DE1564086A1

DE1564086A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleitersystemen

Info

Publication number: DE1564086A1
Application number: DE19661564086
Authority: DE
Inventors: Makoto Homma; Ichiro Miwa; Shoji Tauchi
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1965-07-30
Filing date: 1966-07-29
Publication date: 1970-09-17
Also published as: US3707410A; NL6610733A; DE1564086B2

Description

HITACHI /LTD., Tokio (Japan) Verfahren zur Herstellung von Halbleitersystemen

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitersystemen, insbesondere auf ein Verfahren zur selektiven Dotierung eines Halbleiters mit Störstellen, vor allem auf die Dotierung eines Halbleiters durch dieselbe Oberfläche mit einer Anzahl von Störstellen.

Halbleitersysteme, wie Transistoren oder Dioden, enthalten im allgemeinen eine Grenzschicht zwischen Halblelterschichten von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, beispielsweise' eine p-n-Grenzschicht oder eine Grenzschicht zwischen Halbleiterschichten anderer Leitfähigkeitstypen,, beispielsweise eine pi, ni, p⁺p"" oder n⁺n" Grenzschicht oder eine kombinierte Grenzschichtstruktur. Die genannten n- oder p-TypeHalbleiterschichten werden im allgemeinen in der Weise erzeugt, daß eine Donor- oder A^eeptor-Störstelle in den Halbleiter eingeführt wird, und zwar in Form einer Legierung, durch Diffusion, durch Wachstumstechnik oder eine Kombination dieser Maßnahmen.

Bei der praktischen Herstellung von Halbleitersystemen, wie Transistoren, 1st es im Hinblick auf die elektrischen Eigensohaf--

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ten und die Zwecke des Produktes üblich, die Dotierung nur auf einen bestimmten Teil des Halbleiters zu beschränken und eine selektive Multidotierung vorzunehmen, bei der nacheinander verschiedene Störstellen durch dieselbe Oberfläche in einen Substrat eingeführt werden. Ein typisches Halbleitersystem, das nach diesem selektiven Multidotierverfahren hergestellt wird,, ist der in Fig. 1 dargestellte Planartyptransistör.

Im folgenden sei zunächst kurz die übliche Herstellung eines solchen Planartyptransistors entsprechend Pig. I erläutert. Zunächst wird auf einer Breitseite eines n-Typ-Silizium-Einkristal-

in

les eine Siliziumoxydschicht erzeugt, die/einem bestimmten Bereich eine Öffnung aufweist. Durch selektives Eindiffundieren einer p-Typ-Störstelle durch diese öffnung wird dann p-Typ-Basisbereich erzeugt. Danach wird auf diesem p-Typ-Basisbereich eine zweite Schicht Siliziumdioxyd hergestellt, in der wiederum durch Entfernung eines bestimmten Teiles eine öffnung erzeugt wird. Dann läßt man durch diese letztgenannte öffnung eine n-Typ-Störstelle selektiv diffundieren, so daß ein n-Typ-Emitterbereich gebildet wird. Anschließend werden in der genannten Siliziumdioxydschicht öffnungen erzeugt, um einen Zugang zum Basisbereich und zum Emitterbereich zu gewinnen. Durch diese öffnungen werden dann Metallschichten hergestellt, die'mit den genannten Bereichen in ohmschern Kontakt stehen.

Es wurde erwartet, daß sich Planartyptransistoren dieser Art durch eine besondere Stabilität auszeichnen, da der Kantenbereich

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der p-n-Grenzschicht durch die Siliziumdioxydschicht vollständig geschützt ist.

