DE1546032B2 - Waessrige basische aetzloesung zur herstellung von getrennten halbleiterkontakten - Google Patents
Waessrige basische aetzloesung zur herstellung von getrennten halbleiterkontaktenInfo
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2639004A1 (de) * | 1975-11-26 | 1977-06-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Mittel zur oberflaechenbehandlung von zwischenprodukten bei der herstellung von halbleiterelementen |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4339340A (en) | 1975-11-26 | 1982-07-13 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Surface-treating agent adapted for intermediate products of a semiconductor device |
-
1951
- 1951-01-28 DE DE19511546032 patent/DE1546032B2/de active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2639004A1 (de) * | 1975-11-26 | 1977-06-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Mittel zur oberflaechenbehandlung von zwischenprodukten bei der herstellung von halbleiterelementen |
Also Published As
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|---|---|
| DE1546032A1 (de) | 1970-03-05 |
| DE1546032C3 (en:Method) | 1974-05-02 |
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