- und Donatorstoffe können durch die beiden Grundflächen 12 und 14 in die Scheibe 10, beispielsweise mittels irgendeines bekannten Zweifachdiffusionsverfahrens, ein-

diffundiert werden, um in der Scheibe eine P-leitende Zone 16 und eine N+-leitende' Zone 18 zu bilden. Dieses Zweifachdiffussionsverfahren kann in bekannter Weise so kontrolliert werden, daß die P-Zone 16 unter Bildung eines PN-Überganges 20 mit der N-Zone 18 von der Grundfläche 12 aus bis in eine Tiefe von ungefähr 0,05 mm reicht. Der PN-Übergang 20 ist ebenflächig ausgebildet und verläuft im wesentlichen parallel zu den Scheiben-Grundflächen 12 und 14. Als Folge des Diffusionsvorganges können die Grundflächen 12 und 14 eine verhältnismäßig hohe elektrische Leitfähigkeit, angedeutet durch die Symbole P+ und N⁺, haben.

Statt der erwähnten Zweifachdiffusion kann man sich zur Herstellung des PN-Überganges 20 auch eines Einfachdiffusionsverfahrens bedienen. So kann man durch die Grundfläche 12 in die Scheibe 10, die z. B. aus N-Halbleitermaterial mit einem spezifischen Widerstand von 25 bis 60 Ohmzentimetern besteht, einen P-leitenden Dotierungsstoff zwecks Bildung des PN-Überganges 20 eindiffundieren. Der PN-Übergang 20 kann auch auf einem N+-leitenden Körper durch sukzessives epitaktisches Aufwachsen von N-leitenden und P-leitenden Schichten in bekannter Weise hergestellt werden.

Mindestens eine Grundfläche der Scheibe 10, beispielsweise die obere Fläche 12, wird mit einer Schicht 24 aus einem elektrisch leitenden Material wie Chrom, Germanium, Niobium, Palladium, Platin, Silber, Tantal, Titan, Zirkon, Silicium/Germaniurri-Legierung oder einer Legierung- der genannten Stoffe überzogen. Die Leiterschicht 24 kann auf die Oberfläche 12 durch Aufdampfen, Auf plattieren, Eintauchen der Scheibe 10 in ein feines Pulver des Leiterstoffes oder Aufsprühen einer Suspension eines solchen Pulvers auf die Scheibe 10 oder durch Anbringen ' einer dünnen Metallfolie auf der Scheibe aufgebracht werden. Die Dicke der Leiterschicht 24 beträgt vorzugsweise zwischen 1000 und lOOOOÖÄ.

Mehrere derartige Scheiben 10: werden in einem geschichteten Stapel oder Paket mit einer unteren Trägerscheibe 22 und einer oberen Trägerscheibe 23 angeordnet, wie in F¹Ig. 3 in auseinandergezogener Darstellung gezeigt. Als, Träger- öder Unterlagscheibe 22 dient vorzugsweise eine stark dotierte, entartete N+-leitende Scheibe aus dem gleichen Halbleitermaterial wie die anderen Scheiben 10, so daß die Wärmeausdehnungskoeffizienten der einzelnen Scheiben im wesentlichen die gleichen sind. Für die obere Träger- bzw. Deckscheibe 23 yerwendet man .ein stark dotiertes, entartetes P+-leitendes Halbleitermaterial, das ebenfalls im wesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten hat wie die Scheiben 10. Die obere Fläche 28 der Unterlagscheibe 22 wird ähnlich wie die Scheiben 10 mit einer Leiterschicht 24 überzogen.