Es wurde jedoch festgestellt, daß dieses bekannte Verfahren die im folgenden näher erläuterten Nachteile besitzt. Wie Pig. I zeigt, wird durch die öffnung, die in der auf dem n-Typ-Silizium-Substrat vorgesehenen Siliziumdioxydschicht vorhanden ist, zunächst eine Basisstrjöstelle diffundiert. Bei Herstellung einer öffnung in einer zweiten Siliziumdioxydschicht auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats zur lokalen Diffusion einer Emitterstörstelle ist eine Verfahrensstufe vorhanden, bei der ein Photowiderstandsfilm auf die ganze Oberfläche der Siliziumdioxydschicht aufgebracht und in diesem Photowiderstandsfilm eine öffnung hergestellt wird, die der öffnung zur ^'ffusion der Emitterstörstelle entspricht.

Bei diesem Aufbringen eines Photowiderstandsfilmes besteht nun jedoch ein Absatz an der Siliziumdioxydschicht, der in Pig. I durch einen Teil gekennzeichnet ist. Wegen dieses Absatzes in der Siliziumdioxydschicht ergibt sich eine nicht völlig gleichmäßige Stärke des Photowiderstandsfilmes, was die Ursache von kleinen Löchern im Bereich des erwähnten Absatzes ist. Diese im Photowiderstandsfilm auftretenden kleinen Löcher ermöglichen der Beizlösung (beispielsweise HP), die zur Herstellung der öffnungen in der Siliziumdio3cydsöhicht zur anschließenden Emitterdiffusion dient, einen Zugang zur Siliziumdioxydschicht. Es besteht infolgedessen die Gefahr, daß sieh diese Löcher bis zum Halbleitermaterial ausweiten. Ein in der Siliziumdioxydsehicht über dem Basis-

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bereich befindliches Loch würde es nun jedoch dem Emitterstörstellenmaterial gestatten, beim anschließenden Eindiffundieren dieses EmitterstÖrstellenmateriales weiter in die Basisschicht einzudringen, was die Transistoreigenschaften ungünstig beeinflußt. Gleiches gilt für den Verfahrensschritt, bei dein zur Herstellung von Emitter- und Basiselektroden Metall niedergeschlagen wird. Hierbei kann ein Kurzschluß zwischen dieser Metallschicht, beispielsweise aus Aluminium, und dem Substrat entstehen, der gleichfalls eine Ursache für das Entstehen von Ausschuß ist. Da die Metallschichtfläche bei einem integrierten Halbleitericreis wesentlich größer als die bei einem Planartyptransistor ist, besteht bei einem solchen integrierten Halbleiterkreis in hohem Maße die Gefahr des Auftretens eines Kurzschlusses zwischen dem niedergeschlagenen Aluminiumfilm und dem Halbleiter. Die Ursache derartiger Kurzschlüsse ist, wie erläutert, die Bildung feiner Löcher im Photowiderstandsfilm und demgemäß im Siliziumdioxydfilm.

Die zur Diffusion gebildete Siliziumdioxydmaske enthält ferner einen erheblichen Anteil von Oxyden der Störstellenatome; diese Maske ist ferner sehr dünn und demgemäß wenig widerstandsfest gegenüber der Ätzlösung, die zur Bildung einer öffnung (für das.anschließende Eindiffundieren des EmitterstÖrstellenmateriales) benutzt wird. Diese geringe Widerstandsfestigkeit der Maske vergrößert noch die Gefahr des Auftretens der erwähnten kleinen Löcher. Es wurde beschrieben, wie bei der erläuterten selektiven Diffusion eine zweite Siliziumdioxydschicht auf die Qberflbhe des' Halbleiters in der öffnung aufgebracht wird, die für eine selektive Diffusion hergestellt wurde. Es ist jedoch schwierig, bei

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Verwendung von Germanium oder anderen Halbleitermaterialien als Substrat eine zweite Siliziumdioxydschicht gleichzeitig mit der Diffusion herzustellen. Zur Behebung dieser Schwierigkeit wurde vorgeschlagen,, nach dem Diffusionsprozess die Abdecksehicht aus Siliziumdioxyd oder dergleichen auf dem Halbleitersubstrat durch thermische Zersetzung eines Materiales wie organisches Oxysilan herzustellen. Hierzu muß jeweils nach Beendigung eines Diffusionsvorganges eine Siliziumdioxydschicht niedergeschlagen werden, was zusätzliche Verfahrensstufen bedingt und den weiteren Nachteil mit sich bringt, daß wegen der Wiederverteilung der Störstellen durch Wärmebehandlung die elektrischen Eigenschaften leicht geändert werden. _:

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein selektives Multidotierverfahren zu entwickeln, das sich besonders für Planartyptransistoren eignet, jedoch auch für zahlreiche andere Harlbleitersysteme geeignet ist.

Ein weiteres wesentliches Ziel der Erfindung besteht darin, das Auftreten von Ausschuß bei der Herstellung von Halbleitersystemen, wie Transistoren und integrierten Halbleitersystemen zu vermeiden, soweit dieser Ausschuß auf der Bildung von kleinen Löchern in der genannten Photowiderstandsschicht oder in der Siliziumdioxydschioht unter dem Photowiderstandsfilm beruht. Durch die Erfindung soll eine neue und wirksame Methode geschaffen werden, die nicht nur für Silizium- sondern auch für Oermanlumhalbleifcersysteme oder andere intermetallische zusammengesetzte HaIbleitersyßteme geeignet ist, ohne komplizierte Verfahrensstufen zu

ÖS 1 .:

Einzelheiten der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung einiger Ausführungsbeispiele hervor. Während die bereits erläuterte Pig. 1 einen Querschnitt durch einen nach einem bekannten Verfahren hergestellten Planartyptransistor zeigt, veranschaulicht Fig. 2 einen Querschnitt durch.einen erfindungsgemäß hergestellten Planartyptransistor. Die Pig, ^a bis 3e erläutern ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens.

Der in Fig. 2 dargestellte, erfindungsgemäß hergestellte Planartyptransistor enthält einen Halbleitersubstrat 1., der beispielsweise aus einem Silizium- oder Germanium-Einkristall besteht und flach ausgebildet ist. Der Substrat bildet im Planartyptransistor den Kollektor. Auf der Oberfläche dieses Substrats ist eine Isolierstoffschicht 21 vorhanden, die üblicherweise aus Siliziumdioxyd besteht. Stattdessen kann die Schicht beispielsweise auch aus Siliziumnitrid, Aluminiumsilikatglas (AIpCUSiOp), Boraluminiumsilikatglas (BpO^-AIpCU-SiOp) bestehen. Der Transistor enthält weiterhin einen Emitterbereich 3 und einen Basisbereich 4. Erfindungsgemäß wird vor Herstellung des Basisbereiches 4 derjenige Teil des Substrats, auf dem der Emitterbereich 3 erzeugt werden soll, stark mit Störstellenmaterial dotiert, das denselben Leitfähigkeit styp^wie der Substrat 1 aufweist» Dann wird ein Störstellenmaterial, dessen Leitfähigkeitstyp von dem des Substrats unterschiedlich ist, zur Bildung des Basisbereiches eingeführt, und zwar nur in dem Maße, daß der Leitfähigkeitstyp des zuvor gebildeten Emitterbereiones 3 nicht geändert wird. Auf diese Weise wird somit unter dem Eraitterbereioh 2 der Basisbereich 4 erzeugt. Als Störstellenmaterial zur Bildung des Basisbereiohes wird ein Ma-

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terial gewählt/ dessen Diffusinnskonstante größer als die des zur Bildung des Emitterbereiehes "benutzten Störstellenmateriales ist. Das StörStellenmaterial für den Basisbereich diffundiert

der
daher durch den Bereich hindurch,/das EmitterstörStellenmaterial

enthält. _r - ■ ·

Das Störstellenmaterial für den Basisbereich läßt man durch die in der Isolierstoffschicht 21 gebildete Öffnung eindiffundieren. Eine zwischen dem Basisbereich 4 und dem Kollektorsubstrat 1 vorhandene p-n-Grenzschicht erstreckt sich bis zur oben erwähnten Breitseite des flachen Substrats. Die Kante dieser Grenzschicht wird durch die erwähnte Isolierstoffschicht 21 dauernd geschützt.