Das in F i g. 3 veranschaulichte Paket aus mehreren Scheiben 10, der Deckscheibe 23 und der Unterlagscheibe 22 kann durch Warmpressen zu einem massiven Block 30 (F i g. 4) zusammengefügt werden. Dieser Verfahrensschritt kann in einem Induktionsofen 26 (F i g. 3) durchgeführt werden. Die einzelnen Scheiben des Paketes werden dabei so angeordnet, daß ihre Leiterschicht 24 jeweils die benachbarte Scheibe berührt, wobei die PN-Übergänge der einzelnen Scheiben 10 durch die entsprechenden Leiterschichten 24 elektrisch in Reihe geschaltet werden. Die aufeinandergepackten Scheiben werden zwischen zwei Kohleplatten 32 und 34 (F i g. 3) angeordnet, und die beiden Enden des Paketes werden in den durch die Pfeile 36 und 38 angedeuteten Richtungen mit Druck beaufschlagt, während durch den Induktionsofen 36 die Anordnung so stark erwärmt wird, daß die Leiterschichten 24 in die benachbarten Scheiben eindiffundieren, wodurch die benachbarten Scheiben mechanisch und elektrisch zu einem massiven Block 30 zusammengefügt werden, wie in Fig. 4 gezeigt. Wenn die Schichten 24 aus Chrom, Zirkon oder Titan bestehen, kann das Warmpressen der zweifachdiffundierten Siliciumscheiben 10 sowie der Deckscheibe 23 und der Unterlagscheibe 22 bei einer Temperatur von 900 bis 1400° C und einem Druck von 14 bis 350 kg/cm² und bei einer Behandlungsdauer von 1 bis 30 Minuten erfolgen. Das Warmpressen soll vorzugsweise im Vakuum oder in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre, beispielsweise _t Argon oder Wasserstoff, erfolgen. Für Scheiben aus Germanium oder III-V-Halbleiterverbindungen,' wie Galliumarsenid, können niedrigere Temperaturen und Drücke angewendet werden.

Nach dem Zusammenfügen des Blockes 30 werden in diesem eine Anzahl von Mesa-Strukturen 40 hergestellt, indem man im Block 30 eine Anzahl von Kerben oder Einschnitten 42 anbringt, wie in Fig. 5, 6 und 7 gezeigt. Die Einschnitte 42 werden durch). Einschneiden entlang der in Fig. 4 gezeigten gestrichelten Linien hergestellt. Jeder der Einschnitte 42 durchsetzt die Deckscheibe 23 und die Scheiben 10 vollständig und reicht teilweise in die Unterlagscheibe 22 hinein, so daß eine Anzahl von im wesentlichen gleichartigen Mesa-Strukturen oder -anordnungen 40 entstehen, wie in der Grundrißansicht nach Fig. 5 angedeutet. Die Einschnitte 42 im Block 30 können beispielsweise durch chemisches oder elektrolytisches Ätzen, Sandstrahlen,'Sägen, Schleifen oder Ultfaschallzerspannung (»cavitroning«) hergestellt werden. Obwohl die einzelnen Mesa-Strukturen 40 in'der Zeichnung'einen im wesentlichen quadratischen Querschnitt haben, sind in manchen Fällen Mesa-Strukturen 40 mit kreisförmigem Querschnitt vorzuziehen, um die ungleichen elektrostatischen Felder zu eliminieren, die unter bestimmten Voraussetzungen'sich in einer Mesa mit scharfeckigem Querschnitt aufbauen können. Mesa-Strukturen mit runder Querschnittsform körinen durch Ultraschallbearbeitung ohne weiteres hergestellt werden. ^:

Zwar ist es wünschenswert, in die Einschnitte 42 in der Wärme erweichtes Glas 46 (F i g. 7) einzupressen; da jedoch die meisten Gläser Verunreinigungen enthalten, die die PN-Übergänge 20 in den einzelnen Mesa-Strukturen 40 in Mitleidenschaft ziehen können, wird die Oberfläche der Mesa-Strükturen 40 zunächst mit/einer Schicht44 aus einem elektrisch isolierenden Oxid, beispielsweise Siliciumdioxid überzogen. Das Aufbringen der Schicht 44 aus Siliciumoxid auf die Oberfläche der Mesä-Strukturen 40 kann nach irgendeinem bekannten Verfahren, beispielsweise durch unmittelbare Oxydation der Siliciumscheiben 10, 22 und 23,"durch Aufdampfen von Siliciumdioxid oder Siliciumoxid, durch Zersetzung von Organosilanverbindungen in der Dampfphase oder durch Hydrolyse oder Oxydation von Siliciumhalogeniden oder Siliciumhydriden erfolgen. Das Siliciumdioxid kann mit anderen Stoffen, beispielsweise Phosphorsilikat, Borsilikat oder .Bleisilikat, modifiziert sein, wenn die Scheibe 10 aus Gallium-

arsenic! oder Germanium besteht. Die Dicke der Schicht 44 beträgt vorzugsweise zwischen 2000 und 10000 A.