Mit dem Emitterbereich J und dep "Basisbereich 4 sind Metall-schichten 5 und 6 in ohmsehern Kontakt. .Diese Metallschichten sind mit den gemsia genannten Bereichen J und 4 durch Öffnungen verbunden, die in der zweiten Isolierschicht 22 hergestellt sind. Diese zweite Isolierschicht befindet sich in der zuvor erwähnten Öffnung der Schicht 21, die iherseits zum Eindiffundieren des Basisstör stellenmateriales dient.

Anhand der Pig. Ja bis Je wird im folgenden ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Halbleltersystems erläutert, wobei der Halbleitersubstrat aus Silizium?

besteht. I

- .■ ' ■ · ■ ί

Zunächst wird ein n«Typ»8ili£iumsubstrat mit einem spezifischen.·

■Widerstand von O,5-flcm hergestellt (dotiert mit Phosphor bis auf

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eine Konzentration von 5 χ 10 Atom/cnr). Auf die eine Breitseite dieses Substrates wird eine Siliziumdioxydschicht 21 aufgebracht (Fig. ^a). Der Teil der Siliziumdioxydschicht,unter dem der Emitterbereich hergestellt werden soll, wird entfernt, so daß eine die Halbleiteroberfläche freilegende Öffnung 7 entsteht. Die Herstellung dieser Öffnung erfolgt in bekannter Weise nach einem Photogravierverfahren. Die Siliziumdioxydschicht besitzt eine Stärke von etwa 8000 S und wird erzeugt durch Wärmebehandlung des Siliziumsubstrats in feuchter Atmosphäre bei Atmosphärendruck und 1200°C während etwa 45 Minuten.

Der Substrat wird dann zusammen mit einer Störstellenquelle in einen abgeschlossenen Behälter gebracht, der auf Unterdruck von 10 ^J mmHg gehalten wird. Als Störstellenmaterial wird pulverisiertes Silizium mit einem Gehalt von 5 χ 10 Atom/cnr Arsen benutzt. Ig dieses Pulvers wird in der Nähe des in den genannten Behälter eingeschlossenen Substrats angeordnet. Der Behälter wird dann als Ganzes während 8o Minuten auf 1200⁰C aufgeheizt. Es entsteht auf diese Weise ein hoch dotierter n-Typ-Emitterbereich j5 (vgl. Fig.

Zur Herstellung eines Basisbereiches wird anschließend in der Siliziumdioxydschicht 21 eine öffnung 8 hergestellt, die größer ist, als es zuvor die öffnung 7 war (vgl. Fig. J5c) . Der Halbleitersubstrat wird dann zunächst 10 Minuten in einem Raum gehalten, durch den N_g mit einer Menge von 50 l/min und O₂ mit einer Menge von 12 l/min hindurchströmt. Dann wird N₂, das man durch 15 enr BBr-, (bei Zimmertemperatur) hindurchströmen läßt, zusammen mit

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O₂ der Oberfläche des Halbleiters zugeführt, die auf 97O⁰C erlangt wird. Die genannte Gasmischung bleibt 35 Minuten in Berührung mit der Halbleiteroberfläche. Danach wird die Zufuhr von mit BBr^ angereichertem Np unterbrochen und der Substrat abgekühlt. Während dieses Vorganges wird Borglas über die ganze Oberfläche des Halbleiters und der Siliziumdioxydschicht 21 niedergeschlagen, wobei eine flache Diffusion von Bor in den Halbleitersubstrat unter der öffnung 8 erfolgt. Nach Entfernung der Borglasschicht von der Oberfläche wird der Substrat in feuchter Op~Atmosphäre während 60 Minuten erhitzt, so daß der erwähnte Borniederschlag weiter eindiffundiert. Da die Diffusionsgeschwindigkeit des Bor größer als die des Arsen ist, diffundiert das Bor ein -..-'.-■ . -.":'-.

weiter/als der Tiefe des Arsen enthaltenden, hoch dotierten Bereiches 3 entspricht.

Im Halbleitersubstrat wird auf diese Weise ein p-Typbereich unter dem hoch dotierten n-Typbereich > gebildet (vgl. Fig. Jd). Die Kante der zwischen dem p-Typbereich 4 und dem n-Typsubstrat vorhandenen p-n-Grenzschicht erreicht die Breitseite des Substrates und wird durch die Siliziumdioxydschicht 21 geschützt. In der Öffnung 8 wird eine zweite Siliziumdioxydschicht gebildet, die die Halbleiteroberfläche bedeckt. Diese zweite Siliziumdioxyd-. schicht schützt die p-n-Grenzschicht zwischen dem n~Typ-Bereich und dem p-Typ-Berelch 4. Die Diffusionstiefe des n-Typbereiches 3 beträgt etwa 2yw ί die OberflächenstörStellenkonzentration liegt bei etwa 5 χ 10 Ätom/cm. Dieser Bereich 3 bildet den Emitter deg Transistors, während der p-Typbereich 4 die Basis bildetj seine Diffusionstiefe beträgt etwa 2,7/*. (gemessen von der Oberfläche)'.' '- OIS831/0281 ;

Zum Schlüsse werden in 'der zweiten Siliziumdioxydschicht Öffnungen 9 und 10 hergestellt, die den Emitter- und Basisbereich teilweise freilegen. Durch diese öffnungen 9 und 10 kommen Metallschichten 5 und β, beispielsweise aus Aluminium, in ohmschen Kontakt mit den genannten Bereichen, so daß man den Transistor mit dem Aufbau gemäß Fig. 2 erhält.

Wird Germanium als Halbleitersubstrat benutzt, so diffundiert (im Gegensatz zur Verwendung von Silizium als Substrat) im allgemeinen ein n-Typ-Störstellenmaterial wesentlich schneller als ein p-Typ-Störstellenmaterial. Aus diesem Grunde ist es angebracht, ein p-Typ-Germanium als Substrat zu verwenden.

Es wird somit zunächst ein p-Typ-Germanium mit einem spezifischen Widerstand in der Größenordnung von lJlcm hergestellt. Auf eine Breitseite dieses Substrats wird Siliziumdioxyd aus der dampfförmigen Phase niedergeschlagen. Durch thermische Zersetzung von Tetraäthoxysilan bei 700⁰C während 1,5 Std. kann beispielsweise eine Siliziumdioxydsohicht mit einer Stärke von etwa 8θΟΟ 8 erzeugt werden. In einem vorgegebenen Bereich dieser Siliziumdioxydschicht wird dann eine öffnung 7 (entsprechend Pig. Ja) hergestellt.

Der resultierende Substrat 1 wird dann auf 850⁰C erhitzt und während 23 Minuten einer Umgebung ausgesetzt, die Indiumdampf enthält, so daß durch die öffnung 7 Indium diffundiert und ein p-Typbereich 3 hoher Störstellenkonzentration gebildet wird (Fig. 3b). Anschließend wird in der Siliziumdioxydschicht eine öffnung 8 her-

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gestelltj die wesentlich größer als die zuvor vorhandene öffnung 7 ist(Fig. 3c). Der Substrat 1 wird dann während 3>8 Minuten bei 75O°C in einer-Arsenatmosphäre gehalten. Das Arsen diffundiert selektiv durch die öffnung 8 bis auf eine Tiefe, die größer als die Tiefe des Bereiches 5 ist/ so daß sich unter dem Bereich.5 ein n-Typbereich Λ bildet (Pig. Jd).