Nunmehr wird ein bis zum Erweichungspunkt erhitztes Isoliermaterial 46, beispielsweise Glas, in die Einschnitte 42 eingepreßt. Für das Erweichen des Glases 46 kann der in F i g. 3 gezeigte Induktionsofen 26 verwendet werden. Das Glas 46 und die Untcrlagscheibe 22 werden unter Druck gesetzt, indem man eine Platte aus Glas 46 auf die obere Fläche der beschichteten Mesa-Strukturen 40 auflegt und die Anordnungen zwischen Kohleblöcken mit einem Druck von 14 bis 350 kg/cm² verpreßt, wobei die' Temperatur des Glases 46 ausreicht, um dieses zum Erweichen zu bringen. Obwohl das Einbringen des Glases 46 in die Einschnitte 42 ohne weiteres durch einen derartigen Warmpreßvorgang oder durch Absinkenlassen des Glases 46 um die Mesa-Strukturen 40 herum erfolgen kann, kann man sich auch anderer Methoden der Glasaufbringung, beispielsweise der Sedimentation, des Einschmelzens oder des Aufdampfens, bedienen.

Eine Reihe von Glasarten 46, die für die Verwendung in Verbindung mit Silicium-, Germanium- oder Galliumarsenid-Halbleitern gut geeignete Wärmeausdehnungseigenschaften haben, stehen auf dem Markt zur Verfügung. .

Im allgemeinen sollten Gläser 46j die für die Verwendung im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung in Frage kommen, einen verhältnismäßig hohen elektrischen Widerstand haben und frei von Chemikalien sein, die das Halbleitermaterial im nachteiligen Sinne dotieren können, und sie sollten außerdem im wesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das betreffende Halbleitermaterial haben. Für Siliciumscheiben sind beispielsweise bestimmte bekannte Erdalkali-Aluminiumsilikatgläser sowie Lithium-Kaliumborsilikatglas geeignet.

Durch die Mesa-Strukturen 40 und das in den Einschnitten 42 zwischen den Mesa-Strukturen 40 befindliche abgekühlte Glas 46 wird ein Massivblock 50 gebildet, wie in F i g. 8 gezeigt. Die obere und die untere Fläche 52 bzw. 54 des Blockes 50 werden nunmehr gelappt, um das Halbleitermaterial auf der oberen und der unteren Seite der Mesa-Strukturen freizulegen. Und zwar werden die pbere und die untere Fläche 52 bzw. 54 des Blockes 50 bis auf die Ebenen oder Niveaus 56 bzw. 58 heruntergeläppt, um parallele Endflächen 52 a und 54 a des P+-leitenden und des N+-leitenden Halbleitermaterials der Deckscheibe 23 bzw. der Unterlagscheibe 22 freizulegen.

Das Glas 46 zwischen den einzelnen getrennten Mesa-Strukturen 40 wird nunmehr, beispielsweise durch einen Schnitt entlang der Ebene 60 (F i g. 8), zerschnitten, um die einzelnen isolierten Mesa-Strukturen 40 voneinander zu trennen.

Fig. 9 zeigt im Querschnitt eine einzelne Mesa 40, die eine Gleichrichtersäule im Sinne der Erfindung bildet. Die zuvor geläppten Flächen 52 a und 54 a der P+- und N+-Scheiben 23 und 22, d.h. die beiden Enden der Gleichrichtersäule, werden nunmehr mit Schichten 62 bzw. 64 aus einem Metall wie Nickel stromlos plattiert und anschließend in schmelzfiüssiges Lötmittel eingetaucht. An die Schichten 62 und 64 können ohne weiteres zwei Elektroden 66 bzw. 68 angebracht werden. Die Elektroden 66 und 68 können aus irgendeinem geeigneten elektrisch leitenden, metallischen Material, beispielsweise Kupfer oder Silber, bestehen und haben vorzugsweise die gleiche Querschnittsfläche wie die passivierte Mesa 40. Man kann für die Schichten 62 und 64 auch andere Metalle, Hartlötmittel oder. Legierungen verwenden. Die mit Siliciumdioxid und Glas geschützte Gleichrichtersäule nach F i g. 9 kann zusätzlich noch dadurch passiviert werden, daß man

ίο Teile der Elektroden 66 und 68 sowie des Glases 46 mit einer Umkapselung 70 aus Isoliermaterial, beispielsweise einem Silikon oder Epoxidharz, abdeckt oder überzieht.

Im Betrieb kann die Gleichrichtersäule nach F i g. 9 (mit 3 PN-Ubergängen) eine Wechselspannung von 3000 Volt gleichrichten, wobei jeder der drei PN-Übergänge eine Durchschlagsspannung von über 1000 Volt hat. Die Gleichrichtersäule kann mit beliebig vielen PN-Übergängen ausgebildet werden.