Der p-Typbereich weist eineOberflächenstörstellenkonzentration von 10 " A torn/ cm-⁵ und eine Tiefe von 1,5/* (gemessen von der Oberfläche) auf und dient als Emitter des Transistors. Der n-Typ-Be-■ reich-Λ besitzt eine Oberflächenstörstellenkonzentration von 10 Atom/cnrV eine Diffusionstiefe von 2,5 yw und dient als Basis, Die Stärke der Basis ist demgemäß 1μ . Die zwischen dem Kollektorbereich 1 und dem Basisbereich 4 vorhandene p-n-Grenzschicht wird an ihrem an der Oberfläche befindlichen Bereich vollständig durch die Siliziumdioxydschicht 21 geschützt. ,

Da bei Verwendung eines Germaniumsubstrats während des Diffusionsprozesses in der öffnung keine Siliziumdioxydschicht gebildet wird, erfolgt hier die Erzeugung einer Siliziumdioxydsohicht 22 durch das genannte Verfahren der thermischen Zersetzung von organischem Oxysilan. In dieser Siliziumdioxydschicht 22 werden dann öffnungen 9 und 10 hergestellt, durch die über Metallschichten der ohmsche Anschluß des Emitter- und Basisbereiches erfolgt. ^;

Es ist im allgemeinen erwünscht, daß das Eindiffundieren des Basisstörstellenmateriales bei einer niedrigeren Temperatur als

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das Eindiffundieren des Emitterstörstellenmateriales erfolgt. Dies verringert eine Diffusion des Emitterstörstellenraateriales bei dem anschließenden Diffusionsprozess des Basismateriales, so daß eine Verschiebung der Emitter-Basisgrenzschicht des Transistors während des Diffusionsprozesses des Basisstörstellenmateriales verkleinert wird. Die Breite der Basis und damit die Frequenz des Transistors kann vor allem durch die Diffusionstiefe des Basisstörstellenmateriales gesteuert werden. Auf diese V/eise läßt sich eine hohe Gleichförmigkeit verschiedener Elemente erzielen. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren beginnt die Diffusion mit dem Teil, der einen kleineren Diffusionsbereich besitzt., während anschließend unter Bildung einer größeren öffnung die Diffusion des Materiales vorgenommen wird, das einen größeren Diffusionsbereich aufweisen soll. A\if diese Weise entfällt vollkommen die bei dem bekannten Verfahren unvermeidliche Stufe im Oxydfilm an der Stelle, die der für das Eindiffundieren des Emitterstörstellenmateriales vorgesehenen öffnung entspricht. Beim erfindungsgemäßen Verfahren tritt somit lediglich eine einzige Stufe im Oxydfilm auf (vgl. Fig. 3d). Auf diese Weise wij£rd die Möglichkeit für das Auftreten von kleinen Löchern im Photowiderstandsfilm gegenüber dem bekannten Verfahren gemäß Fig. 3 (bei dem unvermeidlich zwei Stufen auftreten) wesentlich verringert. Bei dem bekannten Mehrfachdiffusionsverfahren werden in der Maske die gleiche Anzahl von Stufen gebildet, wie Diffusionsvorg^änge ausgeführt werden. Beim erfindungsgemäßen Verfahren entsteht demgegenüber unabhängig von . der Zahl der ausgeführten Diffusionsvorgänge lediglich eine Stufe, und zwar beim letzten Diffusionsvorgang. Die Gefahr, daß kleine Löcher infolge des Vorhandenseins derartiger Stufen während der

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Diffusion auftreten, ist daher erfindungsgemäß vollständig beseitigt. Die flache Siliziumdioxydschicht, die zur Bildung einer Stufe fahrt, wird erfindungsgemäß bis zum Verfahrensschritt aufgeschoben, da sie lediglich dazu dient, an einzelnen Stellen AnschluiBöffnungen für die Elektroden zu schaffen.

Die auf die erwähnten kleinen Löcher zurückzuführende unerwünschte Diffusion wird beim erfindungsgemäßen Verfahren somit auf ein Minimum verringert. Weiterhin ist auch die Gefahr eines Kurzschlusses im Halbleitersubstrat nach dem Aluminiumniederschlag weitgehend beseitigt. Die Zuverlässigkeit und Lebensdauer von Flanartyptrarisistoren ,oder integrierten Planar typ systemen ist daher wesentlich verbessert.

In der obigen Beschreibung wurde lediglich der Fall· erörtert, daß nur ein Störstellenmaterial im ersten Diffusionsvorgang eindiffundiert. Stattdessen ist es selbstverständlich auch möglich, mehrere Störstellenmaterialien entweder gleichzeitig oder nacheinander durch die öffnung 7 eindiffundieren zu lassen; gleiches gilt für den späteren Diffusionsvorgang durch die öffnung 8. Statt ferner durchgehende Diffusionsvorgänge bei der Dotierung im ersten und zweiten Diffusionsvorgang auszuführen, kann man auch ein Störstellenmaterial in beschränktem Maße entweder durch unmittelbares Aufbringen, nach einer Legierungstechnik oder nach einer Diffusionstechnik einführen und abgesehen hiervon später gesondert Störstellenmaterialien In den Halbleiter einbringen, wobei eine Wärmebehandlung benutzt wird unter Verwendung der Diffusionstechnik oder eines sonstigen Verfahrens.

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Claims

Patentansprüche

1. Verführen zur Herstellung eines HaTbleitersy»t«me. dadurch gekennzeichnet, da β zunächst ein In wesentl lohen flacher HsIb* leltersubstrat hergestellt wird, da* dsnn ein erster Halhlelterbereioh erzeugt wird, in de« ein erstes Sturstelleimateriai durch einen begrenzten Teil der Breitseite des Substrates in den Substrat eingeführt wird« daS anschließend auf die genannte Seite des Substrates eine Deckschicht aufgebracht wird» in der eine Öffnung vorgesehen 1st, die den Teil freilegt, in den das erste SttJratelleiwiaterial eingeführt wurde und die sich über den genannten Teil hinaus erstreckt, das anaehlleBend zur Bildung eines zweiten Halblelterberelehes ein «weites St&rstellenmaterial durch die genannte öffnung In den Substrat bis in eine Tiefe ein· geführt wird, die gruter als die Tiefe des ersten Halblelterbereiohes 1st, so dai unter diesen» ersten Halbleiterbereich ein zweiter Halblelterbereleh mit de« zweiten Stgrstellenmaterial gebildet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1* dadurch gekennzeichnet, daö der Halbleitersubstrat einen ersten Leitflfaigkeitetyp besitzt und das erst« Störstellenssaterial diesen ersten LeifcfMhlglceitetyp bestirnt das ferner das zweite iterstelleaaateri*! einen ve« ersten LeitfHftigJsiitefcyp uRtersehledliehen Ltitfahigkeitatyp aufweist und •Im Diffuslonatoftstante besitzt, die gröier als die des «raten •töretellei»at«rialee ist.

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J. Verfahren naoii Anspruch 2« dadurch gekennzeichnet, dad die zwischen dem Halbleitersubstrat und den xtieiten Halbleiterbereich vorhandene p-n-Grenzachioht in ihrem die Breitseite des Substrate erreichenden Teil ständig durch die Deckschicht geschützt ist»

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in

der genannten Öffnung eine die Oberfläche des Substrats abdeckende Isolierstoff-Schutzschicht erzeugt wird, in der anschließend öffnungen hergestellt werden, durch die der Elektrodenaneohlu3 der beiden Halbleiterbereiche erfolgt.