Die Gleichrichtersäule nach F i g. 9 kann wieder-' holten Überlastungen und verhältnismäßig starken Sperrströmen standhalten, ohne dauernden Schaden zu erleiden. Diese Wirkung steht in direktem Gegensatz zu vorbekannten Siliciumgleichrichtern, die sich gewöhnlich nach dem Durchschlag nicht erholen. Die verbesserte Leistung der erfindungsgemäßen Gleichrichtersäulen gegenüber vorbekannten Gleichrichtern ist wahrscheinlich der Schutzwirkung zuzuschreiben, die sich daraus ergibt, daß die seitliche Fläche, d.h. die zu den PN-Übergängen der Säule querverlaufende Fläche des Halbleitermaterials der Gleichrichtersäule, die sich inniger Berührung mit einer Schicht aus Siliciumdioxid befindet und Glas in inniger Berührung mit dieser Oxidschicht angeordnet ist. Es wird also durch die vereinigte Passivierungs- oder Schutzwirkung sowohl der Oxidschicht als auch des zusätzlichen Isoliermaterials Glas verhindert, daß die PN-Übergänge in Halbleitermaterial verhältnismäßig hohen spezifischen Widerstandes in Mitleidenschaft gezogen werden.

Zusätzlich zu den vorstehend erwähnten Abwandlungsmöglichkeiten bezüglich der Struktur der Gleichrichtersäule sowie der Verfahrensschritte bei der Herstellung ergeben sich dem Fachmann ohne weiteres noch andere mögliche Abwandlungen im Rahmen der vorliegenden Erfindung.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtersäulen mit mehreren aufeinandergestapelten kontaktierten Halbleitergleichrichterelementen, deren seitlich an die Oberfläche tretende PN-Übergänge durch eine elektrisch isolierende Oxidschicht und eine zweite, auf die Oxidschicht aufgebrachte Schicht aus einem anderen Isoliermaterial, insbesondere Glas, gegen äußere Einflüsse geschützt sind,- dadurch gekennzeichnet, daß·zwischen einer unteren und einer oberen Trägerscheibe (22, 23) aus stark dotiertem Halbleitermaterial des N⁺- bzw. P+-Leitungstyps mehrere, an mindestens einer Grundfläche (12, 14) mit einer Schicht (24) aus elektrisch leitendem Material versehene Halbleiterscheiben (10) mit einem einem zwischen den beiden Grundflächen (12,14)

verlaufenden PN-Übergang (20) aufeinandergestapelt und miteinander verbunden werden, daß der Stapel (30) durch mehrere quer zu den den PN-Übergängen (20) verlaufende, den Stapel

(30) bis in die untere Trägerscheibe (22) durchsetzende Einschnitte (42) in mehrere, durch die untere Trägerscheibe (22) noch verbundene Säulen (40) unterteilt wird, daß die Oberflächen der Säulen (40) mit der Oxidschicht (44) überzogen •werden und die verbleibenden Zwischenräume zwischen den Säulen (40) mit dem zweiten Isoliermaterial (46) ausgefüllt werden, daß das Material der Trägerscheiben (22, 23) so weit entfernt wird,, daß die zu kontaktierenden Endflächen (52 a, 54 a) der Säulen (40) frei liegen und die Verbindung zwischen den Säulen (40) durch die untere Trägerscheibe (22) aufgelöst wird, und schließlich die einzelnen Gleichrichtersäulen (40) durch innerhalb des zweiten Ispliermaterials (46) verlaufende Schnitte (60) voneinander getrennt werden.

2, Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen den Trägerscheiben, (22, 23) aufeinandergestapelten Halbleiterscheiben (10) durch Warmpressen mechanisch und elektrisch miteinander verbunden werden, wobei die zwischen den Halbleiterscheiben (10) liegenden Schichten (24) aus elektrisch.leitendem Material in die Halbleiterscheiben (10) eindiffundieren.

3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als zweites Isoliermaterial (46) ein durch Wärme erweichtes Glas,, welches etwa den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das Halbleitermaterial aufweist, in die durch die Einschnitte (42) gebildeten Zwischenräume zwischen den Säulen (40) eingepreßt wird und daß das Zerschneiden des Stapels (30) in die einzelnen Gleichrichtersäulen (40) nach dem Abkühlen und Erhärten des Isoliermaterials (46) erfolgt.

4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß an den durch Teile der Trägerscheiben gebildeten Endflächen (52 α, 54 α) der Gleichrichtersäulen. (40) metallische Anschlußelektroden (66,68) angebracht und die einzelnen (jleichrichtersäulen (40) samt Teilen der Anschlußelektroden (66, 68) mit einer weiteren Umhüllung (70) aus Isoliermaterial überzogen werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 109 645/158