5. Verfahren nach nspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Stttrstellenmöterial diirch ©ine erste öffnung in einer auf der Breitseite des Substrats vors&«*^aenen Maske eingeführt wird, wobei diese erste fiffnung einen begrenzten Teil der Breitseite freilegt imd öaß das sweite 8törst<*llenmaterial durch eine zweite iJffnung eingeführt wird, die die erste öffnung einsehliest und größer als diese ist.

6. Verfahren naoh Anspruoh 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht 8iIiaiwndioxyd enthält.

7. Verfahren rur Herstellun« eines Halbleitersyete»s, dadurch ceken&seiehnet_#dae «unMohst «in i« wesentlichen flasher Halbleitersubstrat eines «rstefi L*itfÄhi«k«ltstype hergestellt wird, daB dann die Breitseite uvatäh «ine Isolierstoffdeoiceohieht abgedeckt wird, daß «ηββη11·Β«η& in der Deo&wohicht eine erste öffnung her-

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gestellt wlrdi« axe die Oberfläche des Substrats teilweise freilegt, daß hierauf zur Bildung eines ersten Halbleiterbereiches ein erstes Störstellonaaterlal, das einen ersten LeltfÄhigkeitstyp bestirnt, durch die genannca erste Hffnung selektiv eindiffundiert wird, dftJ dann in der Deckschicht eine zweite öffnung erzeugt wird, die die erste öffnung umschließt und prüder als diese ist und da£ aur Bildung eines zweiten Halbleiterbereiches ia Substrat durch diese zweite öffnung ein zweites Störstellenmaterial eingeführt, wird, das einen zweiten LeitfShlskeltstyp bestimmt, der voa ersten Leitfählgkeitetyp unterschiedlieb 1st, wobei die Diffusionskonstante dec zweiten StöreteUfnmateriale· gröfler als die des im Substrat befindlichen ersten Störetellenasterlales ist, das ferner das zweite Störstellenmaterlal In einen sctohen KsSe in den Substrat eingeftihrt wird, daS es den LeitfalUgkeitstyp des zuvor gebildeten ersten Halbleiterbereiche ε nicht ändert, jedoch in einem Ka^c, daß es den Leitfühigkeltstyp dss Substrats la Bereich unter dem ersten Halbleiterbereich ändert und dafl all« Ränder der zwisaher* dem Halbleitersubstrat und den »weiten Haiblelterbereioh vorhandenen p~n~are>n7.s?hiaht bis svo Breitseite des Substrats streichen «nd etSndlg durch die Decksohioht geschützt sind.

P>. Verfahren nach Annpmich J, dadurch «gekennzeichnet, daß die in der zweiten ^ffnvng freigelegte Oberfliehe duroh eine Isolierstof schutzschicht abgedeckt wird, in der Öffnungen sua Anschlui von Elektroden an die beiden Halblelterbereiche vorgesehen werden.

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9. Verfaiir-an iiaeU Anspruch 1 _f da-iurcii. ,jiekennae lehnet;, da2 Halbleiter aus ei?*o;n Silisiuin-Eirücri stall uadJiIAe Deckschicht aus Slliziuandiojcyd böateht, daß ferner ά&ε EinfUlucen des zweiten Stürstellenmaleriaiea in Qjiydiarsnilur Atmosphäre Qu tiAß die 5iii£ittaoberfll!cho wälir*nd düs ElnfUiiread dös ten ■Störötellenaiatöi»ialöa osyöisrt wird und in der awtiten 3ff-β ein* auu Siliüluraöloiiya fcestetisiisde taolierstoffechlcht auf Cberriäaüö t;ebj.2chit wird.

10» TerX'Äiireri nach Aii3prucii 7# daduraii ©«iceiuizelchiietj, da;3 der hlail5itiitex'öub*i,rut a^ eixis.u Gejfttiaiiiura-fiialcristall bestehu und 5 nacii EJUifiihren d*s xwoitisn Scüra'cellenmaterialea la der Öffnung eine isollarstoiTsohicht; orzsujji; wird.

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